Carbure de silicium MOSFETs Taille du marché, part et prévisions – 2032

Carbure de silicium MOSFET Taille du marché

Le marché mondial des MOSFET de carbure de silicium a été évalué à 2 milliards de dollars en 2023 et devrait croître à 30,1 % entre 2024 et 2032.

L'industrie des transports, qui contribue de manière significative aux émissions de gaz à effet de serre, est en transition vers l'électrification. Cette transition à grande échelle dans le secteur des transports propulse la demande de SiC MOSFETS car ils sont des composants essentiels de la motorisation EV, de la motorisation et de l'infrastructure de recharge, offrant une efficacité élevée et une perte de puissance réduite par rapport aux composants traditionnels à base de silicium. De plus, les gouvernements du monde entier s'amusent à réduire leur empreinte carbone dans le secteur des transports, ce qui stimule la croissance du marché des MOSFET en carbure de silicium au cours de la période de prévision.

Les MOSFET SiC sont de plus en plus utilisés dans la production et le stockage d'énergies renouvelables. Ces MOSFET sont des composants très critiques des onduleurs et des convertisseurs d'énergie utilisés pour la production et le stockage d'énergie renouvelable. Le déploiement croissant d'installations solaires et éoliennes, stimulé par les incitations gouvernementales et la nécessité de solutions énergétiques durables, devrait stimuler la demande de MOSFET SiC.

Par exemple, en juin 2024, Vishay Intertechnology présente ses premiers produits SiC MOSFET à PCIM Europe 2024. L'entreprise présentera son vaste portefeuille de solutions de gestion de l'énergie qui s'attaquent à plusieurs tendances de plus en plus importantes en matière d'électronique électrique, notamment la mobilité électronique, la conversion d'énergie à haut rendement, le stockage de l'énergie et la gestion du réseau. Prenant la scène centrale pour Vishay à PCIM sera la société de 1200 V MaxSiC série de carbure de silicium (SiC) MOSFETs, qui fournissent sur-résistances de 55 m?, 95 m?, et 280 m? dans des paquets standard pour les applications industrielles, avec des produits sur mesure également disponibles.

Carbure de silicium MOSFET Tendances du marché

La pénétration croissante des véhicules électriques dans le monde est l'un des principaux moteurs des MOSFET en carbure de silicium. Grâce à leur plus grande efficacité et à leurs capacités d'économie d'énergie, les MOSFET au carbone de silicium sont rapidement devenus les composants préférés des motorisations, des APU et des infrastructures de recharge. Cette tendance devrait s'accélérer davantage, car les constructeurs automobiles tentent de fournir des VE à plus longue portée avec de meilleures performances tout en respectant les règlements sur les émissions.

Les énergies renouvelables, en particulier l'énergie solaire et éolienne, propulsent de manière significative la croissance des MOSFET SiC. Les efforts mondiaux pour passer à l'énergie propre s'intensifient, la nécessité d'électroniques de puissance à haut rendement qui peuvent maximiser la production de sources d'énergie renouvelables augmente également, ce qui, en fin de compte, accroît la demande pour le marché des MOSFET de carbure de silicium au cours de la période de prévision.

L'adoption de réseaux 5G offre de nouvelles possibilités aux MOSFET SiC. Les réseaux 5G nécessitent une solution haute performance et haute puissance. Les MOSFET SiC peuvent fonctionner très efficacement à des fréquences et températures plus élevées, ce qui les rend idéales pour le déploiement dans les stations de base et les centres de données 5G. Alors que la technologie 5G continue de se développer à l'échelle mondiale, la demande de MOSFET SiC dans le domaine des télécommunications devrait croître considérablement, en raison de la nécessité d'une performance du réseau plus rapide et plus fiable.

Carbure de silicium MOSFETs Analyse du marché

Le développement et la production de carbure de silicium MOSFETS est un processus coûteux en raison de la conception complexe, l'utilisation de matériaux avancés et le processus de fabrication complexe. L'intégration de fonctionnalités et de technologies supplémentaires dans les solutions d'emballage nécessite souvent des investissements substantiels, qui peuvent avoir une incidence sur les marges bénéficiaires. Dans de tels cas, les entreprises doivent évaluer le rapport coût-bénéfice pour s'assurer que des fonctionnalités supplémentaires en valent la peine.

Basé sur le type d'appareil, le marché des MOSFET en carbure de silicium est divisé en MOSFET SiC discret, module SiC MOSFET. Le segment des MOSFET SiC du module devrait enregistrer un TCAC de 31 % de la période de prévision.

• Module SiC MOSFETs font référence à SiC MOSFETs qui sont intégrés dans un module ou un paquet qui comprend plusieurs dispositifs et composants supplémentaires tels que les pilotes de portail et les systèmes de gestion thermique. Ces modules sont conçus pour simplifier la mise en œuvre de la technologie SiC dans les applications de haute puissance en fournissant une solution compacte prête à l'emploi avec des caractéristiques de performance améliorées.
• Module SiC MOSFETs sont couramment utilisés dans des applications telles que les onduleurs industriels, les alimentations et les entraînements de traction pour les véhicules électriques. Ils offrent des avantages tels que l'amélioration de la densité de puissance, la réduction de l'inductance parasitaire et une intégration plus facile dans des systèmes complexes, les rendant adaptés aux applications nécessitant une gestion de puissance robuste et fiable.

Basé sur le nœud technologique, le marché du carbure de silicium MOSFETs est divisé en 150mm technologie wafer, 200mm technologie wafer. Le segment de la technologie des wafers de 150 mm devrait représenter 10,3 milliards de dollars d'ici 2032.

• La technologie des wafers de 150 mm, également connue sous le nom de technologie des wafers de 6 pouces, fait référence au processus de production qui utilise des wafers de silicium de 150 mm de diamètre comme substrat pour la fabrication de MOSFETs SiC. Cette technologie est généralement utilisée dans les applications de démarrage ou de créneau où les coûts et le volume de production sont gérables.
• Alors que les plaquettes de 150 mm offrent certains avantages en termes de manutention des matériaux et de flexibilité de fabrication, elles sont progressivement éliminées en faveur de plus grandes tailles de plaquettes.
• Malgré cela, la technologie des wafers de 150 mm demeure pertinente pour certaines applications et certains marchés, en particulier lorsque la production à petite échelle est nécessaire ou lorsque l'infrastructure existante supporte cette taille.

En 2023, le marché américain des MOSFET de carbure de silicium représentait 67,8 % de l'Amérique du Nord. Le carbure de silicium américain (SiC) MOSFETS est motivé par une forte demande de véhicules électriques et le gouvernement se concentre sur la réduction des émissions de carbone. le déploiement rapide de l'infrastructure 5G et le leadership du pays dans l'innovation des semi-conducteurs renforcent encore la demande de MOSFET SiC. Avec une base industrielle bien établie et des investissements continus en R-D, les États-Unis devraient demeurer un marché clé pour la technologie SiC.

Le marché japonais est en pleine expansion grâce à la présence de grandes industries de l'automobile et de l'électronique, ce qui stimule la demande de MOSFET SiC avancés. Les constructeurs automobiles japonais sont à l'avant-garde du développement des véhicules électriques (EV), adoptant de plus en plus des MOSFET SiC pour améliorer l'efficacité et les performances des véhicules. En outre, l'accent mis par le Japon sur la conservation de l'énergie et son engagement en faveur des énergies renouvelables ont conduit à une demande croissante de MOSFET SiC dans les onduleurs solaires et les applications du réseau électrique.

Les entreprises du marché sud-coréen du carbure de silicium MOSFET investissent massivement dans le développement des véhicules électriques (EV) et les projets d'énergie renouvelable, qui sont tous deux des applications majeures pour les MOSFET SiC. Le leadership du pays dans la technologie 5G et ses investissements continus dans les réseaux intelligents et l'électronique électrique contribuent également à la demande croissante de MOSFET SiC. Avec une base industrielle solide et un engagement en faveur du progrès technologique, la Corée du Sud est sur le point de devenir un acteur important sur le marché mondial des MOSFET SiC.

Par exemple, en juin 2024, Mitsubishi Electric Corporation a annoncé qu'elle avait commencé à expédier des versions à faible courant 3.3kV/400A et 3.3kV/200A d'un module de transistor à effet de champ (MOSFET) pour gros équipements industriels, y compris le matériel roulant et les systèmes électriques. Avec la version existante 3.3kV/800A, la nouvelle série UnifullTM comprend trois modules pour répondre à la demande croissante d'onduleurs capables d'augmenter la puissance et l'efficacité de conversion de puissance dans les gros équipements industriels.

Carbure de silicium Part de marché des MOSFET

Les principaux acteurs du marché du carbure de silicium MOSFET sont Hitachi Power Semiconductor Device, II-VI (anciennement Coherent Corporation), Infineon, Long-Street, Microchip, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, Renesas, ROHM, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba et TT Electronics. Les performances et la fiabilité des produits sont des différenciateurs concurrentiels primaires, car les MOSFET SiC sont valorisés pour leur efficacité élevée, leur résistance à la chaleur et leur aptitude à des applications à haute tension dans des industries comme l'automobile, les énergies renouvelables et les équipements industriels.

Carbure de silicium MOSFETs Sociétés du marché

Les principaux acteurs de l'industrie des MOSFET au carbure de silicium sont:

• Appareils semiconducteurs de puissance Hitachi, Ltd.
• II-VI Incorporated (maintenant Coherent Corp.)
• Infineon Technologies AG
• Littelfuse, Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Sur semi-conducteur
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM Semiconductor
• STARCHIP
• STMicroélectronique
• Société Toshiba

Carbure de silicium MOSFETs Nouvelles de l'industrie

• En mai 2024, Infineon dévoile les MOSFETs CoolSiC 400 V redéfinissant la densité de puissance et l'efficacité des alimentations du serveur AI. Le nouveau portefeuille MOSFET a été spécialement développé pour être utilisé à l'étape AC/DC des serveurs AI, en complément de la feuille de route PSU récemment annoncée par Infineon. Les appareils sont également idéals pour les systèmes de stockage solaire et énergétique (ESS), le contrôle moteur de l'onduleur, les alimentations industrielles et auxiliaires (SMPS) ainsi que les disjoncteurs à l'état solide pour bâtiments résidentiels.
• En décembre 2023, Nexperia développe ses propres MOSFET SiC, marqués par l'introduction de deux premiers dispositifs de 1 200 V dans des emballages à trois broches : les NSF040120L3A0 et NSF080120L3A. Nexperia a l'un des principaux avantages de ses nouveaux MOSFET SiC, c'est qu'ils sont relativement stables en résistance (RDS (on)) sur la plage de température de fonctionnement de l'appareil.

Ce rapport d'étude de marché sur le carbure de silicium MOSFET couvre en profondeur l'industrie avec des estimations et des prévisions en termes de recettes (en millions de dollars américains) et (unités de volume) de 2021 à 2032, pour les segments suivants:

Marché, par type d'appareil

• Discret SiC MOSFETs

• Module SiC MOSFETs

Marché par gamme de tension

• 650V
• 900V
• 1200V
• 1700V
• 3300V et plus

Marché, par demande

• Alimentation électrique
• Onduleurs
• Véhicules électriques
• Matériel industriel
• Autres

Marché, par nœud technologique

• Technologie du wafer de 150 mm
• Technologie de 200mm wafer

Marché, par industrie d'utilisation finale

• Automobile
• Industrielle
• Électronique grand public
• Télécommunications
• Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et les pays suivants:

• Amérique du Nord
  • États-Unis
  • Canada
• Europe
  • Royaume Uni
  • Allemagne
  • France
  • Italie
  • Espagne
  • Russie
• Asie-Pacifique
  • Chine
  • Inde
  • Japon
  • Corée du Sud
  • Australie
• Amérique latine
  • Brésil
  • Mexique
• MEA
  • EAU
  • Arabie saoudite
  • Afrique du Sud