Marktgröße für Galliumnitrid (GaN)-Leistungschips für Elektrofahrzeuge – Nach Gerätearchitektur, Spannung, Gehäuse, Anwendung, Antrieb, Fahrzeugtyp, Vertriebskanal, Wachstumsprognose 2025–2034

Gallium Nitride Power Chips für den EV-Markt

Die globale Marktgröße für Galliumnitrid (GaN)-Leistungschips für Elektrofahrzeuge (EVs) betrug im Jahr 2024 297 Millionen US-Dollar. Der Markt soll von 360,1 Millionen US-Dollar im Jahr 2025 auf 1,5 Milliarden US-Dollar bis 2034 anwachsen, bei einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 15,5 %, laut dem neuesten Bericht von Global Market Insights Inc.
 

Da die Automobilhersteller Hochfrequenz-, Hochdichte-Umwandlungsstufen in großen Mengen einsetzen. Die Inflexion verfolgt den steigenden Verkauf von Elektrofahrzeugen und den Ausbau der Ladeinfrastruktur, der den Gesamtpool des Leistungselektronikinhalts pro Fahrzeug und pro Ladepunkt erweitert. Die globalen Verkäufe von Elektrofahrzeugen erreichten 2024 17 Millionen und überstiegen 20 % der Neuwagenverkäufe, während die globale Flotte auf 58 Millionen anwuchs, was einen nachhaltigen Bedarf an effizienter Leistungswandlung in Fahrzeugen und Infrastruktur antreibt.
 

Von 2025 bis 2034 wird der Markt voraussichtlich von 360,1 Millionen US-Dollar auf 1,52 Milliarden US-Dollar bei einer CAGR von 15,5 % wachsen, unterstützt durch die Erweiterung der Flotte, steigende OBC-Leistungsniveaus (bewegend in Richtung 11–19,2 kW) und erhöhte GaN-Durchdringung in DC-DC-Wandlern und Ladegerätetopologien, wo Hochfrequenzbetrieb systemweite Gewinne bringt. Das jährliche Wachstum moderiert von der anfänglichen dreistelligen Steigerung auf die unteren 20er in den mittleren 2020er Jahren und geht in Richtung der mittleren Teenagerjahre in den frühen 2030ern, wenn die Volumina skalieren und die Preise normalisieren.
 

Der Vorteil von GaN bei Bordladern zeigt sich in Hardware-Demonstrationen, wobei ein 6,6-kW-GaN-Design bei 100 kHz eine Spitzenleistung von 99 % erzielte, während das Volumen um 53 % und die Masse um 79 % gegenüber einer Silizium-Basis reduziert wurden, wodurch die Leistungsdichte von 3,9 kW/L auf 10,5 kW/L und die spezifische Leistung von 1,6 auf 9,6 kW/kg gesteigert wurden, wichtige Hebel für die Reichweite und das Packaging von Elektrofahrzeugen. Kürzliche OBC-Prototypen auf Basis von 650-V-GaN-Schaltern haben auch einen hochdichten, bidirektionalen Betrieb demonstriert, der für V2G-fertige Designs geeignet ist.
 

Öffentliche Ladestationen verdoppelten sich zwischen 2022 und 2024 auf über 5 Millionen weltweit, Schnelllader stiegen auf 2 Millionen, und Ultra-Schnelllader (>150 kW) erhöhten sich um mehr als 50 %, was alle den Bedarf an kompakter, effizienter Umwandlung verstärkt, bei der GaN in PFC- und DC-DC-Stufen glänzt. Aufgrund dessen erwarten wir, dass Ladegerätehersteller höhere Frequenzdesigns in raumbegrenzten städtischen Standorten und Depotladungen standardisieren, was die Nachfrage nach GaN in der Mittelspannungsklasse verstärkt.
 

Die GaN-Adoption in Nordamerika wird durch Bundesanreize für den Kauf von Elektrofahrzeugen und den Ausbau der Ladeinfrastruktur unterstützt, einschließlich sauberer Fahrzeugkredite und der NEVI-Programmfinanzierung für Schnellladekorridore. Der US-Markt profitiert von Regierungsroadmaps, die 200-kW-, 800-V-Antriebssysteme und Hochdichte-OBC-Benchmarks anstreben, die die Lieferanten in naher Zukunft zu Hochfrequenz-GaN-Designs lenken. Der US-Elektrofahrzeugmarkt erreichte 2024 etwa 1,6 Millionen Verkäufe (etwa 10 % Anteil), eine Basis, die das Wachstum der OBC-/DC-DC-Volumina begünstigt, die GaN begünstigen. Die politische Unterstützung Kanadas und die Provinzprogramme verleihen dem lokalen Lade-Netzwerk weitere Dynamik.
 

Der asiatisch-pazifische Markt führt global, wobei China fast zwei Drittel der Elektrofahrzeugverkäufe ausmacht und die öffentlichen Ladeinstallationen mit über 3,25 Millionen Einheiten dominiert, was die weltweit größte OBC- und Ladegeräte-Chance für GaN schafft. Die Politik, Handelsprogramme und V2G-Roadmaps Chinas stärken das Wachstum, während Indiens PM e-DRIVE und südostasiatische Anreize die regionale Basis erweitern. Japan und Südkorea tragen fortschrittliche Forschung und Entwicklung sowie Lieferkettenfähigkeiten bei, und mit dem Aufstieg von 800-V-Plattformen in Premiumsegmenten wird die Bereitschaft für Hochspannungs-GaN die nächste Phase der Marktentwicklung in der Region Asien-Pazifik prägen.
 

Gallium Nitride Power Chips für den EV-Markt Trends

Die Branche verschiebt sich von Einzelkomponenten zu integrierten Halbbrückenstufen und Modulen, die GaN-Schalter mit Treibern und Schutz in einem Gehäuse kombinieren, wodurch die Layoutempfindlichkeit und die EMI reduziert werden, während die thermischen Pfade verbessert werden. Öffentlich-private Programme haben die Kommerzialisierung von WBG-Technologien beschleunigt und integrierte GaN-Lösungen für Ladegeräte und OBCs katalysiert. Parallel integrieren Automobilhersteller multifunktionale Leistungsdomänen, was den Trend zu höheren Integrationsgraden verstärkt.
 

Öffentliche Ladestationen verdoppelten sich zwischen 2022 und 2024 auf über 5 Millionen, und Ultra-Schnelllader (>150 kW) stiegen in diesem Zeitraum um 50 %. Regulatorische Vorgaben für Hochleistungs-Ladestationen heben die Anforderungen an dichte und effiziente Umrichterstufen. Extrem schnell wechselnde Anforderungen treiben die Leistungselektronik zu höheren Frequenzen und Dichten, wobei GaN in PFC- und LLC-Stufen außergewöhnlich gut abschneidet.
 

Demonstrierte OBC-Wandler zeigen, dass GaN die Leistungsdichte um 170 % erhöht, während die Masse um 79 % im Vergleich zu Silizium-Basislinien reduziert wird, bei einer Spitzenwirkungsgrad von 99,0 % in einem 6,6-kW-Dual-Active-Bridge-Prototyp. Analysen zeigen, dass GaN-Bauelemente bei deutlich höheren Schaltfrequenzen mit deutlich geringeren Leitungsverlusten im Vergleich zu Silizium betrieben werden können, was eine Verkleinerung der Magnetkomponenten und Kühlhardware ermöglicht, während die Verluste in fortschrittlichen Wandlern um 60–80 % reduziert werden. Entwicklungsteams optimieren auch die Schaltfrequenzen neu, um die Wandlergewinne mit den parasitären Verlusten des Motors in traktionsnahen Anwendungsfällen auszugleichen.
 

Forschungsprogramme haben 1,2-kV-GaN-MOSFETs mit hoch-κ-HfO2-Gatenelektrik gezeigt, die einen Rekordtiefstand des Gate-Leckstroms und eine verbesserte Stromdichte erreichen, wodurch vertikales GaN in der Lage ist, mit SiC bei ≤1,2 kV zu konkurrieren, sobald Substrate und Prozessreife konvergieren. Dennoch bleibt die Automobilqualifikation für 800 V+ und 150 kW Traktion noch ausstehend; die Branchenroadmaps erwarten die Einsatzbereitschaft gegen Ende des Jahrzehnts, da die Kosten für native GaN-Substrate und Zuverlässigkeitsnachweise noch in Arbeit sind.
 

Galliumnitrid-Leistungschips für den EV-Markt: Analyse

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Nach Gerätearchitektur ist der Markt für Galliumnitrid-Leistungschips für Elektrofahrzeuge in laterale GaN-Geräte und vertikale GaN-Geräte unterteilt. Der Marktanteil der lateralen GaN-Geräte betrug 2024 etwa 70 % und wird voraussichtlich von 2025 bis 2034 mit einer CAGR von 16,1 % wachsen.
 

• Laterale GaN-Geräte sind die kommerziellen Arbeitspferde in der EV-Leistungselektronik und dienen OBC-, DC-DC- und Hilfssystemen bis 650 V, unterstützt durch automotive-qualifizierte Portfolios mehrerer Anbieter. Ihre AlGaN/GaN-HEMT-Struktur auf Silizium ermöglicht eine hohe Elektronenbeweglichkeit und eine hohe kritische Feldstärke, was zu einem geringen Einschaltwiderstand bei erhöhten Sperrspannungen im Vergleich zu Silizium-Bauelementen führt.
   
• Da die bestehenden 200-mm-Silizium-Fabs genutzt werden können, bietet GaN-on-Si eine überzeugende Kostenkurve, sobald die Ausbeuten skalieren, während seine hohe Schaltgeschwindigkeit kleinere Magnetkomponenten und thermische Hardware in OBC-LLC- und DAB-Topologien ermöglicht. Die praktische Obergrenze heutiger lateraler Geräte liegt typischerweise bei ~650 V für automotive-qualifizierte Anwendungen, was die Adoption unter den Traktionsspannungsniveaus konzentriert.
   
• Vertikales GaN repräsentiert die Hochspannungsfront. Forschung hat 1,2-kV-Klasse-MOSFETs mit hoch-κ-Dielektrika und Labor-Dioden bis zu mehreren kV demonstriert, was eine gangbare Gerätephysik für Traktionsblockierspannungen zeigt.Hier ist die übersetzte HTML-Inhalte: However, substrate cost and availability, along with the need for robust short-circuit, avalanche, and stability characteristics, mean automotive readiness is expected later in the decade. For now, most GaN adoption will remain in OBC, DC–DC, and charger conversion where mid-voltage performance dominates.

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Based on voltage, the gallium nitride power chips for EVs market is categorized into low voltage (≤100V), medium voltage (100V-650V) and high voltage (>650V). Medium voltage (100V-650V) segment dominated the market with 67% share in 2024, and the segment is expected to grow at a CAGR of 16% between 2025 and 2034.
 

• Mid-voltage GaN (100–650 V) commands the lion’s share of deployments because OBCs (400 V battery systems today, rising to 800 V designs through 2030) and many DC–DC converters fall squarely in this range. This is where GaN’s high-frequency advantage directly translates into density and efficiency gains in PFC & LLC or totem-pole PFC plus resonant stages in 6.6–19.2 kW OBCs.
   
• Low-voltage GaN (≤100 V) addresses auxiliary 12/48 V converters where extremely high efficiencies at modest power levels are feasible, although silicon often remains more cost competitive for basic functions.
   
• High-voltage GaN (>650 V) is the emerging segment that will determine traction penetration. Multi-level inverter and ANPC topologies can bridge the gap while vertical GaN technology matures.
   

Based on vehicles, the gallium nitride power chips for EVs market is divided into passenger cars, commercial vehicles, and two & three wheelers. Passenger cars segment dominated the market and was valued at USD 225.7 million in 2024.
 

• Million-unit sales per year passenger EVs represent the largest addressable base for power electronics. This scale controls the order book bunches directly for onboard chargers (OBCs), DC–DC converters, and high-efficiency compact designs where GaN devices exclusively triumphs. On the contrary, commercial EV penetration is accelerating but with lesser intensity as compared to passenger EVs, constraining the penetration of the former segment with GaN devices at present.
   
• BYD introduced Chinese markets to the new Seal 06 DM-i plug-in hybrid sedan in November 2024, underscoring the company’s expanding move towards compact high-efficiency passenger EVs. The vehicle combines sophisticated onboard charging as well as DC–DC conversion stages where GaN power devices are gaining traction to minimize efficiency improvement as well as to decrease the size of the systems.
   
• The PCs stress lightweighting, packaging optimization, and energy density to maximize driving range as well as user experience. High power density, lower cooling requirements, and smaller power stages offered by GaN best fit these design imperatives. As carmakers strive to achieve thinner, lighter OBCs as well as DC–DC units, Adoption of GaN gains pace. Space as well as weight considerations are less significant in commercial fleets, where High-voltage traction inverters represented by SiC gain advantage.
   
• Passenger EV OEMs are generally faster to adopt new semiconductor technologies through strong consumer market competition as well as regulatory requirements. This accelerates the OBC as well as charging system qualification of GaN devices with backing from pilot projects as well as early volumes. However, the heavy-duty as well as the bus segment tend to experience longer qualification periods because of the reliability needs as well as the higher stress on the voltage, thereby dampening adoption in GaNs.
   

Basierend auf dem Vertriebskanal ist der Markt für Galliumnitrid-Leistungschips für Elektrofahrzeuge in OEMs und den Nachmarkt unterteilt. Das Segment der OEMs dominiert den Markt und hatte 2024 einen Wert von 257,5 Millionen USD.
 

• OEMs führen den Markt an, weil sie GaN-Leistungsbauelemente end-to-end in EV-Plattformen wie Bordladern (OBCs), DC-DC-Wandlern und Antriebssystemen integrieren. Im Gegensatz zu Drittanbietern besitzen OEMs den gesamten Designprozess, sodass sie Kompaktheit, Effizienz und Leichtigkeit betonen können. Dies ermöglicht ihnen, GaN frühzeitig in ihren Plattformen mit Einhaltung der Leistungs- und Regulierungsziele sowie Kosteneffizienz in großem Maßstab zu integrieren.
   
• Top-OEMs investieren stark in Forschung und Entwicklung und etablieren direkte Zusammenarbeit mit GaN-Chipherstellern, um gemeinsam anwendungsspezifische Lösungen zu entwickeln. Dies ermöglicht eine schnellere Automobilqualifikation sowie Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen wie hohen Temperaturen, Vibrationen und Schnellladung. Da OEMs den Endfahrzeugspezifikationen am nächsten sind, treiben sie die Adoptionskurve stärker voran als Tier-2-Lieferanten, was ihnen hilft, in Bezug auf Effizienz und Innovationsmetriken die Führung zu behalten.
   
• Hyundai Motor Company hat sich im Juli 2023 mit Infineon Technologies zusammengeschlossen, um GaN- und SiC-Halbleiter für zukünftige EV-Plattformen zu beschaffen. Die Vereinbarung betraf die Bereitstellung von GaN-Bauelementen für Bordlader sowie DC-DC-Wandler mit höherer Effizienz sowie leichte Leistungselektronik in Pkw-Elektrofahrzeugen des Unternehmens.
   
• OEMs erzielen durch langfristige Beschaffung und Mehrfachbeschaffungsstrategien mit GaN-Anbietern einen Skaleneffekt, um Kostenschwellen zu senken. Ihre ausgereiften Lieferketten erleichtern auch die einfache Lokalisierung und Integration von GaN-Bauelementen in weltweite EV-Plattformen. Durch Führungspositionen bei Volumina sowie Lieferantenhebelwirkung erreichen OEMs einen breiteren Wettbewerbsvorteil bei der Einführung von GaN in Massenmarktvolumina jenseits des Nachmarkts oder kleinerer Systemintegratoren.

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China dominierte den Markt für Galliumnitrid-Leistungschips für Elektrofahrzeuge in der Region Asien-Pazifik mit einem Umsatz von 73,4 Millionen USD im Jahr 2024.
 

• China macht fast zwei Drittel der weltweiten EV-Verkäufe aus, mit mehr als 8 Millionen verkauften Elektrofahrzeugen im Jahr 2023. Diese enorme Skalierung schafft den größten adressierbaren Markt für GaN-Leistungschips, da jedes Elektrofahrzeug Bordlader, DC-DC-Wandler und Ladeinfrastruktur benötigt, die von der Kompaktheit und Effizienz von GaN profitieren. Die reine Produktionsmenge setzt China weit vor andere Märkte in der Region Asien-Pazifik wie Japan, Südkorea oder Indien.
   
• Aggressive Regierungsrichtlinien zugunsten von Elektrofahrzeugen (NEVs), Ladeinfrastruktur sowie einheimischer Halbleiterfertigung tragen dazu bei, die Region zur Marktführerschaft zu führen. Subventionen, lokale Fertigungsverpflichtungen sowie V2G- (Vehicle-to-Grid-)Roadmaps beschleunigen die schnellere Einführung von Hochleistungselektronik. Dieser politische Schub fördert sowohl die Nachfrage als auch die Lokalisierung von GaN, was der Region einen starken Impuls für das Ökosystem verleiht.
   
• Als einer der wichtigsten Anteile der weltweiten Galliumversorgung kontrolliert China den Marktanteil der GaN-Waferfertigung mit Unternehmen wie Innoscience, die die Hochvolumenproduktion vorantreiben. Das Land beherbergt wichtige globale Akteure wie BYD, NIO und XPeng, die GaN-basierte Technologien in Bordladern sowie Ladesystemen einsetzen. Das vertikal vernetzte Wertversprechen von der Rohstoffquelle bis zum fertigen Fahrzeug verleiht China eine unübertroffene Skalierbarkeit der GaN-Adoption.
   

Der US-Markt für GaN-Leistungschips für Elektrofahrzeuge wird zwischen 2025 und 2034 mit einer CAGR von 13,8 % enorm wachsen.
 

• Die US-Regierung beschleunigt die Einführung von Elektrofahrzeugen mit dem Inflation Reduction Act (IRA), den Clean Vehicle Credits und dem National Electric Vehicle Infrastructure Program (NEVI), das landesweite Schnellladungskorridore finanziert. Sobald der Anteil der Elektrofahrzeuge an den Neuzulassungen 10 % übersteigt, nimmt die Nachfrage nach leistungselektronischen Komponenten mit hoher Effizienz an Fahrt auf. GaN, dank seiner kompakten und leichten Bauweise, wird aufgrund der Anforderungen an Kosten und Effizienz in Onboard-Ladern und DC-DC-Systemen an Bedeutung gewinnen.
   
• Die USA beherbergen frühe GaN-Führer wie Navitas Semiconductor, EPC und Transphorm sowie vom DOE geförderte Gruppen wie PowerAmerica. Diese Organisationen treiben die kommerzielle Verfügbarkeit von automobilqualifizierten GaN-Bauelementen voran. Durch Investitionen in state-of-the-art-Verpackung, vertikale GaN-Entwicklung sowie die Vorbereitung auf 800-V-Systeme garantiert die Innovationspipeline der USA, dass GaN in diesem Jahrzehnt schnell in die EV-Plattform eindringen wird.
   
• Navitas Semiconductor gab im Januar 2024 bekannt, dass die GaNFast-Leistungschips des Unternehmens in die nächsten Generationen von Onboard-Ladern von US-EV-Plattformen integriert werden. Das Unternehmen wies darauf hin, dass die Produkte von Navitas im Vergleich zu Silizium eine 3-fach höhere Leistungsdichte ermöglichen und Systeme um 50 % kleiner sind, was mit dem Trend zu kompakten, hoch effizienten Leistungselektronikkomponenten der US-OEMs übereinstimmt.
   
• Öffentliche und private Finanzierungen beschleunigen den Aufbau von Schnellladestationen und Ultra-Schnellladestationen (150 kW+) in den gesamten Vereinigten Staaten. Da Hochleistungsladen zur Norm wird, gewinnen miniaturisierte, hochfrequente GaN-Bauelemente in den Umwandlungsstufen an Bedeutung. Da OEMs wie Tesla, GM und Ford ihre EV-Flotten und Ladeinfrastrukturen ausbauen, entsteht in den USA eine starke Nachfrage nach GaN in Fahrzeugen und Ladeinfrastruktur.
   

Der Markt für Galliumnitrid-Leistungschips für Elektrofahrzeuge in Deutschland wird zwischen 2025 und 2035 ein robustes Wachstum erfahren.
 

• Deutschland ist das größte Automobilzentrum Europas mit führenden OEMs wie Volkswagen, BMW und Mercedes-Benz, die ihre EV-Modellpalette schnell ausbauen. Da diese Automobilriesen nach verbesserter Effizienz, Miniaturisierung und Leichtbauweise in Onboard-Ladern und DC-DC-Wandlern streben, wird die Übernahme von GaN eine natürliche Entwicklung. Die Verfügbarkeit von Tier-1-Spielern wie Bosch und Continental beschleunigt ebenfalls die Übernahme von GaN in den nächsten Generationen von EV-Architekturen.
   
• Deutschlands ausgereiftes Halbleiter-Forschungs- und Entwicklungsökosystem, gestärkt durch die Bemühungen im Rahmen des EU-Chips-Gesetzes, treibt die Kommerzialisierung von GaN in hohem Tempo voran. Die multilateralen Kooperationen zwischen Forschungsinstituten, Automobilherstellern und Halbleiterunternehmen werden zu einer schnelleren Übernahme und Qualifizierung von GaN für den Automobilbereich führen. Zusammen mit dem wachsenden Schnellladenetzwerk in Deutschland bietet das Ökosystem einen fruchtbaren Boden für ein starkes Wachstum des GaN-Leistungschipmarktes im EV-Segment.
   
• Die Volkswagen Group gab im September 2023 bekannt, dass sie mit Infineon Technologies zusammenarbeitet, um Breitbandhalbleiter, wie GaN-Leistungsbauelemente, für ihre nächsten Generationen von EV-Plattformen zu beschaffen. Die Vereinbarung betrifft Onboard-Lader sowie Schnellladesysteme, bei denen GaN in Bezug auf Effizienz und Größe gegenüber Silizium überlegen ist.
   

Der Markt für Galliumnitrid (GaN)-Leistungschips für Elektrofahrzeuge in Brasilien wird zwischen 2025 und 2034 ein erhebliches Wachstum erfahren.
 

• Lateinamerika hält 2024 einen Anteil von 3 % am Markt für Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelemente für Elektrofahrzeuge und wächst mit einer signifikanten CAGR von 10,5 %. Brasilien erlebt eine schnelle Einführung von Elektrofahrzeugen, angetrieben durch staatliche Anreize, Zollsenkungen für Elektro- und Hybridfahrzeuge und Bemühungen zur Beschleunigung des Wachstums der Strominfrastruktur.Hier ist die übersetzte HTML-Inhalte:
  • Da sich das Land bemüht, den Umfang seines Automarkts über Biokraftstoffe und Hybridfahrzeuge hinaus zu erweitern, wird die Durchdringung von Elektrofahrzeugen weiterhin stetig wachsen. Die Verschiebung wird das Wachstum des Marktes für leistungselektronische Hochleistungsprodukte wie GaN vor allem in Bordladern und DC-DC-Wandlern fördern, wo die Minimierung der Größe sowie die maximale Leistungsdichte von entscheidender Bedeutung sind.
     
  • Das Ladeinfrastruktur-Netz in Brasilien hat sich dramatisch erweitert, wobei Schnellladestationen in städtischen Zentren sowie auf Fernstraßen eingerichtet werden. Automobilhersteller sowie Energieunternehmen verpflichten sich zu Ultra-Schnellladekonzepten, um den Langstreckenbetrieb von Elektrofahrzeugen zu ermöglichen. Hochfrequentes Schalten sowie Größenreduzierung mit der daraus resultierenden Effizienzsteigerung in den Leistungswandlungsstufen von GaN machen es inhärent für die expandierende brasilianische Ladeinfrastruktur geeignet und beschleunigen die Übernahme.
     
  • Die Region beherbergt eine der größten Automobilindustrien Lateinamerikas, wobei namhafte OEMs wie Volkswagen, General Motors und Stellantis lokale Produktionsstätten haben. Wenn die OEMs beginnen, den brasilianischen Markt mit EV-Modellen zu bedienen, wird die Notwendigkeit, die Region mit hochwertigen Halbleiterinhalten auszustatten, wachsen. Der Antrieb, regionalisierte Lieferketten sowie mögliche Kooperationen mit GaN-Anbietern zu fördern, wird eine gültige Grundlage für ein erhebliches Wachstum von GaN-Leistungschips auf dem brasilianischen EV-Markt bilden.
     
  • BYD startete im März 2024 den Bau des Elektrofahrzeug-Produktionskomplexes in Camaçari, Brasilien, mit einer Investition von über 600 Millionen US-Dollar. Der Komplex umfasst die lokale Montage von Elektrofahrzeugen sowie die Montage von Elektrobussen und Batteriesystemen. Da BYD bereits GaN-basierte Bordlader und DC-DC-Wandler in einigen der bestehenden Modelle der Elektrofahrzeuge des Unternehmens installiert hat.
     

  Der Markt für Galliumnitrid-Leistungschips für Elektrofahrzeuge in den VAE wird voraussichtlich zwischen 2025 und 2034 ein robustes Wachstum erfahren.
   

  • Die VAE treiben die aggressive Übernahme von Elektrofahrzeugen im Rahmen ihrer Netto-Null-2050-Strategie sowie der Vision-2030-Initiativen voran. Regierungen ermutigen Verbraucher, auf Elektrofahrzeuge umzusteigen, mit kostenlosem Parken, Mautbefreiungen und reduzierten Zulassungsgebühren. Da die Übernahme weiter zunimmt, steigt der Bedarf an kleineren, hoch effizienten Bordladern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen, was eine erhebliche Marktchance für GaN-Leistungschips schafft, die gegenüber Silizium sowohl in Bezug auf Platzersparnis als auch Effizienz überlegen sind.
     
  • Die Dubai Electricity and Water Authority (DEWA) kündigte im Oktober 2023 die Erweiterung ihres EV Green Charger-Netzwerks an, das über 1.000 Ladestationen in ganz Dubai umfasst. Einige der neu installierten Schnell- und Ultra-Schnelllader nutzen Halbleiter mit breiter Bandlücke, wie GaN-Geräte, um größere Effizienzen und kleinere Formfaktoren zu erzielen.
     
  • Die VAE richten schnell Ladestationen für Elektrofahrzeuge ein, wobei die Dubai Electricity and Water Authority (DEWA) und die Abu Dhabi Water & Electricity Authority (ADWEA) von Abu Dhabi die Investitionen in Schnell- und Ultra-Schnelllade-Netzwerke anführen. Da GaN bei der Hochfrequenz-, Hochleistungsumwandlung überlegen ist, wird es zur bevorzugten Lösung für Schnellladesysteme. Der Ausbau von 150-kW+-Ladestationen entlang von Autobahnen und Smart-City-Hubs macht GaN zu einem Schlüsselfaktor für die Effizienz der Ladeinfrastruktur.
     

  Marktanteil von Galliumnitrid-Leistungschips für Elektrofahrzeuge

  Die sieben führenden Unternehmen auf dem Markt sind Navitas Semiconductor, GaN Systems, EPC, Texas Instruments, Infineon Technologies, ROHM Semiconductor und STMicroelectronics. Diese Unternehmen halten 2024 etwa 90 % des Marktanteils.
   

  • Navitas Semiconductorshält einen Marktanteil von 40 % des Marktpioniers in GaN-Leistungs-ICs, der GaN-FETs, Gate-Treiber und Schutz in kompakten Implementierungen für OBC und DC–DC kombiniert. Die integrierte Architektur reduziert die BoM und die Layoutempfindlichkeit, während die EMC erleichtert wird und sich an Hochfrequenz-OBC-Ziele anpasst.
     
  • GaN Systems bietet automotive-qualifizierte 650-V-Diskrete und Module mit niedrigem RDS (on), die für hochdichte LLC- und PSFB-Implementierungen geeignet sind. Seine Integration in Infineon erweitert die Modulverpackung und die Tier-1-Kanäle für breitere Traktions-adjunkte Chancen.
     
  • EPC Corporation entwickelt Enhancement-Mode-GaN-Bauelemente, die ultra-niedrige Verluste und kleine Fußabdrücke betonen, die für OBC/DC–DC-Schaltungen mit Hunderten von kHz geeignet sind, wo Dichte und EMI am wichtigsten sind.
     
  • Texas Instruments bietet GaN-Leistungs-IC-Plattformen für OBCs, die hohe Effizienz und Dichte mit integrierten Treibern und Schutz anstreben, wobei sie auf automotive-qualifizierte Prozesse und ein breites Analog-/Mischsignal-Portfolio für Systemlösungen zurückgreifen.
     
  • Infineon Technologies kombiniert die interne GaN-Entwicklung mit den Assets von GaN Systems, wobei der Schwerpunkt auf Modulintegration und 800-V-Plattformbereitschaft über das Jahrzehnt liegt, während es von der Tiefe der automotive-qualifizierten Prozesse und der globalen Fertigungstiefe profitiert.
     
  • ROHM Semiconductor ist ein vertikal integrierter WBG-Lieferant, der in die Zuverlässigkeit von GaN-Bauelementen und -Verpackungen für OBC/DC–DC investiert, mit starken japanischen OEM-Bindungen, die die gemeinsame Anwendungsentwicklung unterstützen.
     
  • STMicroelectronics verfolgt eine Dual-Track-GaN/SiC-Strategie und entwickelt Module, die Systemlösungen für Antriebsstränge unterstützen, während es sein MCU- und Sensor-Portfolio für integrierte Designs nutzt.
     

  Gallium-Nitrid-Leistungschips für den EV-Markt

  Wichtige Akteure im Markt für Gallium-Nitrid-Leistungschips für Elektrofahrzeuge (EVs) sind:
   

  • EPC
  • GaN Systems
  • Infineon Technologies
  • Innoscience
  • Navitas
  • Power Integrations
  • ROHM Semiconductor
  • STMicroelectronics
  • Texas Instruments
  • Transphorm
     
  • Navitas Semiconductor hat sich als Pionier bei GaN-Leistungs-ICs etabliert, die GaN-FETs, Gate-Treiber und Schutzfunktionen in hochkompakten Lösungen kombinieren. Seine integrierte Architektur reduziert die Materialkosten, vereinfacht die Layouts und verbessert die EMC-Leistung. Dies verleiht Navitas einen starken Wettbewerbsvorteil bei Bordladern (OBCs) und DC–DC-Wandlern, bei denen Effizienz und Leistungsdichte oberste Priorität haben, was es zum Spitzenreiter im EV-GaN-Markt macht.
     
  • GaN Systems (Infineon) spielt eine kritische Rolle mit seinen automotive-qualifizierten 650-V-GaN-Bauelementen, die für hochdichte LLC- und PSFB-Implementierungen optimiert sind. Nach der Übernahme durch Infineon profitiert GaN Systems von erweiterter Modulverpackungsexpertise und Zugang zu Tier-1-Automobilzulieferern, was ihm stärkere traktionsnahe Chancen bietet. Diese Integration stärkt Infineons GaN-Fußabdruck im Automobilsektor erheblich.
     
  • Infineon Technologies nutzt seine globale Reichweite und tiefe automotive-qualifizierte Erfahrung, um den EV-Halbleitermarkt zu dominieren. Mit der Übernahme der Assets von GaN Systems hat Infineon sein GaN-Portfolio erweitert und treibt gleichzeitig die Modulintegration voran und bereitet sich auf die 800-V-Plattformbereitschaft vor. Seine globale Fertigungsreichweite und seine Position als weltweit größter Automobilhalbleiterlieferant machen Infineon zu einem Eckpfeiler im GaN-EV-Markt.
     
  • EPC Corporation ist bekannt für seine Spezialisierung auf Enhancement-Mode-GaN-Bauelemente, die extrem niedrige Verluste und kompakte Abmessungen bieten. Seine Bauelemente eignen sich besonders für OBC und DC–DC-Wandler, die mit Hunderten von Kilohertz schalten, wo Effizienz und reduzierte EMI entscheidend sind. Der Fokus von EPC auf leistungsorientierte, hochfrequente GaN-Lösungen hat seinen Ruf als bevorzugter Lieferant für kompakte EV-Antriebssysteme gefestigt.
     
  • Texas Instruments integriert GaN-Technologie in sein breiteres Ökosystem aus Analog-, Mixed-Signal- und Stromversorgungslösungen. Seine GaN-Plattformen zielen auf Bordladesysteme mit Fokus auf Effizienz und Dichte ab, unterstützt durch integrierte Treiber und Schutz. Durch die Nutzung seiner umfangreichen Automobilqualifizierungsprozesse und seines systemweiten Know-hows liefert TI schlüsselfertige Lösungen, die die Designzyklen für Automobilhersteller verkürzen.
     
  • ROHM Semiconductor sticht als vertikal integrierter Anbieter von Wide-Bandgap-Halbleitern hervor, der stark in die Zuverlässigkeit von GaN-Bauelementen und fortschrittliche Verpackung investiert. Seine starken Partnerschaften mit japanischen OEMs und Tier-1-Unternehmen ermöglichen die gemeinsame Entwicklung von GaN-Anwendungen in EVs. ROHMs Engagement für sowohl SiC als auch GaN stellt sicher, dass es ein wichtiger Lieferant für eine breite Palette von Leistungselektroniksystemen in Elektrofahrzeugen bleibt.
     
  • STMicroelectronics verfolgt eine Dual-Track-Strategie, indem es sowohl GaN- als auch SiC-Technologien vorantreibt, was es ihm ermöglicht, vollständige Lösungen für EV-Antriebssysteme anzubieten. Seine GaN-Bemühungen werden durch eine starke Modulentwicklung ergänzt, während seine Mikrocontroller- und Sensorportfolios zusätzliche Systemintegrationsvorteile bieten. Dies positioniert STMicro als vielseitigen Lieferanten, der mehrere Spannungsklassen im EV-Markt abdecken kann.
     
  • Eine zunehmende Differenzierung ist auch bei Akteuren wie EPC, Navitas und Transphorm zu beobachten, die die Grenzen bei Integration, Verpackung und vertikaler GaN-Entwicklung verschieben. Diese Unternehmen gewinnen an Boden, indem sie sich auf spezifische EV-Leistungsstufen wie Bordladen, DC–DC-Wandlung und schließlich Traktionsumrichter konzentrieren und Automobilherstellern spezialisierte, hochleistungsfähige GaN-Lösungen bieten, die die breiteren Portfolios etablierter Großunternehmen ergänzen.
     

  Nachrichten zur Galliumnitrid-Leistungschips-Industrie für EVs

  • Im Januar 2025 hat das US-Heimatschutzministerium offiziell sein weitreichendes AI Safety and Security Board ins Leben gerufen und neue Richtlinien für die Nutzung von KI in Bundesbehörden eingeführt. Die Initiative sieht verpflichtende KI-Auswirkungsbewertungen für Bundes-KI-Systeme vor, die Bürgerdaten verarbeiten, mit Beginn der Umsetzung im Juli 2025.
     
  • Im Juli 2025 kündigte Navitas Semiconductor eine strategische Partnerschaft mit PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) an, um die Produktion von 200 mm GaN-on-Silicon zu beginnen. Diese Initiative zielt darauf ab, die GaN-IC-Fertigung für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Schnellladesysteme zu skalieren, wodurch die globale Lieferkette von Navitas gestärkt und das Wachstum der EV-Industrie unterstützt wird.
     
  • Im Mai 2024 hat Infineon Technologies seine CoolGaN 650 V G5 Transistor-Familie auf den Markt gebracht, was die nächste Generation von GaN-Bauelementen des Unternehmens für Automobil- und Industrieelektronik markiert. Die neue Serie verbessert die Schaltleistung und Leistungsdichte für Bordlader und DC–DC-Wandler in EV-Anwendungen und festigt Infineons Führungsposition bei Wide-Bandgap-Halbleitern.
     
  • Im August 2024 stellte EPC Corporation seinen EPC2361 GaN-FET vor, der einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand von 1 mΩ aufweist. Das Bauelement ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und Effizienz in EV-Bordladesystemen und Schnellladesystemen. Diese Veröffentlichung unterstrich EPCs fortlaufende Innovation bei kompakten, hochleistungsfähigen GaN-Bauelementen, die für die nächste Generation von Elektrofahrzeugen geeignet sind.
     
  • Im August 2024 hat Infineon Technologies sein Portfolio mit der CoolGaN Drive-Serie integrierter Einzelschalter und Halbbrücken-Treiber erweitert. Die Produktlinie zielt auf leistungseffiziente Stromrichter in EVs und Ladeinfrastruktur ab und bietet eine reduzierte Anzahl an Bauteilen sowie eine verbesserte Systemintegration auf Systemebene.
     
  • Im März 2024 kündigte Transphorm Inc. die Erweiterung seiner AEC-Q101-zertifizierten 650-V-GaN-FET-Reihe an, die eine zuverlässige Automobilqualität für Bordlader und DC-DC-Wandler ermöglicht. Diese Weiterentwicklung positioniert Transphorm als eines der wenigen Unternehmen weltweit mit vollständig zertifizierten GaN-Lösungen für EV-Antriebsstrang-Anwendungen.
     

  Der Marktforschungsbericht zu Galliumnitrid-(GaN)-Leistungschips für EVs umfasst eine umfassende Abdeckung der Branche mit Schätzungen & Prognosen in Bezug auf Umsatz ($Bn) und Versand (in Einheiten) von 2021 bis 2034 für die folgenden Segmente:

  Markt, nach Gerätearchitektur

  • Laterale GaN-Geräte
  • Vertikale GaN-Geräte

  Markt, nach Spannung

  • Niedrige Spannung (≤100V)
  • Mittlere Spannung (100V-650V)
  • Hohe Spannung (>650V)

  Markt, nach Verpackung

  • Diskrete Verpackungen
  • Leistungsmodule
  • Integrierte Leistungsstufen

  Markt, nach Anwendung

  • Traktionsumrichter
  • Bordlader (OBC)
  • DC-DC-Wandler
  • Ladeinfrastruktur
  • Hilfsleistungssysteme

  Markt, nach Antrieb

  • Batterieelektrische Fahrzeuge (BEV)
  • Plug-in-Hybridfahrzeuge (PHEV)
  • Mild-Hybridfahrzeuge (MHEV)
  • Brennstoffzellen-Elektrofahrzeuge (FCEV)

  Markt, nach Fahrzeug

  • Personenkraftwagen
    • Kompaktwagen
    • Limousine
    • SUV 
  • Nutzfahrzeuge
    • LCV
    • MCV
    • HCV
  • Zwei- & Dreiräder

  Markt, nach Vertriebskanal

  • OEMs
  • Nachrüstmarkt

  Die oben genannten Informationen werden für die folgenden Regionen und Länder bereitgestellt:

  • Nordamerika
    • USA
    • Kanada
  • Europa
    • Deutschland
    • UK
    • Frankreich
    • Italien
    • Spanien
    • Russland
    • Nordics
  • Asien-Pazifik
    • China
    • Indien
    • Japan
    • Australien
    • Südkorea
    • Philippinen
    • Indonesien
  • Lateinamerika
    • Brasilien
    • Mexiko
    • Argentinien
  • MEA
    • Südafrika
    • Saudi-Arabien
    • VAE