Tamaño del mercado de obleas de arseniuro de galio (GaAs): por tipo de sello, por tipo de aeronave, por aplicación, por uso final - Pronóstico global, 2025 - 2034

ID del informe: GMI14168   |  Fecha de publicación: June 2025 |  Formato del informe: PDF
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Oblea de arseniuro de galio Tamaño del mercado

El tamaño del mercado mundial de obleas de arseniuro de galio se valoró en USD 1.14 mil millones en 2024 y se estima que crecerá a una CAGR del 11.8% de 2025 a 2034, impulsado por la expansión de la infraestructura inalámbrica 5G y de alta frecuencia y los avances en optoelectrónica y fotónica.

Gallium Arsenide Wafer Market

El despliegue de la red 5G internacional es uno de los principales impulsores de la industria de las obleas de GaAs. La fabricación de componentes de RF como amplificadores de potencia y de bajo ruido, que son necesarios para transmitir señales en la infraestructura 5G, requiere obleas de GaAs. A diferencia del silicio, el GaAs se jacta de una movilidad de electrones y una velocidad de saturación mucho mayores; por lo tanto, los dispositivos pueden operar de manera eficiente a las altas frecuencias necesarias para la tecnología 5G. Los semiconductores de GaAs son ideales para aplicaciones que requieren flujos de datos intensivos y retrasos mínimos.

La región de Asia-Pacífico muestra esta tendencia, incluyendo a China y Corea del Sur como partes de esta región que apoyan activamente la expansión de la tecnología 5G. Por ejemplo, India planea aumentar su gasto en la revisión de la red 5G a más de 125 mil millones de dólares para 2025, lo que hará que la demanda de obleas de GaAs se dispare en esta región. El gasto está mejorando en gran medida los sistemas de telecomunicaciones y aumenta la demanda de componentes de RF avanzados, lo que alimenta el mercado de obleas de arseniuro de galio.

La región de América del Norte también está aceptando cada vez más la tecnología 5G. En septiembre de 2023, la cifra de penetración del 5G alcanzó el 40%. Se estima que el número de conexiones 5G alcanzará los 669 millones en 2028. El rápido crecimiento pone en contexto la importancia de las obleas de GaAs en la provisión de las instalaciones necesarias para los sistemas de comunicación inalámbrica de próxima generación.

La industria optoelectrónica depende en gran medida de las obleas de GaAs para la fabricación de LED, diodos láser y fotodetectores. Estos dispositivos utilizan las propiedades del material, como la emisión y detección de luz, debido a su banda prohibida directa y su alta movilidad de electrones. Se espera que la demanda de componentes de GaAs aumente con una tecnología de detección más avanzada, iluminación de bajo consumo y pantallas de alta resolución.

Un ejemplo a destacar es el lanzamiento del producto de oblea epitaxial microLED de 200 mm de QE RGB para la calificación de pantallas microLED en mayo de 2023. La tecnología MicroLED es significativamente más eficiente energéticamente y más brillante que las pantallas convencionales, lo que amplía el alcance de las obleas de GaAs necesarias para la construcción de diodos emisores de luz roja. Este es un gran avance para GaAs en el próximo mercado de tecnología de visualización.

Las células solares de GaAs son un producto importante de la exploración espacial, ya que han impulsado los rovers de exploración de Marte Spirit y Opportunity de la NASA durante años. Esto pone de manifiesto la importancia de las obleas de GaAs y aumenta su versatilidad al demostrar la fiabilidad y la eficiencia de las tecnologías optoelectrónicas en diversas industrias.

Tendencias del mercado de obleas de arseniuro de galio

  • Una de las tendencias clave es la adopción de obleas de GaAs en semiconductores de RF para la infraestructura 5G y los teléfonos móviles. Las obleas de GaAs son críticas para los módulos front-end de RF porque proporcionan una condición previa efectiva y un manejo de la estación base para el funcionamiento de las interfaces de equipos móviles (ME) y estaciones transceptoras base (BTS) en teléfonos móviles y estaciones base a frecuencias más altas. Esto está respaldando el gasto continuo en capacidad de obleas de GaAs, particularmente en Asia.
  • Los fabricantes están adoptando obleas de GaAs más grandes de 6 y 8 pulgadas a un ritmo rápido, y algunos incluso abandonan la oblea de 4 pulgadas por completo y esperan aumentar el rendimiento y mejorar sus economías de escala. El cambio responde a la creciente necesidad de sectores con gran cantidad de datos, como la comunicación inalámbrica, la defensa, el radar automotriz y muchos más. La mayoría de las principales fundiciones están ampliando sus líneas de producción para incluir estas obleas más grandes.
  • El semiconductor parental GaAs se está incorporando con semiconductores avanzados como GaN e InP a un ritmo cada vez mayor para mejorar las capacidades de los dispositivos más sofisticados. Estas nuevas combinaciones de materiales múltiples satisfacen necesidades avanzadas como las que presentan LiDAR, la comunicación por satélite y la tecnología de imágenes de terahercios, lo que aumenta aún más la demanda de sustratos de GaAs.
  • Los compradores siguen consumiendo obleas de GaAs debido a la disponibilidad de optoelectrónicos como LED, diodos láser y fotodetectores. Los consumidores y las industrias de defensa necesitan específicamente dispositivos optoelectrónicos basados en GaAs de alto rendimiento debido a los avances realizados en realidad aumentada y virtual (AR/VR), dispositivos biométricos y pantallas microLED.

Análisis de mercado de obleas de arseniuro de galio

Global Gallium Arsenide (GaAs) Wafer Market Size, By Wafer Type, 2021-2034(USD Billion)

Según el tipo de oblea, el mercado se divide en obleas de GaAs semiaislantes y obleas de GaAs semiconductoras.

  • El mercado de obleas de GaAs semiaislantes se valoró en 680 millones en 2024. Las obleas semiaislantes de GaAs dominan la industria debido a su amplio uso en piezas de RF y microondas. Estas obleas tienen baja movilidad de electrones y alta resistividad, lo que permite la fabricación de amplificadores e interruptores de RF utilizados en teléfonos móviles, infraestructura inalámbrica y comunicación satelital.
  • El mercado de obleas semiconductoras de GaAs tuvo una importante cuota de ingresos del 40,7% en 2024. La variedad semiconductora está creciendo a tal ritmo debido a su aplicación en dispositivos optoelectrónicos y solares. Con el creciente uso de GaAs en pantallas microLED y células solares espaciales altamente eficientes, este tipo de oblea experimentará un fuerte aumento en la demanda.

 

Global Gallium Arsenide (GaAs) Wafer Market Share, By Wafer Size, 2024

Según el tamaño de la oblea, el mercado de obleas de arseniuro de galio se divide en 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas.

  • Se espera que el segmento de 4 pulgadas alcance más de USD 410 millones para 2034. Las obleas de GaAs de 4 pulgadas son actualmente el tamaño más utilizado en la industria debido a la base de fabricación madura junto con el consumo de alto volumen en RF y optoelectrónica. Siguen siendo la opción preferida en la mayoría de las aplicaciones comerciales debido a su cadena de suministro establecida y a su compatibilidad con los equipos de fabricación convencionales.
  • El mercado de 6 pulgadas está valorado en más de 110 millones de dólares en 2024. La porción de 6 pulgadas está ganando terreno a medida que los fabricantes aumentan la escala para un mayor rendimiento y rentabilidad. En las aplicaciones de telecomunicaciones y automoción, el avance hacia obleas más grandes ayuda a la ubicuidad en la ampliación de la producción en masa de componentes RF y LiDAR, lo que reduce el costo por matriz y mejora el rendimiento.

Según la aplicación, el mercado de obleas de arseniuro de galio se divide en dispositivos de radiofrecuencia (RF), dispositivos optoelectrónicos, dispositivos fotovoltaicos y circuitos integrados monolíticos de microondas (MMIC).

  • Se espera que los dispositivos de radiofrecuencia (RF) alcancen más de USD 1.23 mil millones para 2034. El uso de obleas de GaAs como dispositivo de RF sigue siendo el líder, debido a su importancia en teléfonos móviles, estaciones base y enlaces satelitales. La importancia del GaAs en las redes móviles 4G/5G, los módulos Wi-Fi y los sistemas de radar se debe a su capacidad para tratar señales de alta frecuencia con poco ruido.
  • El segmento de dispositivos optoelectrónicos se valoró en más de 360 millones de dólares en 2024. Las aplicaciones optoelectrónicas como los diodos láser, los fotodetectores y los diodos emisores de luz (LED) están surgiendo rápidamente. Esto se debe a su mayor uso en AR/VR, sensores autónomos y pantallas microLED avanzadas, donde la eficiencia óptica de GaAs supera a otras.

Según el uso final, el mercado de obleas de arseniuro de galio se divide en telecomunicaciones, electrónica de consumo, automotriz, aeroespacial y defensa, automatización industrial, energía y potencia y otros.

  • Se espera que el segmento de telecomunicaciones alcance más de USD 810 millones para 2034. Las telecomunicaciones siguen siendo los mayores consumidores de obleas de GaAs, lo que se ve respaldado por la creciente comunicación móvil, la tecnología 5G y, de hecho, los sistemas de transmisión de datos. Las empresas de telecomunicaciones prefieren el GaAs debido a la frecuencia operativa utilizada en los amplificadores de potencia, interruptores y antenas para amplificar las comunicaciones portátiles, que es la red inalámbrica.
  • El mercado automotriz está valorado en más de USD 0,2 mil millones en 2024. La automoción se está convirtiendo en el nuevo mercado líder de la industria para las obleas de GaAs debido a la incorporación de los sistemas de radar y LiDAR utilizados en ADAS y conducción autónoma. Estas aplicaciones son conocidas por sus componentes de alta velocidad y alta frecuencia, que son proporcionados por GaAs con una tasa de detección precisa y alta confiabilidad.

 

U.S. Gallium Arsenide (GaAs) Wafer Market Size, 2021-2034 (USD Million)

Se prevé que el mercado de obleas de arseniuro de galio de EE. UU. alcance los USD 930 millones para 2034, debido a las crecientes necesidades de los sectores de defensa, aeroespacial y comunicaciones inalámbricas. Skyworks Solutions, Qorvo y Broadcom son algunos de los productores nacionales de componentes de RF basados en GaAs. El gobierno también aboga por el avance de las obleas de GaAs debido al desarrollo de capacidades 5G y la seguridad de las cadenas de suministro de semiconductores. Además, los grandes gastos en comunicación por satélite, LIDAR y otros dominios optoelectrónicos están impulsando el mercado.  

Se espera que el mercado de obleas de arseniuro de galio de Alemania experimente un sólido crecimiento, con una CAGR del 12,7 % hasta 2034. Alemania es uno de los países líderes en el uso práctico de obleas de GaAs en radares de automóviles, sensores industriales y optoelectrónica. Otros actores importantes en la industria de los semiconductores, como Infineon Technologies, también están apoyando la investigación en GaAs y otros semiconductores compuestos. Los sistemas de detección y radar basados en GaAs se están integrando activamente con los sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS) de los vehículos, lo que supone una tendencia creciente en el sector de la automoción. Además, el enfoque de Alemania en tecnologías ecológicas y soluciones de iluminación también allana el camino para las células solares de GaAs y los LED.

Se prevé que el mercado de obleas de arseniuro de galio de China crezca significativamente, alcanzando más de USD 560 millones para 2034. China es una de las naciones líderes en el mundo en el gasto en 5G y dispositivos móviles, lo que aumenta la demanda de obleas GaAS, así como de tecnologías AR y VR. Empresas como Sanan IC y WIN Semiconductors están aumentando la capacidad de producción de obleas GaAS para satisfacer el mercado chino. La autosuficiencia en semiconductores impulsada por el gobierno, junto con las políticas "made in China 2025", están apoyando el desarrollo de GaAS. El país sigue siendo el actor dominante en tecnologías de pantallas microled, lo que aumenta la demanda dentro del sector optoelectrónico.

El tamaño del mercado de obleas de arseniuro de galio de Japón superó los 40 millones en 2024. Japón también desempeña un papel importante en la fabricación de GaAS y se ocupa más de las ramas de la fotónica, la optoelectrónica y la comunicación de alta frecuencia. A la cabeza del mercado japonés se encuentran empresas como Mitsubishi Electric y Sumitomo Electric Industries, que se centran en el desarrollo de obleas de GaAS. Se aseguran de que haya un suministro constante de obleas GaAS debido a la evolución estratégica de la microelectrónica, el lidar automotriz y las pantallas avanzadas como los microLED. La colaboración de las industrias y los centros de investigación académica fortalece la postura innovadora de Japón sobre las tecnologías GaAS a nivel internacional.

El mercado de obleas de arseniuro de galio de Corea del Sur está preparado para un crecimiento significativo, y se prevé que alcance más de USD 140 millones para 2034. Corea del Sur es un competidor importante en el mercado de obleas de GaAs debido a su dominio mundial en los mercados de teléfonos inteligentes y semiconductores. Las principales empresas surcoreanas, como Samsung y LG, utilizan obleas de GaAs para teléfonos móviles, transmisión inalámbrica de alta velocidad y para pantallas de próxima generación. La expansión de 5G en el país, así como las inversiones en investigación y desarrollo de semiconductores compuestos, están estimulando aún más la adopción de obleas de GaAs. Además, la incursión de Corea del Sur en la electrónica de defensa y los sistemas de radar para automóviles está ampliando la utilidad de las tecnologías de GaAs.

Cuota de mercado de obleas de arseniuro de galio

La industria de obleas de arseniuro de galio es altamente competitiva IQE plc, WIN Semiconductors Corp. y Toshiba Corporation son las 3 principales empresas que representan una participación significativa del 38% en el mercado.  Los actores que operan en el mercado global de obleas de arseniuro de galio (GaAs) están persiguiendo activamente múltiples iniciativas estratégicas para mejorar sus capacidades tecnológicas y expandir su presencia global. Estos incluyen innovaciones en el procesamiento de obleas, desarrollo de componentes avanzados de RF y optoelectrónicos, y expansión de las capacidades de fundición. Las estrategias clave incluyen el desarrollo de nuevos productos, alianzas estratégicas, acuerdos de licencia de tecnología y fusiones y adquisiciones destinadas a la integración vertical y la consolidación del mercado.

Empresas del mercado de obleas de arseniuro de galio

La lista de actores destacados que operan en la industria de obleas de arseniuro de galio incluye:

  • IQE plc
  • WIN Semiconductores Corp.
  • Corporación Toshiba
  • Sumitomo Industrias Eléctricas, Ltd.
  • VPEC Inc. (Compañía de Epitaxia de Fotónica Visual)

IQE plc es un líder mundial con sede en el Reino Unido en el diseño y fabricación de obleas semiconductoras compuestas avanzadas. Se especializa en soluciones de obleas epitaxiales para aplicaciones de alto rendimiento en telecomunicaciones, 5G, aeroespacial y fotónica. La empresa presta servicios a las principales fundiciones y fabricantes de equipos originales en los mercados de dispositivos inalámbricos, optoelectrónicos y de potencia. En enero de 2025, IQE plc anunció una asociación estratégica ampliada con Advanced Wireless Semiconductor Company (AWSC) a través de un acuerdo de suministro de varios años. En virtud de este acuerdo, IQE suministrará obleas de arseniuro de galio (GaAs) a AWSC para producir dispositivos amplificadores de potencia para teléfonos inteligentes. Estos dispositivos se entregarán al cliente clave de AWSC, Lansus, un destacado proveedor chino de tecnología de RF que presta servicios a los fabricantes de equipos originales de primer nivel dentro del ecosistema Android. El acuerdo se alinea con las expectativas de un renovado crecimiento del mercado tras un período reciente de acumulación de inventario en la cadena de suministro móvil.

? Toshiba Corporation es un conglomerado multinacional japonés con sede en Tokio, especializado en electrónica, sistemas energéticos, soluciones de infraestructura y dispositivos de almacenamiento. La compañía opera en varios sectores, incluyendo sistemas y soluciones de energía, sistemas y soluciones de infraestructura, soluciones de construcción, soluciones de impresión y venta al por menor, y dispositivos electrónicos y soluciones de almacenamiento. En mayo de 2024, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation celebró una ceremonia para conmemorar la finalización de una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia y un edificio de oficinas en Kaga Toshiba Electronics Corporation en la prefectura de Ishikawa, Japón, una de las empresas clave del grupo Toshiba. La finalización de la construcción es un hito importante para la Fase 1 del programa de inversión plurianual de Toshiba.  

Noticias de la industria de obleas de arseniuro de galio:

  • En enero de 2024, University Wafer Inc. amplió la disponibilidad de sustratos de arseniuro de galio (GaAs) y nitruro de galio (GaN) de alta calidad. Atendiendo tanto a la investigación académica como a las aplicaciones industriales a gran escala, la compañía está comprometida a satisfacer la creciente demanda de estos materiales esenciales en los sectores de semiconductores y electrónica frente a las restricciones de exportación chinas.
  • En junio de 2022, WIN Semiconductors Corp lanzó su tecnología de transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones (pHEMT) de arseniuro de galio (GaAs) de última generación, PP10-20. Basada en la plataforma PP10 madura y probada en producción, esta tecnología de segunda generación proporciona un aumento sustancial en la ganancia del transistor y mejora ƒT/ƒmax a 160 GHz y 240 GHz respectivamente. Estas mejoras se han logrado mientras se mantiene el funcionamiento confiable de 4 V, necesario para los amplificadores de potencia de backhaul y los receptores de alta linealidad que operan desde la banda W hasta la banda D.

El informe de investigación de mercado Oblea de arseniuro de galio incluye una cobertura en profundidad de la industria con estimaciones y pronósticos en términos de ingresos (millones de USD) de 2021 a 2034 para los siguientes segmentos:

Mercado, por tipo de oblea

  • Obleas de GaAs semiaislantes
  • Obleas semiconductoras de GaAs

Mercado, por tamaño de oblea

  • 2 pulgadas
  • 4 pulgadas
  • 6 pulgadas
  • 8 pulgadas

Mercado, por aplicación

  • Dispositivos de radiofrecuencia (RF)
  • Dispositivos optoelectrónicos
  • Dispositivos fotovoltaicos
  • Circuitos integrados monolíticos de microondas (MMIC)

Mercado, por uso final

  • Telecomunicaciones
  • Electrónica de consumo
  • Automotor
  • Aeroespacial y defensa
  • Automatización industrial
  • Energía y potencia
  • Otros

La información anterior se proporciona para las siguientes regiones y países:

  • América del Norte 
    • EE.UU.
    • Canadá
  • Europa 
    • Alemania
    • Reino Unido
    • Francia
    • España
    • Italia
    • Países Bajos
  • Asia Pacífico 
    • China
    • India
    • Japón
    • Australia
    • Corea del Sur
  • Latinoamérica 
    • Brasil
    • México
    • Argentina
  • Oriente Medio y África 
    • Arabia Saudí
    • Sudáfrica
    • UAE
Autores:Suraj Gujar , Sandeep Ugale
Preguntas frecuentes :
¿Quiénes son los jugadores clave en el mercado de wafer de arsenide de gallium?
Algunos de los principales jugadores de la industria de vafer de arsenida de gallium incluyen Cree (Wolfspeed), Freiberger Compound Materials GmbH, Fujitsu Semiconductor Limited, MACOM Technology Solutions, Northrop Grumman Corporation, RFHIC Corporation, Toshiba Corporation, WIN Semiconductors Corp.
¿Cuánto tamaño de mercado se espera del mercado de arsenide de arsenide de báfer de los Estados Unidos para 2034?
¿Cuál será el tamaño del segmento de telecomunicaciones en la industria del arsenide de arsenide?
¿Qué tan grande es el mercado del arsenide de arsenide?
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