InGaAs-Avalanchephotodioden (InGaAs-APD)-Marktgröße – nach Typ, nach Wellenlängenbereich, nach Anwendung, Wachstumsprognose, 2025 – 2034

InGaAs Avalanche Photodiode Marktgröße

Die globale Marktgröße für InGaAs-Lawinenphotodioden betrug im Jahr 2024 312,17 Millionen US-Dollar. Der Markt wird voraussichtlich von 330,87 Millionen US-Dollar im Jahr 2025 auf 700,29 Millionen US-Dollar bis 2034 wachsen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 8,7 % im Prognosezeitraum.
 

• Die wachsende Abhängigkeit von Hochgeschwindigkeits-Internet, Cloud-Computing und datenintensiven Anwendungen treibt stark die Nachfrage nach Glasfaserkommunikation, was direkt die Adoption von InGaAs-Lawinenphotodioden (APDs) fördert. Die hohe Empfindlichkeit, überlegene Ansprechzeit und der geräuscharme Betrieb dieser Produkte machen sie unverzichtbar für Langstrecken-, Metro- und Rechenzentrumsnetzwerke. Mit der schnell wachsenden 5G-Infrastruktur und dem weiterhin steigenden Bedarf an größerer Bandbreite ermöglichen InGaAs-APDs eine effiziente optische Signaldetektion für kontinuierliche und größere Datenübertragung.
   
• Darüber hinaus treibt die Verbreitung von Video-Streaming, IoT-Konnektivität und der Digitalisierung von Unternehmen Telekommunikationsanbieter dazu, ihre Netze zu verbessern, was wiederum den Markt für InGaAs-APDs als Schlüsselkomponente in optischen Kommunikationssystemen der nächsten Generation antreibt.
   
• Die wachsende Adoption von LiDAR-Technologie in Anwendungen wie autonomen Fahrzeugen, industrieller Automatisierung und geodätischer Kartierung schafft starke Wachstumschancen für InGaAs-APDs. Ihre Fähigkeit, eine hohe Empfindlichkeit im nahen Infrarotbereich bereitzustellen, ist hochwirksam bei der Detektion schwacher Lichtsignale und der präzisen Abstandsmessung auch unter widrigen Umweltbedingungen. Bei autonomen Fahrzeugen verbessern InGaAs-APDs beispielsweise die Objekterkennung und Navigationsgenauigkeit, was die Leistung und Sicherheit erhöht.
   
• Die Verwendung in Robotik und Drohnen-basierten LiDAR-Systemen ermöglicht eine bessere Sensorik und Situationsbewusstsein. Da Regierungen und Industrieunternehmen weiterhin massiv in intelligente Mobilität, Infrastruktur und Automatisierung investieren, treibt die wachsende Nutzung von LiDAR-Systemen eine robuste Nachfrage nach InGaAs-APDs in einer Reihe von Wachstumsanwendungen.
   

InGaAs Avalanche Photodiode Markttrends

• InGaAs-APDs werden zunehmend in Hochgeschwindigkeits-Optikkommunikationssystemen zur Unterstützung von Rechenzentren und 5G-Netzen eingesetzt. Ihre überlegene Empfindlichkeit und Bandbreite machen sie unverzichtbar für schnellere und zuverlässigere Datenübertragung. Dieser Trend unterstreicht den wachsenden Bedarf an fortschrittlichen optoelektronischen Komponenten, um die sich schnell ausdehnende globale Kommunikationsinfrastruktur zu unterstützen.
   
• InGaAs-APDs haben an Bedeutung in LiDAR-Anwendungen für autonome Fahrzeuge, Robotik und industrielle Automatisierung gewonnen. Ihre Fähigkeit, schwache Lichtsignale mit hoher Genauigkeit zu detektieren, verbessert die Abstandsmessung und Objekterkennung. Da die Branchen Sicherheit und Präzision priorisieren, beschleunigt diese technologische Integration die Rolle der APDs in fortschrittlichen Sensorsystemen in mehreren Sektoren.
   
• InGaAs-APDs werden zunehmend in fortschrittlichen Bildgebungstechnologien, einschließlich medizinischer Diagnostik, Spektroskopie und Überwachung im Verteidigungsbereich eingesetzt. Ihre hohe Empfindlichkeit im nahen Infrarotbereich unterstützt eine verbesserte Bildauflösung und Zuverlässigkeit. Dieser Trend wird durch wachsende Investitionen in Gesundheits- und Sicherheitsanwendungen vorangetrieben, wodurch APDs zu kritischen Komponenten in Bildgebungstechnologien der nächsten Generation werden.
   

InGaAs Avalanche Photodiode Marktanalyse

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Basierend auf dem Wellenlängenbereich ist der Markt für InGaAs-Lawinenphotodioden in kurzwellige (bis zu 1,0 µm), mittelwellige (1,0 bis 1,55 µm) und langwellige (1,55 µm und darüber) Segmente unterteilt.
 

• Der mittelwellige (1,0 bis 1,55 µm) Markt verzeichnet weiterhin ein exponentielles Wachstum und wird auf 148,1 Millionen US-Dollar im Jahr 2024 geschätzt, mit einer CAGR von 10 %. Die zunehmende Implementierung in Glasfasernetzen, Umweltsensorik und Spektroskopiesystemen treibt weiterhin die Produktentwicklung in diesem Bereich voran.
   
• Hersteller priorisieren die Verbesserung der wellenlängenspezifischen Empfindlichkeit, die Stabilisierung des Betriebs über Temperaturbereiche hinweg und die Minimierung von elektronischem Rauschen, um die Anforderungen der Telekommunikation und industriellen Sensorik zu erfüllen. Durch die enge Zusammenarbeit mit OEMs, Systemintegratoren und Forschungslaboren entwickeln Hersteller maßgeschneiderte Lawinenphotodioden-Lösungen für Langstrecken- und hochpräzise Arbeitslasten, insbesondere solche, die Luftmessungen und fortschrittliche photonische Netze betreffen.
   
• Das Segment der langwelligen (1,55 µm und darüber) Lawinenphotodioden generiert im Jahr 2024 100,2 Millionen US-Dollar. Diese Nachfrage wird weitgehend durch die zunehmende Nutzung in der Freiraumoptikkommunikation, fortschrittlicher LiDAR-Technologie und Infrarotspektroskopie unterstützt, wobei längere Wellenlängen eine verbesserte Durchdringung und geringere atmosphärische Dämpfung bieten. Darüber hinaus konzentrieren sich Hersteller darauf, die Empfindlichkeit im langwelligen Bereich zu verbessern, den Dunkelstrom zu reduzieren und das Verstärkungsbandbreitenprodukt zu maximieren, um den wachsenden Anforderungen von Telekommunikations-Backbones und Hochaltitüdensensorik-Anwendungen gerecht zu werden.
   

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Basierend auf dem Typ ist der Markt für InGaAs-Lawinenphotodioden in Einphotonen-Lawinenphotodioden (SPADs), Mehrphotonen-Lawinenphotodioden (MPADs) und linear arbeitende Lawinenphotodioden unterteilt.
 

• Das Segment der linear arbeitenden Lawinenphotodioden wurde im Jahr 2024 auf 136,59 Millionen US-Dollar bewertet und wird voraussichtlich mit einer CAGR von 9,2 % wachsen, getrieben durch die zunehmende Implementierung in optischen Empfängern für Telekommunikation, LiDAR und Spektroskopie. Ihre inhärente Kompatibilität mit der analogen Signalverarbeitung und das reduzierte Überschussrauschen machen sie besonders effektiv für die präzise Detektion unter moderaten optischen Fluenz.
   
• Das Segment der Einphotonen-Lawinenphotodioden (SPADs) machte im Jahr 2024 114,49 Millionen US-Dollar aus, unterstützt durch die zunehmende Nutzung in der Quantenkryptographie, der Bildgebung bei schwachem Licht und der zeitaufgelösten Spektroskopie. Ihre Fähigkeit, einzelne Photonen mit hoher Zeitpräzision zu detektieren, macht sie ideal für hochsensible und ultra-schnelle Anwendungen. Darüber hinaus priorisieren Hersteller die Entwicklung kompakter, niederjitternder SPAD-Arrays, die die komplementäre Metalloxid-Halbleiter-Technologie (CMOS) nutzen, um eine nahtlose Integration in miniaturisierte photonische Schaltkreise zu ermöglichen. Die Zielanwendungen in der 3D-Bildgebung, autonomen Navigation und Quantenwissenschaft werden den Markt diversifizieren und eine beschleunigte Aufnahme in industriellen und Forschungsumgebungen fördern.
   

Aufgrund der Anwendung ist der Markt für InGaAs-Lawinenphotodioden in die Segmente kommerziell, IT & Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt & Verteidigung, Industrie, Gesundheitswesen und andere unterteilt.
 

• Das kommerzielle Segment wird im Jahr 2024 auf 136,16 Millionen US-Dollar bewertet und wird voraussichtlich mit einer CAGR von 9,9 % wachsen. Dieses Wachstum wird durch die steigende Nachfrage nach Glasfaserkomponenten in Rechenzentren, 3D-Kartierung in der Unterhaltungselektronik und Sicherheits-LiDAR in autonomen Fahrzeugen angetrieben - Sektoren, in denen rauscharme, hochverstärkende APDs zunehmend unverzichtbar sind. Hersteller haben jedoch ihre Portfolios an kommerziellen Lawinenphotodioden erweitert, die auf kostensensible, hochvolumige Märkte abzielen. Die Entwicklung kompakter, thermisch stabiler Module, gekoppelt mit der Integration der Geräte in vertikal emittierende Oberflächenemitter-Laser-Arrays und verbraucherorientierte LiDAR-Systeme, wird die Wettbewerbsposition stärken und die Entwicklung erleichtern.
   
• Das Segment IT & Telekommunikation wird im Jahr 2024 auf 57,19 Millionen US-Dollar bewertet und wächst mit einer CAGR von 8,9 %. Das Wachstum wird durch den steigenden Bedarf an schneller Datenübertragung, dicht gepackten Wellenlängenmultiplexarchitekturen und den sich entwickelnden 5G- und 6G-Glasfaserrahmen angetrieben, die hochsensible Detektoren erfordern, um die Spitzenleistung zu erreichen.
   

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Die Marktgröße für InGaAs-Lawinenphotodioden in Nordamerika betrug im Jahr 2024 116,13 Millionen US-Dollar. Das Wachstum des Marktes wird durch die sich ausdehnende Glasfaserinfrastruktur, die starke Adoption von LiDAR in der Verteidigung und das Wachstum in den Bereichen Quanten- und Umweltsensorik vorangetrieben.
 

• Die USA hielten den größten Anteil und dominierten somit den nordamerikanischen InGaAs-APD-Markt, der im Jahr 2024 74,6 Millionen US-Dollar wert war. Das Wachstum in der Region wird durch die zunehmende Implementierung von Photonik-Technologie in den Bereichen Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt und Wissenschaft unterstützt, wo optische Kommunikation und Sensorik hauptsächlich für Hochgeschwindigkeitsanwendungen benötigt werden. Die Einführung von Glasfasertechnologie und LiDAR-Anwendungen und -Technologien in zivilen und Verteidigungsinitiativen trägt maßgeblich zur Nachfrage nach leistungsstärkeren Photodetektoren bei.
   

• Um sich zu differenzieren, erweitern die in den USA ansässigen Hersteller Partnerschaften mit Bundeslabors und Telekommunikationsriesen, entwickeln modulare Photodiodenlösungen für skalierbare 5G- und LEO-Satellitensysteme und nutzen KI-gestützte Signalverarbeitung, um die Wettbewerbsfähigkeit der Produkte zu steigern.
   
• Der kanadische Markt wird voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 8,1 % stetig wachsen. Dieses Wachstum wird durch Investitionen in Glasfasernetzwerke, die Ausweitung von Weltraum- und Atmosphärenwissenschaftsprogrammen sowie die synergetische Forschung zwischen Universitäten und Bundeslaboratorien, einschließlich des National Research Council, vorangetrieben. Der zunehmende Bedarf an Nachtsichtgeräten in kalten und abgelegenen Regionen beschleunigt die Aufnahme in den Bereichen Telekommunikation, Verteidigung und Umweltüberwachung weiter.
   

Der europäische Avalanche-Photodiodenmarkt transaktierte im Jahr 2024 77,50 Millionen US-Dollar. Das Wachstum dieses Marktes wird durch robuste Investitionen in die Quantenkommunikation, die Ausweitung von LiDAR-Einsätzen in der Automobil- und Verteidigungsindustrie sowie durch Upgrades in der Glasfasertelekommunikationsinfrastruktur angetrieben.
 

• Deutschland hat den europäischen InGaAs-APD-Markt vollständig dominiert, mit einer Marktgröße von 23,98 Millionen US-Dollar im Jahr 2024, gestärkt durch das robuste Forschungs- und Entwicklungsumfeld Deutschlands und die umfangreiche Unterstützung der EU-Initiative für QuantenTechnologie. Zudem waren der Telekommunikationssektor Deutschlands und der Bedarf an industrieller Automatisierung/IoT starke Wachstumstreiber. Eine schnelle Produktentwicklung und -kommerzialisierung wurden durch regionale Institutionen wie Fraunhofer sowie größere Telekommunikationsanbieter ermöglicht.
   
• Großbritannien wird voraussichtlich eine konsistente und günstige Markttendenz mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 9,3 % aufweisen. Diese Dynamik wird durch starke photonische Forschung, die zunehmende Übernahme von APDs in den Bereichen Quanten- und Telekommunikation sowie strategische Finanzierung durch die britische Regierung über Innovate UK und das UKRI Quantum Technologies Programme unterstützt. Darüber hinaus wird britischen Herstellern empfohlen, Partnerschaften mit Universitätsforschungsverbünden zu vertiefen und die Produktionskapazitäten für Telekommunikation, LiDAR und Quantenverschlüsselung zu erhöhen.
   

Der asiatisch-pazifische InGaAs-Avalanche-Photodiodenmarkt wird im Jahr 2024 einen Wert von 64,79 Millionen US-Dollar haben. Das Marktwachstum wird durch die Ausweitung der Glasfaserinfrastruktur, die zunehmende Nutzung von LiDAR in autonomen Fahrzeugen und die staatlich geförderte photonische Forschung und Entwicklung in Ländern wie China, Japan und Südkorea beeinflusst.
 

• Der chinesische (InGaAs-APD-)Markt hat im Jahr 2024 einen Wert von 26,20 Millionen US-Dollar. China verzeichnet ein erhebliches Wachstum aufgrund starker Investitionen in die optische Kommunikationsinfrastruktur, militärische LiDAR-Systeme und Weltraum-Photonik. Staatlich geförderte Initiativen wie "Made in China 2025" und Kooperationen zwischen führenden Telekommunikationsunternehmen, insbesondere Huawei, und inländischen APD-Herstellern fördern die lokale Produktion und die schnelle technologische Entwicklung. Die Einrichtung von Forschungs- und Entwicklungszentren in wichtigen Industrieclustern und die Förderung akademischer Partnerschaften werden die Lokalisierung und den langfristigen Marktzugang weiter verbessern.
   
• Der japanische Markt wird voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 9,6 % stetig wachsen. Das Wachstum wird durch die zunehmende Nutzung von APDs in Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikationen, fortschrittlichen Fahrerassistenzsystemen und aufstrebenden Quantenbildgebungstechnologien angetrieben. Das robuste Ökosystem der photonischen Forschung und Halbleitertechnik des Landes, kombiniert mit den nachhaltigen Investitionen wichtiger Unternehmen wie Hamamatsu Photonics und NTT, befeuert die schnelle, heimische Verfeinerung von APD-Geräten und -Architekturen.
   
• Der südkoreanische Markt hat im Jahr 2024 einen Wert von 6,01 Millionen US-Dollar und wird durch die starken Halbleiter- und optoelektronischen Industrien des Landes vorangetrieben. Das Wachstum wird durch die steigende Nachfrage nach Glasfaserkommunikation, LiDAR-Systemen in autonomen Fahrzeugen und fortschrittlichen Bildlösungen angetrieben. Führende südkoreanische Technologieunternehmen sowie bedeutende Forschungsinstitute steigern ihre Bemühungen zur Entwicklung von InGaAs-APDs, unterstützt durch förderliche nationale Innovationspolitik.
   

Der Markt für InGaAs-Avalanche-Photodioden im Nahen Osten und in Afrika (MEA) hatte im Jahr 2024 einen Wert von 23,60 Millionen US-Dollar. Das Wachstum wird durch die steigende Nachfrage nach optischer Kommunikation, Überwachung im Verteidigungsbereich und Smart-City-Initiativen in Ländern wie den VAE und Saudi-Arabien angetrieben.
 

• Im Jahr 2024 dominierte Saudi-Arabien den MEA-Markt mit einer Größe von 6,48 Millionen US-Dollar. Das Wachstum wird durch nationale Transformationsprogramme wie Vision 2030, erhöhte Investitionen in Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung und die Nachfrage nach hochsensiblen optischen Komponenten in der Grenzüberwachung, Satellitenkommunikation und Umweltüberwachungssystemen vorangetrieben.
   
• Der Markt in den VAE wird voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 5,8 % stetig wachsen, unterstützt durch eine robuste Nachfrage aus Glasfaserkommunikationsnetzwerken, industrieller Automatisierung und optischen Sensoren für Verteidigungszwecke. Hohe Investitionen in die 5G-Infrastruktur und Smart-City-Programme werden dieses Wachstum weiterhin unterstützen.
   
• Der Marktanteil von InGaAs-Avalanche-Photodioden (InGaAs-APD) in Südafrika beträgt 2024 18,4 %, was auf das Wachstum durch den Einsatz in Glasfaser-Breitband, Bergbauautomatisierung und optischer Detektion für Verteidigungszwecke zurückzuführen ist. Öffentlich-private Partnerschaften in der Telekommunikationsinfrastruktur und der Schub für die industrielle Modernisierung werden das Marktwachstum ebenfalls weiter vorantreiben.
   

Der Markt für InGaAs-Avalanche-Photodioden in Lateinamerika verzeichnet ein Nachfragewachstum, das durch die zunehmende Nutzung in LiDAR, optischer Glasfaserkommunikation und Infrarotbildgebung in Brasilien, Mexiko und Argentinien angetrieben wird. Technologische Upgrades in den Bereichen Telekommunikation und Verteidigung unterstützen ebenfalls die Marktdynamik. Hersteller von APDs sollten kostengünstige, temperaturstabile Lösungen entwickeln, die für tropische Umgebungen geeignet sind, und mit lokalen Telekommunikationsunternehmen und Verteidigungsunternehmen zusammenarbeiten.
 

Marktanteil von InGaAs-Avalanche-Photodioden

Die vier führenden Unternehmen Hamamatsu Photonics, Excelitas Technologies, Laser Components DG, Inc. und First Sensor AG vereinen 27,7 % des Marktanteils, was auf einen mäßig konzentrierten Markt hinweist, der durch starke Forschung und Entwicklung, integrierte Lieferketten und Partnerschaften in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich angetrieben wird.
 

• Hamamatsu Photonics hält etwa 9 % des Marktanteils, aufgrund der Führungsposition des Unternehmens bei optoelektronischen Komponenten wie hochleistungsfähigen InGaAs-APDs, die in Spektroskopie-, LiDAR- und Glasfaserkommunikationsprodukten integriert sind. Die Erfahrung des Unternehmens liegt in der vertikalen Fertigung sowie in der Entwicklung überzeugender und neuer Photodetektoren.
   
• Excelitas Technologies hat einen Marktanteil von 7,2 %, aufgrund seines Angebots an photonischen Detektionslösungen, darunter InGaAs-APDs, die für industrielle Automatisierung, biomedizinische Instrumentierung und Luft- und Raumfahrtsysteme eingesetzt werden. Das Unternehmen investiert stark in Forschung und Entwicklung sowie in die Produktanpassung für hochsensible und hochgeschwindigkeitsfähige Anwendungen.
   
• Laser Components DG, Inc. hat einen Marktanteil von 6,3 %, angetrieben durch seine Expertise in der Photonik und Spezialisierung auf Nischen-Photonikkomponenten. Die InGaAs-APDs des Unternehmens werden für industrielle Sicherheit, Umweltsensorik und Laserdistanzmessung eingesetzt. Laser Components DG, Inc. legt Wert auf Zuverlässigkeit/Integrität und angepasste Wellenlängen, unabhängig von der Anwendung.
   
• First Sensor AG ist mit einem Marktanteil von 5,1 % des Gesamtanteils stark positioniert. Das Unternehmen bietet eine Vielzahl von Photodetektoren, darunter InGaAs-APDs, die für medizinische Diagnostik, industrielle Bildgebung und die Verteidigungsindustrie eingesetzt werden. First Sensor AG verfügt über eine starke Basis an europäischen Fertigungspartnern und Ingenieursfähigkeiten, die eine reaktionsschnelle und hochleistungsfähige Gestaltung für maßgeschneiderte OEM-Anwendungen ermöglichen.
   

Unternehmen im InGaAs-Avalanche-Photodioden-Markt

Liste der prominenten Akteure, die im InGaAs-Avalanche-Photodioden-Markt tätig sind:

• Albis Optoelectronics AG (Enablence)
• Excelitas Technologies
• First Sensor
• Hamamatsu Photonics
• Laser Components DG, Inc
• Thorlabs Inc.
• OSI Optoelectronics
• Dexerials Corporation
   
• Hamamatsu Photonics hat sich durch seinen hohen Grad an vertikaler Integration und seine Expertise in fortgeschrittenen Materialien differenziert. Hamamatsu hat erfolgreich eine Nische besetzt, indem es ein großes Portfolio an InGaAs-APDs aufgebaut hat. Diese APDs umfassen gekühlte Module, lineare Arrays und Geiger-Modus-Detektoren, die für LiDAR, Spektroskopie und Quantenverschlüsselung eingesetzt werden können.
   
• Excelitas Technologies hebt sich durch seinen Fokus auf missionskritische, robuste photonische Lösungen für Verteidigung, Luft- und Raumfahrt sowie Raumfahrtsysteme hervor, die sich auf InGaAs-APDs und zugehörige Module spezialisiert haben, die strahlungsgehärtet und für extreme mechanische Belastungen, Temperaturen und kosmische Strahlung ausgelegt sind.
   
• Laser Components Detector Group, Inc. fördert den Fortschritt im InGaAs-Avalanche-Photodioden-Markt (APD) durch technologiegetriebene, vertikal integrierte Fertigung in den USA; dadurch wird die Kontrolle über die Waferverarbeitung, Verpackung und Anpassung gesichert. Das Produktportfolio bietet unter anderem Variabilität in der IAG- und IAL-Serie, die eine hohe Verstärkung, breite spektrale Empfindlichkeit (1000–1600 nm) und Effizienz für Anwendungen in LiDAR, Spektroskopie und optischer Kohärenztomographie aufweisen.
   

Nachrichten aus der InGaAs-Avalanche-Photodioden-Industrie:

• Im Juni 2025 kündigte Phlux Technology eine 30-µm-Optikfenster-Version der Aura-Familie von 1550-nm-geräuschlosen InGaAs-APDs an. Diese neue 30-µm-Version verfügt über eine geringere Kapazität von 0,15 bis 0,4 pF, was die Grenzfrequenz auf 3,5 GHz erhöht, im Vergleich zur 80-µm-Version mit 1,8 GHz und der 200-µm-Version mit 0,7 GHz.
   
• Im November 2024 kündigte Excelitas Technologies Corp. eine verbesserte Version seiner C30645 / C30662 InGaAs Avalanche Photodioden (APDs) an. Diese neu konstruierten Dioden nutzen Verbesserungen in der III/V-Wafer-Wachstumstechnologie und Verarbeitungsarchitektur von Excelitas, um fortschrittliche Rauschenspezifikationen zu ermöglichen. Das neue Design bietet den Kunden bessere Signal-Rausch-Verhältnisse (SNR) und damit eine erhöhte Reichweite bei gleicher Laserausgangsleistung.
   
• Im Juni 2023 erweiterte Laser Components sein Sortiment an InGaAs-APDs mit der neuen IAL-Serie. Diese neue IAL-Serie bietet eine Vbr-Vop von etwa 4V. In diesem Arbeitsspannungsbereich können Verstärkungen von mehr als 20 bei den niedrigsten Rauschwerten erreicht werden.
   

Der Marktforschungsbericht über InGaAs-Avalanche-Photodioden (InGaAs-APDs) umfasst eine umfassende Abdeckung der Branche mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf den Umsatz (USD Millionen) von 2021 bis 2034 für die folgenden Segmente:

Markt, nach Wellenlängenbereich

• Kurzwellig (bis zu 1,0 µm)
• Mittelwellig (1,0 bis 1,55 µm)
• Langwellig (1,55 µm und darüber)

Markt, nach Typ

• Einzelphotonen-Avalanche-Dioden (SPADs)
• Mehrphotonen-Avalanche-Dioden (MPADs)
• Linearbetriebene Avalanche-Photodioden

Markt, nach Anwendung

• Kommerziell
  • 3D-Bildgebung
  • Gestenerkennung
  • Tiefenmessung
  • Autonomes Fahren (LiDAR)
  • Andere
• IT & Telekommunikation
  • Hochgeschwindigkeitsoptische Verbindungen
  • Optische Transceiver
  • Optische Langstreckenkommunikation
  • Metro- und Zugangsnetzwerke
  • Passive optische Netzwerke (PONs)
  • Andere
• Aerospace & Verteidigung
  • Kommunikationsverbindungen
  • Optische Kommunikation
  • Militärisches LiDAR und Entfernungsmessung
  • Fernerkundung
  • Andere
• Industrie
  • Maschinenvision
  • Industrielle Automatisierung
  • Überwachung
  • Metrologie & Inspektion
  • Andere
• Gesundheitswesen
  • Optische Kohärenztomographie (OCT)
  • Positronen-Emissions-Tomographie (PET)
  • Biomedizinische Sensorik
  • Nahinfrarotspektroskopie
  • Andere
• Andere

Die obigen Informationen werden für die folgenden Regionen und Länder bereitgestellt: 

• Nordamerika 
  • USA
  • Kanada
• Europa 
  • Deutschland
  • UK
  • Frankreich
  • Spanien
  • Italien
  • Niederlande
• Asien-Pazifik 
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Südkorea
• Lateinamerika 
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Argentinien
• Naher Osten und Afrika 
  • Saudi-Arabien
  • Südafrika
  • VAE