SRAM-Markt (Statischer Schreib-Lese-Speicher) – nach Typ, nach Speichergröße, nach Endanwendungsbranche – Globaler Ausblick, 2026 – 2035

Statische Random-Access-Memory-Marktgröße

Der globale Markt für statisches Random-Access-Memory wurde 2025 auf 718 Millionen US-Dollar geschätzt. Der Markt soll von 759,6 Millionen US-Dollar im Jahr 2026 auf 1,16 Milliarden US-Dollar im Jahr 2035 wachsen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 4,9 % im Prognosezeitraum, laut dem neuesten Bericht von Global Market Insights Inc.
 

Das Wachstum des Marktes für statisches Random-Access-Memory kann auf Faktoren wie die steigende Nachfrage nach Hochgeschwindigkeits- und Niedriglatenz-Speicherlösungen, die zunehmende Adoption von SRAM in fortschrittlichen Halbleiterbauelementen, die Ausweitung der Anwendungen in Rechenzentren, Netzwerkgeräten und Automobil-Elektronik sowie die kontinuierlichen Fortschritte in der Halbleiterfertigungstechnologie zurückgeführt werden. Zudem beschleunigen wachsende Investitionen in KI, IoT und Edge-Computing-Infrastruktur die Adoption von SRAM in verschiedenen Endanwendungsbranchen.
 

Auch die Zunahme der Anzahl datenreicher Anwendungen, die verwendet werden, trägt dazu bei, das Wachstum dieses Marktes voranzutreiben. Die Hauptanwendungen für SRAM liegen im Prozessor-Cache-Speicher, Netzwerk-Switch-Cache-Speicher und eingebetteten System-Cache-Speicher, da SRAM sehr schnellen Zugriff bietet und eine sehr hohe Zuverlässigkeit aufweist. Anwendungen, die eine sehr schnelle Datenverarbeitung erfordern (z. B. künstliche Intelligenz, maschinelles Lernen und Hochleistungsrechnen), werden einen erhöhten Bedarf an SRAM haben. Beispielsweise werden moderne KI-Beschleuniger und CPUs große SRAM-Blöcke als On-Chip-Cache-Speicher nutzen, um die Latenz zu verringern und die Systemgeschwindigkeit zu erhöhen. Ein weiterer Grund für die steigende Nachfrage nach SRAM im Vergleich zu DRAM ist, dass SRAM keine periodische Auffrischung seiner Daten erfordert, wodurch es schneller arbeiten kann und einen effizienteren Energieverbrauch als DRAM in Anwendungen bietet, bei denen die Leistung entscheidend ist. Der Trend zu einer erhöhten Nachfrage nach Echtzeitverarbeitung und energieeffizienten Elektronik wird zu einer zusätzlichen Steigerung der SRAM-Adoption führen und somit die Gesamtmarktbasis für SRAM erhöhen.
 

Statisches Random-Access-Memory (SRAM) ist eine Art flüchtiger Halbleiterspeicher, der bistabile Verriegelungsschaltungen zur Datenspeicherung verwendet. SRAM behält den Inhalt des Speichers bei, solange die Stromversorgung aufrechterhalten wird, und bietet darüber hinaus einen viel schnelleren Zugriff auf die Daten im Vergleich zu DRAM. SRAM wird hauptsächlich für Anwendungen verwendet, die Cache-Speicher, Registerspeicher und in vielen Fällen Pufferspeicher in Prozessoren, Netzwerkgeräten und eingebetteten Systemen erfordern. Aufgrund seiner Hochgeschwindigkeitsoperation und Stabilität ist SRAM gut für Anwendungen geeignet, die anfällig für Leistungsprobleme sind; aufgrund seiner höheren Kosten und geringeren Speicherdichte im Vergleich zu anderen Speichertypen wird SRAM jedoch nicht so weit verbreitet wie DRAM eingesetzt.
 

Samsung Electronics, SK hynix, Micron Technology, NXP Semiconductors und Infineon Technologies sind die wichtigsten Teilnehmer am SRAM-Markt. Diese Unternehmen investieren kontinuierlich in Forschung und Entwicklung, verbessern die Prozessknotentechnologie und entwickeln SoC-Architekturen, um das Wachstum des SRAM-Marktes aufrechtzuerhalten. Der SRAM-Preis, die Produktinnovation und die Wettbewerbspositionierung des SRAM-Marktes hängen von der Zusammenarbeit mit SRAM-Foundries, den Entwicklungen der OEMs und der Erweiterung der Produktionskapazität ab.
 

Zwischen 2022 und 2024 wird der Markt für statisches Random-Access-Memory ein stabiles Wachstum von geschätzten 609,8 Millionen US-Dollar im Jahr 2022 auf geschätzte 680,3 Millionen US-Dollar im Jahr 2024 verzeichnen. In diesem Zeitraum wird einer der wichtigsten SRAM-Trends die Verwendung von SRAM in der Automobil-Elektronik, der 5G-Netzwerkinfrastruktur und Edge-Geräten mit künstlicher Intelligenz sein. Die zunehmende Komplexität von SoCs, kombiniert mit dem Bedarf an zusätzlichem SRAM-Cache-Speicher pro Chip, führte zu einer höheren SRAM-Integration.Hier ist die übersetzte HTML-Inhalte: In addition, this period represents a major capital outlay for semiconductor manufacturers to support the development of advanced-node SRAM products. Collectively, these developments have led to greater SRAM supply capacity, technological development, and ultimately increased growth potential for the SRAM market.
 

SRAM provides immediate access to stored data through the use of flip-flop circuits to store data rather than performing refresh cycles like dynamic random-access memory (DRAM). SRAM can be used in real-time processing applications because of the speed with which data can be retrieved, coupled with its low power consumption.
 

Static Random-Access Memory Market Trends

• SRAM's expansion and diversification of high-speed high-density SRAM products for embedded applications and AI accelerators, as well as data-intensive applications, is one of the primary drivers of the SRAM marketplace.
   
• For example, in March 2024, Microchip Technology expanded its serial SRAM product offerings with chips that contain 4Mb densities and utilize 143MHz SPI/SQI interfaces to provide customers with high-density, higher-speed SRAM devices for their embedded and data-intensive applications.
   
• Ultra-high performance SRAM products that satisfy next-generation computing and AI based systems are a second trend impacting the development of SRAM products, as they require low latency, energy-efficient, and high-density/high-volume memory for cloud and edge computing applications.
   
• An example of this is Marvell's announcement of the industry's first 2nm custom SRAM, which will deliver 6Gb high-speed SRAM with a reduction in standby power of up to 66% and will be developed for AI infrastructure and silicon designs for cloud data center storage.
   
• Automotive and industrial grade SRAM products are seeing a rise in acceptance, as more automobile and industrial automation systems are using smaller, lighter-weight and lower-power SRAM for their control electronics.
   
• Additionally, the growth of the SRAM market is aided by increased adoption in the automotive and industrial markets due to the growing need for small, efficient, and reliable low-power memory (SRAM) solutions for vehicle control and industrial automation equipment.
   
• Another major trend is that many manufacturers are incorporating SRAM within SoC designs to increase the amount of on-chip memory available and reduce their dependence on external memory for high-performance and low-latency applications.
   
• The growing emphasis on high-reliability/low-power SRAM will help meet the growing demand for devices used in embedded, IoT, and telecommunications applications to operate efficiently and reliably in mission-critical and energy-constrained environments.
   

Static Random-Access Memory Market Analysis

Nach Typ ist der globale SRAM-Markt in asynchronen SRAM, synchronen SRAM und andere unterteilt. Der asynchrone SRAM-Segment hatte eine Marktgröße von 301,8 Millionen USD im Jahr 2025.
 

• Asynchroner SRAM hält einen erheblichen Marktanteil im SRAM-Markt, da er aufgrund seiner einfachen Schnittstelle und zuverlässigen Leistung weit verbreitet in Cache-Speicher, eingebetteten Systemen und Netzwerkgeräten verwendet wird.
   
• Asynchroner SRAM wird aufgrund seiner Stabilität und einfachen Integration bevorzugt, was besonders für industrielle, Automobil- und Legacy-Elektronik-Anwendungen wichtig ist, die eine deterministische Leistung erfordern.
   
• Zusätzlich wird die breite Verbreitung von asynchronem SRAM durch etablierte Herstellungsprozesse und eine bewährte Erfolgsbilanz in Mikrocontrollern, SoCs und Hochgeschwindigkeits-Speichermodulen unterstützt.
   
• Während der Segment des synchronen SRAM voraussichtlich mit einer CAGR von 5,6 % über die Prognosejahre hinweg wachsen wird und aufgrund des höheren Datendurchsatzes und der Kompatibilität mit modernen Hochgeschwindigkeitsprozessoren an Beliebtheit gewinnt, bleibt asynchroner SRAM der dominierende Typ und treibt weiterhin einen großen Teil der Markteinführung und des Umsatzes an, dank seiner Zuverlässigkeit und geringeren Kosten.
   
• Das Segment des synchronen SRAM wächst mit einer schnelleren Rate, angetrieben durch Anwendungen in KI-Beschleunigern, Hochleistungsrechnen, 5G-Netzwerken und Automobil-Elektronik, die Low-Latency- und Hochgeschwindigkeits-Speicher erfordern.
   
• Synchroner SRAM wird zunehmend bevorzugt für seine Fähigkeit, mit höheren Taktfrequenzen zu arbeiten und schnelleren Datenzugriff zu ermöglichen, was die Systemleistung in modernen, leistungskritischen Elektronikgeräten verbessert.
   

Basierend auf der Speichergröße ist der Markt für statischen Direktzugriffsspeicher in bis zu 1 Mb, 1 Mb bis 4 Mb, 4 Mb bis 16 Mb und über 16 Mb unterteilt. Das Segment von 1 Mb bis 4 Mb dominierte den Markt im Jahr 2025 mit einem Umsatz von 246,5 Millionen USD.
 

• Das Segment des 1-Mb- bis 4-Mb-SRAM hält den Markt aufgrund seiner weit verbreiteten Verwendung in Mikrocontrollern, eingebetteten Systemen, Verbraucherelektronik und Netzwerkgeräten, bei denen ein moderater On-Chip-Speicher die Leistungs- und Kostenanforderungen erfüllt.
   
• Das Wachstum dieses Segments wird durch etablierte Herstellungsprozesse, hohe Zuverlässigkeit und einfache Integration in eine Vielzahl von Standard-Elektronik-Anwendungen unterstützt.
   
• Das Segment des 16-Mb-SRAM wird voraussichtlich mit einer CAGR von 6,3 % über den Analysezeitraum hinweg wachsen und bis 2035 194,7 Millionen USD erreichen.
   
• Das Segment über 16-Mb-SRAM verzeichnet ein rasches Wachstum, angetrieben durch Hochleistungsrechnen, KI-Beschleuniger, 5G-Netzwerkgeräte und Rechenzentrumsanwendungen, die großen On-Chip-Speicher für Low-Latency- und Hochgeschwindigkeits-Datenzugriff erfordern.
   
• Größere Speicherkapazitäten ermöglichen es SRAM, als Hochgeschwindigkeits-Cache- oder Pufferspeicher zu dienen, wodurch die Abhängigkeit von externem DRAM reduziert und die Gesamt-Systemdurchsatz verbessert wird.
   
• Der Trend zu größeren Speichergrößen wird auch durch Fortschritte in der Halbleiterfertigung unterstützt, die hochdichten SRAM mit reduziertem Stromverbrauch und verbesserter Leistung ermöglichen.
   
• Daher wird die Kategorie über 16-Mb-SRAM zunehmend kritisch für die Elektronik der nächsten Generation und trägt erheblich zur gesamten Marktexpansion bei.
   

• Das Segment der Verbraucherelektronik hält den größten Marktanteil aufgrund der weit verbreiteten Integration von SRAM in Smartphones, Tablets, Wearables, Spielkonsolen und anderen verbundenen Geräten, die schnellen, Low-Latency-Speicher benötigen.
   
• Anwendungen in der Verbraucherelektronik profitieren von der Hochgeschwindigkeitsleistung, dem geringen Stromverbrauch und der Zuverlässigkeit von SRAM für Cache-Speicher, Pufferspeicher und Designs eingebetteter Systeme.
   
• Viele Hersteller von Verbraucherelektronik integrieren zunehmend SRAM-Lösungen mit hoher Dichte und niedrigem Stromverbrauch in ihre Produkte, um KI-Funktionen, Echtzeitverarbeitung und nahtlose Benutzererfahrungen zu unterstützen, wodurch die Dominanz dieses Segments im SRAM-Markt weiter gestärkt wird.
   
• Das Automobilsegment verzeichnet das schnellste Wachstum mit einer CAGR von 6,4 % im Prognosezeitraum, getrieben durch die zunehmende Adoption von SRAM in ADAS, Infotainmentsystemen, Elektrofahrzeugen und autonomen Fahrlösungen, die Hochgeschwindigkeits-, Zuverlässigkeits- und energieeffiziente Speicher erfordern.
   
• Automobilanwendungen nutzen SRAM für On-Chip-Cache, Pufferung und Echtzeitdatenverarbeitung, wodurch kritische Funktionen wie Sensorfusion, Navigation und Sicherheitssysteme ermöglicht werden.
   
• Da sich die Automobilindustrie weiter in Richtung elektrischer und autonomer Fahrzeuge entwickelt, wird die SRAM-Adoption voraussichtlich beschleunigt, was erheblich zum Gesamtmarktausbau in Hochleistungs-, sicherheitskritischen und Low-Latency-Anwendungen beiträgt.
   

Nordamerika dominierte den globalen Markt für statischen Direktzugriffsspeicher mit einem Marktanteil von 31,2 % im Jahr 2025.
 

• Ein günstiges industrielles Umfeld, starke Investitionen in die Halbleiterfertigung, fortschrittliche technologische Infrastruktur und ein robustes F&E-Ökosystem sind Schlüsselfaktoren, die das regionale Marktwachstum antreiben.
   
• Die USA verfügen über ein etabliertes Halbleiter- und Elektronik-F&E-Ökosystem. Es beherbergt führende akademische Einrichtungen, Forschungszentren und SRAM-Hersteller wie Microchip Technology, Infineon Technologies und Renesas, die aktiv zur Weiterentwicklung von Hochgeschwindigkeits-, Niedrigleistungs- und Hochdichte-SRAM-Technologien beitragen. Dieses Ökosystem fördert Innovationen, zieht Investitionen an und treibt die Entwicklung von Speicherlösungen der nächsten Generation voran.
   
• Darüber hinaus hat die wachsende Nachfrage aus Sektoren wie Verbraucherelektronik, Automobilindustrie, KI-Beschleunigern, Telekommunikation und industrieller Automatisierung einen erheblichen Bedarf an fortschrittlichen SRAM-Produkten geschaffen.
   
• Zusätzlich fördern unterstützende Regierungsmaßnahmen, Anreize für die Halbleiterfertigung und Initiativen zur Förderung der inländischen Chipproduktion das Marktwachstum in der Region weiter.
   

Der US-Markt für statischen Direktzugriffsspeicher war 2022 mit 159,5 Millionen USD und 2023 mit 169,3 Millionen USD bewertet. Die Marktgröße erreichte 2025 190,9 Millionen USD, nach 179,9 Millionen USD im Jahr 2024.
 

• Die USA führen weiterhin den SRAM-Markt an, unterstützt durch ein fortschrittliches Halbleiter- und Elektronikfertigungsökosystem, starke F&E-Fähigkeiten und günstige Industriepolitik.
   
• Das Land beherbergt mehrere führende SRAM- und Halbleiterhersteller, darunter Microchip Technology, Infineon Technologies und Renesas Electronics, und profitiert von einer robusten Pipeline an Hochgeschwindigkeits-, Niedrigleistungs- und Hochdichte-SRAM-Lösungen.
   
• Zusätzlich beschleunigt die Präsenz von Spitzenforschungseinrichtungen und umfangreiche Innovationen in Speicherdesign, eingebetteten Systemen und KI-/Automobilanwendungen die Entwicklung und Adoption fortschrittlicher SRAM-Produkte.
   

Der europäische Markt für statischen Direktzugriffsspeicher belief sich 2025 auf 156,3 Millionen USD und wird voraussichtlich im Prognosezeitraum ein starkes Wachstum verzeichnen.
 

• Europa hält einen erheblichen Anteil am globalen SRAM-Markt, unterstützt durch eine fortschrittliche Halbleiterfertigungsinfrastruktur, zunehmende Regierungsinitiativen und steigende Investitionen in die Entwicklung von Hochleistungs-Speicher.
   
• Die Region profitiert von einem kooperativen Ökosystem aus akademischen Einrichtungen, Forschungsorganisationen und SRAM-Herstellern wie Infineon Technologies und Renesas Electronics, das die Innovation und die Einführung fortschrittlicher SRAM-Lösungen beschleunigt.
   

Deutschland dominiert den europäischen Markt für statischen Direktzugriffsspeicher und zeigt ein starkes Wachstumspotenzial.
 

• Innerhalb Europas hält Deutschland einen erheblichen Anteil am SRAM-Markt, unterstützt durch seine fortschrittliche Halbleiterfertigungsinfrastruktur, eine starke industrielle Basis und günstige staatliche Initiativen.
   
• Der Fokus des Landes auf Hochleistungs-Autoelektronik, industrielle Automatisierung und KI-gesteuerte eingebettete Systeme hat eine dynamische Umgebung für die Entwicklung und Vermarktung von SRAM geschaffen.
   
• Darüber hinaus ermöglichen das robuste industrielle Ökosystem und die hohen Technologieadoptionsraten in Deutschland den Einsatz von Hochgeschwindigkeits-, Niedrigenergie- und Hochdichte-SRAM-Lösungen in den Bereichen Automobil, Industrie und Verbraucher.
   

Der Markt für statischen Direktzugriffsspeicher in der Region Asien-Pazifik wird voraussichtlich während des Analysezeitraums die höchste Wachstumsrate von 5,7 % erreichen.
 

• Die Region verzeichnet ein rasches Wachstum des SRAM-Marktes, getrieben durch die zunehmende Halbleiter- und Elektronikfertigung, steigende Nachfrage aus den Bereichen Automobil, Industrie, Unterhaltungselektronik und KI sowie die größere Verbreitung von Hochgeschwindigkeits- und Niedrigenergiespeichertechnologien.
   
• Regierungen in Ländern wie China, Japan, Südkorea und Taiwan fördern die Hochtechnologie-Elektronik und industrielle Automatisierung durch Infrastrukturentwicklung, Finanzierungsinitiativen und internationale Zusammenarbeit.
   
• Darüber hinaus treiben die große Produktionsbasis, die wachsende Technologieadoption und die Präsenz lokaler SRAM-Hersteller die Nachfrage nach Hochleistungs-, Hochdichte- und energieeffizienten SRAM-Lösungen in verschiedenen Anwendungen voran.
   

Der Markt für statischen Direktzugriffsspeicher in China wird voraussichtlich innerhalb des asiatisch-pazifischen Marktes deutlich wachsen.
 

• China führt den SRAM-Markt in der Region Asien-Pazifik an, getrieben durch erhebliche Investitionen in die Halbleiter- und Speicher-Forschung und -Entwicklung, unterstützende Industriepolitik und die rasche Ausweitung der Hochleistungs-Speicherfertigungskapazitäten.
   
• Die chinesische Regierung priorisiert fortschrittliche Elektronik, KI, Automatisierungssysteme und industrielle Automatisierung und stellt Finanzierungs- und regulatorische Unterstützung bereit, um das Wachstum des SRAM-Marktes zu fördern.
   
• Mit starker Produktionskapazität, expandierender Halbleiterinfrastruktur und steigender inländischer und exportorientierter Nachfrage steht China an der Spitze der SRAM-Adoption und -Entwicklung in der Region Asien-Pazifik.
   

Brasilien führt den lateinamerikanischen Markt für statischen Direktzugriffsspeicher an und zeigt während des Analysezeitraums ein starkes Wachstum.
 

• Brasilien entwickelt sich zu einem wichtigen Wachstumszentrum in der Region, getrieben durch die Ausweitung der Halbleiter- und Elektronikfertigung, die steigende Automobilproduktion und die wachsende Verbreitung industrieller Automatisierung und eingebetteter Systeme.
   
• Die große industrielle Basis des Landes und die zunehmende Nutzung von Hochgeschwindigkeits-, Niedrigenergie- und Hochdichte-SRAM in den Bereichen Automobil, Unterhaltungselektronik und Industrie erzeugen eine starke Nachfrage.
   
• Zusätzlich fördern unterstützende staatliche Politik und öffentlich-private Initiativen die lokale Halbleiterproduktion und Technologieentwicklung und stärken damit weiter das Wachstum des SRAM-Marktes.
   

Der Markt für statischen Direktzugriffsspeicher in Südafrika wird voraussichtlich während des Prognosezeitraums ein erhebliches Wachstum im Nahen Osten und in Afrika verzeichnen.
 

• Das Land zeigt ein erhebliches Potenzial, getrieben durch die Ausweitung der industriellen Automatisierung, Elektronikfertigung und die Nutzung von Hochleistungs-Speicher in Smart-Technologien.
   
• Südafrika beherbergt mehrere namhafte Elektronik- und Halbleiterunternehmen und verzeichnet eine steigende Nachfrage nach latenzarmen, energieeffizienten und hochdichten SRAM-Lösungen.
   
• Regierungsinitiativen, Infrastrukturentwicklung und Zusammenarbeit mit globalen SRAM-Technologieanbietern sollen das Marktwachstum in der Region weiter beschleunigen.
   

Marktanteil des statischen RAM-Speichers

Die Wettbewerbslandschaft des globalen SRAM-Marktes ist durch intensiven Wettbewerb, kontinuierliche technologische Innovation und strategische Zusammenarbeit zwischen führenden Speicherherstellern geprägt. Top-Player wie Infineon Technologies, Renesas Electronics Corporation, Microchip Technology Inc., STMicroelectronics NV und Texas Instruments halten einen kombinierten Marktanteil von etwa 53,7 % im globalen SRAM-Markt. Diese Unternehmen investieren stark in Forschung und Entwicklung, um die Speichergeschwindigkeit, Dichte und Energieeffizienz zu verbessern und gleichzeitig Anwendungen in der Automobilindustrie, industriellen Automatisierung, KI-Beschleunigern, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik zu erweitern.
 

Der Markt verzeichnet auch Fusionen, Übernahmen und strategische Partnerschaften, die darauf abzielen, die geografische Präsenz zu erweitern, die Fertigungskapazitäten zu verbessern und die Einführung fortschrittlicher SRAM-Lösungen zu beschleunigen. Kleinere und spezialisierte SRAM-Hersteller tragen dazu bei, indem sie sich auf Nischenanwendungen wie ultra-niedrigleistungs-SRAM, hochdichte eingebettete SRAM und automotive-grade-Speicher konzentrieren und so Innovation und Differenzierung fördern.
 

Unternehmen im statischen RAM-Speichermarkt

Die wichtigsten Akteure im SRAM-Markt sind wie folgt:

• Alliance Memory, Inc.
• Analog Devices, Inc.
• GSI Technology Inc.
• Infineon Technologies
• Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)
• Microchip Technology Inc.
• NXP Semiconductors
• ON Semiconductor
• Renesas Electronics Corporation
• Samsung Electronics Co., Ltd.
• STMicroelectronics NV
• Texas Instruments
• Toshiba Corporation
• Winbond Electronics Corporation
   

Infineon Technologies

Infineon Technologies ist ein führender Akteur im SRAM-Markt mit einem Marktanteil von 14,7 %. Das Unternehmen spezialisiert sich auf hochgeschwindigkeits-, energieeffiziente SRAM-Lösungen für Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronik-Anwendungen. Seine starke globale Fertigungspräsenz und die kontinuierliche Investition in Forschung und Entwicklung für fortschrittliche eingebettete und automotive-grade-SRAM-Lösungen festigen seine Position als Vorreiter im Bereich Speicherlösungen.
 

Renesas Electronics Corporation

Renesas Electronics hält einen Marktanteil von 12,8 % im globalen SRAM-Markt. Das Unternehmen konzentriert sich auf leistungsstarke SRAM-Lösungen für Automobil-Systeme, industrielle Automatisierung und eingebettete Elektronik. Sein Wettbewerbsvorteil wird durch robuste Forschung und Entwicklung, skalierbare Produktionsanlagen und strategische Partnerschaften mit globalen OEMs unterstützt.
 

Microchip Technology Inc.

Microchip Technology hält einen Marktanteil von 10,5 % und ist für sein breites Portfolio an seriellen und parallelen SRAM-Lösungen für Unterhaltungselektronik, Automobil- und Industrieanwendungen bekannt. Das Unternehmen legt Wert auf innovative, energieeffiziente und hochgeschwindigkeits-Speichertechnologien, starke Kundenbeziehungen und ein globales Vertriebsnetz, was es zu einem wichtigen Akteur im SRAM-Markt macht.
 

Branchennews zum statischen RAM-Speicher

• Im Oktober 2025 führte NXP Semiconductors Smartphone-Mirroring-Funktionen für digitale verbundene Einstiegscluster in Zweirädern ein, unter Verwendung seiner i.MX RT1170-Mikrocontroller-Einheit (MCU). Die MCU ermöglicht den nahtlosen Zugriff auf Navigation, Musik und Anrufe direkt am Armaturenbrett, wodurch der Bedarf an zusätzlicher Hardware entfällt. Mit Dual Arm Cortex-Kernen, bis zu 2 MB On-Chip-SRAM und integrierter Grafik verbessert die Lösung die Sicherheit, Konnektivität und das Nutzererlebnis des Fahrers, während die Kosteneffizienz erhalten bleibt.
   
• Im Juni 2025 stellte Infineon Technologies eine strahlungsresistente Speicherportfolio vor, das für Missionen in niedrigen Erdumlaufbahnen (LEO) entwickelt wurde und den schnell wachsenden NewSpace-Markt anvisiert. Das Portfolio umfasst energieeffiziente F-RAMs, QSPI NOR Flash-Speicher (256/512 Mbit) und 256/512 Mbit pseudo-statische RAMs (pSRAM), die hohe Leistung, Zuverlässigkeit und geringe Größe, Gewicht und Leistung (SWaP-c) bieten. Diese Produkte unterstützen extreme LEO-Bedingungen und ergänzen Infineons strahlungsresistente Stromlösungen für kommerzielle Satellitenanwendungen.
   
• Im Mai 2023 präsentierte Samsung Foundry auf der ChipEx2023 seine 3nm-Gate-All-Around (GAA) Multi-Bridge-Channel-Feldeffekttransistor (MBCFET)-Technologie und hob die verbesserte SRAM-Designflexibilität hervor. Die MBCFET-Struktur ermöglicht die unabhängige Anpassung der Transistorkanalbreiten, optimiert Leistung, Stromverbrauch und Fläche (PPA) und verbessert die SRAM-Zellenstabilität. Im Vergleich zu FinFETs verbrauchen GAA-SRAM-Bitcells weniger Strom und bieten bessere Designmargen, was eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit in analogen und digitalen SRAM-Anwendungen ermöglicht.
   

Der Marktforschungsbericht zum statischen Direktzugriffsspeicher umfasst eine detaillierte Analyse der Branche mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf den Umsatz in Millionen USD von 2022 bis 2035 für die folgenden Segmente:

Markt, nach Typ

• Asynchroner SRAM
• Synchroner SRAM
• Andere

Markt, nach Speichergröße

• Bis zu 1 Mb
• 1 Mb bis 4 Mb
• 4 Mb bis 16 Mb
• Über 16 Mb

Markt, nach Endverbraucherindustrie

• IT & Telekommunikation
• Unterhaltungselektronik
• Automobil
• Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
• Industrie
• Gesundheitswesen
• Andere

Die oben genannten Informationen gelten für die folgenden Regionen und Länder:

• Nordamerika
  • USA
  • Kanada
• Europa
  • Deutschland
  • UK
  • Frankreich
  • Spanien
  • Italien
  • Niederlande
• Asien-Pazifik
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Südkorea 
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Argentinien
• Naher Osten und Afrika
  • Südafrika
  • Saudi-Arabien
  • VAE