Mercado de módulos de potencia para vehículos eléctricos Tamaño y Compartir 2026-2035

Tamaño del mercado de módulos de potencia para vehículos eléctricos

El mercado de módulos de potencia para vehículos eléctricos se valoró en 3,000 millones de USD en 2025 y se prevé que alcance los 25,900 millones de USD en 2035, con una expansión a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 23,6% entre 2026 y 2035. Según el último informe publicado por Global Market Insights Inc., el mercado alcanzará los 3,800 millones de USD en 2026. La demanda va más allá de un simple aumento de la producción de vehículos eléctricos, ya que el sistema de propulsión está adoptando un mayor contenido de semiconductores de alto valor.

La transición de los módulos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de silicio hacia los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) y los dispositivos de nitruro de galio (GaN) eleva la densidad de potencia, la tolerancia térmica y la eficiencia a nivel de módulo. Por tanto, el mercado refleja tanto el crecimiento del volumen de vehículos como el aumento de la contribución de valor por cada vehículo electrificado.

El mercado incluye módulos de semiconductores de potencia utilizados en inversores de tracción, cargadores integrados (OBC) y convertidores CC-CC de vehículos eléctricos de pasajeros, comerciales e industriales. Abarca las tecnologías de módulos IGBT de silicio, MOSFET de SiC y módulos de GaN, junto con la demanda asociada de conversión de potencia a nivel del vehículo. El alcance excluye las celdas de batería, los motores de tracción completos y los equipos de infraestructura de carga que no funcionan dentro del sistema de propulsión del vehículo.

Las estimaciones de referencia combinan el valor del mercado en 2025 con la trayectoria de previsión de 2026–2035 y los indicadores de segmentos, regiones y competencia contenidos en el conjunto de datos disponibles. La previsión refleja la interacción entre la producción de vehículos eléctricos, la adopción de plataformas de 800 V, la penetración del SiC y el GaN, la localización regional de la fabricación y las restricciones de la oferta. El crecimiento no es uniforme entre las tecnologías: los módulos IGBT de silicio continúan expandiéndose en términos absolutos, mientras que los módulos de SiC y GaN aumentan su proporción de ingresos gracias a las aplicaciones de mayor tensión y frecuencia.

Asia-Pacífico representó el 47,8% de los ingresos mundiales en 2025, respaldada por la producción de vehículos eléctricos en China, Japón e India. Europa registró el 25,3%, mientras que América del Norte representó el 21,1%. Se prevé que América Latina sea el mercado regional de mayor crecimiento, con una TCAC del 26,1%, aunque parte de una base de ingresos menor. La distribución regional refleja un mercado en el que la cualificación de semiconductores, los requisitos de contenido local y las decisiones de los fabricantes de automóviles sobre sus plataformas determinan cada vez más dónde se generan los ingresos de los módulos.

Principales impulsores

*Los efectos de las previsiones son orientativos y no estrictamente aditivos. Reflejan el crecimiento de referencia, los efectos de composición y las interacciones entre la producción de vehículos, el voltaje de la plataforma, la adopción tecnológica y las condiciones de suministro.*

Aceleración de la adopción mundial de vehículos eléctricos

La adopción mundial de vehículos eléctricos sigue siendo el principal factor de crecimiento de la demanda, ya que todos los vehículos eléctricos de batería requieren conversión de potencia en el inversor de tracción, el cargador a bordo (OBC) y el convertidor CC-CC. Las ventas de turismos eléctricos superaron los 17 millones de unidades en 2024, y las ventas del primer trimestre de 2025 aumentaron un 35 % interanual. Se prevé que China represente aproximadamente el 60 % de las ventas de vehículos nuevos correspondientes a vehículos eléctricos en 2025. El efecto sobre el mercado va más allá de los vehículos de pasajeros, ya que las ventas mundiales de camiones eléctricos crecieron aproximadamente un 80 % en 2024. Las plataformas comerciales generan una demanda de semiconductores desproporcionadamente elevada, ya que sus módulos funcionan con niveles de potencia superiores y aportan un mayor valor por vehículo.

El factor subyacente es la combinación del aumento de la producción por unidades y del contenido de módulos por vehículo. La transición de una arquitectura de 400V a una de 800V puede requerir dispositivos de clase 1200V, mientras que los sistemas comerciales de mayor tamaño necesitan módulos de mayor capacidad nominal en varias etapas de conversión. Esto crea un perfil de ingresos diferenciado: el volumen de vehículos eléctricos de pasajeros sustenta el mercado, mientras que la electrificación comercial e industrial eleva el valor medio de los módulos. Como resultado, la composición del mercado favorece a los proveedores capaces de homologar tanto módulos de automoción de gran volumen como plataformas industriales de alta potencia.

Endurecimiento de las normativas sobre emisiones y de los mandatos relativos a los vehículos eléctricos

Los marcos regulatorios de la Unión Europea y el Reino Unido exigen mayores cuotas de ventas de vehículos de cero emisiones a partir de 2025. Las normas de CO₂ de la UE establecen una trayectoria hacia cero emisiones del tubo de escape para los turismos nuevos en 2035. Estas normas crean un nivel mínimo de demanda para las plataformas electrificadas, especialmente cuando el cumplimiento de los objetivos de emisiones de las flotas de los fabricantes de equipos originales (OEM) depende de la disponibilidad de modelos eléctricos de batería. La Ley de Reducción de la Inflación de Estados Unidos y la Ley de Chips de la UE también refuerzan la inversión en capacidad regional de fabricación de semiconductores.^{[1]OECD Secretariat, oecd.org}

El efecto de segundo orden es una conexión más estrecha entre las estrategias de cumplimiento normativo de los fabricantes de vehículos y sus decisiones de aprovisionamiento de módulos de potencia. Los fabricantes no solo están ampliando sus programas de vehículos eléctricos, sino que también están homologando cadenas de suministro de módulos capaces de cumplir los requisitos regionales de producción y las políticas aplicables. Esto favorece a los proveedores con capacidad localizada para fabricar obleas de SiC, encapsular dispositivos y realizar la homologación para automoción. Hasta 2028, el aprovisionamiento regional influirá en el posicionamiento competitivo tanto como las afirmaciones sobre la eficiencia de los dispositivos.

Transición estructural de una arquitectura de tren motriz de 400V a una de 800V

La transición a plataformas de 800V está modificando las especificaciones de los módulos de potencia, en lugar de limitarse a añadir capacidad a la configuración existente de 400V. McKinsey prevé que las arquitecturas de 800V superen una penetración mundial del 50 % en 2030, frente a menos del 5 % en 2022.^{[2]McKinsey Semiconductors Practice, mckinsey.com} Esta arquitectura requiere MOSFET de SiC de clase 1200V en aplicaciones de inversores de tracción. Los módulos de SiC pueden mejorar aproximadamente un 3 % la autonomía en ciclos de conducción por autopista frente a diseños equivalentes de IGBT de silicio en condiciones de carga parcial.^{[3]PCIM Editorial Team, pcim.mesago.com}

Este cambio afecta al diseño de los módulos, la demanda de obleas, la gestión térmica y los ciclos de cualificación. Los sistemas de mayor tensión favorecen a los proveedores capaces de combinar conmutación de bajas pérdidas, encapsulado avanzado y un funcionamiento fiable a altas temperaturas. Por tanto, es probable que el mercado se divida entre aplicaciones de 400 V de gran volumen, que mantienen el uso de IGBT, y aplicaciones de 800 V de alto valor, que aceleran la penetración del SiC. El GaN se expande paralelamente a esta transición en aplicaciones de OBC y convertidores CC-CC de menor tensión y alta frecuencia.

Principales restricciones

*Los impactos de la previsión son indicativos y no estrictamente acumulativos.*

Concentración del suministro de sustratos de SiC y limitaciones del rendimiento de las obleas

El suministro de SiC sigue limitado por la física del crecimiento cristalino, el rendimiento de las obleas y la capacidad de encapsulado de módulos avanzados. Los ciclos de crecimiento mediante transporte físico de vapor para lingotes de 200 mm pueden superar las 200 horas y conllevan un mayor riesgo de densidad de defectos que sus equivalentes de 150 mm. La restricción no desaparece mediante un gasto de capital incremental, ya que la calidad de los sustratos y la mejora del rendimiento requieren control de procesos, conocimientos especializados en materiales y tiempo de cualificación. A principios de 2026, se notificaron plazos de entrega de 52 semanas o más para MOSFET de SiC cualificados para automoción en los distintos canales de adquisición.

El cuello de botella también se ha desplazado más allá de los sustratos hacia los insumos y procesos de encapsulado de módulos, incluidos la sinterización de plata, las cerámicas avanzadas y la unión mediante cintas de cobre. Estas capacidades siguen estando concentradas geográficamente y pueden limitar la conversión de la producción de obleas en módulos cualificados para automoción. Infineon Technologies aplicó un aumento de precios del 12–18 % a su cartera de módulos de SiC de 1200 V y superiores en junio de 2026, alegando plazos de fabricación de obleas superiores a 36 semanas. Esta presión mantiene el poder de fijación de precios de los proveedores consolidados, pero puede retrasar el lanzamiento de programas para los fabricantes de equipos originales (OEM) con alternativas cualificadas limitadas.

Análisis de segmentos del mercado de módulos de potencia para vehículos eléctricos

Por material semiconductor

Módulos IGBT de silicio (Si)

Los módulos IGBT de silicio representaron el 57 % de los ingresos en 2025 y se prevé que crezcan a una TCAC del 15,3 % hasta 2035. Su cuota disminuye a medida que el SiC y el GaN cobran impulso; sin embargo, los módulos IGBT mantienen una amplia base instalada y direccionable en plataformas de turismos de 400 V, vehículos comerciales, autobuses eléctricos y vehículos eléctricos industriales. HybridPACK Drive G2 Fusion de Infineon integra IGBT de silicio y MOSFET de SiC en un encapsulado híbrido compatible con potencias de hasta 220 kW en la clase de 750 V. Esta configuración ilustra cómo los proveedores están ampliando la relevancia de los IGBT en lugar de sustituir abruptamente el silicio.

La demanda de IGBT es más sólida en aquellos ámbitos en los que la economía del sistema, los requisitos de alta potencia y las arquitecturas existentes de 400 V compensan la prima de eficiencia de los diseños totalmente basados en SiC. Los camiones comerciales, los autobuses y los vehículos industriales pueden requerir potencias nominales individuales de 250–500 kW o más. Los productos IGBT de séptima generación de Fuji Electric y las familias SKiM y SEMITRANS de Semikron Danfoss dan soporte a aplicaciones de manipulación de materiales y vehículos todoterreno. El segmento seguirá siendo un mercado de crecimiento absoluto hasta 2035, pero su composición de ingresos se desplazará hacia aplicaciones en las que la tensión de funcionamiento y la economía de aprovisionamiento favorezcan la tecnología de silicio consolidada.

Módulos MOSFET de carburo de silicio (SiC)

Los módulos MOSFET de SiC representaron el 36 % de los ingresos del mercado en 2025 y se prevé que crezcan a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 29,8 % hasta 2035. Su atractivo se basa en unas menores pérdidas de conmutación, una mayor tolerancia a la temperatura y la compatibilidad con arquitecturas de grupos motopropulsores de 800 V. Se prevé que el mercado mundial de dispositivos de SiC alcance entre 11,000 y 14,000 millones de USD en 2030, y que los vehículos eléctricos representen aproximadamente el 70 % de la demanda. STMicroelectronics, onsemi e Infineon Technologies lideraron las cuotas de los proveedores de dispositivos de banda prohibida ancha (WBG) en 2023, con el 33 %, el 24 % y el 17 %, respectivamente.

El segmento avanza mediante programas visibles de fabricantes de equipos originales (OEM). STMicroelectronics obtuvo un importante acuerdo de suministro de dispositivos MOSFET de SiC compatibles con 800 V con un fabricante líder de vehículos eléctricos en abril de 2026. El MOSFET de SiC de cuarta generación de ROHM se incorporó al inversor de tracción para vehículos eléctricos de batería bZ5 de Toyota en junio de 2025. Wolfspeed certificó MOSFET de SiC para los sistemas OBC de vehículos eléctricos de batería de Toyota en diciembre de 2025. Estos programas muestran que tanto los inversores de tracción como la carga a bordo contribuyen a la adopción del SiC, aunque la ventaja competitiva dependerá de la seguridad del suministro y de la ejecución del encapsulado.

Módulos de nitruro de galio (GaN)

Los módulos de GaN registraron una cuota de mercado del 7 % en 2025 y se prevé que crezcan a una TCAC del 30,5 %, la tasa más elevada dentro de la segmentación por materiales semiconductores. El GaN es adecuado para la conmutación de alta frecuencia con baja resistencia en conducción en aplicaciones de hasta 650–900 V. Esto sitúa principalmente la tecnología en los cargadores a bordo (OBC) y los convertidores CC-CC, en lugar de utilizarla como sustituto directo de los módulos de SiC de los inversores de tracción de alta tensión. Los datos de IEA-4E PECTA identifican una adopción significativa del GaN en aplicaciones OBC para automoción por debajo de 3,6 kW en 2024.

Se espera que las aplicaciones OBC trifásicas de mayor tamaño, con potencias nominales de 11–22 kW, avancen durante el período 2026–2028. Los circuitos integrados de potencia GaNFast de Navitas Semiconductor están en proceso de certificación para aplicaciones OBC y de convertidores CC-CC para automoción, mientras que onsemi y GlobalFoundries iniciaron en 2024 una colaboración para desarrollar tecnología GaN sobre silicio de 200 mm. Es probable que el GaN se expanda primero en aquellos ámbitos en los que las ventajas de la frecuencia de conmutación reduzcan el tamaño del cargador y mejoren la integración del sistema. Su función estratégica es complementaria a la del SiC, en lugar de competir directamente en todo el conjunto de módulos de potencia para vehículos eléctricos.

Por vehículo

Vehículos eléctricos de pasajeros

Los vehículos eléctricos de pasajeros representaron el 68,6 % de los ingresos del mercado en 2025 y se prevé que crezcan a una TCAC del 22,8 % hasta 2035. El segmento sigue siendo la base del volumen de la demanda de inversores de tracción, OBC y convertidores CC-CC. Las ventas de automóviles eléctricos en China se aproximaron a casi el 50 % del total de las ventas de automóviles nuevos en 2024 y avanzan hacia aproximadamente el 60 % en 2025. La aceleración de la penetración de los sistemas de 800 V incrementará el valor del contenido de SiC en las plataformas de vehículos de pasajeros premium y, cada vez más, generalistas.

El cambio más relevante es el paso de la compra de componentes aislados a estrategias de módulos a escala de plataforma. Está previsto que la plataforma R2 de Rivian utilice módulos de SiC y silicio HybridPACK Drive G2 de Infineon a partir de 2026. Li Auto inició la producción en serie de sus módulos de potencia de SiC XPM propios en febrero de 2025. Los proveedores de vehículos eléctricos de pasajeros competirán por conseguir que sus productos se integren en los programas de plataformas, y no únicamente por el precio cotizado de cada dispositivo.

Vehículos eléctricos comerciales

Se prevé que los vehículos eléctricos comerciales crezcan a una TCAC del 26,7 %, la más alta entre las categorías de vehículos. Se estima que el contenido medio de módulos por vehículo eléctrico comercial es entre cuatro y siete veces superior al de un vehículo eléctrico de pasajeros en términos de valor. Las ventas mundiales de camiones eléctricos aumentaron aproximadamente un 80 % en 2024, y China representó más del 80 % de las ventas mundiales de camiones eléctricos. Esta combinación de mayores requisitos de potencia y utilización de las flotas respalda la demanda tanto de módulos IGBT de alta potencia como de módulos de SiC.

Hyundai Mobis y Magnachip completaron el desarrollo conjunto de dispositivos IGBT avanzados para inversores de tracción de vehículos eléctricos comerciales, con una producción en serie prevista para 2026. El segmento está menos expuesto a una conversión inmediata total a SiC, ya que los ciclos de trabajo, la arquitectura de tensión y el coste total del sistema varían ampliamente según la plataforma de camión y autobús. Aun así, las flotas comerciales incrementarán la demanda de módulos con alta robustez térmica, dado que una mayor utilización intensifica el valor de la eficiencia y la fiabilidad.

Vehículos eléctricos industriales

Los vehículos eléctricos industriales, incluidos carretillas elevadoras, vehículos de guiado automático, vehículos mineros y plataformas todoterreno, representaron el 9,8 % de los ingresos en 2025 y se prevé que crezcan a una TCAC del 23,1 %. Los módulos IGBT siguen siendo dominantes porque muchas aplicaciones funcionan con plataformas de tensión consolidadas y priorizan la robustez, la potencia nominal y la economía de sustitución. Los módulos IGBT de séptima generación de Fuji Electric y las familias SKiM y SEMITRANS de Semikron Danfoss están ampliamente implantados en aplicaciones de manipulación de materiales y todoterreno.

La electrificación industrial genera un patrón de demanda diferente al de los vehículos eléctricos de pasajeros. Los volúmenes de vehículos son menores, pero los ciclos de sustitución, la intensidad operativa y los requisitos de potencia específicos de cada aplicación generan una demanda sostenida de módulos. El segmento también ofrece a los proveedores con experiencia en IGBT de alta potencia una vía para mantener su escala a medida que las arquitecturas de los vehículos de pasajeros adoptan más SiC. Hasta 2030, las plataformas industriales seguirán actuando como un amortiguador importante frente a una dependencia excesivamente limitada de los ciclos tecnológicos de los vehículos eléctricos de pasajeros.

Por método de refrigeración

Las configuraciones refrigeradas por aire, refrigeradas por líquido e híbridas constituyen la segmentación aprobada por método de refrigeración. La evidencia disponible no asigna cuotas de ingresos, TCAC ni implantaciones de productos concretos a estas categorías de refrigeración. Por tanto, el análisis por método de refrigeración sigue siendo cualitativo dentro de la base de evidencia actual.

La gestión térmica adquiere mayor importancia a medida que los módulos de SiC permiten frecuencias de conmutación y temperaturas de unión más elevadas, así como configuraciones de inversores de 800 V. Es probable que la refrigeración líquida e híbrida reciban mayor atención en los sistemas de mayor potencia, mientras que las configuraciones refrigeradas por aire seguirán siendo relevantes cuando la simplicidad del sistema y unas cargas térmicas inferiores sean suficientes.

Análisis regional del mercado de módulos de potencia para vehículos eléctricos

Asia-Pacífico lidera el mercado porque China, Japón e India combinan una amplia escala de fabricación de vehículos eléctricos con una capacidad nacional de semiconductores de potencia en expansión.

América del Norte y Europa siguen siendo estratégicamente importantes porque los incentivos normativos, la amplitud de las homologaciones en automoción y las inversiones localizadas en SiC respaldan programas de módulos de alto valor. América Latina crece más rápido desde una base más reducida, a medida que la electrificación se extiende a distintas categorías de vehículos.

América del Norte

América del Norte representó el 21,1 % de los ingresos del mercado mundial en 2025 y se prevé que crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 21,4 %. onsemi se comprometió a desarrollar una producción de SiC integral, orientada a la plataforma SSP de Volkswagen Group, mientras que Wolfspeed aumentó la producción de su planta de obleas de SiC de 200 mm en Mohawk Valley, Nueva York. Está previsto que el programa R2 de Rivian inicie la producción con módulos de SiC Infineon HybridPACK Drive G2 y módulos de silicio a partir de 2026. Los aranceles propuestos del 25 % sobre los semiconductores para automoción han acelerado la homologación por parte de los fabricantes de equipos originales (OEM) de módulos procedentes de América del Norte.^{[4]Power Electronics Magazine Editorial Staff, powerelectronicsmagazine.net}

Estados Unidos concentra la inversión regional en fabricación de SiC y la demanda de plataformas de vehículos eléctricos. La limitación regional se encuentra en la ejecución de la cadena de suministro: la capacidad local de producción de obleas debe traducirse en encapsulado de módulos homologados y suministro para los programas de los OEM. Hasta 2028, los proveedores norteamericanos se beneficiarán cuando la localización reduzca el riesgo de abastecimiento de semiconductores.

Europa

Europa concentró el 25,3 % de los ingresos mundiales en 2025 y se prevé que se expanda a una TCAC del 22,1 %. La nueva senda de CO₂ de la UE para los turismos respalda la continuidad de la inversión en plataformas de vehículos eléctricos hasta 2035. Infineon amplió la producción de SiC en su complejo de Villach, Austria, mientras que STMicroelectronics avanzó en su planta de fabricación de SiC de Catania, Italia. En mayo de 2026, Infineon presentó un módulo de SiC HybridPACK Drive de 1300 V, preparado para funcionar de forma continua a 205 °C, destinado a sistemas inversores con una tensión de batería superior a 900 V.^{[5]Automotive World Editorial Team, automotiveworld.com}

Asia-Pacífico

Asia-Pacífico representó el 47,8 % de los ingresos mundiales en 2025 y se prevé que se expanda a una TCAC del 25,0 %. Se espera que China represente aproximadamente el 40 % de la demanda mundial de SiC relacionada con los vehículos eléctricos, mientras que se prevé que los OEM chinos aumenten la adquisición local de SiC desde aproximadamente el 15 % hasta alrededor del 60 % en 2030. Li Auto produjo en serie módulos de SiC XPM en Suzhou desde febrero de 2025, y BYD Semiconductor fabrica componentes electrónicos de potencia IGBT y de SiC para la gama de vehículos eléctricos de BYD.

India es el país de mayor crecimiento de Asia-Pacífico, respaldado por FAME III y los programas de incentivos vinculados a la producción. Japón mantiene una presencia relevante gracias al despliegue de la tecnología de SiC de ROHM en el bZ5 de Toyota, a la homologación de Wolfspeed para el cargador a bordo (OBC) de Toyota y a la actividad de desarrollo de SiC de Toshiba junto con ROHM.

América Latina, Oriente Medio y África

Se prevé que América Latina crezca a una TCAC del 26,1 %, lo que la convierte en el mercado regional de mayor crecimiento. Brasil y Argentina están incluidos en el ámbito de países aprobado. El conjunto de evidencias no proporciona valores de módulos por país, acciones de los proveedores ni información detallada sobre las políticas aplicables a estos mercados.

Arabia Saudí, los EAU y Sudáfrica conforman el ámbito aprobado para Oriente Medio y África. Su inclusión refleja la cobertura geográfica, no una posición de ingresos cuantificada.

Cuota de mercado y panorama competitivo del mercado de módulos de potencia para vehículos eléctricos

Las cinco empresas líderes —Infineon Technologies, Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics, Fuji Electric y BYD Semiconductor— representaron conjuntamente aproximadamente el 40 % de los ingresos mundiales en 2025. Infineon lideró el mercado con una cuota estimada del 14 % de los ingresos. La estructura está moderadamente fragmentada, ya que más de 15 proveedores regionales y especializados generan los ingresos restantes. La competencia en el mercado se centra en el liderazgo tecnológico en SiC, la escala de producción de obleas de 200 mm, la profundidad de las homologaciones para automoción, la capacidad en IGBT de alta potencia y la integración vertical de los fabricantes de equipos originales (OEM).

Infineon Technologies lidera el mercado gracias a su cartera HybridPACK Drive, su base de diseños incorporados para automoción y su posición en la fabricación de SiC de 200 mm. La familia de productos HybridPACK Drive ha vendido más de 10,5 millones de unidades acumuladas.^{[6]Electronic Design Editorial Staff, eetimes.com} Su fábrica de SiC de 200 mm en Kulim (Malasia), inaugurada en 2024, proporciona una ventaja de capacidad, mientras que la presentación en mayo de 2026 del módulo de 1.300 V refuerza su capacidad para operar a alta temperatura y alta tensión.

Mitsubishi Electric ocupa la segunda posición estimada gracias a sus módulos basados en IGBT para vehículos comerciales, vehículos eléctricos industriales y plataformas híbridas. Fuji Electric compite igualmente mediante módulos IGBT de alta potencia para aplicaciones industriales y comerciales de vehículos eléctricos. Estos proveedores están bien posicionados para beneficiarse de la electrificación continuada fuera de las plataformas de turismos de 800 V que están migrando con mayor rapidez.

STMicroelectronics mantiene una posición destacada en SiC, ya que representó aproximadamente el 33 % de los ingresos mundiales de los fabricantes de dispositivos de banda prohibida ancha (WBG) en 2023. Su acuerdo de abril de 2026 para el suministro de MOSFET de SiC para sistemas de propulsión de vehículos eléctricos de 800 V y gran volumen ilustra el valor de contar con una demanda asegurada de los fabricantes de equipos originales. BYD Semiconductor representa un modelo diferente: la producción interna de IGBT y SiC respalda la cartera de vehículos de BYD e internaliza una mayor proporción del valor de la electrónica de potencia. Aproximadamente el 75 % de los componentes del BYD Seal se producen internamente.

Entre los principales actores del mercado de módulos de potencia para vehículos eléctricos se incluyen: Allegro MicroSystems, Inc.; Alpha & Omega Semiconductor; BYD Semiconductor; Denso Corporation; Fuji Electric; Hitachi Energy; Infineon Technologies; Microchip Technology; Mitsubishi Electric Corporation; Navitas Semiconductor; NXP Semiconductors; Robert Bosch; ROHM; Semiconductor Components Industries (onsemi); Semikron Danfoss; StarPower Semiconductor; STMicroelectronics; Toshiba Corporation; Vishay Intertechnology; y Wolfspeed.

ROHM homologó su MOSFET de SiC de cuarta generación en el inversor de tracción del bZ5 de Toyota y opera la empresa conjunta HAIMOSIC Shanghai con Zhenghai Group. Wolfspeed suministra MOSFET de SiC para los sistemas OBC de vehículos eléctricos de batería (BEV) de Toyota y está aumentando progresivamente la producción de su planta de 200 mm de Mohawk Valley. onsemi registra una cuota del 24 % de los ingresos de dispositivos WBG y mantiene acuerdos de suministro con Volkswagen Group y NIO para programas de SiC. StarPower está ampliando la producción china de IGBT y SiC, mientras que Bosch integra módulos de múltiples proveedores en sistemas de inversores y de propulsión.

Desarrollos recientes del sector

• Mayo de 2026: Infineon Technologies presentó un módulo de potencia SiC HybridPACK Drive de 1.300 V, con una capacidad nominal para funcionamiento continuo a 205 °C, que permite hasta un 15 % más de corriente de salida y admite sistemas de inversores con una tensión de batería superior a 900 V.
• Mayo de 2026: onsemi y NIO ampliaron su colaboración estratégica para el desarrollo de plataformas de vehículos eléctricos de 900 V de próxima generación.
• abr. de 2026: STMicroelectronics alcanzó un acuerdo de suministro a largo plazo para dispositivos MOSFET de SiC destinados a respaldar la producción de sistemas de propulsión de 800 V en grandes volúmenes.
• ene. de 2026: onsemi fue seleccionada por Volkswagen Group como proveedor principal de soluciones de cajas de potencia de SiC para inversores de tracción SSP.
• dic. de 2025: Wolfspeed confirmó que los MOSFET de SiC alimentarán los sistemas de cargadores embarcados de los vehículos eléctricos de batería de Toyota.