Markt für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen mit Siliziumkarbid (SiC) – Nach SiC-Produkttyp, Nennspannung, Leistungsniveau, Anwendungsart und Endverwendung – Globale Prognose 2025–2034

Silicon Carbide (SiC) für den Markt für drahtloses EV-Laden Marktgröße

Der globale Markt für Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses EV-Laden wurde 2024 auf 4,2 Millionen USD bewertet. Der Markt soll von 4,8 Millionen USD im Jahr 2025 auf 17 Millionen USD im Jahr 2034 wachsen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 15,1 % im Prognosezeitraum, laut dem neuesten Bericht von Global Market Insights Inc.

Die rapide Zunahme der weltweiten Adoption von Elektrofahrzeugen ist ein Hauptkatalysator für das Wachstum von Siliziumcarbid (SiC) in drahtlosen EV-Ladesystemen. Da immer mehr Verbraucher und Flotten von Verbrennungsmotoren auf elektrische Antriebsstränge umsteigen, steigt die Nachfrage nach schnelleren, effizienteren und bequemeren Ladetechnologien. SiC-Bauelemente bieten eine überlegene Stromumwandlungseffizienz und geringere Energieverluste im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumkomponenten, was sie ideal für das drahtlose Laden mit hoher Frequenz macht. Ihre Fähigkeit, bei höheren Spannungen und Temperaturen zu arbeiten, unterstützt auch kompakte, leichte Laderdesigns. Diese Ausrichtung auf das sich entwickelnde EV-Ökosystem stärkt die Rolle von SiC als Schlüsseltechnologie für die nächste Generation von Hochleistungs-Ladeinfrastrukturen.

Die jüngsten Fortschritte bei SiC-Halbleitermaterialien und Herstellungsverfahren beschleunigen die Entwicklung des drahtlosen EV-Ladens. Innovationen wie verbesserte Waferqualität, höhere Ausbeute bei der Produktion und verfeinerte Bauelementarchitekturen haben die Effizienz, thermische Stabilität und Zuverlässigkeit von SiC erheblich verbessert. Diese Entwicklungen ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und Leistungsdichten, die für eine effiziente drahtlose Energieübertragung unerlässlich sind. Darüber hinaus reduzieren Fortschritte bei SiC-MOSFETs und Dioden Energieverluste und ermöglichen kleinere, integrierte Ladesysteme. SiC-Technologie erfüllt nicht nur die anspruchsvollen Anforderungen des drahtlosen EV-Ladens, sondern treibt auch Kosteneffizienz und Skalierbarkeit voran und ebnet den Weg für die weit verbreitete kommerzielle und private Nutzung.

Silicon Carbide (SiC) für den Markt für drahtloses EV-Laden Markttrends

• Seit 2021 hat sich der Markt für drahtloses EV-Laden in Richtung kompakterer und modularer Ladepads entwickelt. SiC-basierte Komponenten ermöglichen kleinere, leichtere Systeme mit höherer Leistungsdichte und entsprechen der OEM-Nachfrage nach platzsparenden, designintegrierten Ladelösungen in den Bereichen Personen- und Nutzfahrzeuge.
  
• Ab etwa 2020 hat sich der Trend zu Hochfrequenz-Resonanzstromrichtern verstärkt. Die überlegene Schaltgeschwindigkeit und Effizienz von SiC haben es zu einem zentralen Element dieses Wandels gemacht, der eine schnellere, stabilere drahtlose Energieübertragung ermöglicht und Energieverluste in dynamischen Ladeumgebungen minimiert.
  
• Ab 2022 haben Automobilhersteller begonnen, SiC-basierte Wechselrichter direkt in die Fahrzeugantriebe zu integrieren. Dieser Trend verbessert die Systemkompatibilität zwischen bordinternen und externen Komponenten, vereinfacht die drahtlose Energieübertragung und verbessert die Kompatibilität über mehrere Ladeplattformen und Fahrzeugklassen hinweg.
  
• Seit 2023 hat die Branche intelligente, vernetzte Ladestationen übernommen, die SiC-Technologie für Effizienz- und Leistungsüberwachung nutzen. Diese Systeme integrieren IoT, KI-basierte Diagnosen und adaptive Leistungssteuerung und passen das drahtlose EV-Laden an die breiteren Entwicklungen im Smart Grid und V2X an.
  

Silicon Carbide (SiC) für den Markt für drahtloses EV-Laden Marktanalyse

Basierend auf dem SiC-Produkttyp ist der globale Siliziumkarbid (SiC)-Markt für drahtloses EV-Laden in SiC-Leistungs-MOSFETs, SiC-Schottky-Dioden, SiC-Leistungsmodule und SiC-Diskrete Bauelemente unterteilt. Der Segmentanteil der SiC-Leistungs-MOSFETs betrug 2024 39,4 % des Marktes.

• Die Einführung von SiC-Leistungs-MOSFETs beschleunigt sich, da sie eine überlegene Effizienz, geringere Schaltverluste und eine höhere Leistungsdichte bieten, was schnellere, kompaktere und thermisch effizientere drahtlose EV-Ladesysteme ermöglicht, die für die moderne Elektromobilitätsinfrastruktur geeignet sind.
  
• Hersteller sollten sich auf die Verbesserung der Gerätezuverlässigkeit, der Gate-Oxid-Stabilität und der Packungsoptimierung konzentrieren, um den Hochfrequenzbetrieb zu bewältigen. Die Zusammenarbeit mit OEMs bei integrierten Systemdesigns kann die nahtlose Leistung und die kostengünstige Skalierbarkeit über Ladeplattformen weiter gewährleisten.
  
• Der Siliziumkarbid (SiC)-Markt für drahtloses EV-Laden wurde 2024 auf 0,5 Millionen USD bewertet und soll während des Prognosezeitraums mit einer CAGR von 14,5 % wachsen. Die Nachfrage nach SiC-Materialien wird durch ihre überlegene Effizienz, hohe Wärmeleitfähigkeit und schnelle Schaltcharakteristika angetrieben, die kompakte, leichte und energieeffiziente drahtlose EV-Ladesysteme ermöglichen. SiC-Komponenten reduzieren die Leistungsverluste erheblich und verbessern die Leistung sowohl in stationären als auch in dynamischen Ladeinfrastrukturen.
  
• Hersteller werden ermutigt, in fortschrittliche SiC-Wafer-Verarbeitung, epitaktisches Wachstum und Defektreduktionstechnologien zu investieren, um die Zuverlässigkeit und Ausbeute der Geräte zu verbessern. Die Betonung von Automobilzertifizierung, robusten Tests und langfristiger Leistungsvalidierung wird die Partnerschaften mit EV-Herstellern stärken und die großflächige Einführung von SiC-gestützten drahtlosen Ladelösungen weltweit beschleunigen.
  

Basierend auf der Spannungsklasse ist der Siliziumkarbid (SiC)-Markt für drahtloses EV-Laden in die Klassen bis 650 V, 651 V bis 1200 V, 1201 V bis 1700 V und über 1700 V unterteilt. Die Klasse 651 V bis 1200 V dominierte den Markt 2024 mit einem Umsatz von 1,7 Millionen USD.

• Die SiC-Komponenten der Klasse 651 V bis 1200 V dominieren den Markt aufgrund ihrer Eignung für drahtloses Laden mit mittlerer bis hoher Leistung in Elektroautos und leichten Nutzfahrzeugen, die eine überlegene Effizienz und thermische Leistung bieten.
  
• Hersteller sollten in die Verbesserung der Geräterobustheit, der Gate-Zuverlässigkeit und der Packungsintegration für Automobilstandards investieren. Die Zusammenarbeit mit OEMs bei der thermischen Modellierung und Invertergestaltung kann die Produktpositionierung in drahtlosen Ladesystemen stärken.
  
• Die Klasse 651 V bis 1200 V wird voraussichtlich während des Analysezeitraums mit einer CAGR von 16,1 % wachsen und 2034 7,7 Millionen USD erreichen.
  
• Die Siliziumkarbid (SiC)-Geräte der Klasse 651 V bis 1200 V werden in drahtlosen EV-Ladesystemen mit niedriger bis mittlerer Leistung stark nachgefragt, insbesondere für Personenkraftwagen. Ihre kompakte Bauweise, hohe Energieeffizienz und Kosteneffizienz machen sie ideal für Wohn-, Gewerbe- und Arbeitsplatz-Ladeinstallationen und fördern bequeme und nachhaltige EV-Ladelösungen.
  
• Hersteller sollten sich auf die Verbesserung der Leistung von SiC-Geräten mit niedriger Spannung konzentrieren, indem sie die Schaltgeschwindigkeit optimieren, die Leitungsverluste minimieren und die thermische Stabilität verbessern. Die Betonung von Kostensenkung, skalierbarer Produktion und Designstandardisierung wird die Integration der SiC-Technologie in die Mainstream-EV-Ladeinfrastruktur und Alltagsanwendungen von Verbrauchern weiter unterstützen.
  

Basierend auf dem Leistungsniveau ist der Markt für Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses EV-Laden in Niedrigleistung (bis zu 11 kW), Mittelleistung (11,1 kW bis 50 kW), Hochleistung (50,1 kW bis 150 kW) und Ultra-Hochleistung (über 150 kW) unterteilt. Der Hochleistungssegment (50,1 kW bis 150 kW) dominierte den Markt im Jahr 2024 mit einem Umsatz von 1,4 Millionen USD.

• Die Kategorie Hochleistung (50,1 kW bis 150 kW) SiC gewinnt an Schwung in öffentlichen Ladeinfrastrukturen und ermöglicht eine schnellere, effizientere drahtlose Energieübertragung für Personenfahrzeuge, während gleichzeitig die Ausfallzeiten minimiert und die Nutzerfreundlichkeit für EV-Nutzer erhöht wird.
  
• Hersteller sollten die SiC-Geräteverpackung verbessern, um höhere Stromdichten und thermische Lasten zu bewältigen. Investitionen in Interoperabilitätstests und Systemoptimierung auf Ebene der gesamten Anlage werden eine konsistente Leistung über verschiedene öffentliche Ladeinfrastrukturen hinweg sicherstellen.
  
• Andererseits wird erwartet, dass das Segment mit Ultra-Hochleistung (über 150 kW) mit einer CAGR von 16 % wächst.
  
• Das Segment Ultra-Hochleistung (Über 150 kW) SiC entsteht für schwere Nutzfahrzeuge und Langstrecken-EVs, bei denen ein hoher Energie-Durchsatz und schnelles drahtloses Laden entscheidend sind, um die Ausfallzeiten von Flotten und betriebliche Ineffizienzen zu reduzieren.
  
• Hersteller sollten die Integration von Hochspannungs-SiC vorantreiben und dabei auf überlegene Isolations- und Kühltechnologien achten. Strategische Allianzen mit kommerziellen Transportbetreibern können die Einführung von drahtlosem Laden mit Ultra-Hochleistung in industriellen und Transit-Anwendungen beschleunigen.
  

Basierend auf dem Anwendungstyp ist der Markt für Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses EV-Laden in stationäres drahtloses Laden, dynamisches drahtloses Laden, quasi-dynamisches drahtloses Laden und andere unterteilt. Das Segment für stationäres drahtloses Laden dominierte den Markt mit einem Marktanteil von 36,8 % im Jahr 2024 und wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2034 mit einer CAGR von 11,1 % wachsen.

• Das Segment für stationäres drahtloses Laden verzeichnet ein starkes Wachstum, da die SiC-Technologie die Effizienz erhöht und den Energieverlust in fest installierten Ladestationen für Wohn-, Gewerbe- und öffentliche EV-Anwendungen reduziert und so zuverlässige und nutzerfreundliche Ladeerlebnisse unterstützt.
  
• Hersteller sollten sich auf kostengünstige SiC-Integration, Standardisierung und Verbesserungen der elektromagnetischen Verträglichkeit konzentrieren. Die Stärkung von Partnerschaften mit Automobilherstellern und Infrastrukturanbietern wird eine reibungslose Interoperabilität und eine breitere Einführung von stationären drahtlosen Ladesystemen weltweit sicherstellen.
  
• Das Segment für dynamisches drahtloses Laden hielt im Jahr 2024 den zweitgrößten Marktanteil mit einem Umsatz von 0,1 Millionen USD.
  
• Das Segment für dynamisches drahtloses Laden expandiert, da SiC-Komponenten eine hochfrequente, Echtzeit-Energieübertragung für sich bewegende Fahrzeuge ermöglichen und so die Reichweite erhöhen und die Abhängigkeit von statischen Ladeinfrastrukturen in Langstrecken- und urbanen Mobilitätsanwendungen verringern.
  
• Hersteller sollten in langlebige, hochtemperaturfeste SiC-Geräte und eingebettete Spulentechnologien investieren. Die Zusammenarbeit mit Verkehrsbehörden und Entwicklern von Straßensystemen kann Pilotprogramme und die Kommerzialisierung von dynamischen Ladekorridoren beschleunigen.

Basierend auf der Endverwendung ist der Markt für Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses EV-Laden in private Nutzer, gewerbliche Flottenbetreiber, öffentliche Verkehrsbetriebe, Betreiber öffentlicher Ladeinfrastrukturen und andere unterteilt. Das Segment der Betreiber öffentlicher Ladeinfrastrukturen dominierte den Markt im Jahr 2024 mit einem Marktanteil von 32,2 %.   

• Öffentliche Ladeinfrastrukturbetreiber erweitern die SiC-basierte drahtlose Ladeinfrastruktur, um EV-Nutzer anzuziehen, die nach bequemen, schnellen und zuverlässigen Lademöglichkeiten suchen. Die zunehmende Urbanisierung von E-Fahrzeugen und staatliche Anreize zur Einrichtung umfassender Ladeinfrastrukturen unterstützen das Wachstum in diesem Segment.
  
• Hersteller sollten Hochgeschwindigkeits-, interoperable SiC-Ladesysteme in den Vordergrund stellen, die in städtischen und Autobahnstandorten eingesetzt werden können. Modulare Designs und Software für Nutzungsanalysen zu bieten, wird den Mehrwert für Betreiber öffentlicher Ladeinfrastrukturen erhöhen.
  
• Commercial Fleet Operators setzen zunehmend auf SiC-basiertes drahtloses Laden von E-Fahrzeugen, um Betriebsausfallzeiten zu minimieren und die Flotteneffizienz zu optimieren. Die wachsende Bereitstellung von Elektro-Lieferwagen und Logistikfahrzeugen erfordert eine schnelle, leistungsstarke Ladeinfrastruktur für den kontinuierlichen Flottenbetrieb.
  
• Hersteller sollten skalierbare, hochkapazitive SiC-Ladelösungen priorisieren, die in der Lage sind, mehrere Fahrzeuge gleichzeitig zu unterstützen. Robuste Wartungsunterstützung und Integration in Flottenmanagement-Software werden die Akzeptanz bei Commercial Fleet Operators erhöhen.

North America Silicon Carbide (SiC) for Wireless EV Charging Market

The North America market dominated the global silicon carbide (SiC) for wireless EV charging market with a industry share of 34.5% in 2024.

• The North America market for SiC-based wireless EV charging is driven by growing EV adoption across the region, supportive government policies, and investments in advanced charging infrastructure. Increasing environmental awareness and incentives for clean energy solutions accelerate demand for high-efficiency SiC technology.
  
• Significant opportunities exist for manufacturers to expand high-performance wireless EV charging networks in both urban and suburban areas. Strategic partnerships with utility providers and investment in scalable SiC-based infrastructure can capture the growing residential, commercial, and public transit charging demand in North America.
  

The U.S. silicon carbide (SiC) for wireless EV charging market was valued at USD 0.8 million and USD 0.9 million in 2021 and 2022, respectively. The market size reached USD 1.2 million in 2024, growing from USD 1 million in 2023.

• The U.S. market is propelled by federal initiatives promoting electric mobility, rising consumer EV adoption, and aggressive deployment of public and private charging infrastructure. Technological advancements in SiC-based chargers enable faster, more efficient wireless charging, supporting the nation’s shift toward sustainable transportation.
  
• Manufacturers can leverage opportunities by targeting urban centers, commercial fleets, and government-backed EV programs. Investment in smart, interoperable, and high-speed SiC wireless charging solutions will position companies to benefit from growing federal and state incentives in the U.S. EV market.
  

Europe Silicon Carbide (SiC) for Wireless EV Charging Market

Europe market accounted for USD 0.9 million in 2024 and is anticipated to show lucrative growth over the forecast period.

• The Europe market for SiC-based wireless EV charging is driven by stringent EU emissions regulations, increasing EV adoption, and substantial investments in sustainable transport infrastructure. Government incentives and rising environmental awareness are accelerating the deployment of high-efficiency SiC charging solutions across the region.
  
• Europa bietet Herstellern die Möglichkeit, drahtlose EV-Ladeinfrastrukturen in städtischen Zentren und entlang wichtiger Verkehrsachsen auszubauen. Durch die Zusammenarbeit mit öffentlichen Behörden, Automobilherstellern und Energieversorgern kann der Einsatz einer skalierbaren, zuverlässigen und interoperablen SiC-basierten Ladeinfrastruktur ermöglicht werden.
  

Deutschland dominiert den europäischen Markt für Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen und zeigt ein starkes Wachstumspotenzial.

• Der deutsche Markt für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen mit SiC wird durch die Führungsrolle des Landes in der Automobilherstellung, ehrgeizige Ziele für die Einführung von Elektrofahrzeugen und staatliche Subventionen für saubere Mobilitätslösungen angetrieben. Der Druck für schnelle, energieeffiziente Ladeinfrastrukturen unterstützt das Wachstum der SiC-Technologie sowohl im privaten als auch im öffentlichen Sektor.
  
• Hersteller können von dem starken Automobil-Ökosystem Deutschlands profitieren, indem sie mit OEMs und Betreibern öffentlicher Ladeinfrastrukturen zusammenarbeiten. Möglichkeiten umfassen den Einsatz von Hochleistungs-SiC-Drahtlosladern bei gewerblichen Flotten, Wohnkomplexen und städtischen Knotenpunkten, um dem steigenden Bedarf an Elektrofahrzeugen gerecht zu werden.
  

Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen in der Region Asien-Pazifik

Der Markt in der Region Asien-Pazifik wird voraussichtlich während des Analysezeitraums mit der höchsten Wachstumsrate von 30,6 % wachsen.

• Der Markt für SiC-basiertes drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen in der Region Asien-Pazifik wird durch die schnelle Urbanisierung, staatliche Politik zur Förderung sauberer Verkehrsmittel und die steigende Einführung von Elektrofahrzeugen in Ländern wie China, Japan und Südkorea angetrieben. Investitionen in intelligente Städte und nachhaltige Mobilitätsinfrastrukturen steigern die Nachfrage nach fortschrittlichen SiC-Ladelösungen weiter.
  
• Hersteller haben erhebliche Chancen, drahtlose Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge in städtischen Zentren und Gewerbegebieten auszubauen. Durch die Zusammenarbeit mit Regierungen, Automobilherstellern und Betreibern öffentlicher Ladeinfrastrukturen kann der Einsatz einer skalierbaren, energieeffizienten und Hochgeschwindigkeits-SiC-basierten Ladeinfrastruktur in der gesamten Region beschleunigt werden.
  

Der Markt für Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen in China wird voraussichtlich mit einer erheblichen Wachstumsrate im asiatisch-pazifischen Markt wachsen.

• Das Marktwachstum in China wird durch starke staatliche Anreize, aggressive Ziele für die Einführung von Elektrofahrzeugen und den Fokus auf die Reduzierung der urbanen Verschmutzung angetrieben. Die schnelle Ausweitung der öffentlichen und privaten Ladeinfrastruktur, kombiniert mit technologischen Fortschritten bei SiC-basierten Systemen, unterstützt die steigende Nachfrage nach drahtlosen Ladelösungen für Elektrofahrzeuge.
  
• Hersteller können vom riesigen Elektrofahrzeugmarkt Chinas profitieren, indem sie Hochleistungs-SiC-Drahtloslader in Städten, auf Autobahnen und in gewerblichen Flottendepots einsetzen. Strategische Partnerschaften mit lokalen Elektrofahrzeugunternehmen, Energieversorgern und kommunalen Behörden können die Durchdringung maximieren und nationale Elektrifizierungsinitiativen unterstützen.
  

Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen in Lateinamerika

Brasilien führt den lateinamerikanischen Markt an und zeigt während des Analysezeitraums ein bemerkenswertes Wachstum.

• Der brasilianische Markt für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen mit SiC wird durch die wachsende Einführung von Elektroautos und -bussen, staatliche Anreize für grüne Mobilität und die zunehmende Infrastrukturentwicklung in städtischen Zentren angetrieben. Umweltpolitiken und die Ausweitung der Elektrifizierung des öffentlichen Nahverkehrs treiben die Nachfrage nach effizienten SiC-basierten drahtlosen Ladelösungen.
  
• Hersteller können vom wachsenden Elektrofahrzeug-Ökosystem Brasiliens profitieren, indem sie Hochleistungs-Drahtlosladestationen in Städten, auf Autobahnen und in Flottendepots einrichten. Partnerschaften mit Automobilunternehmen, Behörden des öffentlichen Nahverkehrs und Energieversorgern werden die Marktdurchdringung verbessern und nationale Elektrifizierungsinitiativen unterstützen.
  

Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen in Nahost und Afrika

Der südafrikanische Markt wird 2024 ein erhebliches Wachstum in der Branche für Siliziumcarbid (SiC) für drahtloses Laden von Elektrofahrzeugen in Nahost und Afrika erfahren.

• Der südafrikanische Markt für SiC-basierte drahtlose EV-Ladetechnologie wird durch die zunehmende Adoption von Elektrofahrzeugen, steigende Urbanisierung und staatliche Initiativen zur Förderung sauberer Energie und nachhaltiger Mobilität angetrieben. Der Bedarf an effizienten, wartungsarmen Ladelösungen in den Bereichen Handel und öffentlicher Sektor unterstützt das Wachstum der SiC-Technologie.
  
• Hersteller können Chancen nutzen, indem sie hoch effiziente SiC-drahtlose Ladeinfrastruktur in Stadtzentren, auf Autobahnen und in Flottenbetrieben einsetzen. Strategische Zusammenarbeit mit staatlichen Behörden, Versorgungsunternehmen und privaten Transportbetreibern kann die Einführung beschleunigen und das EV-Lade-Ökosystem des Landes stärken.
  

Siliziumkarbid (SiC) für den Marktanteil der drahtlosen EV-Ladetechnologie

Die Wettbewerbslandschaft der Siliziumkarbid (SiC) für die drahtlose EV-Ladetechnologie wird durch starke Innovation, technologische Fortschritte und Zusammenarbeit zwischen führenden Halbleiterherstellern und Systementwicklern geprägt. Top-Player wie Wolfspeed, Infineon Technologies, STMicroelectronics, onsemi und ROHM Semiconductor halten einen kombinierten Marktanteil von etwa 74 %, wobei sie ihre Expertise in SiC-Materialien, Leistungselektronik und EV-Ladelösungen nutzen. Diese Unternehmen investieren stark in Forschung und Entwicklung, um die Qualität von SiC-Wafern zu verbessern, die Schalteffizienz zu erhöhen und die Produktionskosten zu senken. Der Markt verzeichnet auch strategische Partnerschaften, Fusionen und Zusammenarbeit mit EV-Herstellern und Ladeinfrastruktur-Anbietern, um die großflächige kommerzielle Nutzung zu beschleunigen.

Darüber hinaus tragen kleinere Akteure durch Innovationen in der SiC-Bauelementeverpackung, Wärmeableitung und Hochfrequenzdesign bei, was zu schnellem technologischem Fortschritt und Wettbewerbsdifferenzierung führt. Diese dynamische Umgebung treibt kontinuierliche Leistungsverbesserungen voran und erweitert die Nutzung der SiC-Technologie in drahtlosen EV-Ladeanwendungen weltweit.

Siliziumkarbid (SiC) für Unternehmen im Markt der drahtlosen EV-Ladetechnologie

Die wichtigsten Akteure im Markt für Siliziumkarbid (SiC) für drahtlose EV-Ladetechnologie sind wie folgt:

• Wolfspeed
• Infineon Technologies
• STMicroelectronics
• onsemi (ON Semiconductor)
• ROHM Semiconductor
• Mitsubishi Electric
• Fuji Electric
• GeneSiC Semiconductor (Qorvo)
• UnitedSiC (Qorvo)
• Microchip Technology
• Toshiba
• General Electric (GE)
• Littelfuse (IXYS)
• WiTricity Corporation
• InductEV Inc.
• Plugless Power Inc. (Evatran)
• HEVO Inc.
• Electreon Wireless Ltd.
• Qualcomm Technologies (Halo)
• Robert Bosch GmbH
• Continental AG
• Toyota Motor Corporation
• ABB Ltd.
• Siemens AG
• ENRX (Norwegen)
  
• Wolfspeed

Wolfspeed ist ein wichtiger Akteur im Markt für Siliziumkarbid (SiC) für drahtlose EV-Ladetechnologie mit einem führenden Marktanteil von ~25 %. Das Unternehmen ist vor allem für seine Expertise in SiC-Materialien und Leistungshalbleitern bekannt und liefert hoch effiziente, verlustarme Geräte, die schnellere, kompaktere und energieeffizientere drahtlose Ladelösungen für Elektrofahrzeuge der nächsten Generation ermöglichen.

• Infineon Technologies

Infineon Technologies ist ein Pionier im Bereich Siliziumkarbid (SiC) für drahtlose EV-Ladetechnologie und bekannt für seine fortschrittlichen SiC-MOSFETs und Dioden, die eine überlegene Energieeffizienz, thermische Leistung und Schaltgeschwindigkeit bieten. Die innovativen Leistungshalbleiterlösungen des Unternehmens ermöglichen kompakte, zuverlässige und hochleistungsfähige drahtlose Ladesysteme und unterstützen den globalen Übergang zu nachhaltiger und intelligenter Elektromobilität.

• STMicroelectronics

STMicroelectronics ist ein wichtiger Akteur im Markt für Siliziumkarbid (SiC) für drahtloses EV-Laden, mit Fokus auf die Entwicklung hoch effizienter SiC-Leistungsbauelemente, die die Energieübertragung verbessern, Verluste reduzieren und die Systemzuverlässigkeit erhöhen. Das Unternehmen betont Innovationen bei SiC-MOSFETs und Dioden, die kompakte, kostengünstige und schnelle Ladelösungen für Elektrofahrzeuge und intelligente Mobilitätsinfrastruktur ermöglichen.

Siliziumkarbid (SiC) für drahtloses EV-Laden Branchennews

• Im September 2025 kündigte Wolfspeed den kommerziellen Start seines 200-mm-SiC-Materialportfolios an, einschließlich 200-mm-Bare-Wafern und Epitaxie, wodurch Gerätehersteller die nächste Generation von Leistungselektronik für Automobil- und EV-Ladeanwendungen skalieren können.
  
• Im Mai 2025 startete Infineon Technologies seine SiC-Roadmap, einschließlich 200-mm-Wafer-Technologie, die voraussichtlich die Lieferung an den EV-Hersteller Rivian’s R2-Plattform ab 2026 unterstützen wird, was seinen Vorstoß in hochdichte Leistungsmodule für EV-Laden/Wechselrichter unterstreicht.
  
• Im September 2025 partnerte Infineon mit ROHM Semiconductor, um die Zusammenarbeit bei der SiC-Leistungsbauelement-Verpackung zu erweitern und Zweitquellen-Verpackungen zu qualifizieren, was das Ökosystem beider Unternehmen für SiC-Bauelemente in EV-Anwendungen stärkt.
  
• Im Dezember 2024 übernahm onsemi (ehemals ON Semiconductor) das SiC-JFET-Geschäft (einschließlich United Sic) von Qorvo, wodurch sein SiC-Portfolio erweitert und seine Position in hoch effizienten Leistungssystemen, die für das EV-Laden relevant sind, gestärkt wird.
  
• Im April 2025 startete ROHM Semiconductor neue Hochleistungsdichte-SiC-Molded-Module im HSDIP20-Gehäuse (4-in-1- und 6-in-1-Gehäuse mit 750 V/1200 V Bewertung), die für On-Board-Lader (OBCs) und Wandler für EVs bestimmt sind.
  

Der Marktforschungsbericht zu Siliziumkarbid (SiC) für drahtloses EV-Laden umfasst eine detaillierte Abdeckung der Branche mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz in USD Millionen von 2021 – 2034 für die folgenden Segmente:

Markt, nach SiC-Produktart

• SiC-Leistungs-MOSFETs
• SiC-Schottky-Barrier-Dioden
• SiC-Leistungsmodule
• SiC-Diskrete Bauelemente

Markt, nach Spannungsbewertung

• Bis 650V-Klasse
• 651V bis 1200V-Klasse
• 1201V bis 1700V-Klasse
• Über 1700V-Klasse

Markt, nach Leistungsniveau

• Niedrige Leistung (bis 11kW)
• Mittlere Leistung (11,1kW bis 50kW)
• Hohe Leistung (50,1kW bis 150kW)
• Ultrahohe Leistung (über 150kW)

Markt, nach Anwendungstyp

• Stationäres drahtloses Laden
• Dynamisches drahtloses Laden
• Quasi-dynamisches drahtloses Laden
• Andere

Markt, nach Endverbrauch

• Private Nutzer
• Kommerzielle Flottenbetreiber
• Öffentliche Verkehrsbehörden
• Betreiber öffentlicher Ladeinfrastruktur
• Andere

Die oben genannten Informationen werden für die folgenden Regionen und Länder bereitgestellt:

• Nordamerika
  • USA
  • Kanada
• Europa
  • Deutschland
  • UK
  • Frankreich
  • Spanien
  • Italien
  • Niederlande
• Asien-Pazifik
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Südkorea 
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Argentinien 
• Naher Osten und Afrika
  • Südafrika
  • Saudi-Arabien
  • VAE