Fotoresist-Chemikalien für den Advanced-Lithografie-Markt Größe und Anteil 2025 - 2034

Photoresist Chemicals for Advanced Lithography-Marktgröße

Der globale Markt für Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie wurde 2024 auf 5,5 Milliarden USD bewertet. Es wird erwartet, dass der Markt von 6,1 Milliarden USD im Jahr 2025 auf 15,6 Milliarden USD im Jahr 2034 wächst, mit einer CAGR von 11 %, gemäß dem neuesten von Global Market Insights Inc. veröffentlichten Bericht. Zu den wichtigsten Wachstumstreibern gehören steigende Investitionen im asiatisch-pazifischen Raum, die Kommerzialisierung von High-NA EUV und Fortschritte in 3D-Verpackungstechnologien, die Schlüsseltreiber für das Marktwachstum darstellen.
 

Der globale Markt für Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie befindet sich in einer transformativen Phase aufgrund der schnelleren Einführung von Sub-7nm- und Sub-5nm-Prozessknoten, der übernommenen EUV-Nutzung und der gestiegenen Nachfrage in fortgeschrittenen Märkten (d. h. KI-Prozessoren, 5G-Chipsätze und Automotive-Halbleiter).
 

Ein wichtiger Wachstumstreiber war der kommerzielle Rollout der EUV-Lithographie (Extreme Ultraviolett) bei 13,5 nm Wellenlängen, um eine Strukturierung <5 nm Linienbreiten zu ermöglichen. Der Markt für chemisch verstärkte Resist (CAR) und metalloxidbasierte EUV-Photoresiste ist deutlich gewachsen. Allein im Jahr 2024 machten EUV-Lieferungen über 25 % des Marktanteils aller fortgeschrittenen Photoresiste der Gesamteinnahmen aus, von denen erwartet wird, dass sie sich bis 2034 aufgrund der Implementierung von High-NA EUV durch Tier-1-Foundries wie TSMC, Intel und Samsung deutlich auf über 45 % Marktanteil erhöhen.
 

Die Memory- und Logic-IC-Sektoren sind die größten End-Use-Branchen und machen 2024 ungefähr 60 % des Gesamtmarktanteils für Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie aus. Der steigende Bedarf an höherer Kapazität DRAM und 3D NAND mit ultradünnen Strukturgrößen hat die Verwendung neuer Resistmaterialien verschoben, besonders für 193nm ArFi-Immersion und Plattformen der nächsten Generation EUV. Anbieter investieren weiterhin erhebliche F&E, um die Kontrolle der Linienkantengauheit (LER) und den Empfindlichkeits-Auflösungs-Kompromiss bei EUV-Photoresisten zu verbessern.
 

Gleichzeitig entwickelt sich das Advanced Packaging-Segment, das Wafer-Level Packaging (WLP), 3D-Verpackung und System-in-Package (SiP) umfasst, zu einem starken Wachstumsbeitrag. Das Segment wird voraussichtlich bis 2034 mit einer CAGR von 13,5 % wachsen, was großteils durch dicke Negativ-Photoresiste wie epoxidbasiertes SU-8 angetrieben wird, die für Umverteilungsschichten (RDL) und TSV essentiell sind. Der nordamerikanische Markt für Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie hatte 2024 einen Anteil von 18 % und erhöht nun seinen Segmentanteil durch neue Kapazitätserweiterungen, die hauptsächlich durch den CHIPS Act und Intels Investitionen in EUV-Einrichtungen vorangetrieben werden.
 

Insbesondere der Übergang zu High-NA EUV, hybrider Lithographie (DUV + EUV) und gerichteter Selbstorganisations-Methoden (DSA) verändert die Resist-Chemie-Landschaft. Wichtige Akteure auf diesem Gebiet, wie JSR, TOK, Dongjin Semichem und Fujifilm, haben ihre Produkt-Roadmaps angepasst, um der kommerziellen Einsatzbereitschaft von 2nm und 1,4nm zu entsprechen, was einen definitiven Wechsel von traditionellen KrF/i-line Resisten zu neuen EUV-spezifischen Plattformen darstellt.
 

Die F&E-Landschaft bleibt ein geschäftiges Umfeld, mit vielen Partnerschaften zwischen Halbleiterkonsortien, Universitäten und Resist-Anbietern, die synergistisch zusammenarbeiten, um metallorganische oder anorganische hochempfindliche Resist ko-zu-entwickeln. Andere Organisationen wie das Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) und MIT haben Konsortien für Resist der nächsten Generation gestartet, die die aktuellen stochastischen und LWR-Limitierungen in EUV-Plattformen adressieren, während andere Chemie zu einem Aspekt der nächsten Generation Resist machen.
 

Photoresist Chemicals for Advanced Lithography-Markttrends

• Hochauflösungs-EUV (0,55 NA) Lithografie, die eine grundlegende Verbesserung gegenüber den derzeitigen EUV-Fähigkeiten mit 13,5 nm darstellt, ist vielleicht der bedeutendste Trend auf dem Markt für fortgeschrittene Photoresiste. Führende Hersteller wie ASML, Intel und imec treiben Hochauflösungs-EUV voran, um 2-nm- und darunter liegende Knoten zu erreichen. Diese Entwicklung erfordert Resist-Chemikalien, die eine ultrahochauflösung (EUV-Prozess) ermöglichen, Stochastiken (Belichtung und Verarbeitung) minimieren und Kantenkrauheit/Breitenkrauheit (LER/LWR) reduzieren.
   
• Folglich wird eine völlig neue Klasse von EUV-Photoresisten, insbesondere anorganische Metalloxide und hybride organisch-anorganische Resiste, erforderlich sein. Hochauflösungs-EUV-Tools werden voraussichtlich bis 2025 für die Pilotproduktion bereit sein, was Lieferanten wie JSR, Fujifilm und Shin-Etsu veranlasst, die Resist-Leistung unter Verarbeitungsbedingungen mit höheren Aspektverhältnissen und neuen „Soak"-Bedingungen zu validieren.
   
• Es besteht ein verstärkter ungedeckter Bedarf an anwendungsspezifischen Photoresisten, die für aufstrebende Gerätekategorien wie 3D-NAND, System-on-Chip (SoC), MEMS, CMOS Bildsensoren und Leistungsbauelemente entwickelt wurden. Konventionelle Resiste, die für die Massenproduktion von Logik/Speicher optimiert sind, ermöglichen möglicherweise keine akzeptable Leistung bei nicht standardisierten Abmessungen oder hohen Aspektverhältnissen.
   
• Ein Schlüsselbereich umfasst 3D-Verpackung und Fan-out-Wafer-Level-Verpackung (FOWLP), die dickflüssige Negativ-Tone oder Epoxid-basierte Photoresiste erfordern, die zu vielseitigen Aufbauten und tiefen Strukturen fähig sind. Dies wird die Forschung und Entwicklung in mehrschichtige Resist-Stapel, lösungsmittelfreie Formulierungen oder Resist-Flow-Optimierungen vorantreiben und neue Wege erkunden, um Mehrwertchancen für die Resiste jenseits von hochmoderner Logik zu erschließen. 
   
• Der Schwung hinter einem Trend der zunehmend tieferen Zusammenarbeit zwischen Photoresist-Lieferanten und Halbleiter-Foundries wird aufgebaut. Beispielsweise arbeiten führende Halbleiterhersteller wie Intel, Samsung oder TSMC mit Resist-Lieferanten an der Co-Entwicklung von EUV- und Hochauflösungs-EUV-Resist-Chemikalien zusammen.
   
• Diese Partnerschaften können eine Vielzahl von Formen annehmen, wie z. B. die Nutzung gemeinsamer Pilot-Fabs, Inline-Testumgebungen und die Verpflichtung zu leistungs- und wertgesteuerten Lieferketten. Für kleinere Fabs kann vertikale Integration in Kombination mit soliden Joint Ventures mehrfach den Zugang zu Resisten der nächsten Generation ermöglichen und interne F&E-Hürden vermeiden. Dies hilft letztendlich, die Schleife hinsichtlich Litho-Hardware, Materialwissenschaft und Fab-Bereitstellung zu schließen.
   

Analyse des Marktes für Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithografie

Um die wichtigsten Markttrends zu verstehen

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Nach Produkt ist der Markt in Positiv-Photoresiste und Negativ-Photoresiste unterteilt. Das Segment der Positiv-Photoresiste erzielte 2024 einen Umsatz von 3,4 Milliarden USD und wird im Prognosezeitraum bis 2034 voraussichtlich 9,5 Milliarden USD mit einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 10,7% erreichen.
 

• Der globale Markt für Photoresist-Chemikalien wird immer noch hauptsächlich durch Positiv-Photoresiste vertreten, was auf einen Marktanteil von über 62,5% während 2024 zurückzuführen ist. Der Hauptvorteil, der zur anhaltenden Beliebtheit von Positiv-Photoresisten beiträgt, ist die überlegene Auflösungsleistung, die Prozesslatenz und Kompatibilität mit fortgeschrittenen Lithografieprozessen wie 193-nm-ArF-Immersions- und Extreme-Ultraviolett(EUV)-Systemen.
   

Basierend auf der Endnutzung wird der Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie in Halbleitergerätefertigung, MEMS-Geräte, Display-Elektronikanwendungen, fortgeschrittene Verpackungsanwendungen und Photomaskenfertigung unterteilt. Im Jahr 2024 hielt das Segment Halbleitergerätefertigung einen Marktanteil von 69,5%.
 

• Die Nachfrage nach vier hochreinen, hochleistungs-Photoresist-Materialien, die in fortschrittlichen lithografischen Prozessen für Logik-, Speicher-, Analog- und KI-fokussierte Chips verwendet werden, ist der Grund für den beherrschenden Anteil dieses Segments. Aufgrund der zunehmenden Komplexität von Multi-Patterning-Schritten und der Annahme von High-NA EUV verbrauchen Logikgeräte, insbesondere CPUs, GPUs und SoCs, die bei 5 nm, 3 nm und bald 2 nm-Knoten hergestellt werden, die meisten Photoresiste.
   
• Außerdem treiben Speichergeräte, insbesondere DRAM und 3D NAND, ein signifikantes Wachstum als Halbleitergerätsektor voran. Die 3D-vertikale Stapelung in Flash-NAND erfordert dicke, hochaspektverhältnisartige Photoresiste, die die Anwendung fortgeschrittener Prozesse mit benutzerdefinierten Photo-Resistanzmaterialien erfordern. DRAM-Geräte verwenden präzisionskontrollierbare dünne Photoresiste für Kontaktlöcher und Linienabstandsfunktionen.
   
• Schließlich treiben Halbleitersegmente wie KI-Prozessoren, neuromorphe Chips und RFICs für 5G die Nachfrage nach benutzerdefinierten Photoresisten noch aggressiver voran, da sie die Auflösung und Materialkompatibilität über traditionelle lithografische Prozesse hinaus vorantreiben.
   

Erfahren Sie mehr über die wichtigsten Segmente, die diesen Markt formen

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• Der amerikanische Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie erwirtschaftete 2024 einen Umsatz von USD 817,4 Millionen. Es wird prognostiziert, dass der amerikanische Markt mit einer CAGR von 10,8 % wächst und USD 2 erreicht.3 Milliarden bis 2034. Der Photoresist-Markt in Nordamerika verändert sich aufgrund von Halbleiter-Revitalisierungspolitiken, die durch Rechtsvorschriften in den USA gestützt werden, insbesondere durch den CHIPS and Science Act, der die inländische Chipfertigung stimuliert. Diese Rechtsvorschriften beeinflussen die Nachfrage nach im Inland bezogenen Photoresisten und fortschrittlichen Lithographiematerialien, teilweise aufgrund neuer Fabs, die in den USA von Kunden wie Intel, GlobalFoundries und Micron erweitert oder gebaut werden.
   
• Mehrere in den USA ansässige Startups und Materialwissenschaftsunternehmen nutzen staatliche F&E-Zuschüsse zur Entwicklung von Photoresisten der nächsten Generation, die mit EUV (Extreme Ultraviolet) und High-NA (Numerische Apertur) kompatibel sind, um das nationale Ziel der Resilienz der Lieferkette zu erfüllen. Darüber hinaus erfordern erhöhte Finanzierungen in der Elektronik, die verteidigungs-enabled sind, oder für Chips, die für KI-Technologie entwickelt wurden, sowie Silizium-Photonik, sehr spezialisierte Strukturierungslösungen, was den Photoresist-Verbrauch sowohl in „Leading-Edge"-Knoten als auch in „Legacy"-Knoten verstärkt.
   
• Während die Region Nordamerika immer noch einen hohen Prozentsatz ihrer Resist-Chemikalien aus Japan und Korea importiert, wird zunehmend Wert auf die inländische Entwicklung geistigen Eigentums und Partnerschaften für die regionale Produktion gelegt.
   
• Der Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie in Europa generierte im Jahr 2024 einen Umsatz von 550 Millionen USD. Der europäische Markt wird voraussichtlich mit einer CAGR von 11% wachsen und bis 2034 1,6 Milliarden USD erreichen. Der Photoresist-Markt in Europa wird stark durch das regionale Streben nach technologischer Souveränität beeinflusst, insbesondere durch den European Chips Act, der mehr als 43 Milliarden USD zur Unterstützung und Entwicklung des europäischen Halbleiter-Fertigungsökosystems bereitstellt. Die Region scheint keine inländischen Giganten im Bereich Photoresist zu haben, aber Unternehmen wie Merck Group und Allresist GmbH in Europa werden durch strategische Engagement mit Ausrüstungsherstellern und Forschungsinstituten zunehmend wichtiger.
   
• Ein wichtiger Trend ist die Integration der Photoresist-Innovation mit der Entwicklung von Photomasks und Lithographieausrüstung, wie durch strategische Partnerschaften mit ASML in den Niederlanden und IMEC in Belgien veranschaulicht wird. Die Region legt auch Wert auf umweltkonform formulierte Photoresiste, teilweise aufgrund strenger EU-Umweltvorschriften (REACH), und entwickelt folglich einen Ruf als Brutstätte für grüne Photoresiste und Low-VOC-Technologien. Der Druck auf Automobil-, IoT- und Industrieelektronik treibt weiterhin die regionale Nachfrage an, insbesondere durch Deutschland, Frankreich und die nordischen Länder.
   
• Der Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie im asiatisch-pazifischen Raum generierte im Jahr 2024 einen Umsatz von 3,7 Milliarden USD. Der asiatisch-pazifische Raum führt den globalen Markt für Photoresist-Chemikalien mit mehr als 67% des globalen Marktanteils im Jahr 2024 an, angetrieben durch Hochvolumen-Fertigung in Taiwan, Südkorea, Japan und zunehmend China.
   
• China hat erhebliche Investitionen in die Eigenständigkeit von Photoresist im Kontext von „Made in China 2025" getätigt, mit über 50 einheimischen Unternehmen, die seit 2020 in die lokale Photoresist-Lieferkette integriert wurden. Südkorea orientiert sich neu zu fortschrittlicher Verpackungslithographie, angetrieben durch 3D-NAND- und SiP-Roadmapping von Samsung und SK Hynix. Schließlich verfeinern F&E-Konsortien im gesamten APAC neue Photoresist-Chemien für High-NA- und NIL-Lösungen.
   
• Der Markt für Photoresist-Chemikalien für fortschrittliche Lithographie in Lateinamerika ist noch ein Frühmarkt für Photoresist-Chemikalien, aber es findet eine langsame Aufnahme durch regionale Integration in die globale Halbleiter-Wertschöpfungskette statt. Brasilien und Mexiko etablieren sich als Zentren für fortschrittliche Verpackung und Tests, aufgrund von niedrigeren Arbeitskosten und der Nähe zu Nordamerika.
   
• Brasiliens nationale IoT-Strategie und Mexikos Eintritt in die Initiativen zur Rückgewinnung von Halbleitern in den USA haben begonnen, Investitionen in Lithographiematerialien zu unterstützen, die Photoresist-Chemikalien einschließen. Mit staatlichem Interesse am Aufbau von Halbleiter-Bildungs- und Forschungs- und Entwicklungszentren könnte es langfristig Chancen für wertvolle Fähigkeiten bei der Anwendung und Prüfung von Resistmaterialien geben. Allerdings sind fehlende inländische Fertigungsanlagen für zusätzliche Resist-Forschungs- und Entwicklungsarbeiten Hindernisse für das kurzfristige Wachstum.
   
• Die Region Nahost und Afrika ist ein aufstrebender Markt für halbleiterbezogene Innovation, konzentriert sich jedoch noch immer auf Design, Beschleunigung von KI-Chips und kommerzielle Forschungskooperationen, anstatt Material herzustellen.
   
• In Israel wächst das Ökosystem durch Partnerschaftsmodelle, die sich auf Forschungs- und Entwicklungsarbeiten zwischen lokalen Startups, ARM-Lizenznehmern und globalen integrierten Schaltkreisanbietern konzentrieren, was zu einer spezialisierten Nachfrage nach fortschrittlichen Lithographiematerialien führt, die für das Ökosystem hergestellt werden sollen. Die VAE und Saudi-Arabien verfügen über nationale Halbleiterstrategien, die mit Vision 2030 verbunden sind und Teil ihrer wirtschaftlichen Diversifizierungsziele sind, was zu Ankündigungen spezialisierter Drehscheiben für Photonik und Chip-Verpackung führt.
   

Marktanteil Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie

Der weltweite Markt für Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie ist konzentriert, wobei die fünf Top-Konkurrenten – JSR Corporation, Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Fujifilm Electronics Materials, Shin-Etsu Chemical und Dongjin Semichem – voraussichtlich über 50 % des globalen Marktanteils im Jahr 2024 ausmachen werden. Die Branchenführer sind etablierte Unternehmen mit lukrativen, langjährigen Beziehungen zu großen Halbleiterfertigern und einem starken Portfolio an geistigem Eigentum (IP) in EUV- und ArFlip-Resistchemikalien.
 

Unternehmen tätigen erhebliche Investitionen in Plattformen der nächsten Generation für EUV- und High-NA-EUV-Resistenz; JSR und TOK stehen an der Spitze der kommerziellen Bereitstellung von EUV-Chemikalien durch Kooperationen mit Intel, Samsung und TSMC. Fujifilm und Shin-Etsu etablieren sich ebenfalls rund um chemisch verstärkte Resistmaterialien (CARs) und metallhaltige Resistmaterialien für Strukturgrößen unter 2 nm.
 

Unterscheidungsmerkmale auf dem Markt für Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie werden weiterhin Produktleistungsfaktoren wie Anpassung, Ätzwiderstand, Kontrolle der Kantencauität (LER) und Empfindlichkeitskennzahlen sein, während Preisdifferenzierung in die sekundäre Kategorie fällt, da die Materialeigenschaften, die bei kritischen Abmessungen aussagekräftig sind, mehr Gewicht in der Gesamtstrategischen Wettbewerbsfähigkeit für ein Fab haben.
 

Der Marktplatz verzeichnet auch einen Anstieg in der Gemeinschaft von Joint Ventures (JVs) und/oder Forschungs- und Entwicklungskooperationen. Beispiele für diese Kooperationen sind IMEC-JSR, Fujifilm-Samsung und TOK-ASML. Viele Hersteller arbeiten auch zusammen, um Resistchemikalien für spezifische Anwendungsfälle im Zusammenhang mit Lithographiehardware und -verfahren gemeinsam zu entwickeln.
 

Photoresist-Chemikalien für fortgeschrittene Lithographie – Marktunternehmen

Hauptakteure in der Photoresist-Chemikalienindustrie für fortgeschrittene Lithographie sind:

• Brewer Science, Inc.
• Dongjin Semichem Co., Ltd.
• Dow
• Eternal Materials Co., Ltd.
• Fujifilm Holdings Corporation
• Inpria Corporation
• Irresistible Materials Ltd.
• Jiangsu Nata Opto-electronic Material Co., Ltd.
• JSR Corporation
• Kayaku Advanced Materials
• Merck KGaA
• Micro Resist Technology GmbH
• Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
• Sumitomo Chemical Company
• Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
   

JSR Corporation:JSR ist weltweit als Pionier in der Entwicklung fortschrittlicher Photoresist-Technologie bekannt und war eines der ersten Unternehmen, das chemisch verstärkte EUV-Resists kommerzialisierte. JSR unterhält starke Partnerschaften mit imec und TSMC. JSR entwickelt EUV- und High-NA-Photoresists nach den Anforderungen ihrer Kunden und konzentriert sich auf die Leistung ihrer metallhaltigen Photoresists sowie auf die Zusammenarbeit mit Kunden bei Sub-2-nm-Knoten und Co-Entwicklung.
 

Tokyo Ohka Kogyo (TOK): TOK kann den Markt mit einem umfangreichen Sortiment an Resists beeinflussen, darunter 193i, KrF und EUV. TOK verfolgt eine vertikal integrierte Strategie vom Monomer bis zum fertiggestellten Resist und passt die Prozesschemie jedes Fabs an, um die Kundenbindung zu vertiefen. Weitere maßgeschneiderte Implementierungen für Prozesschemien wurden über die Kundenerwartungen hinaus vorangetrieben. Innovation mit Negativton-Resists und dicken Resists für fortgeschrittene Verpackungen wird hervorgehoben.
 

Fujifilm Electronic Materials: Fujifilm hat ihre hochauflösenden Photoresists mit niedriger LER und Mehrfunktions-Mehrschicht-Resistsysteme für die EUV-Lithographie verbessert. Fujifilm nutzt sein umfangreiches Fachwissen in organischer Chemie und Beschichtungstechnik, um die Komplexität der 3D-NAND- und Logic-Layer-Strukturierung zu lösen. Um ihre globalen Fabs zu unterstützen, erweitert Fujifilm seine Fertigungsinfrastruktur in den USA und Japan.
 

Shin-Etsu Chemical: Shin-Etsu Chemical ist der primäre japanische Hersteller, der Immersions- und ArF-Photoresists für den Markt anbietet, mit Fokus auf hochaspektverhältnisreiche Strukturen. Shin-Etsu spielt eine Schlüsselrolle in der Lieferkette für die DRAM- und Logic-Chipherstellung und hat eine starke Kompetenz in der Synthese von Basispolymeren entwickelt, die es dem Unternehmen ermöglicht, die Photoresists für Stabilität und Konsistenz über lange Verarbeitungsintervalle hinweg zu optimieren.
 

Dongjin Semichem: Dongjin gewinnt an Dynamik, besonders in den EUV- und fortgeschrittenen DUV-Photoresist-Märkten, und beginnt, Marktanteile mit Volumenlieferungen an das Samsung-3-nm-Fab zu gewinnen. Unter starker staatlicher Anleitung baut Dongjin seine Position als inländische Alternative zu japanischen Lieferanten auf und verfolgt aggressive F&E an Photoresists der nächsten Generation sowie Fab-Pilotstests mit seinen Photoresists.
 

Photoresist Chemicals for Advanced Lithography – Branchennachrichten

• Im September 2023 kündigte die JSR Corporation an, dass sie durch die Pilotlinie von IMEC ihr Photoresist der nächsten Generation mit Metalloxid für die High-NA-EUV-Lithographie qualifiziert hat.
   
• Im Juli 2023 kündigte Tokyo Ohka Kogyo (TOK) eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung mit Intel an, um Photoresists für Prozesse der nächsten Generation mit Sub-2-nm zu entwickeln.
   
• Im Juni 2025 kündigte Fujifilm Electronics Materials an, dass die Erweiterung seiner Photoresist-Fertigungsanlage in Kumamoto, Japan, abgeschlossen wurde, mit einer Steigerung der Kapazität für EUV-Resists um 30 % aufgrund der zunehmenden Nutzung durch TSMC.
   
• Im April 2025 kündigte Shin-Etsu Chemical die Einführung ihres neuen Resist mit niedriger LER (chemisch verstärkte Resists, CARs) an, die für die 193-nm-Immersions-Lithographie für fortgeschrittene Verpackungsanwendungen optimiert sind.
   
• Im Februar 2025 begann Dongjin Semichem offiziell mit der Lieferung von EUV-Photoresists an Samsung Foundry für seine 3-nm-Produktionslinien als erstes kommerzielles Geschäft zur Unterstützung der EUV-Anforderungen von Halbleitherstellern bei diesem Knoten.
   
• Im Dezember 2024 kündigte Merck KGaA an, dass eine Investition in Höhe von 35 Millionen USD in die Photochemie-F&E-Anlage in Darmstadt, Deutschland fließen wird, mit Fokus auf nachhaltige und High-NA-Lithographie-Materialien.
   

Der Marktforschungsbericht „Photoresist Chemicals for Advanced Lithography" umfasst eine detaillierte Abdeckung der Branche, mit Schätzungen & Prognose in Bezug auf Umsatz (USD Million) & Volumen (Tonnen) von 2021 bis 2034, für die folgenden Segmente:

Markt, nach Typ

• Positive Photoresists
  • Acrylat-basierte Photoresiste
  • Novolac-basierte Systeme
  • Poly(Methylmethacrylat) (PMMA)
• Negative Photoresists
  • Epoxid-basiert
  • Siliziumhaltige Photoresiste
  • Metallhaltige Photoresiste

Markt nach Lithographietechnologie

• DUV-Lithographie
  • 248 nm KrF-Lithographie
  • 193 nm Trockenlithographie
  • 193 nm Immersionslithographie (ARFI)
• Extreme Ultraviolett (EUV)-Lithographie
  • EUV @ 13,5 nm
  • High-NA EUV
• I-Line-Lithographie (365 nm)
• Nanoimprint-Lithographie (NIL)
• Elektronenstrahllithographie

Markt nach Endanwendung

• Halbleitergerätefertigug
  • Logik-Bauelemente
  • Speichergeräte
  • Edge-Geräte
  • Bildsensoren
• MEMS-Geräte
  • Automobilmechanische Mikrosysteme
  • Consumer-Electronics-Mikrosysteme
  • Industrie- und Gesundheitswesen-Mikrosysteme
• Displayelektronik-Anwendungen
  • LCD-Herstellung
  • OLED-Display-Produktion
  • Displays der nächsten Generation
• Fortgeschrittene Verpackungsanwendungen
  • 3D-Verpackung
  • System-in-Package (SIP)
  • Wafer-Level-Verpackung (WLP)
• Fotomaskenfertigung
  • EUV-Maske
  • DUV-Maske

Die obigen Informationen werden für die folgenden Regionen und Länder bereitgestellt:

• Nordamerika 
  • USA
  • Kanada
• Europa 
  • Deutschland
  • UK
  • Frankreich
  • Spanien
  • Italien
  • Übriges Europa
• Asien-Pazifik 
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Südkorea
  • Übriger Asien-Pazifik
• Lateinamerika 
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Argentinien
  • Übriges Lateinamerika
• Naher Osten und Afrika 
  • Saudi-Arabien
  • Südafrika
  • VAE
  • Übriger Naher Osten und Afrika