실리콘 카바이드 MOSFET 시장 - 장치 유형별, 전압 범위별, 애플리케이션별, 기술 노드별, 최종 사용 산업별 및 예측(2024~2032년)

실리콘 카바이드 MOSFETs 시장 크기

글로벌 실리콘 카바이드 MOSFETs 시장은 2023 년에 2 억 달러로 평가되었으며 2024에서 2032 %의 CAGR에서 성장할 것으로 추정됩니다.

온실 가스 배출에 크게 기여하는 운송 산업은 전환을 겪고 있습니다. 이 대규모 운송 분야의 전환은 기존의 실리콘 기반 부품과 비교하여 고효율 및 감소된 전력 손실을 제공하는 EV 파워 트레인, 드라이브 트레인 및 충전 인프라의 중요한 구성 요소로서 SiC MOSFETS의 수요를 추진하고 있습니다. 또한 전 세계 정부는 운송 탄소 발자국을 줄이고 예측 기간 동안 실리콘 카바이드 MOSFETs 시장의 시장 성장을 추진하고 있습니다.

SiC MOSFET는 재생 가능한 에너지 생성 및 저장에서 점점 사용됩니다. 이 MOSFET는 재생 가능한 에너지의 세대 및 저장에 사용되는 인버터 및 전력 변환기의 매우 중요한 구성 요소입니다. 태양과 풍력 설치의 증가, 정부 인센티브에 의해 구동 및 지속 가능한 에너지 솔루션에 대한 필요, SiC MOSFETs에 대한 수요를 밀어 할 것으로 예상된다.

예를 들어, 6 월 2024에서 Vishay Intertechnology는 PCIM Europe 2024에 최초의 SiC MOSFET 제품을 소개합니다. 이 회사는 e-mobility, 고효율 전력 변환, 에너지 저장 및 그리드 관리를 포함한 전력 전자 분야에서 점점 중요한 추세를 해결하는 광범위한 전력 관리 솔루션 포트폴리오를 보여줍니다. PCIM의 Vishay 센터 스테이지를 통해 회사의 새로 출시 될 것입니다 1200 V MaxSiC 시리즈 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFETs, 이는 55 m의 저항을 제공?, 95 m?, 그리고 280 m? 산업 응용 프로그램에 대한 표준 패키지, 맞춤 제품도 사용할 수 있습니다.

실리콘 카바이드 MOSFETs 시장 동향

전 세계 전기 자동차의 성장 침투는 실리콘 카바이드 MOSFET의 주요 드라이버 중 하나입니다. 효율성과 에너지 절약 기능으로 인해 실리콘 카본 MOSFETs는 EV 파워트레인, APU 및 충전 인프라에 대한 선호되는 구성 요소가되었습니다. 이 추세는 자동차 제조업체가 배출 규정을 충족하면서 더 나은 성능으로 더 긴 범위 EV를 제공하려고 할 가능성이 있습니다.

재생 에너지, 특히 태양과 풍력 에너지, SiC MOSFET의 성장을 크게 추진하고 있습니다. 세계적 수준의 에너지 공급을 위한 노력은, 재생 에너지 소스의 산출을 확대할 수 있는 높 효율성 힘 전자공학을 위한 필요는 또한 증가되고, 예측 기간 도중 실리콘 탄화물 MOSFETs 시장을 위한 궁극적으로 증가하는 궁극적으로 증가합니다.

5G 네트워크의 채택은 SiC MOSFET의 새로운 기회를 제공합니다. 5G 네트워크는 고성능과 고성능 수용량 해결책을 요구합니다. SiC MOSFETs는 5G 기지국 및 데이터 센터의 배포에 이상적입니다. 5G 기술은 전 세계적으로 확장하기 위해 계속되고, 원거리 통신에 있는 SiC MOSFETs를 위한 수요는 더 빠르고 믿을 수 있는 네트워크 성과를 위한 필요에 의해 몰아, 크게 성장할 것으로 예상됩니다.

실리콘 카바이드 MOSFETs 시장 분석

실리콘 카바이드 MOSFETS의 개발 및 생산은 복잡한 디자인, 고급 재료 및 복잡한 제조 공정의 사용으로 인한 비용 효율적인 공정입니다. 추가 기능 및 기술 통합 포장 솔루션은 종종 상당한 투자를 필요로하며, 이익 마진에 영향을 줄 수 있습니다. 이러한 경우, 회사는 비용 부담 비율을 평가해야하여 추가 기능이 비용에 부과됩니다.

장치 유형에 바탕을 두어, 실리콘 탄화물 MOSFETs 시장은 분리된 SiC MOSFETs, 단위 SiC MOSFETs로 분할됩니다. 모듈 SiC MOSFETs 세그먼트는 예측 기간의 CAGR 31%를 등록 할 것으로 예상됩니다.

• Module SiC MOSFETs는 게이트 드라이버 및 열 관리 시스템과 같은 여러 장치 및 추가 구성 요소를 포함하는 모듈 또는 패키지로 통합 된 SiC MOSFETs를 나타냅니다. 이 모듈은 SiC 기술의 구현을 단순화하기 위해 설계되었습니다. 고성능 애플리케이션의 구현을 단순화하여 향상된 성능 특성을 갖춘 컴팩트한 솔루션.
• Module SiC MOSFETs는 전기 자동차 용 산업용 인버터, 전력 공급 및 견인 드라이브와 같은 응용 분야에서 일반적으로 사용됩니다. 그들은 개량한 힘 조밀도와 같은 이점을 제안합니다, 감소된 parasitic 유도, 그리고 복잡한 체계로 쉽게 통합, 튼튼한 믿을 수 있는 힘 관리를 요구하는 신청을 위해 적당한 만들기.

기술 노드를 기반으로 실리콘 카바이드 MOSFETs 시장은 150mm 웨이퍼 기술, 200mm 웨이퍼 기술로 나뉩니다. 150mm 웨이퍼 기술 세그먼트는 2032년까지 USD 10.3 억에 대한 계정으로 프로젝트됩니다.

• 또한 6 인치 웨이퍼 기술로 알려진 150mm 웨이퍼 기술은 SiC MOSFET 제조 기판으로 150mm 직경 실리콘 웨이퍼를 사용하는 생산 공정을 나타냅니다. 이 기술은 일반적으로 초기 단계 또는 틈새 응용 분야에서 사용되며 비용 및 생산량이 관리할 수 있습니다.
• 150mm 웨이퍼는 재료 취급 및 제조 유연성 측면에서 몇 가지 이점을 제공합니다. 그들은 점차적으로 더 큰 웨이퍼 크기의 호의에서 단계화됩니다.
• 이에도 불구하고, 150mm 웨이퍼 기술은 특정 응용 분야 및 시장과 관련된 유지, 특히 소규모 생산이 필요하거나 기존 인프라가이 웨이퍼 크기를 지원합니다.

2023년 미국 실리콘 카바이드 MOSFETs 시장은 북미 67.8%의 점유율을 차지했습니다. 미국 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFETS는 전기 자동차 및 정부의 탄소 배출을 줄이기 위해 강한 수요에 의해 구동됩니다. 5G 인프라의 급속한 배포 및 반도체 혁신의 국가 리더십은 SiC MOSFETs에 대한 수요를 더 bolster합니다. 산업 기지 및 연속 R & D 투자를 설립 한 U.S.는 SiC 기술에 대한 주요 시장이 될 것으로 예상됩니다.

일본 시장은 첨단 SiC MOSFET의 수요를 신속한 대형 자동차 및 전자 산업의 존재로 성장하고 있습니다. 일본 자동차 제조업체는 전기 자동차 (EV) 개발의 최전선에 있으며, SiC MOSFET를 채택하여 차량 효율성과 성능을 향상시킵니다. 또한, 일본은 에너지 보존에 중점을두고 재생 가능한 에너지에 대한 헌신은 태양 광 인버터 및 전력 그리드 응용 분야에서 SiC MOSFETs에 대한 수요를 증가 시켰습니다.

한국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장 회사는 전기 자동차 (EV) 개발 및 재생 에너지 프로젝트에 크게 투자하고 SiC MOSFET의 주요 응용 분야 중 하나입니다. 5G 기술에 대한 국가의 리더십과 스마트 그리드 및 전력 전자의 지속적인 투자는 SiC MOSFETs에 대한 수요 증가에 기여합니다. 강력한 산업 기지와 기술 발전에 대한 헌신으로, 대한민국은 글로벌 SiC MOSFETs 시장에서 중요한 선수가 될 것입니다.

예를 들어, 6 월 2024에서 Mitsubishi Electric Corporation은 Schottky 장벽 다이오드 (SBD)의 낮은 현재 3.3kV / 400A 및 3.3kV / 200A 버전의 선박을 시작했다고 발표했습니다. 실리콘 카바이드 (SiC) 금속 산화물 - 반도체 분야 (MOSFET) 모듈은 오늘날 6 월 10에서 재고 및 전력 시스템을 포함한 대형 산업용 장비에 사용됩니다. 기존 3.3kV/800A 버전과 함께, 새로 지명된 UnifullTM 시리즈는 대형 산업용 장비의 전력 출력 및 전력 변환 효율을 증가할 수 있는 인버터에 대한 수요를 충족하기 위해 3개의 모듈을 구성합니다.

실리콘 카바이드 MOSFETs 시장 공유

실리콘 카바이드 MOSFET 시장에서 주요 플레이어는 히타치 파워 반도체 장치, II-VI (이전 Coherent Corporation), Infineon, Long-Street, Microchip, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, Renesas, ROHM, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba 및 TT Electronics입니다. 제품 성능 및 신뢰성은 SiC MOSFET과 같은 업계의 고전압 응용 분야에 대한 높은 효율, 내열성 및 적합성에 대한 부가적인 경쟁력을 갖추고 있습니다.

실리콘 카바이드 MOSFETs 시장 기업

실리콘 카바이드 MOSFETs 업계에서 작동하는 주요 플레이어는 다음과 같습니다.

• Hitachi Power Semiconductor Device를 소개합니다.
• II-VI 통합 (현재 Coherent Corp.)
• Infineon 기술 AG
• Littelfuse, 주식회사
• 마이크로칩 기술 Inc.
• 미츠비시 전기 Corporation
• 반도체
• Renesas 전자 공사
• ROHM 반도체
• STARCHIP 소개
• STMicroelectronics의 특징
• Toshiba 회사

실리콘 카바이드 MOSFETs 산업 뉴스

• 에 5월 2024, Infineon unveils CoolSiC MOSFETs 400 AI 서버 전력 공급에 있는 V redefining 힘 조밀도 그리고 효율성. 새로운 MOSFET 포트폴리오는 특히 AI 서버의 AC / DC 스테이지에서 사용하기 위해 개발되었으며 Infineon의 최근 PSU 로드맵을 보완했습니다. 이 장치는 또한 주거 건물을 위한 태양과 에너지 저장 체계 (ESS), 변환장치 모터 통제, 산업과 보조 전력 공급 (SMPS) 뿐 아니라 고체 차단기를 위해 이상적입니다.
• 12월 2023일, Nexperia는 자체 SiC MOSFET를 개발하여, 3핀 포장의 1,200V 장치 도입에 의해 표시되어 있습니다. NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A. Nexperia는 새로운 SiC MOSFET의 주요 장점 중 하나가 장치의 작동 온도 범위에서 비교적 안정적인 배수 자원 (RDS (on))입니다.