Markt für Fotolackchemikalien für die moderne Lithografie – Nach Typ, Lithografietechnologie und Endverwendung – Globale Prognose 2025–2034

Photoresist-Chemikalien für den Markt für fortschrittliche Lithographie

Der globale Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie wurde 2024 auf 5,5 Milliarden US-Dollar geschätzt. Der Markt soll von 6,1 Milliarden US-Dollar im Jahr 2025 auf 15,6 Milliarden US-Dollar im Jahr 2034 wachsen, bei einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 11 %, laut dem neuesten Bericht von Global Market Insights Inc. Wichtige Wachstumstreiber sind steigende Investitionen in Asien-Pazifik, die Kommerzialisierung von High-NA-EUV und Fortschritte in 3D-Packaging-Technologien.

Der globale Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie befindet sich in einer transformativen Phase aufgrund der schnelleren Adoption der Sub-7nm- und Sub-5nm-Prozessknoten, der übernommenen EUV-Nutzung und der steigenden Nachfrage in fortschrittlichen Märkten (z. B. KI-Prozessoren, 5G-Chipsatz und Halbleiter für die Automobilindustrie).

Ein wichtiger Wachstumstreiber war die kommerzielle Einführung von EUV (Extrem-Ultraviolett)-Lithographie mit Wellenlängen von 13,5 nm, um Strukturen mit Linienbreiten von <5 nm zu erzeugen. Der Markt für chemisch verstärkte Resists (CARs) und metalloxidbasierte EUV-Photoresists ist deutlich gewachsen. Allein im Jahr 2024 machten EUV-Lieferungen über 25 % des Gesamtumsatzes aller fortschrittlichen Photoresists aus, der voraussichtlich bis 2034 aufgrund der Implementierung von High-NA-EUV durch Top-Foundries wie TSMC, Intel und Samsung auf über 45 % steigen wird.

Die Sektoren für Speicher- und Logik-ICs sind die größten Endanwendungsbranchen und machten 2024 etwa 60 % des gesamten Marktanteils für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie aus. Der steigende Bedarf an DRAM mit höherer Kapazität und 3D-NAND mit ultradünnen Strukturgrößen hat die Verwendung neuer Resistmaterialien, insbesondere für 193nm-ArFi-Immersions- und nächste Generation-EUV-Plattformen, vorangetrieben. Anbieter investieren weiterhin erhebliche Mittel in die Forschung und Entwicklung, um die Kontrolle der Linienkantenrauheit (LER) und den Kompromiss zwischen Empfindlichkeit und Auflösung bei EUV-Photoresists zu verbessern.

Gleichzeitig entwickelt sich das Segment für fortschrittliche Verpackung, das Wafer-Level-Packaging (WLP), 3D-Packaging und System-in-Package (SiP) umfasst, zu einem starken Wachstumstreiber. Das Segment soll bis 2034 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 13,5 % wachsen, hauptsächlich getrieben durch dicke negativ-tonige Photoresists wie epoxybasiertes SU-8, die für Umverteilungslagen (RDLs) und TSVs essenziell sind. Der nordamerikanische Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie hatte 2024 einen Anteil von 18 % und steigert seinen Segmentanteil erneut durch neue Kapazitätserweiterungen, die hauptsächlich durch den CHIPS Act und Intels Investitionen in EUV-Anlagen getrieben werden.

Insbesondere der Wechsel zu High-NA-EUV, Hybrid-Lithographie (DUV + EUV) und gerichtete Selbstanordnung (DSA) verändert die Resist-Chemie-Landschaft. Wichtige Akteure in diesem Bereich, wie JSR, TOK, Dongjin Semichem und Fujifilm, haben ihre Produktroadmaps angepasst, um die kommerzielle Reife von 2 nm und 1,4 nm zu erreichen, was einen definitiven Wandel von traditionellen KrF/i-Linie-Resists zu neuen EUV-spezifischen Plattformen darstellt.

Die Forschungs- und Entwicklungslandschaft bleibt ein lebhafter Bereich, mit vielen Partnerschaften zwischen Halbleiterkonsortien, Universitäten und Resist-Lieferanten, die synergistisch zusammenarbeiten, um metallorganische oder anorganische hochsensitive Resists gemeinsam zu entwickeln. Andere Organisationen wie das Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) und das MIT haben Konsortien für die nächste Generation von Resists gestartet, die die aktuellen stochastischen und LWR-Beschränkungen adressieren, die in EUV-Plattformen zu beobachten sind, während andere die Chemie zu einem Aspekt der nächsten Generation von Resists machen werden.

Trends im Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie

• High-NA EUV (0,55 NA) Lithographie, die eine grundlegende Verbesserung gegenüber den derzeitigen 13,5 nm EUV-Fähigkeiten darstellt, ist möglicherweise der bedeutendste Trend im Markt für fortschrittliche Photoresists. Prominente Hersteller, darunter ASML, Intel und imec, treiben die High-NA EUV-Technologie voran, um die 2-nm- und 2-nm-unterhalb-Knoten zu erreichen. Diese Entwicklung erfordert Resist-Chemien, die eine ultrahohe Auflösung (EUV-Prozess), eine Minimierung der Stochastik (Belichtung und Verarbeitung) und eine Reduzierung der Linienkanten-/Breitenrauheit (LER/LWR) liefern.
  
• Daher wird eine völlig neue Klasse von EUV-Photoresists, die speziell anorganische Metalloxid- und hybride organisch-anorganische Resists umfassen, notwendig sein. Es wird erwartet, dass High-NA EUV-Werkzeuge bis 2025 für die Pilotproduktion bereit sind, was Anbieter wie JSR, Fujifilm und Shin-Etsu veranlasst, die Resist-Leistung unter Verarbeitungsbedingungen mit höheren Aspektverhältnissen und neuen „Soak“-Bedingungen zu validieren.
  
• Es besteht ein erhöhter ungedeckter Bedarf an anwendungsspezifischen Photoresists, die für aufstrebende Gerätekategorien wie 3D NAND, System-on-Chip (SoC), MEMS, CMOS-Bildsensoren und Leistungsbauelemente entwickelt wurden. Konventionelle Resists, die für die Massenfertigung von Logik-/Speicherbauelementen optimiert sind, könnten in nicht standardmäßigen Abmessungen oder hohen Aspekt-Topografien möglicherweise keine akzeptable Leistung erbringen.
  
• Ein wichtiger Bereich umfasst 3D-Packaging und Fan-Out-Wafer-Level-Packaging (FOWLP), das dicke Negative-Tone- oder Epoxid-basierte Photoresists erfordert, die in der Lage sind, mehrfache Bauten und tiefe Merkmale zu realisieren. Dies wird die Forschung und Entwicklung von Mehrschicht-Resist-Stacks, lösungsmittelfreien Formulierungen oder Resist-Flow-Optimierungen und neue Möglichkeiten zur Wertschöpfung der Resists über die fortschrittliche Logik hinaus motivieren.
  
• Der Trend zu einer zunehmend tiefen Zusammenarbeit zwischen Photoresist-Lieferanten und Halbleiter-Fabriken nimmt an Fahrt auf. Beispielsweise arbeiten führende Halbleiterhersteller wie Intel, Samsung oder TSMC mit Resist-Lieferanten zusammen, um EUV- und High-NA-Resist-Chemien gemeinsam zu entwickeln.
  
• Diese Partnerschaften können vielfältige Formen annehmen, wie die Nutzung gemeinsamer Pilot-Fabriken, Inline-Testumgebungen und die Verpflichtung zu Lieferleistungs- und Wertmetriken. Für kleinere Fabriken kann die vertikale Integration in Kombination mit soliden Joint Ventures den Zugang zu Resists der nächsten Generation ermöglichen und interne R&D-Hindernisse mehrfach überwinden. Dies hilft letztlich, den Kreislauf in Bezug auf Lithografie-Hardware, Materialwissenschaft und Fab-Einsatz zu schließen.
  

Analyse des Marktes für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithografie

Nach Produkt ist der Markt in positive Photoresists und negative Photoresists unterteilt. Der Segment der positiven Photoresists erzielte im Jahr 2024 einen Umsatz von 3,4 Milliarden USD und wird voraussichtlich bis 2034 auf 9,5 Milliarden USD bei einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 10,7 % im Prognosezeitraum anwachsen.

• Der globale Markt für Photoresist-Chemikalien wird weiterhin hauptsächlich von positiven Photoresists dominiert, was auf einen Marktanteil von über 62,5 % im Jahr 2024 zurückzuführen ist. Der Hauptvorteil, der zur anhaltenden Beliebtheit positiver Photoresists beiträgt, ist die überlegene Auflösungsleistung, Prozessbreite und Kompatibilität mit fortschrittlichen Lithografieprozessen wie 193-nm-ArF-Immersion und Extreme Ultraviolet (EUV)-Systemen.
  
• Der Untersektor der positiven Photoresists im Photoresist-Markt wird von chemisch verstärkten Resists (CARs) dominiert.
  

CARs bieten eine hohe Empfindlichkeit und Verweildauer für Geometrien unter 10 nm, da sie als entscheidend für die Erzielung einer hohen Prozessgenauigkeit gelten. Große Akteure wie JSR, TOK und Fujifilm erweitern ihre Angebote aggressiv, mit CAR-Materialien mit geringer Linienkantenrauheit (LER), um die hohe Überlagerungskontrolle und Mustertreue in Anwendungsbereichen wie Logik und Speicher zu erfüllen.

Der aktuelle Fokus der Innovation bei positiven Fotoresists umfasst die Verbesserung der Ätzresistenz, die Entwicklung modularer Optionen der Fotoresist-Plattform und die Reduzierung des sekundären Elektronenblurs in EUV-Lithographieprozessen, was einer der führenden Faktoren ist, die zur Ausbeute bei kleinen Abmessungen beitragen.

Aufstrebende Konkurrenten für den Sub-5-nm-Fertigungsmarkt sind CAMS oder metalloxidinfundierte positive Resists, die wahrscheinlich als Alternativen in zukünftigen Prozessen dienen werden, aufgrund der verbesserten Absorption von EUV und der besseren thermischen Stabilität.

Wirtschaftlich bieten positive Fotoresists ein besseres Kosten-Leistungs-Verhältnis als negative Fotoresists bei ihrer Anwendung in der vollen Volumenproduktion. Die Verwendung von positiven Fotoresists in hoch routinemäßigen, voluminösen Fab-Anwendungen im Mikrochip- und Halbleitermarkt (die Anwendungsbereiche von 65 nm bis hin zu 3-nm-Knoten abdecken) ist robuster als bei negativen Fotoresists.

Basierend auf der Endverwendung ist der Markt für Fotoresist-Chemikalien für die fortschrittliche Lithographie in Halbleiterbauelement-Fertigung, MEMS-Geräte, Display-Elektronik-Anwendungen, fortschrittliche Verpackungsanwendungen und Fotomaskenherstellung unterteilt. Im Jahr 2024 hielt das Segment der Halbleiterbauelement-Fertigung einen Marktanteil von 69,5 %.

• Die Nachfrage nach hochreinen, hochleistungsfähigen vier Fotoresist-Materialien, die in fortschrittlichen lithografischen Prozessen für Logik-, Speicher-, Analog- und auf KI fokussierte Chips verwendet werden, ist der Grund für den dominierenden Anteil dieses Segments. Aufgrund der zunehmenden Komplexität der Mehrfachmusterungsschritte und der Einführung von High-NA-EUV verbrauchen Logikbauelemente, insbesondere CPUs, GPUs und SoCs, die bei 5-nm-, 3-nm- und bald 2-nm-Knoten hergestellt werden, die meisten Fotoresists.
  
• Außerdem treiben Speicherbauelemente, insbesondere DRAM und 3D-NAND, ein erhebliches Wachstum als Halbleiterbauelementsektor voran. Die 3D-Vertikalstapelung in Flash-NAND erfordert dicke, hochaspektige Fotoresists, die den Einsatz fortschrittlicher Prozesse mit maßgeschneiderten Fotoresistmaterialien erfordern. DRAM-Bauelemente verwenden präzise steuerbare dünne Fotoresists für Kontaktlöcher und Linienraummerkmale.
  
• Zuletzt erhöhen Halbleitersegmente wie KI-Prozessoren, neuromorphe Chips und RFICs für 5G die Nachfrage nach maßgeschneiderten Fotoresists noch weiter, indem sie aggressiv die Auflösung und Materialverträglichkeit über traditionelle lithografische Prozesse hinaus vorantreiben.
  

• Der US-Markt für Fotoresist-Chemikalien für die fortschrittliche Lithographie erzielte im Jahr 2024 einen Umsatz von 817,4 Millionen US-Dollar. Der US-Markt wird voraussichtlich mit einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 10,8 % auf 2,3 Milliarden US-Dollar bis 2034 wachsen.Der Photoresist-Markt in Nordamerika verändert sich aufgrund von Halbleiterbelebungsmaßnahmen, die durch Gesetzgebung in den Vereinigten Staaten unterstützt werden, insbesondere durch den CHIPS and Science Act, der die inländische Chipfertigung anregt. Diese Gesetzgebung beeinflusst die Nachfrage nach inländisch hergestellten Photoresists und fortschrittlichen Lithographie-Materialien, teilweise aufgrund neuer Fabriken, die in den USA von Kunden wie Intel, GlobalFoundries und Micron erweitert oder gebaut werden.
  
• Mehrere in den Vereinigten Staaten ansässige Start-ups und Materialwissenschaftsunternehmen nutzen staatliche F&E-Fördermittel, um nächste Generation EUV (extrem ultraviolett) und High-NA (numerische Apertur) kompatible Resists zu entwickeln, um das nationale Ziel der Lieferkettenresilienz zu erfüllen. Zusätzlich erfordert die erhöhte Finanzierung für elektronische Geräte, die für die Verteidigung oder für KI-Technologie konzipierte Chips sowie Siliziumphotonik sehr spezialisierte Musterlösungen, wodurch der Verbrauch von Photoresists sowohl in „leading edge“- als auch in „legacy“-Knoten erhöht wird.
  
• Obwohl die Region Nordamerika weiterhin einen hohen Prozentsatz ihrer Resist-Chemikalien aus Japan und Korea importiert, gibt es eine zunehmende Betonung auf die inländische IP-Entwicklung und Partnerschaften für die regionale Produktion.
  
• Der europäische Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie erzielte 2024 einen Umsatz von 550 Millionen USD. Der europäische Markt wird voraussichtlich mit einer CAGR von 11 % auf 1,6 Milliarden USD bis 2034 wachsen. Der Photoresist-Markt in Europa wird stark von der regionalen Förderung technologischer Souveränität beeinflusst, insbesondere durch den Europäischen Chips Act, der mehr als 43 Milliarden USD für die Unterstützung und Entwicklung des europäischen Halbleiterfertigungssystems bereitstellt. Die Region verfügt scheinbar über keine inländischen Giganten in Bezug auf Resists, aber Unternehmen wie die Merck Group und Allresist GmbH in Europa werden durch strategische Engagements mit Geräteherstellern und Forschungsinstituten immer wichtiger.
  
• Ein wichtiger Trend ist die Integration von Photoresist-Innovationen mit der Entwicklung von Photomasken und Lithographiegeräten, wie durch strategische Partnerschaften mit ASML in den Niederlanden und IMEC in Belgien belegt. Die Region legt auch Wert auf umweltfreundliche Resist-Formulierungen, teilweise aufgrund strenger EU-Umweltvorschriften (REACH), und entwickelt dadurch einen Ruf als Hotspot für grüne Resists und Low-VOC-Technologien. Die Nachfrage nach Autos, IoT und Industrieelektronik treibt weiterhin die regionale Nachfrage an, insbesondere in Deutschland, Frankreich und den nordischen Ländern.
  
• Der asiatisch-pazifische Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie erzielte 2024 einen Umsatz von 3,7 Milliarden USD. Asien-Pazifik führt den globalen Markt für Photoresist-Chemikalien mit mehr als 67 % des globalen Marktanteils im Jahr 2024 an, getrieben durch die Hochvolumenfertigung in Taiwan, Südkorea, Japan und zunehmend China.
  
• China hat erhebliche Investitionen in die Selbstversorgung mit Photoresists im Rahmen von „Made in China 2025“ getätigt, mit über 50 einheimischen Unternehmen, die seit 2020 in die lokale Resist-Lieferkette integriert wurden. Südkorea richtet sich auf fortschrittliche Verpackungslithographie aus, getrieben durch 3D-NAND- und SiP-Roadmapping von Samsung und SK Hynix. Schließlich treiben F&E-Konsortien in ganz APAC neue Resist-Chemien für High-NA- und NIL-Lösungen voran.
  
• Der lateinamerikanische Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie ist noch ein frühes Marktsegment für Photoresist-Chemikalien, aber es gibt eine langsame Aufnahme durch regionale Integration in die globale Halbleiter-Wertschöpfungskette. Brasilien und Mexiko etablieren sich als Zentren für fortschrittliche Verpackung und Tests, aufgrund niedrigerer Arbeitskosten und der Nähe zu Nordamerika.
  
• Brasiliens nationale IoT-Strategie und der Einstieg Mexikos in die US-Initiativen zur Rückverlagerung von Halbleiterfertigung unterstützen bereits Investitionen in Lithografiematerialien, darunter Fotoresist-Chemikalien. Mit dem Interesse der Regierung an der Schaffung von Bildungs- und Forschungszentren für Halbleiter könnte sich langfristig eine wertvolle Expertise im Bereich der Anwendung und Prüfung von Resists entwickeln. Allerdings sind die fehlenden inländischen Fertigungsanlagen für zusätzliche Resist-F&E ein Hindernis für das kurzfristige Wachstum.
  
• Die Region Naher Osten und Afrika ist ein aufstrebender Markt für Innovationen im Zusammenhang mit Halbleitern, wobei der Fokus jedoch noch auf Design, Beschleunigung von KI-Chips und kommerziellen Forschungszusammenarbeit liegt, anstatt auf der Materialproduktion.
  
• In Israel wächst das Ökosystem durch Partnerschaftsmodelle, die sich auf die F&E zwischen lokalen Start-ups, ARM-Lizenznehmern und globalen Anbietern von integrierten Schaltkreisen konzentrieren, was zu einer Nischennachfrage nach fortgeschrittenen Lithografiematerialien führt, die für das Ökosystem hergestellt werden. Die VAE und Saudi-Arabien haben nationale Halbleiterstrategien, die an Vision 2030 als Teil ihrer Ziele zur wirtschaftlichen Diversifizierung gebunden sind, was zu Ankündigungen von Spezialzentren für Photonik und Chipverpackung führt.
  

Marktanteil von Fotoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithografie

Der weltweite Markt für Fotoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithografie ist konzentriert, wobei die fünf führenden Wettbewerber, JSR Corporation, Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Fujifilm Electronics Materials, Shin-Etsu Chemical und Dongjin Semichem, voraussichtlich über 50 % des globalen Marktanteils im Jahr 2024 ausmachen werden. Die Branchenführer sind etablierte Unternehmen mit lukrativen, langjährigen Beziehungen zu großen Halbleiter-Fertigungsstätten und einem starken geistigen Eigentum (IP) in EUV- und ArFlip-resistenten Chemikalien.

Unternehmen investieren massiv in nächste Generationen von EUV- und High-NA-EUV-Resist-Plattformen; JSR und TOK stehen an der Spitze der kommerziellen Einführung von EUV-Chemie durch Zusammenarbeit mit Intel, Samsung und TSMC. Fujifilm und Shin-Etsu steigen auch in den Bereich der chemisch verstärkten Resists (CARs) und metallhaltigen Resists für Knoten unter 2 nm ein.

Differenzierungsmerkmale im Markt für Fotoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithografie werden weiterhin Produktleistungsfaktoren wie Anpassungsfähigkeit, Ätzresistenz, Kontrolle der Linienkantenrauheit (LER) und Sensitivitätsmetriken sein, während die Preisdifferenzierung zur sekundären Kategorie gehört, da die Materialleistungsmerkmale, die bei kritischen Abmessungen relevant sind, mehr Gewicht in der gesamten strategischen Wettbewerbsfähigkeit für eine Fertigungsstätte haben.

Der Markt sieht auch eine Zunahme von Gemeinschaftsunternehmen (JVs) und/oder F&E-Zusammenarbeit. Beispiele für diese Zusammenarbeit sind IMEC-JSR, Fujifilm-Samsung und TOK-ASML. Viele Hersteller arbeiten auch zusammen, um Resist-Chemikalien für spezifische Anwendungsfälle im Zusammenhang mit Lithografie-Hardware und -Prozessen gemeinsam zu entwickeln.

Unternehmen im Markt für Fotoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithografie

Wichtige Akteure im Markt für Fotoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithografie sind:

• Brewer Science, Inc.
• Dongjin Semichem Co., Ltd.
• Dow
• Eternal Materials Co., Ltd.
• Fujifilm Holdings Corporation
• Inpria Corporation
• Irresistible Materials Ltd.
• Jiangsu Nata Opto-electronic Material Co., Ltd.
• JSR Corporation
• Kayaku Advanced Materials
• Merck KGaA
• Micro Resist Technology GmbH
• Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
• Sumitomo Chemical Company
• Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  

JSR Corporation:JSR ist weltweit als Pionier in der Entwicklung fortschrittlicher Photoresist-Technologie bekannt und war eines der ersten Unternehmen, das chemisch verstärkte EUV-Resists kommerzialisiert hat. JSR unterhält starke Partnerschaften mit imec und TSMC. JSR entwickelt EUV- und High-NA-Photoresists nach den Bedürfnissen ihrer Kunden, mit Fokus auf die Leistung ihrer metallhaltigen Photoresists und die Zusammenarbeit mit Kunden bei Sub-2nm-Knoten und Co-Entwicklung.

Tokyo Ohka Kogyo (TOK): TOK kann den Markt mit einem umfangreichen Sortiment an Resists, darunter 193i, KrF und EUV, beeinflussen. TOK verfolgt eine vertikale Integrationsstrategie von Monomeren bis hin zu fertigen Resists und passt die Prozesschemie jeder Fertigungsstätte für eine tiefere Kundenbindung an. Mehrere kundenspezifische Implementierungen für Prozesschemien wurden über die Erwartungen der Kunden hinaus vorangetrieben. Innovationen mit negativ-tonigen Resists und dicken Resists für fortschrittliche Verpackung werden betont.

Fujifilm Electronic Materials: Fujifilm verbessert ihre hochauflösenden, niedrig-LER-Photoresists und multifunktionale Mehrschicht-Resistsysteme für EUV-Lithographie. Fujifilm nutzt ihr umfangreiches Wissen in organischer Chemie und Beschichtungstechnik, um die Komplexitäten der 3D-NAND- und Logikschichtmusterung zu lösen. Um ihre globalen Fertigungsstätten zu unterstützen, erweitert Fujifilm ihre Produktionsinfrastruktur in den USA und Japan.

Shin-Etsu Chemical: Shin-Etsu Chemical ist der führende japanische Hersteller, der Immersion- und ArF-Photoresists für den Markt anbietet, mit Fokus auf Hochaspektverhältnis-Merkmale. Shin-Etsu spielt eine Schlüsselrolle in der Lieferkette für die DRAM- und Logik-Chipherstellung und hat eine starke Fähigkeit in der Synthese von Basispolymeren entwickelt, die es dem Unternehmen ermöglicht, die Photoresists für Stabilität und Konsistenz über lange Verarbeitungsintervalle zu optimieren.

Dongjin Semichem: Dongjin gewinnt an Bedeutung, insbesondere auf den Märkten für EUV- und fortschrittliche DUV-Photoresists und beginnt, Marktanteile mit Volumenlieferungen an die Samsung-3nm-Fertigungsstätte zu gewinnen. Unter starker staatlicher Führung baut Dongjin seine Position als inländische Alternative zu japanischen Lieferanten aus und verfolgt aggressive F&E-Aktivitäten zu nächsten Generationen von Photoresists sowie Pilottests in Fabriken mit ihren Photoresists.

Photoresist-Chemikalien für die fortschrittliche Lithographie-Branche Nachrichten

• Im September 2023 kündigte die JSR Corporation an, dass sie über die Pilotlinie von IMEC ihren nächsten Generation Metalloxid-EUV-Resist für High-NA-EUV-Lithographie qualifiziert hat.
  
• Im Juli 2023 kündigte Tokyo Ohka Kogyo (TOK) eine gemeinsame Entwicklungsvereinbarung mit Intel zur Entwicklung von Photoresists für Prozesse der nächsten Generation unter 2 nm an.
  
• Im Juni 2025 kündigte Fujifilm Electronic Materials an, dass es eine Erweiterung seiner Photoresist-Fertigungsanlage in Kumamoto, Japan, abgeschlossen hat, mit einer 30%igen Kapazitätssteigerung für EUV-Resists aufgrund der zunehmenden Nutzung durch TSMC.
  
• Im April 2025 kündigte Shin-Etsu Chemical den Start ihrer neuen niedrig-LER-chemisch verstärkten Resists (CARs) an, die für 193nm-Immersionlithographie für fortschrittliche Verpackungsanwendungen optimiert sind.
  
• Im Februar 2025 begann Dongjin Semichem offiziell mit der Lieferung von EUV-Photoresists an Samsung Foundry für seine 3nm-Produktionslinien als erstes kommerzielles Geschäft, das den Halbleiterherstellern bei ihren EUV-Anforderungen in diesem Knoten hilft.
  
• Im Dezember 2024 kündigte Merck KGaA eine Investition von 35 Millionen US-Dollar in die Photochemie-Forschungs- und Entwicklungsanlage in Darmstadt, Deutschland, mit Fokus auf nachhaltige und High-NA-Lithographiematerialien an.
  

Der Marktforschungsbericht zu Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie umfasst eine umfassende Analyse der Branche, mit Schätzungen & Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD Millionen) & Volumen (Tonnen) von 2021 bis 2034, für die folgenden Segmente:

Markt, nach Typ

• Positive Photoresists
  • Acrylat-basierte Photoresists
  • Novolak-basierte Systeme
  • Poly(methylmethacrylat) (PMMA)
• Negative Photoresists
  • Epoxid-basierte
  • Siliziumhaltige Resists
  • Metallbasierte Resists

Markt, nach Lithographie-Technologie

• DUV-Lithographie
  • 248nm KrF-Lithographie
  • 193nm Trockenlithographie
  • 193nm Immersionlithographie (ARFI)
• Extrem ultraviolette (EUV) Lithographie
  • EUV bei 13,5 nm
  • High-NA EUV
• I-Linie-Lithographie (365 nm)
• Nanoimprint-Lithographie (NIL)
• E-Strahl-Lithographie

Markt, nach Endverwendung

• Halbleiterbauelementfertigung
  • Logikbauelemente
  • Speicherbauelemente
  • Edge-Geräte
  • Bildsensoren
• MEMS-Geräte
  • Automotive MEMS
  • Consumer-Electronics-MEMS
  • Industrielle & medizinische MEMS
• Anwendungen in der Displayelektronik
  • LCD-Herstellung
  • OLED-Displayproduktion
  • Next-Generation-Displays
• Anwendungen in der fortschrittlichen Verpackung
  • 3D-Verpackung
  • System-in-Package (SIP)
  • Wafer-Level-Packaging (WLP)
• Photomaskenherstellung
  • EUV-Maske
  • DUV-Maske

Die oben genannten Informationen werden für die folgenden Regionen und Länder bereitgestellt:

• Nordamerika
  • USA
  • Kanada
• Europa
  • Deutschland
  • UK
  • Frankreich
  • Spanien
  • Italien
  • Rest von Europa
• Asien-Pazifik
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Südkorea
  • Rest von Asien-Pazifik
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Argentinien
  • Rest von Lateinamerika
• Naher Osten und Afrika
  • Saudi-Arabien
  • Südafrika
  • VAE
  • Rest von Naher Osten und Afrika