电动汽车用氮化镓 (GaN) 功率芯片市场规模 - 按器件架构、电压、封装、应用、驱动方式、车辆类型、销售渠道划分，2025-2034 年增长预测

电动汽车用氮化镓功率芯片市场规模

2024年，全球电动汽车用氮化镓（GaN）功率芯片市场规模达2.97亿美元。根据Global Market Insights Inc.最新发布的报告，该市场预计将从2025年的3.601亿美元增长至2034年的15亿美元，复合年增长率为15.5%。

随着汽车制造商大规模采用高频、高密度转换阶段。该趋势追踪了电动汽车销量激增和充电设施建设扩大，这扩大了每辆车和每个充电站的功率电子内容总量。2024年全球电动汽车销量达到1700万辆，占新车销量的20%以上，而全球电动汽车保有量接近5800万辆，推动了车辆和基础设施中高效功率转换的持续需求。

从2025年到2034年，该市场预计将从3.601亿美元增长至15.2亿美元，复合年增长率为15.5%，得益于车队扩张、车载充电器功率水平提升（从11千瓦提升至19.2千瓦）以及DC-DC转换器和充电器拓扑中氮化镓渗透率提高，高频操作带来系统级收益。年增长率从早期的三位数增长放缓至2020年代中期的20%左右，并在2030年代初期降至10%左右，随着产量扩大和价格正常化。

氮化镓在车载充电器方面的优势在硬件演示中表现明显，100千赫兹的6.6千瓦氮化镓设计实现了99%的峰值效率，同时将体积减少53%，质量减少79%，与硅基准相比，功率密度从3.9千瓦/升提升至10.5千瓦/升，比功率从1.6千瓦/千克提升至9.6千瓦/千克，这是提升电动汽车续航里程和包装效率的关键因素。基于650伏氮化镓开关的最新车载充电器原型还展示了高密度、双向操作，适用于V2G（车辆到电网）就绪设计。

2022年至2024年，全球公共充电桩数量翻了一番，超过500万个，快速充电桩达到200万个，超快充电桩（>150千瓦）增加了50%以上，所有这些都加剧了对紧凑、高效转换的需求，氮化镓在PFC和DC-DC阶段表现突出。因此，我们预计充电设备制造商将在空间受限的城市站点和车队充电中标准化高频设计，进一步推动中压类氮化镓需求。

北美的氮化镓采用得到了电动汽车购买和充电设施建设的联邦激励措施的支持，包括清洁车辆税收抵免和NEVI计划资助快速充电走廊。美国市场受益于政府路线图，目标是200千瓦、800伏牵引系统和高密度车载充电器基准，这将在短期内推动供应商采用高频氮化镓设计。2024年美国电动汽车市场销量约为160万辆（约占10%），这一基础为车载充电器/DC-DC转换器的增长奠定了基础，有利于氮化镓。加拿大的政策支持和省级计划进一步推动了本地充电网络的扩展。

亚太地区市场全球领先，中国占电动汽车销量的近三分之二，并主导了公共充电安装，超过325万个，为氮化镓的车载充电器和充电器创造了全球最大的机会。中国的政策、置换计划和V2G路线图推动了增长，而印度的PM e-DRIVE和东南亚的激励措施扩大了区域基础。日本和韩国为先进的研发和供应链能力做出了贡献，随着800伏平台在高端市场的普及，高压氮化镓的准备情况将塑造亚太地区市场发展的下一阶段。

电动汽车用氮化镓功率芯片市场趋势

行业正从独立离散器件转向集成半桥级和模块，这些模块将GaN开关与驱动器和保护功能共封装，从而减少布局敏感性和EMI，同时改善热路径。公私合作项目加速了WBG技术的商业化进程，推动了GaN集成解决方案在充电器和OBC中的应用。同时，汽车制造商正在整合多功能电源域，进一步推动更高集成水平的趋势。

2022年至2024年，公共充电桩数量翻了一番，超过500万个，而超快充电桩（>150 kW）在同期增长了50%。高功率充电站的监管要求正在提高对高密度、高效转换级的要求。极端快速变化的需求推动功率电子向更高频率和密度发展，而GaN在这些PFC和LLC级中表现出色。

已展示的OBC转换器显示，GaN使功率密度提高了170%，而质量减少了79%，与硅基准相比，在6.6 kW双活桥原型中达到99.0%的峰值效率。分析表明，GaN器件可以在比硅更高的开关频率下运行，同时导通损耗显著降低，从而缩小磁性和冷却硬件，并将高级转换器的损耗降低60-80%。设计团队还在重新优化开关频率，以平衡转换器增益与拖动相关用例中的电机寄生损耗。

研究项目显示，1.2 kV GaN MOSFET采用高-κ HfO2栅介质，实现了记录低的栅漏电流和改善的电流密度，使垂直GaN在SiC的≤1.2 kV应用中具有竞争力，一旦基片和工艺成熟度趋同。然而，800 V+和150 kW拖动的汽车资质仍在前方；行业路线图预计在本世纪末达到成熟，因为原生GaN基片成本和可靠性证明仍在进行中。

电动汽车用镓硝化物功率芯片市场分析

根据器件架构，电动汽车用镓硝化物功率芯片市场分为侧向GaN器件和垂直GaN器件。2024年，侧向GaN器件细分市场占据主导地位，占比约70%，预计2025年至2034年将以16.1%的复合年增长率增长。

• 侧向GaN器件仍是电动汽车功率电子领域的商业主力，服务于OBC、DC-DC和辅助系统，电压等级可达650 V，并得到多家供应商的汽车资质认证支持。其AlGaN/GaN HEMT结构在硅基上实现高电子迁移率和高临界场强，使其在高阻断电压下的导通电阻比硅器件更低。
  
• 由于可利用现有200 mm硅晶圆厂，GaN-on-Si在产量提升后具有吸引力的成本曲线，而其高开关速度使OBC LLC和DAB拓扑中的磁性和热硬件更小。目前侧向器件的实际上限通常限制在~650 V的汽车资质部署中，这使得采用集中在拖动电压水平以下。
  
• 垂直GaN代表高压前沿。研究已经展示了1.2 kV级MOSFET和实验室级二极管达到数kV，表明在拖动级阻断电压下具有可行的器件物理特性。然而，基板成本和可用性，以及对短路、雪崩和稳定性特性的强大需求，意味着汽车级准备预计将在本十年末才能实现。目前，大多数GaN的采用仍将集中在OBC、DC-DC和充电器转换中，其中中压性能占主导地位。

按电压分类，电动汽车用氮化镓功率芯片市场分为低压（≤100V）、中压（100V-650V）和高压（>650V）。中压（100V-650V）细分市场在2024年占据67%的份额，预计该细分市场在2025年至2034年间将以16%的复合年增长率增长。

• 中压GaN（100-650V）主导了部署，因为OBC（目前400V电池系统，预计到2030年将升级为800V设计）和许多DC-DC转换器都落在这个范围内。GaN的高频优势在此直接转化为PFC和LLC或6.6-19.2kW OBCs中6.6-19.2kW OBCs中totem-pole PFC加上谐振级联的密度和效率提升。
  
• 低压GaN（≤100V）用于辅助12/48V转换器，在较低功率水平下实现极高效率，尽管硅在基本功能上仍更具成本竞争力。
  
• 高压GaN（>650V）是新兴细分市场，将决定牵引力渗透率。多电平逆变器和ANPC拓扑可以弥补差距，直到垂直GaN技术成熟。
  

按车辆类型分类，电动汽车用氮化镓功率芯片市场分为乘用车、商用车和两轮及三轮车。乘用车细分市场主导了市场，2024年市场规模达2.257亿美元。

• 每年百万台销量的乘用电动汽车代表了功率电子领域最大的可开发市场。这一规模直接控制了车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和高效紧凑设计的订单，其中GaN器件独占鳌头。相比之下，商用电动汽车渗透率正在加速，但强度不及乘用电动汽车，目前限制了该细分市场中GaN器件的渗透率。
  
• 比亚迪于2024年11月向中国市场推出了新款塞尔06 DM-i插电混动轿车，凸显了该公司向紧凑型高效乘用电动汽车扩张的步伐。该车型结合了先进的车载充电和DC-DC转换阶段，GaN功率器件正在逐步渗透，以最小化效率提升并减小系统体积。
  
• 乘用车强调轻量化、包装优化和能量密度，以最大化续航里程和用户体验。GaN提供的高功率密度、较低冷却需求和更小的功率级最符合这些设计要求。随着车企努力实现更薄、更轻的OBC和DC-DC单元，GaN的采用速度加快。空间和重量考虑在商用车队中不太重要，其中由SiC代表的高压牵引逆变器占据优势。
  
• 乘用电动汽车OEM通常通过强烈的消费市场竞争和监管要求更快采用新型半导体技术。这加速了GaN器件在OBC和充电系统中的资格认证，并得到试点项目和早期产量的支持。然而，重型车辆和巴士细分市场通常需要更长的资格认证期，因为可靠性要求和更高的电压应力，从而抑制了GaN的采用。
  

根据销售渠道，电动汽车（EVs）用氮化镓功率芯片市场分为OEM（原始设备制造商）和售后市场。OEM细分市场占据主导地位，2024年市场规模达2.575亿美元。

• OEM主导市场，因为它们在电动汽车平台中全流程集成氮化镓功率器件，如车载充电器（OBCs）、DC-DC转换器和驱动系统。与第三方供应商不同，OEM掌控整个设计流程，因此能够优先考虑紧凑性、效率和轻量化。这使得它们能够在平台早期阶段集成氮化镓，同时满足性能、法规目标和成本竞争力要求。
  
• 头部OEM在研发方面投入巨大，并与氮化镓芯片制造商建立直接合作关系，共同开发应用特定解决方案。这加速了汽车资质认证，并确保在高温、振动和快速充电等苛刻条件下的可靠性。由于OEM最接近终端车辆规格，它们推动氮化镓采用速度比二级供应商更快，帮助它们在效率和创新指标上保持领先。
  
• 2023年7月，现代汽车公司与英飞凌技术公司达成合作，为未来一代电动汽车平台采购氮化镓和碳化硅半导体。该协议涉及为车载充电器和DC-DC转换器提供更高效率和更轻量化的功率电子设备，用于该公司的乘用电动汽车。
  
• OEM通过长期采购和多源采购策略与氮化镓供应商合作，以降低成本门槛。其成熟的供应链也便于在全球电动汽车平台中实现氮化镓设备的本地化和集成。通过规模领先地位和供应商议价能力，OEM在大规模市场推广氮化镓方面比售后市场或较小的系统集成商具有更广泛的竞争优势。

中国主导亚太地区电动汽车用氮化镓功率芯片市场，2024年营收达7340万美元。

• 中国占据全球电动汽车销量的近三分之二，2023年销量超过800万辆。这一庞大规模为氮化镓功率芯片创造了最大的可触及市场，因为每辆电动汽车都需要车载充电器、DC-DC转换器和充电基础设施，这些都能从氮化镓的紧凑性和效率中受益。中国的生产规模远超日本、韩国或印度等其他亚太市场。
  
• 中国政府积极推行新能源汽车（NEVs）、充电网络以及本土半导体制造的政策，共同推动该地区在市场领导地位方面占据主导。补贴、本地化生产要求以及V2G（车辆到电网）路线图加速了高功率电子设备的采用。此类政策推动既促进需求端，也推动氮化镓本地化，为该地区的生态系统发展提供强劲动力。
  
• 作为全球镓供应的重要来源之一，中国控制着氮化镓晶圆制造的市场份额，企业如Innoscience等主导高产能生产。中国拥有全球关键企业如比亚迪、蔚来和小鹏，它们在车载充电器和充电系统中采用基于氮化镓的技术。从原材料到成品车的垂直整合价值链使中国在氮化镓采用方面具有无可匹敌的可扩展性。
  

美国电动汽车用氮化镓功率芯片市场将在2025年至2034年间以13.8%的复合年增长率（CAGR）快速增长。

• 美国政府通过《通胀削减法案》（IRA）、清洁车辆税收抵免以及国家电动汽车基础设施计划（NEVI）加速电动汽车（EV）采用，为跨国快速充电走廊提供资金支持。随着电动汽车渗透率超过新车销售的10%，高效功率电子需求加速增长。由于氮化镓（GaN）体积小、重量轻，在实现成本和效率目标的过程中，其在车载充电器和直流-直流系统中的应用将迎来增长机遇。
  
• 美国拥有Navitas半导体、EPC和Transphorm等氮化镓领先企业，以及能源部资助的PowerAmerica等组织。这些机构正在推动汽车级氮化镓器件的商业化生产。美国在先进封装、垂直氮化镓开发以及800V系统准备方面的持续投资，确保氮化镓将在本十年内快速渗透到电动汽车平台中。
  
• 2024年1月，Navitas半导体宣布其GaNFast功率IC将被整合到美国下一代电动汽车平台的车载充电器中。该公司指出，Navitas的产品使功率密度提高3倍，系统体积缩小50%，与美国OEM对紧凑、高效功率电子的需求一致。
  
• 政府和私人资金正在加速美国快速充电（150kW+）站的建设。随着高功率充电成为常态，微型高频氮化镓器件在转换阶段越来越受青睐。随着特斯拉、通用汽车和福特等OEM扩大电动汽车车队和充电基础设施，美国正在为氮化镓在车辆和充电基础设施中的应用创造强劲的需求拉动力。
  

2025年至2035年期间，德国电动汽车氮化镓功率芯片市场将经历强劲增长。

• 德国是欧洲最大的汽车中心，拥有大众、宝马和奔驰等顶级OEM，这些企业正在快速扩大电动汽车产品线。随着这些汽车巨头在车载充电器和直流-直流转换器中追求更高效率、更小体积和更轻重量，氮化镓的采用成为自然发展趋势。博世和大陆等一级供应商的存在也加速了氮化镓在下一代电动汽车架构中的应用。
  
• 德国成熟的半导体研发生态系统，加上欧盟芯片法案的推动，正在快速推动氮化镓的商业化。研究机构、汽车OEM和半导体公司之间的多边合作将加速氮化镓的采用和汽车级认证。结合德国不断扩大的快速充电网络，该生态系统为电动汽车领域氮化镓功率芯片市场的强劲增长提供了良好的土壤。
  
• 2023年9月，大众集团宣布与英飞凌技术合作，采购宽禁带半导体，包括氮化镓功率器件，作为其下一代电动汽车平台的一部分。该协议涉及车载充电器和快速充电系统，氮化镓在效率和体积方面优于硅。
  

2025年至2034年期间，巴西电动汽车氮化镓功率芯片市场将经历显著增长。

• 2024年，拉丁美洲占电动汽车氮化镓功率芯片市场的3%，并以10.5%的显著复合年增长率增长。巴西正在经历电动汽车的快速采用，得益于政府激励措施、电动和混合动力汽车的关税减免，以及加速电力基础设施增长的努力。
  

2025年至2034年期间，阿联酋电动汽车用镓硝化物功率芯片市场预计将经历强劲增长。

• 阿联酋在其净零2050战略和2030愿景倡议下积极推动电动汽车采用。政府通过免费停车、道路通行证和降低注册费等方式鼓励消费者升级至电动汽车。随着采用率的持续增长，对车辆中更小、更高效的车载充电器和DC-DC转换器的需求增加，为比硅在空间节省和效率方面更优的GaN功率芯片带来了显著的市场机会。
  
• 2023年10月，迪拜电力和水务管理局（DEWA）宣布扩大其EV Green Charger充电网络，在迪拜全境超过1,000个充电站。部分新安装的快速和超快速充电器采用宽禁带半导体，如GaN器件，以获得更高的效率和更小的体积。
  
• 阿联酋正在快速部署电动汽车充电站，迪拜电力和水务管理局（DEWA）和阿布扎比的阿布扎比水电管理局（ADWEA）正在投资快速和超快速充电网络。由于GaN在高频、高效转换方面表现优异，它成为快速充电系统的首选解决方案。在高速公路和智慧城市枢纽安装150 kW+充电站的趋势，使GaN成为充电基础设施效率的关键推动者。
  

电动汽车用镓硝化物功率芯片市场份额

该市场的前七家公司是Navitas半导体、GaN系统、EPC、德州仪器、英飞凌技术、ROHM半导体和意法半导体。这些公司在2024年占据了约90%的市场份额。

• Navitas半导体占据市场40%的份额，是GaN功率IC领域的开拓者，将GaN FET、驱动电路和保护功能集成在紧凑的实现方案中，适用于OBC和DC-DC应用。集成架构减少了BOM成本和布局敏感性，同时简化了EMC设计，符合高频OBC的需求。
  
• GaN系统提供符合汽车级认证的650V离散器件和模块，具有低RDS(on)特性，适用于高密度的LLC和PSFB应用。通过与英飞凌的合作，其模块封装技术和一级供应商渠道得以扩展，从而拓展了更广泛的市场机会。
  
• EPC公司开发增强型GaN器件，突出超低损耗和小型化设计，特别适用于数百kHz的OBC/DC-DC开关应用，在这些应用中密度和EMI性能至关重要。
  
• 德州仪器提供适用于OBC的GaN功率IC平台，以高效率和高密度为目标，集成了驱动电路和保护功能，并利用汽车级认证流程和广泛的模拟/混合信号产品组合，为系统解决方案提供支持。
  
• 英飞凌技术将内部GaN开发与GaN系统的资产结合，重点发展模块集成和800V平台的准备工作，同时受益于汽车级认证的深度和全球制造能力。
  
• 罗姆半导体是一家垂直整合的WBG供应商，致力于GaN器件和封装的可靠性，专注于OBC/DC-DC应用，并通过与日本OEM的紧密合作推动应用共同开发。
  
• 意法半导体采用双轨GaN/SiC战略，开发模块以支持电驱动系统解决方案，同时利用其MCU和传感器产品组合，推动集成化设计。
  

电动汽车用镓氮功率芯片市场公司

电动汽车用镓氮（GaN）功率芯片行业的主要参与者包括：

• EPC
• GaN系统
• 英飞凌技术
• Innoscience
• Navitas
• Power Integrations
• 罗姆半导体
• 意法半导体
• 德州仪器
• Transphorm
  
• Navitas半导体公司已成为GaN功率IC领域的先驱，将GaN FET、驱动电路和保护功能集成在高度紧凑的解决方案中。其集成架构减少了BOM成本，简化了布局，并提升了EMC性能。这使得Navitas在OBC和DC-DC转换器领域具有显著优势，在这些应用中效率和功率密度至关重要，使其成为EV GaN市场的领先者。
  
• GaN系统（英飞凌）在提供符合汽车级认证的650V GaN器件方面发挥着关键作用，这些器件优化了高密度的LLC和PSFB应用。在被英飞凌收购后，GaN系统受益于扩展的模块封装技术和一级汽车供应商的渠道，从而获得了更强的市场机会。这一整合显著增强了英飞凌在汽车领域的GaN布局。
  
• 英飞凌技术凭借其全球规模和深厚的汽车认证经验，主导了EV半导体领域。通过整合GaN系统的资产，英飞凌扩大了其GaN产品组合，同时推动模块集成并为800V平台做好准备。其全球制造能力和作为全球最大汽车半导体供应商的地位，使英飞凌成为GaN EV市场的核心参与者。
  
• EPC公司以专注于增强型GaN器件而闻名，其器件具有超低损耗和紧凑的封装尺寸。其产品特别适用于开关频率达数百千赫兹的OBC和DC-DC转换器，在这些应用中效率和减少EMI至关重要。EPC在高频GaN性能驱动型解决方案上的专注，巩固了其作为紧凑型EV电源系统首选供应商的声誉。
  
• 德州仪器将GaN技术整合到其广泛的模拟、混合信号和电源管理解决方案生态系统中。其GaN平台专注于车载充电系统，注重效率和密度，并通过集成驱动器和保护功能提供支持。通过利用其广泛的汽车资质流程和系统级专业知识，TI提供了可缩短汽车制造商设计周期的成熟解决方案。
  
• ROHM半导体作为垂直整合的宽禁带供应商，在GaN器件可靠性和先进封装方面投入了大量资源。其与日本OEM和一级供应商的强大合作伙伴关系，使其能够共同开发EV中的GaN应用。ROHM对SiC和GaN的双重承诺，确保其在电动汽车中广泛的电力电子系统中仍然是关键供应商。
  
• 意法半导体采用双轨策略，同时推进GaN和SiC技术，从而能够为EV动力总成提供完整解决方案。其GaN努力得到了强大的模块开发的补充，而其微控制器和传感器组合提供了额外的系统集成优势。这使得意法半导体成为一家多功能供应商，能够满足EV市场中多种电压等级的需求。
  
• EPC、Navitas和Transphorm等新兴企业在集成、封装和垂直GaN开发方面也展现出差异化。这些公司通过专注于车载充电、DC-DC转换等特定EV电力阶段，以及最终的牵引逆变器，为汽车制造商提供专业的高性能GaN解决方案，从而获得市场份额，并补充了行业巨头的广泛产品组合。
  

电动汽车行业的氮化镓功率芯片新闻

• 2025年1月，美国国土安全部正式启动了广泛的AI安全与安全委员会，为联邦实体的AI使用引入了新的指南。该倡议要求联邦AI系统在处理公民数据时进行强制性AI影响评估，实施将于2025年7月开始。
  
• 2025年7月，Navitas半导体宣布与PSMC（Powerchip半导体制造公司）建立战略合作伙伴关系，开始200毫米GaN-on-silicon生产。该倡议旨在扩大GaN IC制造，用于电动汽车、可再生能源和快速充电系统，增强Navitas的全球供应链，并支持EV行业增长。
  
• 2024年5月，英飞凌技术公司推出了其CoolGaN 650 V G5晶体管系列，标志着该公司在汽车和工业电力电子领域的下一代GaN器件。新系列提高了开关效率和功率密度，用于EV应用中的车载充电器和DC-DC转换器，巩固了英飞凌在宽禁带半导体领域的领导地位。
  
• 2024年8月，EPC公司推出了其EPC2361 GaN FET，具有超低的1 mΩ导通电阻。该器件在EV车载充电和快速充电系统中实现了更高的功率密度和效率。该发布突显了EPC在紧凑型、高性能GaN器件方面的持续创新，适用于下一代电动汽车。
  
• 2024年8月，英飞凌技术公司推出了CoolGaN Drive系列集成单开关和半桥驱动器。该产品线面向电动汽车及充电基础设施中的高效功率转换系统，提供了减少元件数量和提升系统级集成度的优势。
  
• 2024年3月，Transphorm公司宣布扩展其AEC-Q101认证的650V GaN FET产品线，为车载充电器和DC-DC转换器提供了符合汽车级可靠性的解决方案。这一进展使得Transphorm成为全球为数不多的拥有完全符合EV动力总成应用资质的GaN解决方案的公司之一。
  

钙钛矿（GaN）电动汽车功率芯片市场研究报告涵盖了行业深度分析，包括从2021年到2034年按收入（十亿美元）和出货量（单位）的估计和预测，以下是各细分市场：

按设备架构划分

• 侧向GaN设备
• 垂直GaN设备

按电压划分

• 低电压（≤100V）
• 中等电压（100V-650V）
• 高电压（>650V）

按封装方式划分

• 离散封装
• 功率模块
• 集成功率级

按应用划分

• 牵引逆变器
• 车载充电器（OBC）
• DC-DC转换器
• 充电基础设施
• 辅助电源系统

按驱动方式划分

• 纯电动汽车（BEV）
• 插电式混合动力汽车（PHEV）
• 微混动力汽车（MHEV）
• 燃料电池电动汽车（FCEV）

按车辆类型划分

• 乘用车
  • 掀背车
  • 轿车
  • SUV
• 商用车
  • 轻型商用车
  • 中型商用车
  • 重型商用车
• 两轮和三轮车

按销售渠道划分

• 原始设备制造商（OEM）
• 售后市场

上述信息适用于以下地区和国家：

• 北美
  • 美国
  • 加拿大
• 欧洲
  • 德国
  • 英国
  • 法国
  • 意大利
  • 西班牙
  • 俄罗斯
  • 北欧
• 亚太地区
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 澳大利亚
  • 韩国
  • 菲律宾
  • 印度尼西亚
• 拉丁美洲
  • 巴西
  • 墨西哥
  • 阿根廷
• 中东和非洲
  • 南非
  • 沙特阿拉伯
  • 阿联酋