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フォトリソグラフィ装置市場 サイズとシェア 2026-2035

レポートID: GMI14720
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発行日: October 2026
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レポート形式: PDF/エクセル/ダッシュボード/プラットフォーム
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フォトリソグラフィ装置市場規模

フォトリソグラフィ装置市場は2025年に289億米ドルと評価され、2026年には332.4億米ドルに達すると予測される。2026年から2035年にかけて年平均成長率(CAGR)8.3%で拡大し、2035年には682億米ドルに達する見込みである。

フォトリソグラフィ装置市場の主なポイント

2025年の市場規模
289億米ドル
2026年の市場規模
332.4億米ドル
2035年の市場規模予測
682億米ドル
年平均成長率(CAGR)(2026〜2035年)
8.3%
地域別の優位性
最大市場
アジア太平洋
最も成長の速い地域
中東・アフリカ
主要企業
  • 市場リーダー:ASML Holding N.V.は、2025年に88.1%を超える市場シェアを獲得し、市場をリードした。

  • 主要企業:本市場の上位5社は、ASML Holding N.V., Canon Inc., Nikon Corporation, Mycronic AB, SUSS MicroTec SEであり、2025年に合計99.4%の市場シェアを占めた。

フォトリソグラフィ装置市場は、最先端ロジックへの投資、メモリ製造プロセスの移行、そしてより広範な地域におけるファブ建設が重なり合うなかで、その姿を変えつつある。装置需要は顧客の設備投資だけでなく、供給企業が限られるなかでの供給能力にも左右される。そのため、受注のタイミング、認定スケジュール、重要部品の入手可能性が、売上計上を左右する重要な要因となる。

GMIアナリストの見解

一次調査の一環として半導体製造装置の調達チームおよびファブ運営者と直接対話した結果に基づき、世界のフォトリソグラフィ装置市場の売上高は2027年に375.6億米ドルに達すると予測する。先端ロジックの拡大、HBM関連のメモリ投資、新たに現地化された製造能力への初期装置導入が同時に進むことで、調達の見通しが支えられるとみている。

フォトリソグラフィ装置市場の動向、成長要因、GMI予測の見通し

AI向けコンピューティング需要の高まりにより、最先端リソグラフィの戦略的重要性が増している一方、メモリのアーキテクチャ変化によってウェーハ当たりの露光工程の負荷が拡大している。同時に、多額の設備投資、輸出規制、上流工程の供給能力の制約により、市場の売上推移は最終需要だけでなく、装置導入のタイミングにも左右される可能性が高い。

主な成長要因

成長要因根拠となる指標市場需要への影響GMI予測の前提条件
AIおよびHPC向けチップ需要の加速に伴う、最先端EUVおよび先端DUV装置の調達拡大2025年の世界の半導体製造装置売上高は1,351億米ドルに達し、前年から15%増加した [1]AI GPU、カスタムASIC、HBMメモリー向けにファウンドリーとIDMの生産能力増強が継続し、EUVおよびArF液浸装置の複数年にわたる先行受注を支える。AI主導のプロセスノード移行が最先端リソグラフィ装置の供給増を上回るペースで進み、EUVの採用が拡大する。
メモリーアーキテクチャのHBMへの移行により、ウェハ投入枚数当たりのEUV装置需要が構造的に上昇SK Hynixは、2027年12月までに納入されるEUV装置について、ASMLに約80億米ドルを発注した [2]HBM製造におけるパターニングの複雑化により、メモリーメーカーに必要な装置群が拡大し、先端リソグラフィ装置の調達が裁量的な性格を弱める。メモリー関連のEUV調達は、サプライヤーが次世代のDRAMおよびHBMへ移行する中で高水準を維持する。
High-NA EUVの商用化により、最先端領域に新たな装置カテゴリーが確立0.55 NAプラットフォームでシングルパス解像度8nmを実現するASML EXE:5200Bは、2025年に商用出荷を開始した。IntelとSK Hynixが初期導入企業として確認されている [3]2nm未満のプロセス開発により、より高解像度のパターニング能力を必要とするファブで新たな調達サイクルが生まれる。顧客のプロセス認定が完了し、ASMLが生産能力を拡大するにつれて、採用が広がる。

※根拠となるデータには引用した外部データを使用している。需要への影響と予測条件はGMIの分析を示す。

AIインフラの拡大により、最先端および成熟プロセス技術の双方でリソグラフィ需要が広がっている。最先端GPUやカスタムアクセラレーターの製造にはEUVが多用される一方、推論デバイス、自動車用コントローラー、通信機器は、幅広いノードで引き続きDUV需要を下支えしている。この組み合わせにより、単一ノードの移行サイクルの場合よりも幅広い半導体投資計画から、装置サプライヤーが恩恵を受ける。

HBMの性能向上は積層・パッケージング技術の革新だけでなく、プロセスの微細化にも依存するため、メモリは先端リソグラフィ需要のより重要な源となりつつある。メモリメーカーがより高密度なDRAMアーキテクチャを追求するにつれ、重要なパターニング層の数が増え、技術的な難易度も高まる。特に顧客が新世代のプロセスを並行して認定する場合、従来型のメモリ容量増強よりも持続性の高い装置需要につながる。

High-NA EUVは、既存のスキャナー群を単純に拡張するのではなく、最先端ファブにとって独立した設備投資判断を伴う。その価値は最も要求の厳しい層でパターニングの複雑さを回避できる点にあるが、導入はプロセス歩留まりやスループット性能、標準的なEUVの経済性が低下するノードへ顧客のロードマップが移行するペースに左右される。

主な抑制要因

市場抑制要因根拠となるシグナル市場需要への影響GMIの予測条件
High-NA EUVの法外な設備投資負担により、最先端技術の導入がティア1の半導体メーカーに限定されるASMLのHigh-NA EUV装置EXE:5200Bの価格は、1台あたり約3億8,000万米ドルに上る[4]投資に必要な資金水準が当面の顧客層を狭め、最新のリソグラフィ分野における生産量の立ち上がりを遅らせる。予測期間の初期には、High-NAの導入は主要なロジックおよびメモリメーカーに集中する。
輸出規制により、世界で最も半導体生産量の多い地域における潜在市場が縮小するASMLは、段階的に強化されるオランダおよび米国の輸出許可要件を反映し、2026年の総売上高に占める中国の割合を約20%と見込んでいる[3][5]成熟ノードの需要が最先端プラットフォームへのアクセス制限を部分的に補うものの、高度な装置の制約により、アクセス可能な売上高の裾野は狭まる。DUV液浸露光装置に対する規制がさらに広がれば、中国国内の需要と世界の最先端技術ロードマップとの乖離が一段と深まる。
重要なサブコンポーネントの各階層でサプライチェーンが単一供給元に依存しているため、EUVの生産増強ペースが基礎的な需要を下回るASMLのEUVシステムは、Carl Zeiss SMTの光学アセンブリとCymer/Trumpfの光源部品を単一供給元から調達しており、リードタイムは18か月を超える[3]顧客需要が旺盛で工場の稼働準備が整っていても、生産能力のボトルネックによって納入が遅れる可能性がある。EUVの売上高成長は、受注需要だけでなく、上流工程の生産能力にも左右される。

※根拠となるデータには引用した外部データを使用している。需要への影響と予測条件はGMIの分析を示す。

High-NA EUVには技術面だけでなく、商業面での課題もある。標準的なLow-NA EUV装置の価格は約2億2,000万米ドルであり、新しいプラットフォームに必要な追加投資の大きさを示している [4]。そのため顧客は、高解像度化の能力と、歩留まり向上に向けた学習、稼働率、代替となるマルチパターニング工程のコストを比較検討する必要がある。これにより、先端ノードの生産量が最も多く、プロセス開発の体制が最も充実した工場で、早期導入が進むと考えられる。

中国は半導体製造への投資が盛んな主要地域である一方、最先端のリソグラフィー・プラットフォームへのアクセスが制限されているため、輸出規制によって市場環境にばらつきが生じている。中国のファブ計画は、輸出対象となるDUV技術や関連サービスの需要を引き続き支える可能性があるが、技術面の制約によって顧客が利用できる装置の構成が変化し、国産代替技術を開発する動きが加速している。そのため規制の変更は、半導体需要の基調を必ずしも弱めることなく、受注時期や製品の配分に影響を及ぼす可能性がある。

EUVのサプライチェーンは、精密光学系、照明系、光源技術の各分野で依然として極めて集中している。部品の品質要件がスキャナーの性能や顧客による認定と密接に結び付いているため、これらの制約を短期間で解消することは難しい。その結果、サプライヤーの増産計画はリソグラフィーのエコシステム全体で足並みをそろえる必要があり、最終市場の需要が堅調な時期にも納入リスクが残る。

GMIアナリストの見解

当社は、市場の中心的な変化を、主に景気循環に左右されるスキャナー購入から、技術主導の設備投資配分への移行と捉えている。AIコンピューティング、HBMの大容量化、各国のファブ国内立地化計画はそれぞれ異なる仕組みを通じて需要を支えるが、サプライチェーンの制約と輸出政策が、その需要がいつ装置売上高として計上されるかを左右すると考えられる。

フォトリソグラフィー装置市場のセグメント別分析

技術別

極端紫外線(EUV)リソグラフィー

EUVリソグラフィーの2025年の売上高は124.3億米ドルであり、2035年にはフォトリソグラフィー装置市場の52.0%を占めると予測される。最先端ノードの重要な層は、DUVマルチパターニングを繰り返す方法では経済的にパターン形成できないため、EUVは先端ロジックおよびメモリーの製造で重要性を増している。また、より高付加価値なHigh-NAプラットフォームへの移行も、EUVの売上構成を押し上げている。

技術別フォトリソグラフィ装置市場規模、2025年および2035年(10億米ドル)
技術別フォトリソグラフィ装置市場規模、2025年および2035年(10億米ドル)

深紫外線(DUV)リソグラフィー

DUVリソグラフィーは2025年にフォトリソグラフィー装置市場の48.0%を占め、2035年には259.2億米ドルの売上高を生み出すと予測される。DUVは、成熟ノードのロジック、自動車用半導体、産業用デバイスに加え、幅広いメモリーや特殊用途において引き続き不可欠である。その重要性が続く背景には、ArF、KrFなどの装置が依然として実用的な生産手段となるノードを製造するファブが、既に数多く稼働していることがある。

i線/UVリソグラフィー

i-LineおよびUVリソグラフィの市場規模は2025年に20.2億米ドルとなり、2035年までに47.7億米ドルに達すると予測される。EUVプラットフォームが提供する解像度よりも露光の柔軟性や低いプロセスコストが重視されるMEMS、パワーデバイス、化合物半導体、先端パッケージングの用途が需要を支えている。

特殊リソグラフィ(LDI、NIL、電子ビーム直接描画)

特殊リソグラフィの市場規模は2035年までに20.5億米ドルに達し、2026〜2035年に年平均成長率(CAGR)13.3%で拡大すると予測される。パネル規模のフォーマット、再配線層のパターニング、またはマスクレス加工において、従来のウエハースキャナーでは十分に対応できない領域で、レーザー直接描画、ナノインプリントリソグラフィ、電子ビーム直接描画装置の重要性が高まっている。

用途別

ロジック(先端・成熟ノード)

ロジック用途は2025年のフォトリソグラフィ装置市場の売上高の50.0%を占め、2035年までに327.4億米ドルを生み出すと予測される。先端ノードのファウンドリーのロードマップがEUV需要を下支えする一方、自動車、産業、通信、民生機器の生産が幅広いDUV需要を維持している。この構成により、一部の特殊用途でより速い成長が見込まれるなかでも、ロジックは大規模かつ多様な装置基盤を有している。

メモリー(DRAM/NAND/HBM)

メモリー製造は2025年にフォトリソグラフィ装置の売上高として86.7億米ドルを生み出し、2035年には市場全体の売上高の32.0%を占めると予測される。HBMおよび先端DRAMアーキテクチャによりウエハー当たりのパターニング要件が増加する一方、3D NANDのプロセス複雑化が補完的なリソグラフィ工程の需要を支えている。同セグメントの見通しは、従来のメモリーサイクルの生産量だけでなく、技術集約度にもますます左右される。

アナログ、ミックスドシグナル、パワー半導体

アナログ、ミックスドシグナル、パワー半導体用途の市場規模は2035年までに75億米ドルに達し、2026〜2035年に年平均成長率(CAGR)9.5%で拡大すると予測される。電動車、再生可能エネルギーシステム、産業オートメーション、充電インフラの普及により、SiC、GaN、シリコンパワーデバイスの需要が拡大し、特殊ノードおよび成熟ノード向けのリソグラフィ投資を支えている。

MEMS・センサー

MEMSおよびセンサー製造は2025年にフォトリソグラフィ装置の売上高として14.5億米ドルを生み出し、2035年までに34.1億米ドルに達すると予測される。自動車センシング、慣性計測、圧力センシング、産業モニタリングが、i-line、UV、および一部のDUV装置の需要を支えている。これらの用途では、最先端の微細化よりも、柔軟なプロセスフローや専用基板の取り扱いが重視される。

その他の用途(FPD、化合物半導体、RF)

その他の用途は2025年のフォトリソグラフィ装置市場の売上高の5.0%を占め、2026〜2035年に年平均成長率(CAGR)5.6%で成長すると予測される。この分類には、成長の鈍いディスプレイ関連需要と、化合物半導体を用いたRFデバイスや特殊電子機器の成長機会が含まれ、市場全体の拡大への寄与は比較的緩やかとなる。

エンドユーザー別

専業ファウンドリー

専業ファウンドリーは2025年の市場全体の売上高の45.0%を占め、2035年までに293.3億米ドルを生み出すと予測される。リソグラフィへの支出は、顧客主導のノードロードマップと量産立ち上げを基盤としている。ファウンドリーは最先端EUVシステムの主要な購入者であり続ける一方、特殊ノードおよび成熟ノードの生産能力全般にわたる大規模なDUV需要も維持している。

エンドユーザー別フォトリソグラフィ装置市場シェア、2025年
エンドユーザー別フォトリソグラフィ装置市場シェア、2025年

総合半導体メーカー(IDM)

IDMは2025年にフォトリソグラフィ装置の売上高として86.7億米ドルを計上し、2035年には市場シェア28.0%を占めると予測される。購買パターンには、先端ロジックへの投資、自動車・産業用デバイスの生産、地理的に分散した製造プログラムが反映されている。このセグメントが重要であり続けるのは、単一企業の製造ネットワーク内で複数の露光技術にまたがるプロセス選択が行われることが多いためである。

メモリメーカー

メモリメーカーのフォトリソグラフィ装置売上高は、2035年までに150億米ドルに達し、2026〜2035年に年平均成長率(CAGR)9.5%で成長すると予測される。HBM、DRAMのノード移行、ウェハ当たりのリソグラフィ強度の上昇が需要を押し上げている。このため、メモリサプライヤーは、既存のEUV装置群と将来のHigh-NA認定プログラムの双方において、ますます重要な顧客となっている。

OSAT・先端パッケージング

OSATおよび先端パッケージングメーカーは、2025年にフォトリソグラフィ装置売上高として8億6,700万米ドルを計上し、2026〜2035年に年平均成長率(CAGR)14.6%で成長すると予測される。チップレットの採用や再配線層を多用するパッケージング形式により、リソグラフィ需要はウェハ製造から下流のパッケージング工程へと移行している。これにより、従来型の最先端ウェハ露光ではなく、異種集積に最適化された特殊プラットフォームに機会が生まれている。

研究開発・学術・政府機関

研究開発機関、学術機関、政府機関は、2025年のフォトリソグラフィ装置市場売上高の2.0%を占め、2035年までに13.6億米ドルを生み出すと予測される。こうした機関の購入は、パイロットライン、プロセス開発、初期段階の技術認定を支えており、商業用半導体の生産サイクルに直接左右されにくい、セグメントの安定化に寄与している。

ウェハサイズ別

300mmウェハ

300mmウェハのセグメントは、2025年に225.4億米ドルを生み出し、2035年には市場の80.0%を占めると予測される。その地位は、先端ロジック、メモリ、大量生産型ファウンドリーの生産が大型ウェハに集中していることを反映している。大型ウェハでは、スループット面の経済性により、最も高度なスキャナー群への投資が正当化される。

200mmウェハ

200mmウェハのセグメントは、2025年に52億米ドルを生み出し、2035年までに109.1億米ドルに達すると予測される。長い製品ライフサイクルと確立されたプロセスプラットフォームが引き続き装置投資を支えるアナログ、パワー、MEMS、特殊半導体の製造において、引き続き中核的な役割を果たしている。

150mm以下

150mm以下のウェハは、2025年に市場の4.0%を占め、2035年までに27.3億米ドルを生み出すと予測される。需要は、研究、化合物半導体、ディスクリートデバイス、特殊センサー用途に集中している。これらの分野では、大型ウェハ形式の規模の優位性よりも、柔軟なプロセス対応力が重視される場合がある。

GMIアナリストの見解

リソグラフィ強度がウェハ生産量の伸びを上回る用途へ、価値が移行していると当社は見ている。EUV主導のロジック・メモリ投資が引き続き中核となる一方、先端パッケージングは独立した需要チャネルを形成しつつある。これにより、従来の前工程ウェハファブの購買パターンを超えて市場が広がり、特殊露光技術の顧客基盤も多様化している。

フォトリソグラフィ装置市場の地域別分析

フォトリソグラフィ装置市場の地域別シェア、2025年および2035年
フォトリソグラフィ装置市場の地域別シェア、2025年および2035年

北米のフォトリソグラフィ装置市場分析

北米のフォトリソグラフィ装置市場は、2025年に37.6億米ドルを生み出し、2035年までに世界市場の14.0%を占めると予測される。地域需要は、ファブ建設から装置の導入、プロセス認定、生産立ち上げへと移行する動きによって形成されている。政府支援の製造プログラムにより、先端ロジック、メモリー、先端パッケージングにおける同地域の重要性が高まっている。

米国

米国のフォトリソグラフィ装置売上高は2025年に35.7億米ドルとなり、2035年には90.7億米ドルに達すると予測される。新設・拡張される半導体製造プログラムにより、同国は研究開発とレガシー製品の生産を重視してきた従来の姿勢から脱却し、先端ノード向け装置調達における役割を拡大しつつある。この変化により、EUVシステムと、それに関連するDUV能力の双方で需要が増加する可能性が高い。TSMCのアリゾナ州Fab 21第2期(N3)は2026年第3四半期に建設を完了して装置の設置を開始し、2027年下半期の量産開始を目標としている[6]。

カナダ

カナダでは、研究機関、化合物半導体関連の活動、大学主導のプロセス開発を通じて、専門性の高い需要が生まれている。同国の市場での役割は、大量生産向けの先端スキャナー調達ではなく、小口径のi線露光装置や特殊用途のリソグラフィ装置が中心である。

欧州のフォトリソグラフィ装置市場分析

欧州のフォトリソグラフィ装置市場の売上高は、2035年までに61.4億米ドルに達し、2026〜2035年に年平均成長率(CAGR)9.8%で拡大すると予測される。地域投資は、政策施策、先端ファブ計画、自動車、産業、特殊半導体分野の既存メーカーによる生産能力の増強に支えられている。また欧州は、精密リソグラフィ部品の供給源であり、技術開発の拠点としても戦略的に重要である。

ドイツ

ドイツのフォトリソグラフィ装置売上高は2025年に6億4,700万米ドルとなり、2035年には17.2億米ドルに達すると予測される。需要は、先端ファブ計画、確立されたIDM事業、EUVサプライチェーンの上流における同国の地位に支えられている。同国は国内での装置調達に加え、世界的なリソグラフィシステムの供給を支える重要な製造面の役割も担っている。

オランダ

オランダは2025年に世界のフォトリソグラフィ装置市場の1.76%を占め、2035年までに市場売上高が13.5億米ドルに達すると予測される。同国の影響力は、ASMLと高度に専門化された精密エンジニアリングのエコシステムを擁する点で、他国とは構造的に異なる。国内需要は研究やパイロットラインの活動が中心である一方、より大きな重要性は技術開発と装置製造に由来する。

フランス

フランスでは、確立された半導体事業、研究インフラ、パワーエレクトロニクスやMEMSを含む特殊デバイスへの投資が市場を支えている。同国のリソグラフィ需要は、主に国内の製造拠点や研究施設における生産能力の拡大とプロセス開発に結び付いている。

アイルランド

アイルランドは、確立された先進製造基盤を背景に、引き続き有望な調達市場である。プロセス技術とファブ運営への継続的な投資が、複数世代のプロセスノードにわたる先進DUVおよびEUVクラスの装置需要を支えている。

アジア太平洋地域のフォトリソグラフィ装置市場分析

アジア太平洋地域は2025年にフォトリソグラフィ装置市場の77.0%を占め、2035年には497.9億米ドルの売上高を生み出すと予測される。同地域は、最先端のファウンドリー生産能力、メモリー生産、成熟ノードの拡大、幅広いサプライヤーエコシステムを兼ね備えており、引き続き市場の製造拠点となっている。域内需要は、先進的なEUV集約型生産と成熟ノード向けDUV投資の間で、ますます細分化している。

中国

中国は2025年に世界のフォトリソグラフィ装置市場の36.0%を占め、2035年には231.9億米ドルの売上高を生み出すと予測される。需要は、最先端の輸入装置へのアクセス制限がある中での、国内の成熟ノード生産能力への投資によって形作られている。これにより、DUV関連の調達、サービス需要、更新需要が支えられる一方、国内のリソグラフィ開発の戦略的重要性も高まっている[1]。

台湾

台湾のフォトリソグラフィ装置売上高は2025年に52億米ドルとなり、2035年には122.8億米ドルに達すると予測される。台湾の役割は最先端のファウンドリー製造を基盤としており、プロセスノードの段階的な移行に伴い、EUV装置群への継続的な投資が必要となる。先端ノードの生産能力拡大により、台湾は高性能リソグラフィシステムの重要市場であり続けている。

韓国

韓国は2025年に世界のフォトリソグラフィ装置市場の13.0%を占め、2035年には81.8億米ドルの売上高を生み出すと予測される。同市場の成長は、先端ファウンドリーとメモリー製造におけるリソグラフィ需要、特にHBMおよびDRAMの世代移行に支えられている。SK Hynixは、龍仁Y2および清州M17向けに54兆ウォンの投資計画を発表し、AIメモリー生産能力に関する長期的な装置調達の見通しを強めた[7]。

日本

日本のフォトリソグラフィ装置売上高は2025年に20.2億米ドルとなり、2035年には47.7億米ドルに達すると予測される。需要は、国内ファブへの投資、先端ノードの開発構想、成熟した特殊用途製造によって構成される。リソグラフィ装置の購入国であると同時に供給国でもある日本は、多くの調達中心の地域よりも統合度の高い産業構造を持つ。

シンガポール、マレーシア、インドなどの半導体産業の発展が進む国・地域を含むアジア太平洋地域のその他の地域では、OSAT生産能力、特殊用途の製造、各国の半導体プログラムが発表段階から稼働施設へと進展するにつれて、追加需要が見込まれる。

中南米のフォトリソグラフィ装置市場分析

中南米のフォトリソグラフィ装置市場は2025年に1億4,500万米ドルとなり、2035年には3億4,100万米ドルに達すると予測される。需要は研究、特殊用途製造、政府支援による限定的な製造活動に集中している。そのため同地域では、先進的なスキャナーの導入よりも、i線および特殊用途UVプラットフォームの比重が高い。

ブラジル

ブラジルのフォトリソグラフィ装置売上高は2025年に8,700万米ドルとなり、2035年には2億500万米ドルに達すると予測される。需要の中核を担うのは、研究機関、防衛関連電子機器、試作製造である。より大規模な成長は、初期段階にある半導体産業への参入意欲が、商業的に採算の取れる製造能力へと発展するかどうかにかかっている。

メキシコは引き続き、主に電子機器の組み立て・検査拠点としての役割を担っている。同国のリソグラフィ需要は、量産向けウェハー製造ではなく、研究、特殊用途の開発、試作活動に集中している。

中東・アフリカのフォトリソグラフィ装置市場分析

中東・アフリカは、2035年までに世界のフォトリソグラフィ装置市場の3.5%を占め、2026〜2035年に年平均成長率(CAGR)18.9%で拡大すると予測される。同地域の成長見通しは、半導体エコシステムの形成が初期段階にあることを反映しており、稼働実績のある既存工場と、計画段階のグリーンフィールド事業との間には大きな違いがある。そのため、事業遂行リスクは製造が成熟した地域より高い。

イスラエル

イスラエルのフォトリソグラフィ装置売上高は2025年に1億5,200万米ドルとなり、2035年には8億3,600万米ドルに達すると予測される。特殊用途および複数世代の半導体製造を含む、確立された半導体設計・製造エコシステムが、同国の見通しを支えている。この基盤により、構想段階にとどまる工場開発計画のみの場合と比べ、装置需要の商業的な裏付けが強まっている。

サウジアラビア

サウジアラビアのフォトリソグラフィ装置売上高は2025年に8,700万米ドルとなり、2035年には4億7,700万米ドルに達すると予測される。ビジョン2030-relatedの先端製造業関連施策により、研究、パイロット生産、デバイス開発向け装置の潜在市場が形成されつつある。短期的な需要は、大規模なウェハー生産よりも能力構築に重点が置かれる可能性が高い。

UAEでは半導体プログラムの開発が初期段階にあり、潜在需要は研究、化合物半導体の探求、フォトニクス関連の取り組みに集中している。

GMIアナリストの見解

アジア太平洋地域は引き続き市場を左右する主要な需要の中心であると予想されるが、各地域の技術路線は分化している。台湾と韓国では、最先端のロードマップがEUVへの依存を強めている一方、中国の需要は成熟ノードの生産能力と輸出規制の制約により大きく左右されている。北米と欧州では、現地工場が装置搬入段階に進むにつれ、これとは別の調達拡大要因が加わっている。

フォトリソグラフィ装置市場のシェアと競争環境

フォトリソグラフィ装置市場は寡占度が非常に高く、2025年には上位5社が市場の約99.4%を占めた。参入障壁が高い背景には、長期にわたる開発サイクル、特殊な光学技術と光源技術、顧客による厳格な認定要件、グローバルなサービス体制の必要性がある。そのため、競争上の優位性はスキャナーの性能だけでなく、導入済み装置のサポートやサプライチェーンの遂行能力にも左右される。

ASML Holding N.V.

ASMLは2025年にフォトリソグラフィ装置市場の88.1%を占めた。同社のリーダーシップは、EUVの独占的地位と先進DUV液浸システムにおける圧倒的な地位に基づき、専門性の高いサプライチェーンと広範な導入済み装置のサービスネットワークがそれを支えている。同社のHigh-NAロードマップは、次世代の最先端リソグラフィへの移行時期と経済性を左右するうえで、決定的な役割を担っている。

Canon Inc.

Canonは2025年、フォトリソグラフィ装置市場で6.2%のシェアを占めた。同社の競争力は、最先端の解像度よりも露光の柔軟性やシステムの経済性が重視されるi線、特殊用途、成熟ノード向けアプリケーションで最も強い。ナノインプリントリソグラフィは、生産認定の対象が広がれば、より付加価値の高い用途へ進出する戦略的な道筋となる可能性がある。

Nikon Corporation

Nikonは2025年、フォトリソグラフィ装置市場で3.2%のシェアを占めた。同社は、商業的に確立されたプロセスノードで操業するファウンドリー、メモリメーカー、IDM向けのArF液浸、ArFドライ、KrFシステムを展開している。圧倒的な先進スキャナー供給企業が主導する市場において、サービス能力、顧客との継続的な関係、プロセス支援が引き続き重要な差別化要因となっている。

Mycronic AB

Mycronicは、先進パッケージングや半導体のパターン形成ニーズに対応するフォトマスク描画技術およびダイレクト描画技術を通じて事業を展開している。同社の立ち位置は専門特化型だが、マスク品質とダイレクト描画能力は、ヘテロジニアス・インテグレーションへの移行やレチクル要件の複雑化を支えるため、戦略的に重要である。

SUSS MicroTec SE

SUSS MicroTecは、MEMS、化合物半導体、研究、先進パッケージング向けに、コンタクト露光およびプロキシミティ露光のニーズに対応している。同社のシステムは主流のスキャナーを補完するものであり、EUVや先進DUVよりも柔軟で低コストのUV露光が商業的に適している用途を対象とする。

EV Group (EVG)

EV Groupは、特殊用途半導体および先進パッケージング向けに、ナノインプリントリソグラフィ装置とウェーハ接合装置を供給している。ヘテロジニアス・インテグレーションの需要拡大は同社の事業機会につながる。同分野では、高解像度パターニングと接合工程の結び付きが強まっている。

Tokyo Electron Limited (TEL)

TELは、先進プロセスフローでリソグラフィスキャナーと併用されるコーター/デベロッパー・トラックシステムを通じて、エコシステムの重要な参加企業となっている。これらのシステムは露光装置市場の範囲外だが、スキャナーの稼働と一体化しているため、ファブ全体のリソグラフィ生産性とプロセス制御においてTELは重要な存在である。

Carl Zeiss SMT GmbH

Carl Zeiss SMTは、ASMLのEUVおよび先進DUVシステムに使用される高精度光学アセンブリーの重要な上流サプライヤーである。同社の製造能力はEUV装置の生産を左右する構造的な要素であり、定義された市場における最終装置メーカーとして競合していないものの、戦略的に重要な位置を占める。

Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE)

SMEEは中国を代表する国内リソグラフィ装置開発企業であり、i線およびDUVクラスのプラットフォームを中心に事業を展開している。輸出規制により国内代替品への政策的支援が生じている一方、既存の国際サプライヤーと比べた性能および量産規模の差は、依然として重大な制約となっている。

SCREEN Holdings Co., Ltd.

SCREEN Holdingsは、露光装置市場の範囲外にあるコーター/デベロッパー・トラックシステムとウェーハ洗浄システムを供給している。TELと同様、SCREENのシステムは先進ファブでスキャナーと緊密に連携して稼働し、露光装置には該当しないものの、リソグラフィ工程の生産性向上に寄与している。

NuFlare Technology Inc.

NuFlare Technologyはフォトマスク製造向けの電子ビームマスク描画装置を製造しており、定義された市場におけるウェーハ露光装置の直接供給企業ではなく、レチクルのサプライチェーンに位置付けられる。

JEOL Ltd.

JEOLは、研究、フォトマスク描画、特殊デバイス製造に用いられる電子ビームリソグラフィーおよび検査システムを開発している。同社の関連性は、コア露光装置市場に隣接する試作、研究開発、精密パターニング用途に集中している。

Onto Innovation Inc.

Onto Innovationは、半導体製造向けの光学式計測・プロセス制御システムを提供している。これらのシステムは、リソグラフィー工程におけるプロセス品質と歩留まりの管理を支援するが、ここで定義するフォトリソグラフィー装置市場の対象外である検査装置に分類される。

Ultratech / Veeco Instruments

現在はVeeco Instrumentsの一部であるUltratechは、先端パッケージングやMEMS用途に関連するレーザーアニール装置および一部の特殊リソグラフィーソリューションを提供している。同社の市場貢献は、コアスキャナー市場に隣接するニッチな露光・アニール用途に限られる。

最近の業界動向

TSMCは、アリゾナ州での事業にさらに1,000億米ドルを投資すると発表した。これにより、投資確約総額は2兆6,500億米ドルとなり、先端プロセス向け施設の建設計画も追加された [6]。この拡張により、工場建設から装置の設置、生産認定へと各段階が進むなか、EUVおよび先端DUVシステムの北米での調達サイクルが長期化することが示されている。

SK Hynixは、龍仁Y2および清州M17の施設を対象に54兆ウォンを投資すると発表し、計画中のAIメモリー製造能力を拡大する [7]。この動きにより、先端DRAM、HBM、NANDのプロセス移行に対応するリソグラフィー装置サプライヤーの受注見通しが強まる。

ASMLは、EUVおよび非EUVシステム全般の需要を理由に、2026年の売上高見通しを約389億米ドルから432億米ドルに更新した [3]。この見通しは、AI関連インフラ投資、メモリー増産、ファブの現地化プログラムが、世界のリソグラフィー装置の調達活動に引き続き重要であることを反映している。

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著者:  Suraj Gujar , Parneet Kaur

よくある質問 (FAQs):

フォトリソグラフィ装置市場の規模は、2025年に289億米ドルと推定され、2026年には332.4億米ドルに達すると予測される。
市場規模は2035年までに682億米ドルに達し、2026年から2035年にかけて年平均成長率(CAGR)8.3%で成長すると予測される。
アジア太平洋地域は2025年時点で、フォトリソグラフィ装置市場において最大のシェアを占めている。
中東・アフリカ地域は、予測期間中に最も高い成長率を示すと予測される。
フォトリソグラフィ装置市場の主要企業には、ASML Holding N.V.、Canon Inc.、Nikon Corporation、Mycronic AB、SUSS MicroTec SEなどがある。

調査手法、データソース、検証プロセス

本レポートは、業界関係者への直接的なヒアリング、独自のモデル構築、厳格な相互検証を柱とする体系的な調査プロセスに基づいています。文献・公開情報の調査だけに依拠したものではありません。

当社の6段階の調査プロセス

  1. 1. 調査設計とアナリストによる監督

    GMIの調査手法は、専門家の知見、厳格な検証、徹底した透明性を基盤としています。当社のレポートに掲載される洞察、トレンド分析、予測はすべて、対象市場の特性を熟知した経験豊富なアナリストが作成しています。

    当社は、業界関係者や専門家との直接対話を通じた広範な一次調査と、信頼性を確認した世界各地の情報源に基づく包括的な二次調査を組み合わせています。定量的な影響分析を用いて信頼できる予測を提供するとともに、元のデータソースから最終的な分析結果までの追跡可能性を確保しています。

  2. 2. 一次調査

    一次調査は当社の調査手法の中核であり、分析上の知見全体の約80%を占めます。分析の正確性と深さを確保するため、業界関係者に直接ヒアリングを行います。体系的なインタビュープログラムは地域市場と世界市場を対象とし、経営幹部、取締役、各分野の専門家から情報を収集します。こうした対話から戦略面、事業運営面、技術面の見解を得ることで、多角的な分析と信頼性の高い市場予測につなげています。

  3. 3. データマイニングと市場分析

    データ収集・分析は当社の調査プロセスの重要な一部であり、調査手法全体の約20%を占めます。主要企業の売上高シェア分析を通じて、市場構造の分析、業界トレンドの特定、マクロ経済要因の評価を行います。有料・無料の情報源から関連データを収集し、信頼性の高いデータベースを構築します。その情報を一次調査と市場規模推計に活用し、販売代理店、メーカー、業界団体などの主要関係者による検証を受けます。

  4. 4. 市場規模の推計

    当社はボトムアップ方式で市場規模を推計します。一次インタビューで直接収集した企業の売上高データに加え、メーカーの生産量、設置件数または導入件数に関する統計を出発点とします。これらの情報を地域市場ごとに積み上げ、実際の業界活動に裏付けられた世界市場の推計値を算出します。

  5. 5. 予測モデルと主要な前提条件

    すべての予測には、以下の事項を明示しています。

    • ✓ 主な成長要因と、それぞれについて想定する影響

    • ✓ 成長抑制要因と、その影響を緩和するシナリオ

    • ✓ 規制に関する前提条件と政策変更リスク

    • ✓ 技術普及曲線のパラメーター

    • ✓ マクロ経済に関する前提条件(GDP成長率、インフレ率、為替)

    • ✓ 競争環境と市場への参入・撤退の見通し

  6. 6. 検証と品質保証

    最終段階では、各分野の専門家が選別済みデータを目視で確認し、自動化されたシステムでは見落とし得る微妙な差異や文脈上の誤りを特定します。この専門家によるレビューが品質保証の重要な層となり、データが調査目的と各分野の基準に合致していることを確認します。

    当社は3層の検証プロセスを通じて、データの信頼性を最大限に高めています。

    • ✓ 統計的検証

    • ✓ 専門家による検証

    • ✓ 市場実態との照合

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