穿硅通孔（TSV）技术市场规模 - 按TSV工艺类型、TSV直径、应用领域及终端行业分类，增长预测，2026-2035年

穿硅通孔（TSV）技术市场规模

全球穿硅通孔（TSV）技术市场在2025年估计为31亿美元。预计市场将从2026年的38亿美元增长至2031年的105亿美元，并到2035年达到237亿美元，在2026年至2035年的预测期内复合年增长率为22.5%。

• 5G的加速使用正在对边缘应用和智能手机中的更小、更高效的模块提出更高要求。TSV技术使垂直堆叠小型因子成为可能，以减小尺寸并提高性能。根据GSMA的数据，全球5G设备的出货量正在快速增长，预计到2025年底将实现20亿5G连接，其中包括覆盖、网络和设备。
  
• 全球各国政府正在关注本地半导体制造，以获得战略自主权，并重点发展先进封装技术如TSV。例如，欧洲联盟宣布了《芯片法案》，拨款495亿美元用于其半导体生态系统。该倡议支持新建晶圆厂、研发和封装基础设施的发展。
  
• 在需求增长和政策支持下，半导体资本设备和封装生态系统正在快速发展。根据SEMI的数据，2024年全球半导体设备账单金额达1170亿美元，其中相当一部分来自先进封装和高带宽存储器应用。这一投资正在加强TSV能力工具的供应链。
  
• 2025年，亚太地区以72.3%的市场份额主导了全球穿硅通孔（TSV）技术市场。这一主导地位源于该地区庞大的半导体制造能力、广泛的军事防御和电子支出、正在进行的自动驾驶汽车、高级驾驶辅助系统和电动汽车部署，以及中国、日本、韩国和台湾等地加速的高级驾驶辅助系统和电动汽车部署。

穿硅通孔（TSV）技术市场趋势

• 随着传统2D缩放的快速替代，3D集成的采用正在成为TSV市场中的典型制造商趋势。随着缩小节点开始遇到成本绩效限制，芯片制造商开始关注3D架构和基于芯片的设计。这一趋势始于2018年，当时早期的HBM堆栈和3D传感器开始商业化。截至2024年，大多数IDM已将TSV启用的3D IC性能预测纳入考虑。到2030年，3D堆叠预计将成为CPU、GPU和AI加速器改进的主要途径。
  
• 向区域化半导体生态系统的强势转移正在重塑TSV制造策略。随着供应链脆弱性加剧，制造商从2019年开始开始多元化材料和设备来源，在亚洲、北美和欧洲启动了本地化努力。到2024年，国家半导体计划开始积极资助TSV封装线，使供应商与制造商之间的合作更加紧密。这一趋势预计将在2032年前加剧，芯片制造商预计将建立多区域TSV供应中心，减少对单一地理区域的依赖，并提高汽车、航空航天和AI驱动应用的韧性。
  
• 高产能、自动化驱动的TSV制造已成为制造商的关键趋势。早期TSV工艺（2016-2020年）面临诸如无空洞铜填充、晶圆薄化缺陷和CMP变异性等挑战。无空洞铜填充仍是一个挑战，晶圆薄化缺陷和CMP变异性也是如此。到2023年，制造商开始实施AI检测和自动测量调整，同时采用先进的电镀控制以提高一致性并减少废品。此类优化趋势预计将持续到2031年。制造商预计这些进步将导致完全自主的TSV生产线，具备预测性修正缺陷的能力，并能大规模生产HBM、雷达模块和传感器融合设备。
  

穿硅通孔（TSV）技术市场分析

按TSV直径划分，市场分为大直径TSV（>10 µm）、中直径TSV（5–10 µm）和小直径TSV（<5 µm）。

• 中直径TSV（5–10 µm）是最大的市场，2025年市场规模为17亿美元。随着对更高度微型化、高性能半导体设备的需求增加，以及对高效功率管理和能量分配的需求增加，制造商也在考虑使用先进的3D封装技术。
  
• 中直径TSV（5-10 µm）制造商必须提高精密制造能力，同时实现最佳能效、热管理水平，并生产可扩展、成本效益高的产品，以满足高密度、高性能半导体设备日益增长的需求。
  
• 小直径TSV（<5 µm）是增长最快的细分市场，预计在2026-2035年的预测期内将以24.2%的复合年增长率增长。小直径TSV（<5 µm）细分市场受益于越来越多的先进电子设备需要超紧凑、高性能半导体设备，这些设备能够快速传输数据，从而通过持续微型化和组件更高度集成推动技术进一步发展。
  
• 制造商必须继续专注于生产比以往更精密的组件，同时优化这些组件的热管理系统，并确保这些组件能够提供先进、紧凑型半导体设备所需的高性能特性。
  

按应用划分，穿硅通孔（TSV）技术市场分为3D存储解决方案、处理器与计算设备、CMOS图像传感器、MEMS设备、射频与通信设备和其他。

• 3D存储解决方案细分市场2025年市场规模为10亿美元。下一代HBM产品的商业化推动了3D存储与TSV的采用。例如，三星于2024年推出的HBM3E，具有极大的带宽和更好的散热性能，并获得了AI加速器和GPU领域的多项设计胜利。此类产品鼓励市场上的公司寻求放置TSV堆栈以满足高内存AI吞吐量的需求。
  
• 基于TSV的3D DRAM集成正在兴起，随着超大规模数据中心形成战略封装合作伙伴关系。SK海力士与NVIDIA在2024年就先进HBM供应达成合作，展示了向长期内存-计算协同设计的转变。这些联盟加强了TSV部署，因为AI服务器需要垂直堆叠的低延迟互连内存。
• 内存制造商需要提高热机械可靠性并改进铜填充技术，以支持更高带宽的HBM代。与GPU供应商和云服务提供商的战略合作有助于确保需求管道稳定，因为AI和HPC工作负载正在逐步依赖多层3D DRAM结构。
• 处理器与计算设备细分市场预计在2026-2035年的预测期内以25.8%的复合年增长率增长。美国《芯片与科学法案》下527亿美元的国家半导体投资正在加速处理器的先进封装采用。TSV集成促进基于芯片片的架构，具有更短的互连和更高的计算密度，以实现先进AI和HPC系统中CPU、GPU和NPU磁贴之间的更快通信。
• 专注于计算领域的公司应开发热优化的3D架构，并增强TSV间距缩放，以实现更紧凑的芯片片布局设计。在初期阶段与晶圆厂进行封装协同设计将缓解集成风险并提高性能。

根据终端用户行业，穿硅通孔（TSV）技术市场被细分为集成设备制造商（IDMs）、晶圆厂、OSAT（外包半导体封装与测试）、无厂半导体公司和其他。

• 晶圆厂细分市场规模最大，2025年估值为13亿美元。全球向外延AI优化和HPC级芯片架构的竞争推动了TSV 3D垂直堆叠3D内存用于逻辑内存集成的采用。例如，2024年，美国能源部为外延HPC系统分配了23亿美元；这增加了对高带宽、3D垂直堆叠内存和芯片片多处理器的需求，这些设备可以高效并行处理。
• 处理器、GPU和网络IC基于芯片片的异构集成的高增长率正在迫使晶圆厂扩大TSV启用的后端操作。晶圆厂正在响应云服务提供商和超大规模数据中心的要求，建立更先进的封装线以构建定制化的3D逻辑-内存设计，以支持低延迟、高吞吐量的计算工作负载。
• 制造商需要优先考虑高产量的TSV堆叠以及有效的互连信号管理和热控制。与超大规模数据中心和AI芯片供应商的早期合作将确保在快速增长的AI和HPC计算基础设施中获得有价值的设计和持续需求。
• 无厂半导体公司预计在2026-2035年的预测期内以23.2%的复合年增长率增长。智能手机、可穿戴设备和AR/VR设备对强大、紧凑的内存和处理器的需求推动增长。英特尔和三星是开发先进3D堆叠内存设备和处理器的主要玩家，用于消费者智能手机和可穿戴设备。例如，三星在2024年推出的HBM3E专为实时AI驱动的图形和成像提供高超宽带宽。
• 制造商应专注于与消费电子OEM的紧密合作，进行协同设计和测试，以确保高性能、功能丰富的移动和可穿戴产品的快速上市和可靠性。

2025年，北美占穿孔硅（TSV）技术市场17.8%的份额。该地区的半导体市场正在快速扩张，主要得益于对高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和云计算的投资。

• 2025年，美国穿孔硅技术市场规模为5.12亿美元，预计在2026-2035年的预测期内以22.3%的复合年增长率增长。CHIPS法案为本土晶圆厂、OSAT和先进封装生产线提供了527亿美元的资金，推动TSV在存储器、处理器和AI加速器中的应用，以支持国家技术和供应链安全。美国数据中心采用AI加速器、芯片组和高密度处理器，进一步推动了TSV的发展。
  
• 制造商需要在TSV基础设施和支出框架上进行地理集中投资，并与晶圆厂和云服务运营商合作。利用政府资金和联合开发，将市场上最快的3D高密度堆叠技术整合进来，以在AI、HPC和先进存储器解决方案领域保持领先地位。
  
• 预计到2035年，加拿大穿孔硅技术市场将以20.7%的复合年增长率增长。加拿大正在加强半导体研发和封装能力，以支持AI、HPC和汽车电子。政府倡议如战略创新基金项目为先进封装设施和TSV部署提供资金，加速高密度存储器和处理器集成，以支持研究中心和区域OEM。
  
• 制造商需要重点发展高可靠性3D集成和紧凑型解决方案，以与资助项目保持一致，以满足加拿大不断增长的AI、HPC和汽车计算需求。
  

2025年，欧洲穿孔硅（TSV）技术市场规模为2.429亿美元。该地区有大量OEM、汽车制造商和工业自动化中心，这对基于TSV的3D集成产生了积极影响。欧洲技术系统部署更先进的处理器和存储器堆栈，以提高云计算、人工智能研究中心和边缘设备的带宽、能源和散热参数。

• 预计到2035年，德国穿孔硅技术市场将以21.3%的复合年增长率增长。德国通过联邦经济事务和气候行动部（BMWK）的半导体倡议推动TSV在汽车AI和HPC中的应用。德国对半导体研发和先进封装的投资也促进了TSV的采用。兼容TSV的3D集成技术提供了紧凑的形式因子，并提高了带宽和能源效率。
  
• 制造商需要将重点放在开发针对汽车和工业应用的TSV解决方案上。与德国OEM合作并利用政府倡议，可以推动3D集成技术的采用，同时满足严格的可靠性、热性能和性能标准。
  
• 预计到2035年，英国穿孔硅（TSV）技术市场将超过3.903亿美元。英国高性能计算集群、AI研究设施和电信基础设施的整合推动了TSV技术的应用。处理器和存储器模块的垂直堆叠支持AI推理、云计算和工业自动化，同时提高了带宽、能源效率和热特性。
  

亚太地区贯穿硅片（TSV）技术市场规模最大且增长最快，预计在2026-2035年预测期内以22.7%的复合年增长率增长。亚太地区主导TSV采用，原因在于半导体制造集中和电子产品需求旺盛。根据2024年IFR报告，该地区占全球机器人和半导体部署的74%，推动TSV在高带宽内存（HBM）、AI加速器和HPC、消费电子及汽车应用中的使用。

• 中国贯穿硅片技术市场预计到2035年将超过74亿美元，复合年增长率为23.5%。中国正在增加对本土半导体生产的投资。例如，中国政府通过工业和信息化部（MIIT）大力投资本土封装行业，并已在2024年将主流节点的60%以上封装工具链本地化，这促进了TSV在高带宽内存（HBM）、AI处理器和汽车电子控制单元（ECU）中的应用。
  
• 制造商必须优先考虑本地TSV合作和与代工厂的联合设计。由于市场需求增加，应专注于提高良率、热可靠性和外形尺寸，以满足不断增长的需求。
  
• 日本贯穿硅片技术市场在2025年估值为4.882亿美元。自动化行业、机器人和人工智能研究领域推动TSV的应用。内存垂直堆叠提高了带宽和效率，使得可以在处理器上添加3D内存模块，从而优化嵌入式系统在电动汽车和AI流媒体服务器以及工业自动化中的效能。
  
• 印度贯穿硅片技术市场预计在2026-2035年预测期内以26.3%的复合年增长率增长。印度的半导体政策推动了该国的先进封装。例如，2025年8月，印度政府计划投资100亿美元用于半导体制造，据新闻通讯局（PIB）称。这预计将增加TSV在AI处理器、3D内存和汽车电子中的应用。这些技术对高性能计算（HPC）和消费电子设备以及电动汽车（EVs）中的许多新技术至关重要。
  
• 制造商应投资本地TSV基础设施，并与印度OEM和初创企业建立合资企业。热优化的3D封装解决方案和高良率将赢得AI、HPC和EV电子设计。
  

拉丁美洲贯穿硅片技术市场在2025年估值为3690万美元。边缘计算、物联网设备和汽车电子需求的增加推动TSV集成。3D内存和堆叠处理器提高了带宽，降低了延迟，并优化了数据中心、工业自动化和拉丁美洲地区连接汽车的功耗效率。

中东和非洲（MEA）贯穿硅片技术市场预计到2035年将超过1.3亿美元。人工智能、电信基础设施和工业自动化的采用增加了TSV的使用。3D堆叠和芯片集成在内存和处理器中提高了带宽、延迟和能效，支持MEA地区的云服务、智能电网和AI驱动的工业应用。

• 2025年，南非穿硅通孔（TSV）技术市场规模达550万美元。南非工业自动化和电信领域正在快速发展。根据IDC 2023年报告，该国智能设备和工业电子市场同比增长8%，这增加了对支持边缘计算、工业自动化和人工智能的TSV内存和处理器的需求。
  
• 制造商应投资于本地TSV支持，并与工业和汽车OEM合作。提供高可靠性、节能的3D封装解决方案，将促进南非AI、高性能计算和工业电子市场的采用。
  
• 预计2026-2035年期间，沙特阿拉伯穿硅通孔（TSV）技术市场将以17.7%的复合年增长率增长。该国的增长主要由人工智能、电信和嵌入式TSV驱动的边缘计算推动。带宽更高、延迟更低、功耗更低的3D内存和堆叠处理器支持该国的智能基础设施、工业物联网和云服务。
  
• 预计到2035年，阿联酋穿硅通孔（TSV）技术市场规模将超过3440万美元。AI、电信和智慧城市项目的增长推动了TSV的采用。高密度内存和芯片集成减少了延迟，提高了带宽，并优化了数据中心、边缘计算和工业自动化系统的能效。
  

穿硅通孔（TSV）技术市场份额

穿硅通孔技术市场的竞争格局由领先半导体制造商、先进封装提供商和专业技术公司之间的快速技术创新和战略合作定义。全球前十大企业合计占据约47.6%的市场份额。这些公司正在大力投资研发，以提升TSV集成、优化互连密度、改善信号完整性，并实现高性能3D IC封装解决方案。市场还见证了合作、联合企业和收购，旨在加速产品商业化并扩大区域影响力。

此外，小型初创公司和细分技术提供商通过开发先进的TSV设计、高精度制造技术和新型材料，推动创新和差异化。这一动态生态系统正在推动快速技术进步，支持整体增长，并促进3D半导体集成的广泛采用。

穿硅通孔（TSV）技术市场公司

在穿硅通孔（TSV）技术行业中运营的主要公司包括：

• 应用材料公司（Applied Materials, Inc.）
• 欧克米特股份有限公司（Okmetic Oyj）
• 三星（Samsung）
• 泰利达达尔萨（Teledyne DALSA）
• 台湾积体电路制造公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited）
• 安美科技（Amkor Technology）
• 原子科技公司（Atomica Corp）
• 纳米系统日本（Nanosystems JP）
• 日本半导体公司（Japan Semiconductor Corporation）
• SK海力士（SK Hynix，韩国）
• 兰研科技（Lam Research）
• 博威科技（Powertech Technology）
• 东芝公司（Toshiba Corporation）
• ASE集团（ASE Group）
• 英特尔公司（Intel Corporation）
• imec
  

应用材料公司在2025年占据TSV市场14.8%的份额，得益于其先进的晶圆制造设备，如深硅刻蚀、化学机械抛光和介质沉积设备，这些设备专门用于TSV形成。通过其高水平的工艺控制技术以及与代工厂和IDM的集成，可以实现高产率的TSV制造。应用材料的规模、安装基础以及其不断的创新确保了其在市场渗透和技术实力方面的主导地位。

台积电在2025年占据了TSV市场的10.2%，得益于其先进的3D IC路线图和CoWoS/SoIC封装平台。该公司的制造规模和生态系统联盟使其能够快速部署TSV芯片模块、HBM堆叠和HPC处理器。在AI、数据中心和网络领域与客户保持紧密互动，台积电仍然是支持下一代3D集成技术的重要支柱

SK海力士占据了TSV市场的8.4%，并利用其在全球HBM（高带宽内存）领域的领先地位。其HBM2E和HBM3设备采用垂直构建，高度依赖TSV技术，因此SK海力士是记忆体-逻辑集成的主要创新者。该公司通过强大的研发投入和与AI加速器供应商的紧密合作，仍然是TSV基础的记忆体创新的核心

ASE集团在2025年占据了TSV市场份额的7.2%，提供3D封装、互连器组装和基于TSV的堆叠服务。其芯片模块集成能力、晶圆级封装和卓越的测试解决方案为无厂商客户提供了高性能和低成本的制造。ASE在异构集成方面的领导地位以及AI/HPC客户数量的增加，使其成为推动TSV商业化的领先OSAT之一

三星在2025年占据了TSV市场的7%，其背后是丰富的TSV基础记忆体、3D NAND和增强逻辑-记忆体集成平台。得益于其在HBM和3D IC解决方案方面的领导地位，可以实现AI和数据中心工作负载的高吞吐量和低延迟。三星在制造规模、垂直整合和强大的设备路线图方面的优势是其下一代TSV技术的重要支柱

通过硅通孔（TSV）技术行业新闻

• 2025年8月，全球领先的OSAT（外包半导体封装和测试）供应商ASE集团（Advanced Semiconductor Engineering）为满足先进封装需求激增，采取了大胆的举措，收购了GaAs晶圆代工厂WIN半导体的设施。董事会批准了这项收购，包括位于高雄南部科学园区的工厂及相关设施，总成本为2.024亿美元
  
• 2025年3月，台湾积体电路制造公司（TSMC）宣布增加CoWoS 3D-IC封装平台，用于AI加速器。TSMC采用先进的通过硅通孔（TSV）技术。该技术实现了更高的记忆体堆叠，因此对于AI相关应用至关重要。这一发展是先进封装能力增加的重要趋势的一部分
  

该通过硅通孔（TSV）技术市场研究报告涵盖了行业的深入分析，包括2022年至2035年的收入（亿美元）估计和预测，以下各细分市场：

按TSV工艺类型划分的市场

• 先通孔TSV           
• 中通孔TSV     
• 后通孔TSV           

按TSV直径划分的市场

• 大直径TSV (>10 µm)
• 中直径TSV (5–10 µm)
• 小直径TSV (<5 µm)

按应用划分的市场

• 三维存储解决方案         
  • 高带宽内存（HBM）
  • 宽I/O内存
  • 三维NAND闪存
• 处理器与计算设备
  • CPU
  • GPU
  • AI加速器
  • FPGA
• CMOS图像传感器         
• MEMS设备       
  • 惯性传感器
  • 压力传感器
  • 麦克风
  • 其他
• 射频与通信设备
• 其他                      

按终端行业划分                       

• 集成设备制造商（IDMs）
• 代工厂
• OSAT（外包半导体封装与测试）
• 无厂半导体公司
• 其他       

上述信息适用于以下地区和国家：

• 北美
  • 美国
  • 加拿大
• 欧洲
  • 英国
  • 德国
  • 法国
  • 意大利
  • 西班牙
  • 俄罗斯
• 亚太地区
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 韩国
  • 澳新地区
• 拉丁美洲
  • 巴西
  • 墨西哥
• 中东及非洲
  • 阿联酋
  • 沙特阿拉伯
  • 南非