Mercado de Memoria de Acceso Aleatorio Estatica (SRAM) - Por Tipo, Por Tamano de Memoria, Por Industria de Uso Final - Pronostico Global, 2026 - 2035

Tamano del mercado de memoria estatica de acceso aleatorio

El mercado global de memoria estatica de acceso aleatorio se valoro en USD 718 millones en 2025. Se espera que el mercado crezca de USD 759.6 millones en 2026 a USD 1.16 mil millones en 2035, con una CAGR del 4.9% durante el periodo de pronostico, segun el ultimo informe publicado por Global Market Insights Inc.
 

El crecimiento del mercado de memoria estatica de acceso aleatorio puede atribuirse a factores como el aumento de la demanda de soluciones de memoria de alta velocidad y baja latencia, la creciente adopcion de SRAM en dispositivos semiconductores avanzados, la expansion de aplicaciones en centros de datos, equipos de red y electronica automotriz, y los avances continuos en tecnologias de fabricacion de semiconductores. Ademas, las crecientes inversiones en infraestructura de IA, IoT y computacion en el borde estan acelerando la adopcion de SRAM en multiples industrias de uso final.
 

Ademas, el aumento en el numero de aplicaciones ricas en datos que se utilizan esta ayudando a impulsar el crecimiento de este mercado. Los principales usos de la SRAM son en la memoria cache del procesador, la memoria cache del conmutador de red y la memoria cache del sistema integrado, ya que la SRAM proporciona un acceso muy rapido y un nivel muy alto de confiabilidad. Las aplicaciones que requieren un procesamiento de datos muy rapido (por ejemplo, inteligencia artificial, aprendizaje automatico y computacion de alto rendimiento) tendran una mayor necesidad de SRAM. Por ejemplo, los aceleradores de IA modernos y las CPU utilizaran grandes bloques de SRAM como memoria cache en el chip para reducir la latencia y aumentar la velocidad del sistema. Otra razon para la creciente demanda de SRAM frente a la DRAM es que la SRAM no requiere el refresco periodico de sus datos, por lo que podra operar mas rapidamente y proporciona un uso de energia mas eficiente que la DRAM en aplicaciones donde el rendimiento es critico. La tendencia hacia el aumento de la demanda de procesamiento en tiempo real y electronica de bajo consumo resultara en un mayor crecimiento en la adopcion de SRAM, aumentando asi la base de mercado general para SRAM.
 

La memoria estatica de acceso aleatorio (SRAM) es un tipo de memoria semiconductor volatil que utiliza circuitos de bloqueo bistables para almacenar datos. La SRAM conservara el contenido de la memoria mientras se mantenga el suministro de energia, ademas, la SRAM proporciona un acceso mucho mas rapido a los datos en comparacion con la DRAM. La SRAM se utilizara principalmente para aplicaciones que requieren memoria cache, memoria de registro y, en muchos casos, memoria de bufer en procesadores, dispositivos de red y sistemas integrados. Debido a su operacion de alta velocidad y estabilidad, la SRAM es adecuada para aplicaciones sensibles a problemas de rendimiento; sin embargo, debido a su mayor costo y menor densidad de memoria que otros tipos de memoria, la SRAM no se utiliza tan ampliamente como la DRAM.
 

Samsung Electronics, SK hynix, Micron Technology, NXP Semiconductors e Infineon Technologies son los principales participantes del mercado de SRAM. Estas empresas invierten continuamente en I+D, mejoran la tecnologia de nodos de proceso y desarrollan la arquitectura de SoC para mantener el crecimiento del mercado de SRAM. El precio de la SRAM y la innovacion del producto, asi como la posicion competitiva del mercado de SRAM, dependen de la colaboracion con fundiciones de SRAM, los desarrollos de los OEM y la expansion de la capacidad de produccion.
 

Entre 2022 y 2024, el mercado de memoria estatica de acceso aleatorio tendra un crecimiento constante, estimado en USD 609.8 millones en 2022, creciendo a un estimado de USD 680.3 millones en 2024. Durante este periodo, una de las principales tendencias de SRAM sera el uso de SRAM en electronica automotriz, infraestructura de red 5G y dispositivos de borde con inteligencia artificial. El aumento de la complejidad de los SoC, junto con la necesidad de memoria cache de SRAM adicional por chip, resulto en un mayor nivel de integracion de SRAM.En adicion, este periodo representa una inversion de capital importante para los fabricantes de semiconductores para apoyar el desarrollo de productos SRAM de nodos avanzados. Colectivamente, estos desarrollos han llevado a una mayor capacidad de suministro de SRAM, desarrollo tecnologico y, en ultima instancia, un mayor potencial de crecimiento para el mercado de SRAM.
 

SRAM proporciona acceso inmediato a los datos almacenados mediante el uso de circuitos flip-flop para almacenar datos en lugar de realizar ciclos de actualizacion como la memoria dinamica de acceso aleatorio (DRAM). SRAM puede usarse en aplicaciones de procesamiento en tiempo real debido a la velocidad con la que se pueden recuperar los datos, combinada con su bajo consumo de energia.
 

Tendencias del mercado de memoria de acceso aleatorio estatica

• La expansion y diversificacion de productos SRAM de alta velocidad y alta densidad para aplicaciones integradas y aceleradores de IA, asi como aplicaciones intensivas en datos, es uno de los principales impulsores del mercado de SRAM.
   
• Por ejemplo, en marzo de 2024, Microchip Technology amplio sus ofertas de productos SRAM serie con chips que contienen densidades de 4Mb y utilizan interfaces SPI/SQI de 143MHz para proporcionar a los clientes dispositivos SRAM de alta densidad y mayor velocidad para sus aplicaciones integradas e intensivas en datos.
   
• Los productos SRAM de ultra alto rendimiento que satisfacen los sistemas de computacion y basados en IA de proxima generacion son una segunda tendencia que impacta el desarrollo de productos SRAM, ya que requieren memoria de baja latencia, eficiente en energia y de alta densidad/alto volumen para aplicaciones de computacion en la nube y en el borde.
   
• Un ejemplo de esto es el anuncio de Marvell sobre la primera SRAM personalizada de 2nm de la industria, que entregara SRAM de alta velocidad de 6Gb con una reduccion del consumo de energia en espera de hasta un 66% y que se desarrollara para la infraestructura de IA y los disenos de silicio para el almacenamiento de centros de datos en la nube.
   
• Los productos SRAM para aplicaciones automotrices e industriales estan experimentando un aumento en la aceptacion, ya que mas sistemas de automoviles y automatizacion industrial utilizan SRAM mas pequenos, ligeros y de menor consumo de energia para sus electronicas de control.
   
• Ademas, el crecimiento del mercado de SRAM se ve favorecido por el aumento de la adopcion en los mercados automotriz e industrial debido a la creciente necesidad de soluciones de memoria (SRAM) pequenas, eficientes y confiables de bajo consumo para el control de vehiculos y equipos de automatizacion industrial.
   
• Otra tendencia importante es que muchos fabricantes estan incorporando SRAM en disenos de SoC para aumentar la cantidad de memoria en el chip disponible y reducir su dependencia de la memoria externa para aplicaciones de alto rendimiento y baja latencia.
   
• El creciente enfasis en SRAM de alta confiabilidad/bajo consumo de energia ayudara a satisfacer la creciente demanda de dispositivos utilizados en aplicaciones integradas, IoT y telecomunicaciones para operar de manera eficiente y confiable en entornos criticos y con restricciones de energia.
   

Analisis del mercado de memoria de acceso aleatorio estatica

Segun el tipo, el mercado global de SRAM se divide en SRAM asincrona, SRAM sincrona y otros. El segmento de SRAM asincrona represento un tamano de mercado de USD 301.8 millones en 2025.
 

• La SRAM asincrona mantiene una participacion significativa en el mercado de SRAM, ya que se utiliza ampliamente en memoria cache, sistemas integrados y dispositivos de red debido a su interfaz simple y su rendimiento confiable.
   
• La SRAM asincrona es preferida por su estabilidad y facilidad de integracion, lo cual es particularmente importante para aplicaciones industriales, automotrices y electronicas heredadas que requieren un rendimiento determinista.
   
• Ademas, la amplia adopcion de la SRAM asincrona esta respaldada por procesos de fabricacion bien establecidos y un historial probado en microcontroladores, SoCs y modulos de memoria de alta velocidad.
   
• Si bien se anticipa que el segmento de SRAM sincrona crecera a una CAGR del 5.6% durante los anos de pronostico y esta ganando popularidad debido a un mayor rendimiento de datos y compatibilidad con procesadores modernos de alta velocidad, la SRAM asincrona sigue siendo el tipo dominante, continuando impulsando una gran parte de la adopcion y los ingresos del mercado debido a su confiabilidad y menor costo.
   
• El segmento de SRAM sincrona esta creciendo a un ritmo mas rapido, impulsado por aplicaciones en aceleradores de IA, computacion de alto rendimiento, redes 5G y electronica automotriz que requieren memoria de baja latencia y alta velocidad.
   
• La SRAM sincrona es cada vez mas preferida por su capacidad para operar a velocidades de reloj mas altas y ofrecer un acceso mas rapido a los datos, lo que mejora el rendimiento del sistema en electronica moderna critica para el rendimiento.
   

Segun el tamano de la memoria, el mercado de memoria de acceso aleatorio estatica se segmenta en hasta 1 Mb, de 1 Mb a 4 Mb, de 4 Mb a 16 Mb y superior a 16 Mb. El segmento de 1 Mb a 4 Mb domino el mercado en 2025 con unos ingresos de USD 246.5 millones.
 

• El segmento de SRAM de 1 Mb a 4 Mb mantiene el mercado debido a su uso generalizado en microcontroladores, sistemas integrados, electronica de consumo y dispositivos de red, donde la memoria en el chip moderada cumple con los requisitos de rendimiento y costo.
   
• El crecimiento de este segmento esta respaldado por procesos de fabricacion establecidos, alta confiabilidad y facilidad de integracion en una variedad de aplicaciones electronicas estandar.
   
• Se anticipa que el segmento de SRAM de 16 Mb experimentara un crecimiento a una CAGR del 6.3% durante el periodo de analisis, alcanzando USD 194.7 millones para 2035.
   
• El segmento de SRAM superior a 16 Mb esta experimentando un crecimiento rapido, impulsado por la computacion de alto rendimiento, aceleradores de IA, equipos de red 5G y aplicaciones de centros de datos que requieren una gran memoria en el chip para acceso de datos de baja latencia y alta velocidad.
   
• Las capacidades de memoria mas altas permiten que la SRAM sirva como memoria cache o de bufer de alta velocidad, reduciendo la dependencia de la DRAM externa y mejorando el rendimiento general del sistema.
   
• La tendencia hacia tamanos de memoria mas grandes tambien esta respaldada por los avances en la fabricacion de semiconductores, lo que permite una SRAM de alta densidad con un menor consumo de energia y un mejor rendimiento.
   
• Como resultado, la categoria de SRAM superior a 16 Mb se esta volviendo cada vez mas critica en la electronica de proxima generacion, contribuyendo sustancialmente a la expansion general del mercado.
   

• El segmento de electronica de consumo tiene la mayor participacion en el mercado debido a la amplia integracion de SRAM en telefonos inteligentes, tabletas, dispositivos portatiles, consolas de juegos y otros dispositivos conectados que requieren memoria rapida y de baja latencia.
   
• Las aplicaciones de electronica de consumo se benefician del alto rendimiento, bajo consumo de energia y confiabilidad de la SRAM para la memoria cache, memoria de bufer y disenos de sistemas integrados.
   
• Muchos fabricantes de electronica de consumo estan incorporando cada vez mas soluciones de SRAM de alta densidad y bajo consumo en sus productos para apoyar las funcionalidades de IA, el procesamiento en tiempo real y experiencias de usuario fluidas, fortaleciendo aun mas la dominancia de este segmento en el mercado de SRAM.
   
• El segmento automotriz esta experimentando el crecimiento mas rapido con una CAGR del 6.4% durante el periodo de pronostico, impulsado por la creciente adopcion de SRAM en sistemas ADAS, sistemas de infoentretenimiento, vehiculos electricos y soluciones de conduccion autonoma que requieren memoria de alta velocidad, confiabilidad y eficiencia energetica.
   
• Las aplicaciones automotrices aprovechan la SRAM para cache en chip, bufer y manejo de datos en tiempo real, habilitando funcionalidades criticas como fusion de sensores, navegacion y sistemas de seguridad.
   
• A medida que la industria automotriz continua evolucionando hacia vehiculos electricos y autonomos, se espera que la adopcion de SRAM se acelere, contribuyendo sustancialmente a la expansion general del mercado en aplicaciones de alto rendimiento, criticas para la seguridad y de baja latencia.
   

America del Norte domino el mercado global de memoria de acceso aleatorio estatica con una participacion de mercado del 31.2% en 2025.
 

• Un entorno industrial favorable, fuertes inversiones en la fabricacion de semiconductores, una infraestructura tecnologica avanzada y un robusto ecosistema de I+D son factores clave que impulsan el crecimiento del mercado regional.
   
• EE. UU. cuenta con un ecosistema de I+D de semiconductores y electronica bien establecido. Alberga instituciones academicas lideres, centros de investigacion y fabricantes de SRAM como Microchip Technology, Infineon Technologies y Renesas que contribuyen activamente a los avances en tecnologias de SRAM de alta velocidad, bajo consumo y alta densidad. Este ecosistema fomenta la innovacion, atrae inversiones y impulsa el desarrollo de soluciones de memoria de proxima generacion.
   
• Ademas, la creciente demanda de sectores como electronica de consumo, electronica automotriz, aceleradores de IA, telecomunicaciones y automatizacion industrial ha creado una necesidad sustancial de productos avanzados de SRAM.
   
• Ademas, las politicas gubernamentales de apoyo, los incentivos para la fabricacion de semiconductores y las iniciativas para impulsar la fabricacion de chips nacionales impulsan aun mas el crecimiento del mercado en la region.
   

El mercado de memoria de acceso aleatorio estatica de EE. UU. se valoro en USD 159.5 millones y USD 169.3 millones en 2022 y 2023, respectivamente. El tamano del mercado alcanzo USD 190.9 millones en 2025, creciendo desde USD 179.9 millones en 2024.
 

• EE. UU. continua liderando el mercado de SRAM, respaldado por su avanzado ecosistema de fabricacion de semiconductores y electronica, fuertes capacidades de I+D y politicas industriales favorables.
   
• El pais alberga varios fabricantes lideres de SRAM y semiconductores, incluidos Microchip Technology, Infineon Technologies y Renesas Electronics, y se beneficia de una solida tuberia de soluciones de SRAM de alta velocidad, bajo consumo y alta densidad.
   
• Ademas, la presencia de instituciones de investigacion de primer nivel y la extensa innovacion en diseno de memoria, sistemas integrados y aplicaciones de IA/automotrices aceleran aun mas el desarrollo y adopcion de productos avanzados de SRAM.
   

El mercado de memoria de acceso aleatorio estatica de Europa ascendio a USD 156.3 millones en 2025 y se espera que experimente un fuerte crecimiento durante el periodo de pronostico.
 

• Europa mantiene una participacion significativa en el mercado global de SRAM, respaldada por una infraestructura avanzada de fabricacion de semiconductores, iniciativas gubernamentales crecientes y mayores inversiones en el desarrollo de memoria de alto rendimiento.
   
• La region se beneficia de un ecosistema colaborativo de instituciones academicas, organizaciones de investigacion y fabricantes de SRAM como Infineon Technologies y Renesas Electronics, lo que acelera la innovacion y la adopcion de soluciones avanzadas de SRAM.
   

Alemania domina el mercado europeo de memoria estatica de acceso aleatorio, mostrando un fuerte potencial de crecimiento.
 

• Dentro de Europa, Alemania posee una participacion sustancial en el mercado de SRAM, respaldada por su avanzada infraestructura de fabricacion de semiconductores, una solida base industrial y favorables iniciativas gubernamentales.
   
• El enfoque del pais en electronica automotriz de alto rendimiento, automatizacion industrial y sistemas integrados impulsados por IA ha creado un entorno dinamico para el desarrollo y comercializacion de SRAM.
   
• Ademas, el robusto ecosistema industrial de Alemania y las altas tasas de adopcion tecnologica facilitan el despliegue de soluciones de SRAM de alta velocidad, bajo consumo y alta densidad en aplicaciones automotrices, industriales y de consumo.
   

El mercado de memoria estatica de acceso aleatorio en la region de Asia-Pacifico se espera que crezca a la mayor TAC del 5.7% durante el periodo de analisis.
 

• La region esta experimentando una rapida expansion del mercado de SRAM, impulsada por el aumento de la fabricacion de semiconductores y electronica, la creciente demanda de aplicaciones automotrices, industriales, electronica de consumo y de IA, y la mayor adopcion de tecnologias de memoria de alta velocidad y bajo consumo.
   
• Los gobiernos de paises como China, Japon, Corea del Sur y Taiwan estan apoyando la electronica de alta tecnologia y la automatizacion industrial a traves del desarrollo de infraestructura, iniciativas de financiamiento y colaboraciones internacionales.
   
• Ademas, la gran base de fabricacion, la creciente adopcion tecnologica y la presencia de fabricantes locales de SRAM estan impulsando la demanda de soluciones de SRAM de alto rendimiento, alta densidad y eficientes en energia en multiples aplicaciones.
   

El mercado de memoria estatica de acceso aleatorio de China se estima que crecera significativamente dentro del mercado de Asia-Pacifico.
 

• China lidera el mercado de SRAM en Asia-Pacifico, impulsado por una inversion sustancial en I+D de semiconductores y memoria, politicas industriales de apoyo y una rapida expansion de las capacidades de fabricacion de memoria de alto rendimiento.
   
• El gobierno chino prioriza la electronica avanzada, los sistemas de IA, los sistemas automotrices y la automatizacion industrial, proporcionando financiamiento y apoyo regulatorio para fomentar el crecimiento del mercado de SRAM.
   
• Con una fuerte capacidad de produccion, una infraestructura de semiconductores en expansion y una creciente demanda interna y de exportacion, China esta a la vanguardia de la adopcion y desarrollo de SRAM en la region de Asia-Pacifico.
   

Brasil lidera el mercado de memoria estatica de acceso aleatorio en America Latina, mostrando un fuerte crecimiento durante el periodo de analisis.
 

• Brasil esta emergiendo como un centro de crecimiento clave en la region, impulsado por la expansion de la fabricacion de semiconductores y electronica, el aumento de la produccion automotriz y la creciente adopcion de automatizacion industrial y sistemas integrados.
   
• La gran base industrial del pais y el creciente uso de SRAM de alta velocidad, bajo consumo y alta densidad en aplicaciones automotrices, electronica de consumo e industriales estan generando una fuerte demanda.
   
• Ademas, las politicas gubernamentales de apoyo y las iniciativas publico-privadas estan fomentando la produccion local de semiconductores y el desarrollo tecnologico, impulsando aun mas el crecimiento del mercado de SRAM.
   

El mercado de memoria estatica de acceso aleatorio de Sudafrica se espera que experimente un crecimiento sustancial en el mercado de Oriente Medio y Africa durante el periodo de pronostico.
 

• El pais muestra un potencial significativo, impulsado por la expansion de la automatizacion industrial, la fabricacion de electronica y la adopcion de memoria de alto rendimiento en tecnologias inteligentes.
   
• Sudafrica alberga varias empresas destacadas de electronica y semiconductores y esta experimentando un aumento en la demanda de soluciones SRAM de baja latencia, eficientes en energia y de alta densidad.
   
• Las iniciativas gubernamentales, el desarrollo de infraestructura y las colaboraciones con proveedores globales de tecnologia SRAM se espera que aceleren aun mas el crecimiento del mercado en la region.
   

Participacion en el mercado de memoria estatica de acceso aleatorio

El panorama competitivo del mercado global de SRAM se caracteriza por una intensa competencia, innovacion tecnologica continua y colaboraciones estrategicas entre los principales fabricantes de memoria. Los principales actores como Infineon Technologies, Renesas Electronics Corporation, Microchip Technology Inc., STMicroelectronics NV y Texas Instruments poseen una participacion combinada de aproximadamente 53.7% en el mercado global de SRAM. Estas empresas invierten fuertemente en I+D para mejorar la velocidad, densidad y eficiencia energetica de la memoria, mientras expanden aplicaciones en electronica automotriz, automatizacion industrial, aceleradores de IA, telecomunicaciones y electronica de consumo.
 

El mercado tambien presencia fusiones, adquisiciones y asociaciones estrategicas dirigidas a ampliar la presencia geografica, mejorar las capacidades de fabricacion y acelerar la adopcion de soluciones SRAM avanzadas. Los fabricantes mas pequenos y especializados de SRAM contribuyen enfocandose en aplicaciones de nicho como SRAM de ultra bajo consumo, SRAM integrada de alta densidad y memoria de grado automotriz, fomentando la innovacion y la diferenciacion.
 

Empresas del mercado de memoria estatica de acceso aleatorio

Los actores destacados que operan en el mercado de SRAM son los siguientes:

• Alliance Memory, Inc.
• Analog Devices, Inc.
• GSI Technology Inc.
• Infineon Technologies
• Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)
• Microchip Technology Inc.
• NXP Semiconductors
• ON Semiconductor
• Renesas Electronics Corporation
• Samsung Electronics Co., Ltd.
• STMicroelectronics NV
• Texas Instruments
• Toshiba Corporation
• Winbond Electronics Corporation
   

Infineon Technologies

Infineon Technologies es un actor lider en el mercado de SRAM con una participacion del 14.7%. La empresa se especializa en soluciones SRAM de alta velocidad y bajo consumo para aplicaciones automotrices, industriales y de electronica de consumo. Su fuerte presencia global en la fabricacion y la inversion continua en I+D para SRAM integrada y de grado automotriz avanzado refuerzan su posicion como lider en soluciones de memoria.
 

Renesas Electronics Corporation

Renesas Electronics posee una participacion del 12.8% en el mercado global de SRAM. La empresa se enfoca en SRAM de alto rendimiento para sistemas automotrices, automatizacion industrial y electronica integrada. Su ventaja competitiva esta respaldada por capacidades robustas de I+D, instalaciones de produccion escalables y asociaciones estrategicas con OEM globales.
 

Microchip Technology Inc.

Microchip Technology tiene una participacion del 10.5% y es reconocida por su amplio portafolio de soluciones SRAM seriales y paralelas para electronica de consumo, automotriz e industrial. La empresa enfatiza tecnologias de memoria innovadoras de bajo consumo y alta velocidad, relaciones solidas con los clientes y una red de distribucion global, posicionandola como un actor importante en el mercado de SRAM.
 

Noticias de la industria de memoria estatica de acceso aleatorio

• En octubre de 2025, NXP Semiconductors introdujo capacidades de espejo de smartphone para clusteres digitales conectados de nivel basico en motocicletas utilizando su unidad de microcontrolador (MCU) i.MX RT1170. La MCU permite acceso sin fisuras a la navegacion, la musica y las llamadas directamente en el tablero, eliminando la necesidad de hardware adicional. Con nucleos duales Arm Cortex, hasta 2 MB de SRAM en el chip y graficos integrados, la solucion mejora la seguridad del conductor, la conectividad y la experiencia del usuario, manteniendo la eficiencia de costos.
   
• En junio de 2025, Infineon Technologies introdujo una cartera de memorias tolerantes a la radiacion disenada para misiones en orbita terrestre baja (LEO), dirigida al mercado NewSpace en rapido crecimiento. La cartera incluye memorias F-RAM de bajo consumo, memorias flash NOR QSPI (256/512 Mbit) y memorias pseudoestaticas RAM (pSRAM) de 256/512 Mbit, ofreciendo alto rendimiento, confiabilidad y bajo tamano, peso y potencia (SWaP-c). Estos productos soportan condiciones LEO adversas y complementan las soluciones de potencia tolerantes a la radiacion de Infineon para aplicaciones comerciales de satelites.
   
• En mayo de 2023, en ChipEx2023, Samsung Foundry presento su tecnologia de transistor de efecto de campo Multi-Bridge-Channel (MBCFET) de 3 nm Gate-All-Around (GAA), destacando la flexibilidad mejorada en el diseno de SRAM. La estructura MBCFET permite el ajuste independiente de los anchos de canal de los transistores, optimizando el rendimiento, el consumo de energia y el area (PPA) mientras mejora la estabilidad de las celdas SRAM. En comparacion con los FinFET, las celdas de bits SRAM GAA consumen menos energia y ofrecen margenes de diseno superiores, permitiendo mayor eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de SRAM analogicas y digitales.
   

El informe de investigacion del mercado de memoria de acceso aleatorio estatica incluye una cobertura exhaustiva de la industria con estimaciones y pronosticos en terminos de ingresos en millones de USD desde 2022 hasta 2035 para los siguientes segmentos:

Mercado, por tipo

• SRAM asincrona
• SRAM sincrona
• Otros

Mercado, por tamano de memoria

• Hasta 1 Mb
• 1 Mb a 4 Mb
• 4 Mb a 16 Mb
• Mas de 16 Mb

Mercado, por industria de uso final

• TI y telecomunicaciones
• Electronica de consumo
• Automotriz
• Aeroespacial y defensa
• Industrial
• Salud
• Otros

La informacion anterior se proporciona para las siguientes regiones y paises:

• America del Norte
  • EE. UU.
  • Canada
• Europa
  • Alemania
  • Reino Unido
  • Francia
  • Espana
  • Italia
  • Paises Bajos
• Asia Pacifico
  • China
  • India
  • Japon
  • Australia
  • Corea del Sur 
• America Latina
  • Brasil
  • Mexico
  • Argentina
• Medio Oriente y Africa
  • Sudafrica
  • Arabia Saudita
  • EAU