Marché des modules de puissance pour véhicules électriques Taille et part 2026-2035

Taille du marché des modules de puissance pour véhicules électriques

Le marché des modules de puissance pour véhicules électriques était évalué à 3 milliards de dollars (USD) en 2025 et devrait atteindre 25,9 milliards de dollars (USD) d'ici 2035, avec un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 23,6 % entre 2026 et 2035. Le marché atteindra 3,8 milliards de dollars (USD) en 2026, selon le dernier rapport publié par Global Market Insights Inc. La demande ne se limite plus à une simple augmentation de la production de véhicules électriques, car le groupe motopropulseur intègre désormais davantage de composants semi-conducteurs à forte valeur ajoutée.

La transition des modules à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) en silicium vers les transistors MOSFET (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) en carbure de silicium (SiC) et les dispositifs en nitrure de gallium (GaN) augmente la densité de puissance, la tolérance thermique et l'efficacité au niveau des modules. Le marché reflète donc à la fois la croissance des volumes de véhicules et l'augmentation de la contribution en valeur par véhicule électrifié.

Le marché comprend les modules de semi-conducteurs de puissance utilisés dans les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC-CC des véhicules électriques particuliers, commerciaux et industriels. Il couvre les technologies de modules IGBT en silicium, MOSFET en SiC et modules en GaN, ainsi que la demande associée en conversion de puissance au niveau du véhicule. Le périmètre exclut les cellules de batterie, les moteurs de traction complets et les équipements d'infrastructure de recharge qui ne fonctionnent pas au sein du groupe motopropulseur du véhicule.

Les estimations de référence combinent la valeur du marché en 2025 avec la trajectoire prévisionnelle pour 2026–2035 ainsi qu'avec les indicateurs sectoriels, régionaux et concurrentiels contenus dans le dossier d'analyse. Les prévisions reflètent l'interaction entre la production de véhicules électriques, l'adoption des plateformes 800 V, la pénétration du SiC et du GaN, la localisation de la fabrication régionale et les contraintes d'approvisionnement. La croissance n'est pas uniforme selon les technologies : les modules IGBT en silicium continuent de progresser en valeur absolue, tandis que les modules en SiC et en GaN augmentent leur contribution au chiffre d'affaires grâce aux applications à tension et fréquence plus élevées.

L'Asie-Pacifique représentait 47,8 % des revenus mondiaux en 2025, soutenue par la production de véhicules électriques en Chine, au Japon et en Inde. L'Europe détenait 25,3 %, tandis que l'Amérique du Nord représentait 21,1 %. L'Amérique latine devrait constituer le marché régional à la croissance la plus rapide, avec un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 26,1 %, bien qu'à partir d'une base de revenus plus réduite. La répartition régionale reflète un marché dans lequel la qualification des semi-conducteurs, les exigences en matière de contenu local et les choix de plateformes des constructeurs automobiles déterminent de plus en plus la région où les revenus des modules sont générés.

Principaux facteurs de croissance

*Les effets des prévisions sont indicatifs plutôt que strictement additifs. Ils reflètent la croissance de référence, les effets de composition et les interactions entre la production de véhicules, la tension des plateformes, l'adoption des technologies et les conditions d'approvisionnement.*

Accélération de l'adoption mondiale des véhicules électriques

L'adoption mondiale des véhicules électriques demeure le principal moteur de la demande, car chaque véhicule électrique à batterie nécessite une conversion de puissance au niveau de l'onduleur de traction, du chargeur intégré (OBC) et du convertisseur continu-continu (DC-DC). Les ventes de voitures électriques ont dépassé 17 millions d'unités en 2024, tandis que les ventes du premier trimestre 2025 ont augmenté de 35 % sur un an. Selon les prévisions, la Chine représentera environ 60 % des ventes de voitures neuves sous forme de véhicules électriques en 2025. L'effet sur le marché s'étend au-delà des véhicules particuliers, puisque les ventes mondiales de camions électriques ont progressé d'environ 80 % en 2024. Les plateformes commerciales génèrent une demande disproportionnée de semi-conducteurs, car leurs modules fonctionnent à des niveaux de puissance supérieurs et représentent une valeur ajoutée plus élevée par véhicule.

Le moteur sous-jacent réside dans la combinaison de l'augmentation de la production unitaire et de l'accroissement du contenu en modules. Le passage d'une architecture de 400V à une architecture de 800V peut nécessiter des dispositifs de classe 1200V, tandis que les systèmes commerciaux de plus grande taille requièrent des modules de puissance nominale supérieure à plusieurs étapes de conversion. Cette évolution crée un profil de revenus différencié : le volume des véhicules électriques particuliers constitue l'assise du marché, tandis que l'électrification des véhicules commerciaux et des applications industrielles augmente la valeur moyenne des modules. La composition résultante favorise les fournisseurs capables d'homologuer à la fois des modules automobiles à fort volume et des plateformes industrielles haute puissance.

Renforcement des réglementations sur les émissions et des obligations en matière de véhicules électriques

Les cadres réglementaires de l'Union européenne et du Royaume-Uni imposent une part accrue de véhicules zéro émission dans les ventes à partir de 2025. Les normes européennes relatives au CO₂ établissent une trajectoire vers zéro émission au niveau des rejets à l'échappement pour les voitures particulières neuves d'ici 2035. Ces règles créent un socle de demande pour les plateformes électrifiées, en particulier lorsque la conformité des flottes des constructeurs dépend de la disponibilité de modèles électriques à batterie. L'Inflation Reduction Act des États-Unis et le Chips Act de l'Union européenne renforcent également les investissements dans les capacités régionales de fabrication de semi-conducteurs.^{[1]OECD Secretariat, oecd.org}

L'effet de second ordre réside dans le renforcement du lien entre les stratégies de conformité des véhicules et les décisions d'approvisionnement en modules de puissance. Les constructeurs automobiles ne développent pas seulement leurs programmes de véhicules électriques ; ils homologuent également des chaînes d'approvisionnement en modules capables de répondre aux exigences régionales de production et aux politiques publiques. Cette évolution favorise les fournisseurs disposant de capacités locales en matière de plaquettes de SiC, de conditionnement et d'homologation automobile. Jusqu'en 2028, l'approvisionnement régional influencera le positionnement concurrentiel autant que les performances d'efficacité au niveau des dispositifs.

Transition structurelle d'une architecture de groupe motopropulseur de 400V à 800V

Le passage aux plateformes de 800V modifie les spécifications des modules de puissance plutôt que d'ajouter simplement de la capacité à la configuration existante de 400V. McKinsey prévoit que la pénétration mondiale des architectures de 800V dépassera 50 % d'ici 2030, contre moins de 5 % en 2022.^{[2]McKinsey Semiconductors Practice, mckinsey.com} Cette architecture nécessite des MOSFET SiC de classe 1200V dans les applications d'onduleurs de traction. Dans des conditions de charge partielle, les modules SiC peuvent améliorer d'environ 3 % l'autonomie sur cycle autoroutier par rapport à des conceptions équivalentes fondées sur des IGBT en silicium.^{[3]PCIM Editorial Team, pcim.mesago.com}

Cette évolution affecte la conception des modules, la demande en plaquettes, la gestion thermique et les cycles de qualification. Les systèmes à tension plus élevée favorisent les fournisseurs capables de combiner une commutation à faibles pertes, un encapsulage avancé et un fonctionnement fiable à haute température. Le marché devrait donc se diviser entre les applications 400 V à fort volume, qui conservent une présence de l'IGBT, et les applications 800 V à forte valeur, qui accélèrent la pénétration du SiC. Le GaN se développe parallèlement à cette transition dans les chargeurs embarqués (OBC) et les applications CC-CC à basse tension et haute fréquence.

Principaux freins

*Les impacts des prévisions sont indicatifs et non strictement cumulatifs.*

Concentration de l'approvisionnement en substrats SiC et contraintes liées au rendement des plaquettes

L'approvisionnement en SiC reste limité par la physique de la croissance cristalline, le rendement des plaquettes et la capacité d'encapsulage avancé des modules. Les cycles de croissance par transport physique en phase vapeur pour les lingots de 200 mm peuvent dépasser 200 heures et présentent un risque plus élevé de densité de défauts que leurs équivalents de 150 mm. Cette contrainte ne disparaît pas avec des dépenses d'investissement supplémentaires, car l'amélioration de la qualité des substrats et du rendement exige une maîtrise des procédés, une expertise des matériaux et du temps pour la qualification. Les délais d'approvisionnement en MOSFET SiC qualifiés pour l'automobile étaient de 52 semaines ou plus selon les canaux d'achat au début de 2026.

Le goulet d'étranglement s'est également déplacé des substrats vers les matériaux et procédés d'encapsulage des modules, notamment le frittage à l'argent, les céramiques avancées et l'assemblage par ruban de cuivre. Ces capacités restent concentrées géographiquement et peuvent limiter la conversion de la production de plaquettes en modules qualifiés pour l'automobile. Infineon Technologies a mis en œuvre une hausse de prix de 12–18 % sur son portefeuille de modules SiC de 1 200 V et plus en juin 2026, invoquant des délais de fabrication des plaquettes supérieurs à 36 semaines. Cette pression préserve le pouvoir de fixation des prix des fournisseurs établis, mais peut retarder le lancement de programmes pour les constructeurs automobiles disposant de peu d'alternatives qualifiées.

Analyse par segment du marché des modules de puissance pour véhicules électriques

Par matériau semi-conducteur

Modules IGBT en silicium (Si)

Les modules IGBT en silicium représentaient 57 % des revenus en 2025 et devraient progresser à un CAGR de 15,3 % jusqu'en 2035. Leur part diminue à mesure que le SiC et le GaN gagnent du terrain, mais les modules IGBT conservent une vaste base installée et adressable dans les plateformes de véhicules particuliers 400 V, les véhicules utilitaires, les autobus électriques et les véhicules électriques industriels. Le HybridPACK Drive G2 Fusion d'Infineon intègre des IGBT en silicium et des MOSFET SiC dans un boîtier hybride prenant en charge jusqu'à 220 kW dans la classe 750 V. Cette configuration montre comment les fournisseurs prolongent la pertinence des IGBT plutôt que de remplacer brutalement le silicium.

La demande d’IGBT est la plus forte lorsque l’économie des systèmes, les exigences de forte puissance et les architectures existantes de 400 V l’emportent sur le surcoût d’efficacité des architectures entièrement en SiC. Les camions commerciaux, les autobus et les véhicules industriels peuvent nécessiter des puissances unitaires de 250–500 kW ou davantage. Les produits IGBT de 7^e génération de Fuji Electric ainsi que les familles SKiM et SEMITRANS de Semikron Danfoss répondent aux applications de manutention et aux véhicules hors route. Le segment restera un marché affichant une croissance en valeur absolue jusqu’en 2035, mais la composition de ses revenus évoluera vers les applications pour lesquelles la tension de fonctionnement et l’économie des approvisionnements favorisent la technologie au silicium établie.

Modules MOSFET en carbure de silicium (SiC)

Les modules MOSFET en SiC représentaient 36 % des revenus du marché en 2025 et devraient progresser selon un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 29,8 % jusqu’en 2035. Leur attrait tient à des pertes de commutation plus faibles, à une meilleure tenue aux températures élevées et à leur compatibilité avec les architectures de groupes motopropulseurs de 800 V. Le marché mondial des dispositifs en SiC devrait atteindre 11–14 milliards de dollars (USD) d’ici 2030, les véhicules électriques représentant environ 70 % de la demande. STMicroelectronics, onsemi et Infineon Technologies détenaient en 2023 des parts respectives de 33 %, 24 % et 17 % des fournisseurs de dispositifs à large bande interdite (WBG).

Le segment progresse grâce à des programmes de constructeurs automobiles clairement établis. STMicroelectronics a conclu en avril 2026 un accord d’approvisionnement majeur portant sur des dispositifs MOSFET en SiC compatibles avec une tension de 800 V, avec un grand constructeur de véhicules électriques. Le MOSFET en SiC de quatrième génération de ROHM a été intégré à l’onduleur de traction du véhicule électrique à batterie (BEV) bZ5 de Toyota en juin 2025. Wolfspeed a homologué ses MOSFET en SiC pour les systèmes de chargeurs embarqués (OBC) des BEV de Toyota en décembre 2025. Ces programmes montrent que les onduleurs de traction et la recharge embarquée contribuent tous deux à l’adoption du SiC, même si l’avantage concurrentiel dépendra de la sécurité des approvisionnements et de la maîtrise du conditionnement.

Modules en nitrure de gallium (GaN)

Les modules en GaN détenaient 7 % de part de marché en 2025 et devraient progresser selon un CAGR de 30,5 %, soit le taux le plus élevé de la segmentation par matériau semi-conducteur. Le GaN convient à la commutation haute fréquence avec une faible résistance à l’état passant dans les applications allant jusqu’à 650–900 V. Cette caractéristique positionne principalement la technologie dans les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC, plutôt que comme substitut direct des modules SiC haute tension destinés aux onduleurs de traction. Les données IEA-4E PECTA font état d’une adoption importante du GaN dans les applications automobiles de chargeurs embarqués inférieures à 3,6 kW en 2024.

Les applications de chargeurs embarqués triphasés de plus grande puissance, évaluées à 11–22 kW, devraient progresser sur la période 2026–2028. Les circuits intégrés de puissance GaNFast de Navitas Semiconductor sont en cours de qualification pour les applications automobiles de chargeurs embarqués et de convertisseurs CC-CC, tandis qu’onsemi et GlobalFoundries ont commencé en 2024 une collaboration de développement portant sur le GaN sur silicium de 200 mm. Le GaN devrait d’abord se développer là où les avantages liés à la fréquence de commutation réduisent la taille des chargeurs et améliorent l’intégration des systèmes. Son rôle stratégique est complémentaire de celui du SiC, plutôt que directement concurrent sur l’ensemble de la chaîne des modules de puissance pour véhicules électriques.

Par véhicule

Véhicules électriques particuliers

Les véhicules électriques particuliers représentaient 68,6 % des revenus du marché en 2025 et devraient progresser selon un CAGR de 22,8 % jusqu’en 2035. Le segment demeure le socle des volumes de la demande de traction, de chargeurs embarqués et de convertisseurs CC-CC. En Chine, les ventes de voitures électriques ont approché 50 % de l’ensemble des ventes de voitures neuves en 2024 et devraient atteindre environ 60 % en 2025. L’accélération de la pénétration du 800 V accroîtra la valeur des composants SiC dans les plateformes particulières haut de gamme, puis de plus en plus dans les plateformes grand public.

Le changement le plus déterminant réside dans le passage d’achats de composants isolés à des stratégies de modules à l’échelle des plateformes. La plateforme R2 de Rivian devrait utiliser des modules SiC et au silicium Infineon HybridPACK Drive G2 à partir de 2026. Li Auto a commencé la production en série de ses modules de puissance SiC XPM propriétaires en février 2025. Les fournisseurs de véhicules électriques particuliers se livreront concurrence pour obtenir une intégration de leurs composants dès la conception des plateformes, et non plus seulement sur le prix affiché de chaque dispositif.

Véhicules électriques commerciaux

Les véhicules électriques commerciaux devraient afficher un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 26,7 %, le plus élevé parmi les catégories de véhicules. La valeur moyenne des modules par véhicule électrique commercial est estimée entre quatre et sept fois supérieure à celle d’un véhicule électrique particulier. Les ventes mondiales de camions électriques ont augmenté d’environ 80 % en 2024, la Chine représentant plus de 80 % des ventes mondiales de camions électriques. Cette combinaison d’exigences de puissance accrues et d’une utilisation intensive des flottes soutient la demande de modules IGBT et SiC haute puissance.

Hyundai Mobis et Magnachip ont achevé le développement conjoint de dispositifs IGBT avancés destinés aux onduleurs de traction des véhicules électriques commerciaux, avec une production de masse prévue pour 2026. Le segment est moins exposé à une conversion immédiate vers une technologie entièrement SiC, car les cycles d’utilisation, l’architecture électrique et le coût total du système varient fortement selon les plateformes de camions et d’autobus. Les flottes commerciales accroîtront néanmoins la demande de modules à forte robustesse thermique, car une utilisation plus intensive renforce l’importance de l’efficacité et de la fiabilité.

Véhicules électriques industriels

Les véhicules électriques industriels, notamment les chariots élévateurs, les véhicules à guidage automatique, les véhicules miniers et les plateformes tout-terrain, représentaient 9,8 % du chiffre d’affaires en 2025 et devraient progresser à un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 23,1 %. Les modules IGBT restent dominants, car de nombreuses applications reposent sur des plateformes de tension éprouvées et privilégient la robustesse, la puissance nominale et l’économie des remplacements. Les modules IGBT de 7^e génération de Fuji Electric ainsi que les gammes SKiM et SEMITRANS de Semikron Danfoss sont largement déployés dans les applications de manutention et tout-terrain.

L’électrification industrielle génère une structure de demande différente de celle des véhicules électriques particuliers. Les volumes de véhicules sont plus faibles, mais les cycles de remplacement, l’intensité d’utilisation et les exigences de puissance propres à chaque application créent une demande durable de modules. Le segment offre également aux fournisseurs disposant d’une expertise en IGBT haute puissance un moyen de maintenir leur échelle à mesure que les architectures des véhicules particuliers adoptent davantage le SiC. Jusqu’en 2030, les plateformes industrielles resteront un important facteur de stabilité face à une dépendance excessive aux seuls cycles technologiques des véhicules électriques particuliers.

Par méthode de refroidissement

Les configurations refroidies par air, refroidies par liquide et à refroidissement hybride constituent la segmentation approuvée selon la méthode de refroidissement. Les éléments disponibles n’attribuent aucune part de chiffre d’affaires, aucun CAGR ni aucun déploiement de produit nommé à ces catégories de refroidissement. L’analyse par méthode de refroidissement reste donc qualitative dans le cadre des éléments actuellement disponibles.

La gestion thermique devient plus importante à mesure que les modules SiC permettent des fréquences de commutation et des températures de jonction plus élevées, ainsi que des configurations d’onduleurs de 800 V. Les systèmes de refroidissement liquide et hybride devraient susciter une attention accrue dans les systèmes à puissance de sortie élevée, tandis que les configurations refroidies par air restent pertinentes lorsque la simplicité du système et des charges thermiques plus faibles sont suffisantes.

Analyse régionale du marché des modules de puissance pour véhicules électriques

La région Asie-Pacifique domine le marché, car la Chine, le Japon et l’Inde associent une production de véhicules électriques à grande échelle à un renforcement de leurs capacités nationales dans le domaine des semi-conducteurs de puissance.

L’Amérique du Nord et l’Europe restent stratégiquement importantes, car les incitations publiques, la profondeur des processus de qualification automobile et les investissements localisés dans le SiC soutiennent les programmes de modules à forte valeur ajoutée. L’Amérique latine affiche une croissance plus rapide à partir d’une base plus réduite, à mesure que l’électrification s’étend à différentes catégories de véhicules.

Amérique du Nord

L’Amérique du Nord représentait 21,1 % des revenus du marché mondial en 2025 et devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 21,4 %. onsemi s’est engagée à assurer une production de SiC de bout en bout destinée à la plateforme SSP de Volkswagen Group, tandis que Wolfspeed a augmenté la production de son usine de plaquettes de SiC de 200 mm à Mohawk Valley, dans l’État de New York. Le programme R2 de Rivian doit entrer en production à partir de 2026 avec des modules SiC et silicium Infineon HybridPACK Drive G2. Les droits de douane proposés de 25 % sur les semi-conducteurs automobiles ont accéléré la qualification par les équipementiers de modules provenant de fournisseurs nord-américains.^{[4]Power Electronics Magazine Editorial Staff, powerelectronicsmagazine.net}

Les États-Unis constituent le principal moteur des investissements régionaux dans la fabrication de SiC et de la demande liée aux plateformes de véhicules électriques. La contrainte régionale réside dans l’exécution de la chaîne d’approvisionnement : la capacité locale de production de plaquettes doit se traduire par des solutions de boîtier de modules qualifiées et par un approvisionnement des programmes des équipementiers. Jusqu’en 2028, les fournisseurs nord-américains bénéficieront de la localisation lorsque celle-ci réduira le risque lié à l’approvisionnement en semi-conducteurs.

Europe

L’Europe détenait 25,3 % des revenus mondiaux en 2025 et devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 22,1 %. La nouvelle trajectoire de l’UE en matière d’émissions de CO₂ pour les voitures particulières soutient la poursuite des investissements dans les plateformes de véhicules électriques jusqu’en 2035. Infineon a augmenté sa production de SiC sur son site de Villach, en Autriche, tandis que STMicroelectronics a fait progresser son usine de fabrication de SiC de Catane, en Italie. En mai 2026, Infineon a présenté un module SiC HybridPACK Drive de 1 300 V, conçu pour un fonctionnement continu à 205 °C, afin de prendre en charge des systèmes d’onduleur au-delà d’une tension de batterie de 900 V.^{[5]Automotive World Editorial Team, automotiveworld.com}

Asie-Pacifique

L’Asie-Pacifique représentait 47,8 % des revenus mondiaux en 2025 et devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 25,0 %. La Chine devrait représenter environ 40 % de la demande mondiale de SiC liée aux véhicules électriques, tandis que les équipementiers chinois devraient accroître leur approvisionnement local en SiC d’environ 15 % à environ 60 % d’ici 2030. Li Auto produit en série des modules SiC XPM à Suzhou depuis février 2025, et BYD Semiconductor produit des composants électroniques de puissance à base d’IGBT et de SiC pour la gamme de véhicules électriques de BYD.

L’Inde est le pays qui connaît la croissance la plus rapide au sein de l’Asie-Pacifique, soutenue par le programme FAME III et les dispositifs d’incitation liés à la production. Le Japon reste un marché important grâce au déploiement par Toyota de la technologie SiC de ROHM, à la qualification par Wolfspeed de son chargeur embarqué (OBC) pour Toyota et aux activités de développement du SiC menées par Toshiba aux côtés de ROHM.

Amérique latine, Moyen-Orient et Afrique

L’Amérique latine devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 26,1 %, ce qui en fait le marché régional affichant la croissance la plus rapide. Le Brésil et l’Argentine sont inclus dans le périmètre de pays approuvé. Le dossier documentaire ne fournit pas de valeurs des modules par pays, d’informations sur les actions des fournisseurs ni de détails sur les politiques publiques de ces marchés.

L’Arabie saoudite, les Émirats arabes unis et l’Afrique du Sud constituent le périmètre approuvé pour le Moyen-Orient et l’Afrique. Leur inclusion reflète la couverture géographique plutôt qu’une position chiffrée en termes de revenus.

Part du marché des modules de puissance pour véhicules électriques et paysage concurrentiel

Les cinq principales entreprises — Infineon Technologies, Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics, Fuji Electric et BYD Semiconductor — représentaient collectivement environ 40 % des revenus mondiaux en 2025. Infineon dominait le marché avec une part estimée de 14 % des revenus. La structure demeure modérément fragmentée, car plus de 15 fournisseurs régionaux et spécialisés se partagent les revenus restants. La concurrence sur le marché repose principalement sur le leadership technologique en matière de SiC, l'échelle de production de plaquettes de 200 mm, le niveau de qualification automobile, les capacités en IGBT haute puissance et l'intégration verticale des fabricants d'équipements d'origine (OEM).

Infineon Technologies occupe une position de leader grâce à son portefeuille HybridPACK Drive, à sa base de conceptions automobiles et à ses capacités de fabrication de SiC sur plaquettes de 200 mm. La famille de produits HybridPACK Drive s'est vendue à plus de 10,5 millions d'unités cumulées.^{[6]Electronic Design Editorial Staff, eetimes.com} Son usine de fabrication de SiC sur plaquettes de 200 mm à Kulim, en Malaisie, mise en service en 2024, lui confère un avantage en matière de capacité, tandis que le lancement, en mai 2026, du module 1 300 V renforce ses capacités à haute température et haute tension.

Mitsubishi Electric occupe la deuxième place, selon les estimations, grâce à ses modules à base d'IGBT destinés aux véhicules utilitaires, aux véhicules électriques industriels et aux plateformes hybrides. Fuji Electric se positionne également sur le marché grâce à ses modules IGBT haute puissance destinés aux applications industrielles et aux véhicules électriques utilitaires. Ces fournisseurs devraient bénéficier de la poursuite de l'électrification en dehors des plateformes de véhicules particuliers 800 V, qui évoluent le plus rapidement.

STMicroelectronics occupe une position majeure dans le domaine du SiC, ayant représenté environ 33 % des revenus mondiaux des producteurs de dispositifs WBG en 2023. Son accord conclu en avril 2026 pour fournir en grandes quantités des MOSFET SiC destinés aux groupes motopropulseurs de véhicules électriques 800 V illustre la valeur d'une demande sécurisée auprès des constructeurs automobiles. BYD Semiconductor suit un modèle différent : sa production interne d'IGBT et de SiC soutient la gamme de véhicules de BYD et internalise une part plus importante de la valeur de l'électronique de puissance. Environ 75 % des composants de la BYD Seal sont produits en interne.

Les principaux acteurs présents sur le marché des modules de puissance pour véhicules électriques comprennent : Allegro MicroSystems, Inc. ; Alpha & Omega Semiconductor ; BYD Semiconductor ; Denso Corporation ; Fuji Electric ; Hitachi Energy ; Infineon Technologies ; Microchip Technology ; Mitsubishi Electric Corporation ; Navitas Semiconductor ; NXP Semiconductors ; Robert Bosch ; ROHM ; Semiconductor Components Industries (onsemi) ; Semikron Danfoss ; StarPower Semiconductor ; STMicroelectronics ; Toshiba Corporation ; Vishay Intertechnology ; et Wolfspeed.

ROHM a qualifié son MOSFET SiC de quatrième génération dans l'onduleur de traction de la Toyota bZ5 et exploite la coentreprise HAIMOSIC Shanghai avec Zhenghai Group. Wolfspeed fournit des MOSFET SiC destinés aux systèmes OBC de Toyota pour véhicules électriques à batterie (BEV) et augmente progressivement la production de son site de 200 mm de Mohawk Valley. onsemi détient une part de 24 % des revenus des dispositifs WBG et a conclu des accords d'approvisionnement avec Volkswagen Group et NIO pour des programmes SiC. StarPower accroît sa production chinoise d'IGBT et de SiC, tandis que Bosch intègre des modules de plusieurs fournisseurs dans ses systèmes d'onduleurs et de groupes motopropulseurs.

Actualités récentes du secteur

• Mai 2026 : Infineon Technologies a lancé un module de puissance SiC HybridPACK Drive de 1 300 V, conçu pour un fonctionnement continu à 205 °C, permettant jusqu'à 15 % de courant de sortie supplémentaire et prenant en charge des systèmes d'onduleurs au-delà d'une tension de batterie de 900 V.
• Mai 2026 : onsemi et NIO ont élargi leur collaboration stratégique pour le développement de plateformes de véhicules électriques 900 V de nouvelle génération.
• Avr. 2026 : STMicroelectronics a conclu un accord d’approvisionnement à long terme portant sur des dispositifs MOSFET en SiC destinés à soutenir la production à grand volume de groupes motopropulseurs de 800 V.
• Janv. 2026 : onsemi a été sélectionné par Volkswagen Group comme fournisseur principal de solutions de boîtiers de puissance en SiC pour les onduleurs de traction SSP.
• Déc. 2025 : Wolfspeed a confirmé que ses MOSFET en SiC alimenteront les systèmes de chargeurs embarqués des véhicules électriques à batterie de Toyota.