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Marché des MOSFET en carbure de silicium Taille et part 20242032

ID du rapport: GMI12011
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Date de publication: October 2024
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Format du rapport: PDF/Excel/Tableau de bord/Plateforme
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Taille du marché des MOSFET en carbure de silicium

Le marché mondial des MOSFET en carbure de silicium était évalué à 2 milliards de dollars américains en 2023 et devrait enregistrer un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 30,1 % entre 2024 et 2032.


Points clés à retenir sur le marché des MOSFET en carbure de silicium

Taille du marché en 2023
2 milliards de dollars
Taille du marché prévue en 2032
21,5 milliards de dollars
Taux de croissance annuel composé (TCAC) (2024–2032)
30,1 %
Principaux acteurs
  • Alpha & Omega Semiconductor, CISSOID SA, Danfoss Silicon Power GmbH, Dynex Semiconductor Ltd., Fuji Electric Co., Ltd., GeneSiC Semiconductor, Global Power Technologies Group (GPTG), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., II-VI Incorporated (now Coherent Corp.), Infineon Technologies AG, Littelfuse, Inc., Microchip Technology Inc., Mitsubishi Electric Corporation, ON Semiconductor, Renesas Electronics Corporation, ROHM Semiconductor, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba Corporation, TT Electronics, UnitedSiC (now part of Qorvo), Vishay Intertechnology, Wolfspeed (Cree Inc.), X-FAB Silicon Foundries
Principaux moteurs du marché
  • Demande croissante de véhicules électriques (VE)
  • Développement du secteur des énergies renouvelables
  • Adoption accrue dans l’aérospatiale et la défense
Défis
  • Coûts de production élevés
  • Défis techniques liés à l’intégration

Le secteur des transports, qui contribue de manière importante aux émissions de gaz à effet de serre, est en pleine transition vers l’électrification. Cette transition à grande échelle propulse la demande de MOSFET SiC, composants essentiels des groupes motopropulseurs, des chaînes de traction et des infrastructures de recharge des véhicules électriques. Ils offrent une efficacité élevée et réduisent les pertes de puissance par rapport aux composants traditionnels à base de silicium. En outre, les gouvernements du monde entier cherchent à réduire l’empreinte carbone des transports, ce qui stimule la croissance du marché des MOSFET en carbure de silicium au cours de la période de prévision.
 

Les MOSFET SiC sont de plus en plus utilisés dans la production et le stockage d’énergies renouvelables. Ils sont des composants essentiels des onduleurs et des convertisseurs de puissance employés pour produire et stocker ces énergies. Le déploiement croissant d’installations solaires et éoliennes, soutenu par des mesures incitatives gouvernementales et par le besoin de solutions énergétiques durables, devrait stimuler la demande de MOSFET SiC.
 

Par exemple, en juin 2024, Vishay Intertechnology présente ses premiers produits MOSFET SiC à PCIM Europe 2024. L’entreprise y présentera son vaste portefeuille de solutions de gestion de l’alimentation, qui répondent à plusieurs tendances de plus en plus importantes dans le domaine de l’électronique de puissance, notamment la mobilité électrique, la conversion de puissance à haut rendement, le stockage de l’énergie et la gestion du réseau. Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de la série 1200 V MaxSiC de Vishay seront à l’honneur lors du salon PCIM. Destinés aux applications industrielles, ils affichent des résistances à l’état passant de 55 m, 95 m et 280 m dans des boîtiers standard ; des produits personnalisés sont également disponibles.

Tendances du marché des MOSFET en carbure de silicium

La pénétration croissante des véhicules électriques dans le monde est l’un des principaux moteurs du marché des MOSFET en carbure de silicium. Grâce à leur rendement supérieur et à leurs capacités d’économie d’énergie, les MOSFET en carbure de silicium sont rapidement devenus les composants privilégiés des groupes motopropulseurs, des groupes auxiliaires de puissance (APU) et des infrastructures de recharge des véhicules électriques. Cette tendance devrait s’accélérer, les constructeurs automobiles cherchant à proposer des véhicules électriques offrant une plus grande autonomie et de meilleures performances, tout en respectant les réglementations sur les émissions.
 

Les énergies renouvelables, en particulier l’énergie solaire et l’énergie éolienne, contribuent fortement à la croissance des MOSFET SiC. À mesure que les efforts déployés dans le monde pour passer aux énergies propres s’intensifient, le besoin en électronique de puissance à haut rendement, capable de maximiser la production des sources d’énergie renouvelable, augmente également, ce qui accroît la demande de MOSFET en carbure de silicium au cours de la période de prévision.
 

Le déploiement des réseaux 5G ouvre de nouvelles perspectives aux MOSFET SiC. Les réseaux 5G nécessitent des solutions hautes performances et de forte puissance. Les MOSFET SiC peuvent fonctionner avec une grande efficacité à des fréquences et à des températures élevées, ce qui les rend particulièrement adaptés aux stations de base 5G et aux centres de données. À mesure que la technologie 5G continue de se déployer dans le monde, la demande de MOSFET SiC dans les télécommunications devrait augmenter considérablement, portée par le besoin de réseaux plus rapides et plus fiables.
 

Analyse du marché des MOSFET en carbure de silicium

Le développement et la production de MOSFET en carbure de silicium constituent un processus coûteux en raison de la complexité de la conception, de l’utilisation de matériaux avancés et de la complexité du processus de fabrication. L’intégration de fonctionnalités et de technologies supplémentaires dans les solutions de boîtier nécessite souvent des investissements importants, susceptibles d’avoir une incidence sur les marges bénéficiaires. Dans ces cas, les entreprises doivent évaluer le rapport coûts-avantages afin de s’assurer que les fonctionnalités supplémentaires justifient leur coût.
 

Taille du marché des MOSFET en carbure de silicium, par type de dispositif, 2022-2032 (milliards de dollars américains)
Taille du marché des MOSFET en carbure de silicium, par type de dispositif, 2022-2032 (milliards de dollars américains)

Selon le type de dispositif, le marché des MOSFET en carbure de silicium se répartit entre les MOSFET SiC discrets et les MOSFET SiC en module. Le segment des MOSFET SiC en module devrait afficher un taux de croissance annuel composé de 31 % sur la période de prévision.
 

  • Les MOSFET SiC en module désignent les MOSFET SiC intégrés dans un module ou un boîtier comprenant plusieurs dispositifs et des composants supplémentaires, tels que des pilotes de grille et des systèmes de gestion thermique. Ces modules sont conçus pour simplifier la mise en œuvre de la technologie SiC dans les applications de forte puissance, en proposant une solution compacte, prête à l’emploi et offrant des performances améliorées.
     
  • Les MOSFET SiC en module sont couramment utilisés dans des applications telles que les onduleurs industriels, les alimentations électriques et les entraînements de traction pour véhicules électriques. Ils offrent des avantages tels qu’une densité de puissance améliorée, une inductance parasite réduite et une intégration plus facile dans des systèmes complexes, ce qui les rend adaptés aux applications nécessitant une gestion de puissance robuste et fiable.
     
Part de marché des MOSFET en carbure de silicium, par nœud technologique, 2023
Part de marché des MOSFET en carbure de silicium, par nœud technologique, 2023

Selon le nœud technologique, le marché des MOSFET en carbure de silicium se répartit entre la technologie de plaquettes de 150 mm et celle de plaquettes de 200 mm. Le segment de la technologie de plaquettes de 150 mm devrait représenter 10,3 milliards de dollars américains d’ici 2032.
 

  • La technologie de plaquettes de 150 mm, également appelée technologie de plaquettes de 6 pouces, désigne le procédé de production utilisant des plaquettes de silicium de 150 mm de diamètre comme substrat pour la fabrication de MOSFET SiC. Cette technologie est généralement utilisée dans des applications de niche ou à un stade précoce, où les coûts et les volumes de production restent maîtrisables.  
     
  • Bien que les plaquettes de 150 mm présentent certains avantages en matière de manutention des matériaux et de flexibilité de fabrication, elles sont progressivement abandonnées au profit de plaquettes de plus grand diamètre.  
     
  • Malgré cela, la technologie de plaquettes de 150 mm reste pertinente pour certaines applications et certains marchés, notamment lorsque la production à plus petite échelle est nécessaire ou lorsque les infrastructures existantes sont compatibles avec ce format de plaquette.
     
Taille du marché des MOSFET en carbure de silicium aux États-Unis, 2022-2032 (millions de dollars américains)
Taille du marché des MOSFET en carbure de silicium aux États-Unis, 2022-2032 (millions de dollars américains)

En 2023, le marché américain des MOSFET en carbure de silicium représentait 67,8 % du marché nord-américain. Le marché américain des MOSFET en carbure de silicium (SiC) est porté par une forte demande de véhicules électriques et par l’attention que le gouvernement accorde à la réduction des émissions de carbone. Le déploiement rapide de l’infrastructure 5G et le leadership du pays en matière d’innovation dans les semi-conducteurs soutiennent également la demande de MOSFET SiC. Grâce à une base industrielle bien établie et à des investissements continus en recherche et développement, les États-Unis devraient rester un marché clé pour la technologie SiC.
 

Le marché japonais connaît une croissance portée par la présence d’importants secteurs automobile et électronique, qui stimulent la demande de MOSFET SiC avancés. Les constructeurs automobiles japonais sont à l’avant-garde du développement des véhicules électriques (VE) et adoptent de plus en plus les MOSFET SiC pour améliorer l’efficacité et les performances des véhicules. Par ailleurs, l’importance accordée par le Japon aux économies d’énergie et son engagement en faveur des énergies renouvelables ont entraîné une hausse de la demande de MOSFET SiC dans les onduleurs solaires et les applications liées aux réseaux électriques.
 

Les entreprises du marché sud-coréen des MOSFET en carbure de silicium investissent massivement dans le développement des véhicules électriques (VE) et les projets d’énergies renouvelables, deux domaines d’application majeurs pour les MOSFET SiC. Le leadership du pays dans la technologie 5G et ses investissements continus dans les réseaux intelligents et l’électronique de puissance contribuent également à la hausse de la demande de MOSFET SiC. Grâce à une solide base industrielle et à son engagement en faveur du progrès technologique, la Corée du Sud est bien placée pour devenir un acteur important du marché mondial des MOSFET SiC.
 

Par exemple, en juin 2024, Mitsubishi Electric Corporation a annoncé avoir commencé, à compter du 10 juin, la livraison de versions à faible courant de 3.3kV/400A et 3.3kV/200A d’un module à transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) en carbure de silicium (SiC) intégrant une diode à barrière Schottky (SBD), destiné aux grands équipements industriels, notamment au matériel roulant et aux systèmes électriques. Avec la version existante de 3.3kV/800A, la nouvelle série baptisée UnifullTM comprend trois modules destinés à répondre à la demande croissante d’onduleurs capables d’augmenter la puissance de sortie et le rendement de conversion de puissance des grands équipements industriels.
 

Part de marché des MOSFET en carbure de silicium

Les principaux acteurs du marché des MOSFET en carbure de silicium sont Hitachi Power Semiconductor Device, II-VI (anciennement Coherent Corporation), Infineon, Long-Street, Microchip, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, Renesas, ROHM, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba et TT Electronics. Les performances et la fiabilité des produits constituent les principaux facteurs de différenciation concurrentielle, car les MOSFET SiC sont appréciés pour leur rendement élevé, leur résistance à la chaleur et leur adéquation aux applications haute tension dans des secteurs tels que l’automobile, les énergies renouvelables et les équipements industriels.
 

Entreprises du marché des MOSFET en carbure de silicium

Les principaux acteurs du secteur des MOSFET en carbure de silicium sont :

  • Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
  • II-VI Incorporated (désormais Coherent Corp.)
  • Infineon Technologies AG
  • Littelfuse, Inc.
  • Microchip Technology Inc.
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • ON Semiconductor
  • Renesas Electronics Corporation
  • ROHM Semiconductor
  • STARCHIP
  • STMicroelectronics
  • Toshiba Corporation
     

Actualités du secteur des MOSFET en carbure de silicium

  • En mai 2024, Infineon dévoile les MOSFET CoolSiC 400 V, qui redéfinissent la densité de puissance et le rendement des alimentations pour serveurs d’IA. Cette nouvelle gamme de MOSFET a été spécialement conçue pour être utilisée dans l’étage AC/DC des serveurs d’IA et vient compléter la feuille de route des alimentations (PSU) récemment annoncée par Infineon. Ces composants conviennent également parfaitement aux systèmes solaires et de stockage d’énergie (ESS), à la commande de moteurs par onduleur, aux alimentations industrielles et auxiliaires (SMPS), ainsi qu’aux disjoncteurs à semi-conducteurs pour les bâtiments résidentiels.
     
  • En décembre 2023, Nexperia développe ses propres MOSFET SiC, avec l’introduction de deux premiers composants 1 200 V en boîtier à trois broches : les NSF040120L3A0 et NSF080120L3A. L’un des principaux avantages des nouveaux MOSFET SiC de Nexperia réside dans la relative stabilité de leur résistance à l’état passant entre drain et source (RDS (on)) sur toute la plage de températures de fonctionnement du composant.
     

Ce rapport d’étude de marché sur les MOSFET en carbure de silicium présente une analyse approfondie du secteur avec des estimations et des prévisions en termes de chiffre d’affaires (en millions de dollars américains) et de volume (en unités) de 2021 à 2032, pour les segments suivants :

Marché par type de composant

  • MOSFET SiC discrets

  • MOSFET SiC en module

Marché par plage de tension

  • 650 V
  • 900 V
  • 1 200 V
  • 1 700 V
  • 3 300 V et plus

Marché par application

  • Alimentations
  • Onduleurs
  • Véhicules électriques (VE)
  • Équipements industriels
  • Autres

Marché par nœud technologique

  • Technologie de plaquette de 150 mm
  • Technologie de plaquette de 200 mm

Marché par secteur d’utilisation finale

  • Automobile
  • Industrie
  • Électronique grand public
  • Télécommunications
  • Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et pays suivants :

  • Amérique du Nord
    • États-Unis
    • Canada
  • Europe
    • Royaume-Uni
    • Allemagne
    • France
    • Italie
    • Espagne
    • Russie
  • Asie-Pacifique
    • Chine
    • Inde
    • Japon
    • Corée du Sud
    • Australie 
  • Amérique latine
    • Brésil
    • Mexique
  • Moyen-Orient et Afrique
    • Émirats arabes unis
    • Arabie saoudite
    • Afrique du Sud

 

Auteurs:  Suraj Gujar , Rutvij Kshirsagar

Questions fréquemment posées (FAQs):

La taille du marché mondial des MOSFET en carbure de silicium était estimée à environ 2 milliards de dollars américains en 2023 et devrait atteindre près de 21,5 milliards de dollars américains d’ici 2032, portée par un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 30,1 % entre 2024 et 2032, en raison de l’adoption croissante des véhicules électriques (VE).
Dans le secteur des MOSFET en carbure de silicium, le segment des MOSFET SiC en module devrait enregistrer un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 31 % sur la période de prévision allant de 2024 à 2032, en raison de ses performances supérieures dans les applications de forte puissance.
Les États-Unis représentaient 67,8 % du marché nord-américain en 2023, sous l’effet de la forte demande de l’industrie des véhicules électriques, du secteur des énergies renouvelables et des applications avancées de l’électronique de puissance.
Les principaux acteurs du secteur comprennent Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc., Microchip Technology Inc., Mitsubishi Electric Corporation, ON Semiconductor, Renesas Electronics Corporation, ROHM Semiconductor et STARCHIP.

Méthodologie de recherche, sources de données et processus de validation

Ce rapport repose sur un processus de recherche structuré, fondé sur des échanges directs avec les acteurs du secteur, une modélisation propriétaire et des vérifications croisées rigoureuses. Il ne se limite pas à une recherche documentaire.

Notre processus de recherche en 6 étapes

  1. 1. Conception de l'étude et supervision par les analystes

    La méthodologie de recherche de GMI s'appuie sur l'expertise humaine, une validation rigoureuse et une transparence totale. Chaque résultat, analyse de tendance et prévision figurant dans nos rapports est élaboré par des analystes expérimentés qui comprennent les particularités de votre marché.

    Notre approche associe une vaste recherche primaire, menée par des échanges directs avec les acteurs et experts du secteur, à une recherche secondaire approfondie provenant de sources mondiales vérifiées. Nous appliquons une analyse quantitative des effets pour établir des prévisions fiables, tout en assurant la traçabilité des sources de données initiales jusqu'aux conclusions finales.

  2. 2. Recherche primaire

    La recherche primaire constitue le socle de notre méthodologie et contribue à près de 80 % de l'ensemble des conclusions. Elle repose sur des échanges directs avec les acteurs du secteur pour garantir la précision et la profondeur de l'analyse. Notre programme structuré d'entretiens couvre les marchés régionaux et mondiaux et recueille les contributions de cadres dirigeants, de directeurs et d'experts du domaine. Ces échanges apportent des perspectives stratégiques, opérationnelles et techniques, permettant des analyses équilibrées et des prévisions de marché fiables.

  3. 3. Exploration des données et analyse de marché

    L'exploration des données est une composante essentielle de notre processus de recherche et représente près de 20 % de la méthodologie globale. L'analyse des parts de chiffre d'affaires des principaux acteurs nous permet d'étudier la structure du marché, de repérer les tendances sectorielles et d'évaluer les facteurs macroéconomiques. Nous recueillons des données pertinentes auprès de sources payantes et gratuites afin de constituer une base de données fiable. Ces informations sont intégrées à la recherche primaire et à l'estimation de la taille du marché, puis validées auprès d'acteurs clés tels que les distributeurs, les fabricants et les associations professionnelles.

  4. 4. Estimation de la taille du marché

    Nous estimons la taille du marché selon une approche ascendante. Le point de départ est constitué des chiffres d'affaires recueillis directement lors des entretiens de recherche primaire, des volumes de production des fabricants et des statistiques d'installation ou de déploiement. Nous agrégeons ensuite ces données par marché régional pour obtenir une estimation mondiale ancrée dans l'activité réelle du secteur.

  5. 5. Modèle de prévision et principales hypothèses

    Chaque prévision documente explicitement :

    • ✓ Les principaux moteurs de croissance et leur impact supposé

    • ✓ Les facteurs de freinage et les scénarios d'atténuation

    • ✓ Les hypothèses réglementaires et le risque de changement des politiques

    • ✓ Les paramètres de la courbe d'adoption technologique

    • ✓ Les hypothèses macroéconomiques (croissance du PIB, inflation, taux de change)

    • ✓ La dynamique concurrentielle et les perspectives d'entrée et de sortie du marché

  6. 6. Validation et assurance qualité

    Lors des dernières étapes, des experts du domaine examinent manuellement les données filtrées afin de repérer les nuances et les erreurs de contexte que les systèmes automatisés pourraient manquer. Cette revue spécialisée ajoute un niveau essentiel d'assurance qualité et garantit que les données correspondent aux objectifs de l'étude et aux normes propres au domaine.

    Notre processus de validation à trois niveaux vise à garantir la fiabilité maximale des données :

    • ✓ Validation statistique

    • ✓ Validation par des experts

    • ✓ Confrontation à la réalité du marché

Confiance et crédibilité

10+
Années d'activité
Prestations régulières depuis la création
A+
Accréditation BBB
Normes professionnelles et satisfaction des clients
ISO
Qualité certifiée
Entreprise certifiée ISO 9001:2015
150+
Analystes de recherche
Présents dans plus de 20 secteurs d'activité
95%
Fidélisation des clients
Valeur d'une relation de cinq ans

Sources de données vérifiées

  • Publications professionnelles

    Revues sectorielles, publications professionnelles et médias spécialisés

  • Bases de données sectorielles

    Bases de données de marché propriétaires et tierces

  • Documents réglementaires déposés

    Archives des marchés publics et documents d'orientation politique

  • Recherche académique

    Études universitaires et rapports d'instituts spécialisés

  • Rapports d'entreprises

    Rapports annuels, présentations aux investisseurs et documents déposés

  • Entretiens avec des experts

    Cadres dirigeants, responsables des achats et spécialistes techniques

  • Archives de GMI

    Plus de 13 000 études publiées couvrant plus de 20 secteurs d'activité

  • Données commerciales

    Volumes d'importation et d'exportation, codes SH et données douanières

Paramètres étudiés et évalués

Chaque donnée de ce rapport est validée au moyen d'entretiens de recherche primaire, d'une véritable modélisation ascendante et de vérifications croisées rigoureuses. Découvrez notre processus de recherche →

Auteurs:  Suraj Gujar, Rutvij Kshirsagar
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