电动汽车用氮化镓（GaN）功率芯片市场 尺寸和份额 2025 - 2034

电动汽车用氮化镓功率芯片市场规模

根据 Global Market Insights Inc. 发布的最新报告，2024年全球电动汽车用氮化镓（GaN）功率芯片市场规模为2.97亿美元。预计市场将从2025年的3.601亿美元增至2034年的15亿美元，复合年增长率（CAGR）为15.5%。
 

随着汽车制造商大规模采用高频、高功率密度转换级，市场迎来拐点。这一变化与电动汽车销量激增及充电设施扩建相呼应，推动单车和单个充电站的电力电子器件总量不断增加。2024年，全球电动汽车销量达到1,700万辆，占新车销量的比例超过20%；全球电动汽车保有量接近5,800万辆，持续带动车辆及基础设施对高效电能转换的需求。
 

预计2025年至2034年，市场规模将从3.601亿美元增至15.2亿美元，复合年增长率（CAGR）为15.5%。车队规模扩大、车载充电机（OBC）功率水平提升（趋向11–19.2 kW），以及GaN在DC–DC转换器和充电器拓扑中的渗透率提高，将共同支撑市场增长；在这些应用中，高频运行可带来系统级性能提升。随着出货量扩大、价格趋于正常化，年同比增速将从早期的三位数飙升回落至mid-2020s的20%出头，并在2030年代初进一步降至15%左右。
 

GaN在车载充电机方面的优势已在硬件演示中得到充分体现：一款6.6 kW、100 kHz的GaN设计实现了99%的峰值效率，与硅基方案相比，体积减少53%、质量降低79%，功率密度从3.9 kW/L提升至10.5 kW/L，功率质量比从1.6 kW/kg提高至9.6 kW/kg。这些都是提升电动汽车续航里程和优化封装的关键因素。采用650 V GaN开关的近期车载充电机原型也已展示出高功率密度、双向运行能力，适用于V2G-ready设计。
 

2022年至2024年，全球公共充电点数量翻了一番，超过500万个；快速充电器增至200万个，超快充电设备（>150 kW）增加逾50%。这些变化进一步凸显了紧凑、高效电能转换的需求，而GaN在功率因数校正（PFC）和DC–DC级中具有优势。因此，我们预计，在空间受限的城市站点和车队基地充电场景中，充电器制造商将逐步采用标准化的高频设计，从而进一步推动中压级GaN需求。
 

联邦政府对电动汽车购买和充电设施建设的激励措施，为北美GaN应用提供了支撑，其中包括清洁汽车抵免政策，以及为快速充电走廊提供资金支持的NEVI计划。美国市场受益于政府路线图的推动，该路线图将200 kW、800 V牵引系统和高功率密度车载充电机指标列为目标，促使供应商在短期内转向高频GaN设计。2024年，美国电动汽车市场销量约为160万辆（市场份额约10%），这一市场基础支撑着车载充电机和DC–DC转换器出货量增长，并有利于GaN应用。随着当地充电网络不断扩展，加拿大的政策支持和省级计划也进一步助推了市场发展。
 

亚太地区是全球领先市场，中国的电动汽车销量接近全球总量的三分之二，公共充电设施安装量也居于主导地位，超过325万个，为氮化镓（GaN）在车载充电机（OBC）和充电桩领域创造了全球最大的市场机遇。中国的政策、以旧换新计划和V2G路线图进一步推动市场增长，印度的PM e-DRIVE计划及东南亚各国的激励措施则拓宽了区域市场基础。日本和韩国为市场带来先进的研发和供应链能力。随着800 V平台在高端细分市场中日益普及，高压氮化镓技术的成熟度将影响亚太地区市场发展的下一阶段。
 

电动汽车用氮化镓功率芯片市场趋势

行业正从独立分立器件转向集成式半桥级和模块，这些产品将氮化镓开关与驱动器和保护电路共同封装，可降低布局敏感性和电磁干扰（EMI），同时改善热传导路径。公私合作项目加快了宽禁带（WBG）技术的商业化，推动了面向充电器和车载充电机的集成式氮化镓解决方案。与此同时，汽车制造商正将多功能电源域集成到车辆中，进一步推动集成度提升。
 

公共充电点数量在2022年至2024年间翻了一番，超过500万个；同期，超快速充电桩（>150 kW）的数量增长了50%。针对大功率充电站的监管要求提高了对高密度、高效率转换级的要求。极端快速充电需求推动电力电子技术向更高频率和更高功率密度发展，而氮化镓在功率因数校正（PFC）和谐振转换器（LLC）级中表现出色。
 

已验证的车载充电机转换器表明，与硅基方案相比，氮化镓可使功率密度提高170%、质量降低79%；在一款6.6 kW双有源桥原型机中，其峰值效率达到99.0%。分析指出，与硅器件相比，氮化镓器件能够以高得多的开关频率运行，同时显著降低导通损耗，使磁性元件和冷却硬件得以缩小，并使先进转换器的损耗降低60–80%。设计团队也在重新优化开关频率，以平衡转换器性能提升与牵引系统相关应用中的电机寄生损耗。
 

研究项目已展示出采用高κ HfO2栅极介质的1.2 kV氮化镓MOSFET，其栅极漏电流创下新低，电流密度也有所提升。这使垂直氮化镓具备与碳化硅竞争的潜力；待衬底和工艺成熟度取得进展后，其适用电压可达≤1.2 kV。不过，面向800 V及以上电压平台和150 kW牵引应用的汽车级认证仍有待推进；鉴于原生氮化镓衬底成本和可靠性验证仍在攻关，行业路线图预计相关技术将在本世纪末前后达到就绪状态。
 

电动汽车用氮化镓功率芯片市场分析

了解关键趋势

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按器件结构划分，电动汽车用氮化镓功率芯片市场分为横向氮化镓器件和垂直氮化镓器件。横向氮化镓器件细分市场占据主导地位，2024年约占70%的市场份额，预计2025年至2034年的复合年增长率（CAGR）为16.1%。
 

• 横向GaN器件仍是电动汽车功率电子领域的商业主力，应用于车载充电机（OBC）、DC–DC转换器及辅助系统，电压最高可达650 V；多家供应商提供通过汽车级认证的产品组合。其在硅衬底上构建的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构具有较高的电子迁移率和临界电场强度，因此与硅器件相比，在较高阻断电压下仍能实现较低的导通电阻。
   
• GaN-on-Si可利用现有的200 mm硅晶圆厂；随着良率提升，其成本曲线颇具吸引力。其高速开关特性还可在OBC的LLC和DAB拓扑中采用更小的磁性元件和散热硬件。目前，横向器件的实际电压上限通常约为650 V，因此通过汽车级认证的应用主要集中在牵引电压等级以下。
   
• 垂直GaN代表了高压领域的前沿。研究已展示采用高κ介电层的1.2 kV级MOSFET，以及实验室中耐压达数千伏的二极管，表明该器件在牵引级阻断电压下具有可行的物理基础。然而，受衬底成本和供应情况影响，加之器件需要具备可靠的短路、雪崩和稳定性特性，预计其要到本年代后期才能满足汽车应用要求。目前，GaN仍将主要应用于OBC、DC–DC转换器和充电器转换环节，这些场景以中压性能为主。

按电压划分，电动汽车用氮化镓功率芯片市场分为低压（≤100V）、中压（100V-650V）和高压（>650V）。2024年，中压（100V-650V）细分市场占据主导地位，市场份额为67%；预计2025年至2034年，该细分市场的复合年增长率将达到16%。
 

• 中压GaN（100–650 V）在各类应用中占据最大份额，因为车载充电机（目前用于400 V电池系统，至2030年将逐步采用800 V设计）以及许多DC–DC转换器都处于这一电压范围。GaN的高频优势在此可直接转化为功率密度和效率的提升，适用于6.6–19.2 kW车载充电机中的PFC与LLC拓扑，或图腾柱PFC加谐振级拓扑。
   
• 低压GaN（≤100 V）适用于12/48 V辅助转换器，在中等功率下可实现极高效率；不过，对于基本功能，硅器件通常仍具有更高的成本竞争力。
   
• 高压GaN（>650 V）是一个新兴细分市场，将决定其在牵引系统中的渗透程度。垂直GaN技术日趋成熟的同时，多电平逆变器和ANPC拓扑可弥补这一差距。
   

按车型划分，电动汽车用氮化镓功率芯片市场分为乘用车、商用车以及两轮和三轮车。乘用车细分市场占据主导地位，2024年市场规模为2.257亿美元。
 

• 年销量达百万辆级的乘用电动汽车，为电力电子产品提供了最大的潜在市场。这一规模直接决定了车载充电器（OBC）、DC–DC 转换器以及高效紧凑型设计的订单规模，而氮化镓（GaN）器件在这些应用中表现尤为出色。相比之下，商用电动汽车的普及也在加速，但增速不及乘用电动汽车，因此目前氮化镓器件在商用电动汽车细分市场的渗透率仍受到限制。
   
• 2024年11月，比亚迪向中国市场推出了全新 Seal 06 DM-i 插电式混合动力轿车，彰显了公司持续拓展高效紧凑型乘用电动汽车市场的战略。这款车型采用了先进的车载充电和 DC–DC 转换级，氮化镓功率器件在这些应用中的采用正逐步增加，以尽可能减少效率提升并缩小系统尺寸。
   
• 乘用车强调轻量化、优化封装和提高能量密度，以最大限度延长续航里程并提升用户体验。氮化镓具有高功率密度、冷却需求较低和功率级更小等优势，非常适合满足这些设计要求。随着汽车制造商努力打造更薄、更轻的车载充电器和 DC–DC 单元，氮化镓的应用步伐不断加快。在商用车队中，空间和重量考量相对不那么重要，因此以碳化硅（SiC）为代表的高压牵引逆变器更具优势。
   
• 乘用电动汽车整车厂通常在激烈的消费市场竞争和监管要求推动下，更快采用新的半导体技术。在试点项目和早期出货量的支持下，这加快了氮化镓器件在车载充电器和充电系统中的认证进程。然而，由于可靠性要求较高且承受的电压应力更大，重型车辆和公交车细分市场的认证周期往往更长，从而减缓了氮化镓的普及。
   

按销售渠道划分，电动汽车用氮化镓功率芯片市场分为整车厂和售后市场。整车厂细分市场占据主导地位，2024年市场规模为2.575亿美元。
 

• 整车制造商（OEM）通过在电动汽车平台中端到端集成氮化镓（GaN）功率器件，主导着市场应用，涉及车载充电器（OBC）、DC–DC转换器和牵引系统等。与第三方供应商不同，OEM掌控整个设计流程，因此能够重点优化紧凑性、效率和轻量化。这使其能够在平台开发早期集成GaN，同时满足性能和法规目标，并凭借规模实现成本竞争力。
   
• 领先的OEM在研发方面投入巨大，并与GaN芯片制造商开展直接合作，共同开发针对特定应用的解决方案。这有助于加快汽车级认证，并确保产品在高温、振动和快速充电等严苛条件下的可靠性。由于OEM最了解终端车辆的规格要求，其推动应用普及的力度超过二级供应商，并在效率和创新指标方面保持领先。
   
• 2023年7月，Hyundai Motor Company与Infineon Technologies携手合作，为下一代电动汽车平台采购GaN和碳化硅（SiC）半导体。该协议涉及为该公司乘用电动汽车的车载充电器和DC–DC转换器供应GaN器件，并提供效率更高、重量更轻的功率电子设备。
   
• OEM通过与GaN供应商开展长期采购和多供应商采购，获得规模优势，从而降低成本障碍。成熟的供应链也有助于在全球电动汽车平台中轻松实现GaN器件的本地化和集成。凭借出货量领先和对供应商的议价能力，OEM在推动GaN以大众市场规模应用方面，相较于售后市场或规模较小的系统集成商，拥有更广泛的竞争优势。

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2024年，中国以7340万美元的收入主导亚太地区电动汽车用氮化镓（GaN）功率芯片市场。
 

• 中国的电动汽车销量占全球近三分之二，2023年销量超过800万辆。这一庞大的市场规模为GaN功率芯片创造了最广阔的潜在市场，因为每辆电动汽车都需要车载充电器、DC–DC转换器和充电基础设施，而这些设备均受益于GaN的小巧和高效。巨大的产量使中国远远领先于日本、韩国和印度等其他亚太市场。
   
• 政府大力推行支持新能源汽车（NEV）、充电网络和本土半导体制造的政策，共同推动该地区成为市场领导者。补贴、本地制造要求以及V2G（车辆到电网）路线图，加快了高功率电子设备的普及。这类政策既刺激了需求，也推动GaN本地化，为该地区的生态系统发展提供了强劲动力。
   
• 中国是全球镓供应的重要组成部分，并掌握着GaN晶圆制造的市场份额，Innoscience等企业正引领大规模生产。BYD、NIO和XPeng等全球主要企业均位于中国，并在车载充电器和充电系统中采用基于GaN的技术。从原材料到整车的垂直一体化价值链，使中国在GaN应用规模化方面具备无可比拟的优势。
   

2025年至2034年，美国电动汽车用GaN功率芯片市场将大幅增长，复合年增长率（CAGR）为13.8%。
 

• 美国政府正通过《通胀削减法案》（IRA）、清洁汽车抵免政策以及国家电动汽车基础设施计划（NEVI），加快电动汽车普及，并为全国范围内的快速充电走廊提供资金支持。随着电动汽车在新车销量中的渗透率超过10%，对高效电力电子设备的需求正在加速增长。氮化镓（GaN）体积小、重量轻，有望从中受益；为实现成本和效率目标，车载充电器和 DC–DC 系统的功率规格也在不断提升。
   
• 美国拥有 Navitas Semiconductor、EPC 和 Transphorm 等氮化镓领域的先行企业，以及 PowerAmerica 等由美国能源部（DOE）支持的团体。这些机构正推动符合汽车应用要求的氮化镓器件实现商业化量产。美国持续投资先进封装、垂直氮化镓技术开发以及 800 V 系统准备工作，其创新管线将确保氮化镓在本十年内迅速渗透电动汽车平台。
   
• Navitas Semiconductor 于 2024 年 1 月宣布，该公司的 GaNFast 电源 IC 将应用于美国电动汽车平台的下一代车载充电器。该公司指出，与硅基产品相比，Navitas 的产品可实现 3 倍的功率密度，并使系统体积缩小 50%，符合美国原始设备制造商（OEM）推动电力电子设备小型化和高效化的方向。
   
• 政府和私人资金正加快在美国各地建设快速充电站和超快速充电站（150 kW 以上）。随着大功率充电成为主流，微型高频氮化镓器件在电能转换环节中日益受到青睐。特斯拉、GM 和 Ford 等 OEM 不断扩大电动汽车车队及充电基础设施规模，推动美国市场对氮化镓在车载系统和充电基础设施中的应用形成强劲需求。
   

德国电动汽车氮化镓（GaN）功率芯片市场将在2025年至2035年间实现强劲增长。
 

• 德国是欧洲最大的汽车产业中心，拥有 Volkswagen、BMW 和 Mercedes-Benz 等领先 OEM，这些企业正加快扩充电动汽车产品阵容。随着这些汽车巨头致力于提升车载充电器（OBC）和 DC–DC 转换器的效率、小型化水平及轻量化程度，采用氮化镓成为顺理成章的发展方向。Bosch 和 Continental 等一级供应商的参与，也加快了氮化镓在下一代电动汽车架构中的应用。
   
• 在欧盟《芯片法案》相关举措的支持下，德国成熟的半导体研发体系正加速推动氮化镓商业化。研究机构、汽车 OEM 和半导体企业之间的多方合作，将加快氮化镓的应用及其通过汽车级认证。随着德国快速充电网络不断扩展，这一生态系统为电动汽车领域氮化镓功率芯片市场的强劲增长创造了有利条件。
   
• Volkswagen Group 于 2023 年 9 月表示，已与 Infineon Technologies 合作，为其下一代电动汽车平台采购宽禁带半导体，包括氮化镓功率器件。该协议涉及车载充电器和快速充电系统；与硅基器件相比，氮化镓在效率和体积方面更具优势。
   

巴西电动汽车氮化镓（GaN）功率芯片市场将在2025年至2034年间显著增长。
 

• 2024年，拉丁美洲占电动汽车（EV）氮化镓（GaN）功率芯片市场的3%，且正以显著的10.5%复合年增长率（CAGR）增长。受政府激励措施、下调电动和混合动力汽车关税以及加快电力基础设施建设等举措推动，巴西电动汽车的普及速度很快。随着巴西努力拓展汽车市场，不再局限于生物燃料汽车和混合动力汽车，电动汽车的渗透率将持续稳步提升。这一转变将推动GaN等高效功率电子产品的市场增长，主要应用于车载充电器和DC–DC转换器，因为在这些应用中，缩小尺寸和提高功率密度至关重要。
   
• 巴西的充电网络大幅扩张，城市中心以及长途公路沿线陆续建成快速充电中心。汽车制造商和能源企业纷纷投入超快充电方案，以支持电动汽车长途行驶。GaN具备高频开关特性，并能缩小功率转换级的尺寸、提高其效率，因此非常适合不断扩大的巴西充电基础设施，进而加快其普及。
   
• 该地区拥有拉丁美洲规模最大的汽车产业之一，大众汽车、通用汽车和Stellantis等知名原始设备制造商（OEM）均在当地设有生产设施。随着这些OEM开始在巴西市场推出电动汽车车型，对在该地区采用高端半导体的需求将不断增长。推动区域化供应链以及与GaN供应商开展潜在合作的意愿，将为巴西电动汽车市场GaN功率芯片实现显著增长奠定基础。
   
• 2024年3月，比亚迪启动了在巴西卡马萨里建设电动汽车制造综合体的工程，投资额超过USD 600 million。该综合体将涵盖电动汽车本地组装、电动巴士组装以及电池系统组装。比亚迪已在其部分现有电动汽车车型中配备基于GaN的车载充电器和DC–DC转换器。
   

预计2025年至2034年，阿联酋电动汽车氮化镓功率芯片市场将实现强劲增长。
 

• 阿联酋正通过“2050净零排放”战略和“2030愿景”举措，大力推动电动汽车普及。政府通过提供免费停车、道路通行费通行证以及降低注册费用等措施，鼓励消费者转向电动汽车。随着普及率持续提升，各类车辆对更小巧、高效率的车载充电器和DC–DC转换器的需求也随之增加，为GaN功率芯片带来重要市场机遇；与硅基产品相比，GaN在节省空间和提升效率方面均更具优势。
   
• 迪拜电力和水务局（DEWA）于2023年10月宣布扩大其电动汽车绿色充电网络，在迪拜部署的充电站已超过1,000座。部分新安装的快速和超快速充电设备采用GaN器件等宽禁带半导体，以提高效率并缩小设备尺寸。
   
• 阿联酋正迅速部署电动汽车充电站，迪拜电力和水务局（DEWA）以及阿布扎比的阿布扎比水电局（ADWEA）正引领快速和超快速充电网络投资。GaN在高频、高效率转换方面具有优势，因此成为快速充电系统的首选方案。阿联酋计划沿高速公路和智慧城市枢纽建设150 kW以上的充电站，这使GaN成为提升充电基础设施效率的关键技术。
   

电动汽车氮化镓功率芯片市场份额

该市场排名前7位的企业包括 Navitas Semiconductor、GaN Systems、EPC、Texas Instruments、Infineon Technologies、ROHM Semiconductor 和 STMicroelectronics。2024年，这些企业合计占据约90%的市场份额。
 

• Navitas Semiconductors占据40%的市场份额，是GaN功率IC领域的先驱。其产品将GaN FET、栅极驱动器和保护功能集成于紧凑型设计中，适用于车载充电器（OBC）和直流-直流（DC–DC）转换器。集成式架构可降低物料清单（BoM）成本和布局敏感性，同时简化电磁兼容（EMC）设计，契合高频OBC的目标要求。
   
• GaN Systems提供通过汽车级认证的650 V分立器件和模块，其低导通电阻（RDS (on)）适用于高功率密度LLC和移相全桥（PSFB）设计。其并入Infineon后，模块封装能力和一级供应商渠道得到拓展，有助于把握更广泛的牵引系统相关机遇。
   
• EPC Corporation开发增强型GaN器件，突出超低损耗和小巧尺寸，适用于数百kHz的OBC/DC–DC开关应用，尤其适合对功率密度和电磁干扰（EMI）要求较高的场景。
   
• Texas Instruments提供面向OBC的GaN功率IC平台，通过集成驱动器和保护功能实现高效率和高功率密度，并借助汽车级认证流程及丰富的模拟/混合信号产品组合提供系统解决方案。
   
• Infineon Technologies将自主GaN研发与GaN Systems的资产相结合，着重推进模块集成和未来十年内的800 V平台就绪能力，同时依托深厚的汽车级认证经验和全球制造布局。
   
• ROHM Semiconductor是一家垂直整合的宽禁带（WBG）供应商，投资提升用于OBC/DC–DC的GaN器件和封装可靠性，并凭借与日本原始设备制造商（OEM）的紧密合作关系支持应用联合开发。
   
• STMicroelectronics采取GaN/SiC双轨战略并开发模块，为动力总成系统解决方案提供支持，同时利用其微控制器（MCU）和传感产品组合开展集成设计。
   

电动汽车用氮化镓功率芯片市场企业

电动汽车用氮化镓（GaN）功率芯片行业的主要参与企业包括：
 

• EPC
• GaN Systems
• Infineon Technologies
• Innoscience
• Navitas
• Power Integrations
• ROHM Semiconductor
• STMicroelectronics
• Texas Instruments
• Transphorm
   
• Navitas Semiconductor 已成为 GaN 功率 IC 领域的先驱，将 GaN FET、栅极驱动器和保护功能集成于高度紧凑的解决方案中。其集成架构可减少物料清单项目、简化布局并提升电磁兼容性（EMC）表现。这使 Navitas 在车载充电器（OBC）和 DC–DC 转换器领域具备显著优势，因为这些应用将效率和功率密度视为首要目标，也让 Navitas 成为电动汽车 GaN 市场的领先企业。
   
• GaN Systems（Infineon）凭借针对高功率密度 LLC 和 PSFB 实现方案优化的车规级 650 V GaN 器件，发挥着关键作用。被 Infineon 收购后，GaN Systems 得以受益于更丰富的模块封装专业经验，并获得与 Tier-1 汽车供应商合作的机会，从而在牵引系统相关领域获得更大的发展空间。这种整合显著扩大了 Infineon 在汽车领域的 GaN 业务布局。
   
• Infineon Technologies 凭借全球规模优势和深厚的汽车产品认证经验，在电动汽车半导体领域占据主导地位。随着纳入 GaN Systems 的资产，Infineon 扩大了 GaN 产品组合，同时推动模块集成并为 800 V 平台做好准备。其全球制造布局以及作为全球最大汽车半导体供应商的地位，使 Infineon 成为电动汽车 GaN 市场的核心企业。
   
• EPC Corporation 以专注于增强型 GaN 器件而著称，此类器件具有极低损耗和紧凑的占用空间。这些器件尤其适用于开关频率达数百千赫兹的 OBC 和 DC–DC 转换器，在这类应用中，效率和降低电磁干扰（EMI）至关重要。EPC 专注于以性能为导向的高频 GaN 解决方案，因此已成为紧凑型电动汽车电力系统的首选供应商之一。
   
• Texas Instruments 将 GaN 技术融入其涵盖模拟、混合信号和电源管理解决方案的更广泛生态系统。其 GaN 平台面向车载充电系统，重点提升效率和功率密度，并配备集成式驱动器和保护功能。凭借其全面的汽车产品认证流程和系统级专业能力，TI 可提供交钥匙解决方案，缩短汽车制造商的设计周期。
   
• ROHM Semiconductor 是一家颇具特色的垂直整合宽禁带半导体供应商，大力投资于 GaN 器件可靠性和先进封装。其与日本 OEM 和 Tier-1 供应商的紧密合作关系，有助于共同开发电动汽车 GaN 应用。ROHM 同时致力于 SiC 和 GaN 技术，确保其继续成为电动汽车各类电力电子系统的重要供应商。
   
• STMicroelectronics 采取 GaN 与 SiC 并进的双轨战略，从而能够为电动汽车动力总成提供完整解决方案。其 GaN 业务得到强大的模块开发能力支持，而微控制器和传感产品组合则带来额外的系统集成优势。这使 STMicro 成为一家灵活的供应商，能够满足电动汽车市场多个电压等级的需求。
   
• EPC、Navitas 和 Transphorm 等企业也展现出新的差异化优势，持续推动集成、封装和垂直 GaN 开发领域的创新。这些企业通过聚焦特定的电动汽车功率级——车载充电、DC–DC 转换以及未来的牵引逆变器——逐步拓展市场，为汽车制造商提供专业化的高性能 GaN 解决方案，补充成熟巨头的广泛产品组合。
   

电动汽车氮化镓功率芯片行业新闻

• 2025年1月，美国国土安全部正式启动了其广泛的人工智能安全与保障委员会，并为联邦机构使用人工智能制定了新指南。该计划规定，处理公民数据的联邦人工智能系统必须进行人工智能影响评估，并于2025年7月开始实施。
   
• 2025年7月，Navitas Semiconductor宣布与PSMC（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation）建立战略合作伙伴关系，启动200毫米硅基氮化镓（GaN）生产。该计划旨在扩大氮化镓集成电路的制造规模，以满足电动汽车、可再生能源和快速充电系统的需求，增强Navitas的全球供应链，并支持电动汽车行业增长。
   
• 2024年5月，Infineon Technologies推出CoolGaN 650 V G5晶体管系列，这是该公司面向汽车和工业电力电子领域的新一代氮化镓器件。该系列提升了电动汽车应用中车载充电器和DC–DC转换器的开关效率与功率密度，进一步巩固了Infineon在宽禁带半导体领域的领先地位。
   
• 2024年8月，EPC Corporation推出EPC2361氮化镓场效应晶体管（GaN FET），其导通电阻低至1 mΩ。该器件可提高电动汽车车载充电和快速充电系统的功率密度与效率。此次发布彰显了EPC在紧凑型高性能氮化镓器件方面持续创新，这类器件适用于新一代电动汽车。
   
• 2024年8月，Infineon Technologies通过推出CoolGaN Drive系列集成式单开关和半桥驱动器，进一步扩展了其产品组合。该产品系列面向电动汽车和充电基础设施中的高效电力转换系统，可减少元件数量并提升系统级集成度。
   
• 2024年3月，Transphorm Inc.宣布扩展其AEC-Q101认证的650 V GaN FET产品系列，为车载充电器和DC–DC转换器提供符合汽车级要求的可靠性。这项进展使Transphorm成为全球少数拥有完全通过认证的氮化镓解决方案、可用于电动汽车动力系统应用的企业之一。
   

氮化镓（GaN）电动汽车功率芯片市场研究报告深入分析了该行业，涵盖以下细分市场在2021年至2034年期间的收入（十亿美元）和出货量（单位：件）估算与预测：

按器件架构划分

• 横向氮化镓器件
• 垂直氮化镓器件

按电压划分

• 低压（≤100V）
• 中压（100V-650V）
• 高压（>650V）

按封装划分

• 分立封装
• 功率模块
• 集成功率级

按应用划分

• 牵引逆变器
• 车载充电器（OBC）
• DC-DC转换器
• 充电基础设施
• 辅助电源系统

按推进方式划分

• 纯电动汽车（BEV）
• 插电式混合动力汽车（PHEV）
• 轻度混合动力汽车（MHEV）
• 燃料电池电动汽车（FCEV）

按车型划分

• 乘用车
  • 两厢车
  • 轿车
  • SUV 
• 商用车
  • 轻型商用车（LCV）
  • 中型商用车（MCV）
  • 重型商用车（HCV）
• 两轮车和三轮车

按销售渠道划分

• 原始设备制造商（OEM）
• 售后市场

以上信息涵盖以下地区和国家：

• 北美
  • 美国
  • 加拿大
• 欧洲
  • 德国
  • 英国
  • 法国
  • 意大利
  • 西班牙
  • 俄罗斯
  • 北欧
• 亚太地区
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 澳大利亚
  • 韩国
  • 菲律宾
  • 印度尼西亚
• 拉丁美洲
  • 巴西
  • 墨西哥
  • 阿根廷
• 中东和非洲（MEA）
  • 南非
  • 沙特阿拉伯
  • 阿联酋