シリコンカーバイドMOSFET市場 サイズとシェア 2024–2032

炭化ケイ素 MOSFETsマーケットサイズ

シリコンカーバイドMOSFET市場は2023年に2億米ドルで評価され、2024年から2032年までの30.1%のCAGRで成長すると推定されています。

温室効果ガス排出量に著しく貢献する輸送業界は、選択的になるための移行を受けています。 輸送分野におけるこの大きなスケールトランジションは、EVパワートレイン、ドライブトレイン、および充電インフラの重要なコンポーネントであるSiC MOSFETSの需要を促進し、従来のシリコンベースのコンポーネントと比較して高い効率性と電力損失を削減しています。 また、世界の政府は、予測期間中に炭化ケイ素MOSFETs市場の市場成長を促進し、輸送カーボンフットプリントの削減に取り組んでいます。

SiC MOSFETは、再生可能エネルギー発電および貯蔵にますます使用されています。 これらのMOSFETは、再生可能エネルギーの発生と貯蔵で使用されるインバータと電力コンバータの非常に重要なコンポーネントです。 政府のインセンティブと持続可能なエネルギーソリューションの必要性によって駆動される太陽光および風力の設置の拡大展開は、SiC MOSFETの需要を高めることが期待されています。

例えば、2024年6月には、Vishay Intertechnologyが初のSiC MOSFET製品をPCIM Europe 2024に導入しました。 同社は、電子モビリティ、高効率電力変換、エネルギー貯蔵、グリッド管理など、パワーエレクトロニクスのいくつかのますます重要なトレンドに対処する電力管理ソリューションの広範なポートフォリオを表示します。 PCIMでVishayのセンターステージを取ると、同社の新しくリリースされた1200 V MaxSiCシリーズ炭化ケイ素(SiC) MOSFETs、55 mのオン抵抗、95 m、280 mのオン抵抗を配信する? 産業用アプリケーションの標準パッケージで、カスタム製品も利用できます。

炭化ケイ素 MOSFETsマーケットトレンド

世界的な電気自動車の普及は、炭化ケイ素MOSFETの主要ドライバーの1つです。 高性能化と省エネ機能により、シリコンカーボンMOSFETはEVパワートレイン、APU、充電インフラの好まれたコンポーネントになりました。 この傾向は、自動車メーカーが排出規制を満たしている間、より優れた性能でより長い範囲EVを提供することを試みるので、さらに加速する可能性があります。

再生可能エネルギー、特に太陽光、風力エネルギーは、SiC MOSFETsの成長を著しく推進しています。 クリーンエネルギーを削減するための世界的な努力は、再生可能エネルギー源の出力を最大にすることができる高効率電力電子機器の必要性も増加しています。これは、予測期間中に炭化ケイ素MOSFET市場に対する需要を最終的に増加しています。

5Gネットワークの採用により、SiC MOSFETの新たな機会を提供 5Gネットワークでは、高い性能と大容量のソリューションが求められます。 SiC MOSFETは、より高い周波数と温度で非常に効率的に動作し、5G基地局やデータセンターでの展開に最適です。 5G技術がグローバルに拡大し続けていますが、通信におけるSiC MOSFETの需要は大きく成長し、より迅速で信頼性の高いネットワーク性能が求められます。

炭化ケイ素 MOSFET市場分析

シリコンカーバイドMOSFETSの開発と製造は、複雑な設計、高度な材料の使用、複雑な製造プロセスによるコスト集中プロセスです。 パッケージングソリューションへの追加機能と技術の統合は、多くの場合、利益率に影響を与えることができる実質的な投資を必要とします。 このような場合、企業は費用対効果の高い比率を評価する必要があります。

装置のタイプに基づいて、炭化ケイ素MOSFETsの市場はdiscrete SiC MOSFETs、モジュールSiC MOSFETsに分けられます。 予測期間のCAGR 31%を登録するモジュールSiC MOSFETsセグメントが期待されます。

• モジュールSiC MOSFETは、複数のデバイスやゲートドライバや熱管理システムなどの追加コンポーネントを含むモジュールやパッケージに統合されるSiC MOSFETsを指します。 これらのモジュールは、高性能なアプリケーションでSiC技術の実装を簡素化し、使いやすいコンパクトなソリューションで、性能特性を強化します。
• モジュールのSiC MOSFETsは電気自動車のための産業インバーター、電源および牽引ドライブのような適用で一般的です。 パワー密度の向上、パラシスティックインダクタンスの低減、複雑なシステムへの統合の容易化などの利点を提供し、堅牢で信頼性の高い電力管理を必要とするアプリケーションに適しています。

この市場を形成する主要なセグメントについて詳しく知る

無料のPDFをダウンロード

シリコンカーバイドMOSFET市場は、150mmウェーハ技術、200mmウェーハ技術に分けられます。 150mmウェーハ技術セグメントは、2032年までにUSD 10.3億を占める。

• 150mmウェーハ技術は、6インチウェーハ技術とも呼ばれ、150mm径シリコンウェーハをSiC MOSFETの製造拠点として利用する製造工程を指します。 この技術は通常、コストと生産量が管理可能な初期段階またはニッチアプリケーションで使用されます。
• 150mmのウエファーは材料の処理および製造の柔軟性の面である利点を提供しますが、それらは次第により大きいウエファーのサイズの支持で段階的にです。
• このにもかかわらず、150mmのウェーハ技術は、特定のアプリケーションや市場、特に小規模な生産が必要であるか、または既存のインフラがこのウェーハサイズをサポートしている場所に関係しています。

2023年、米国シリコンカーバイドMOSFETの市場は、北米の67.8%のシェアを占めています。 米国シリコンカーバイド(SiC)MOSFETSは、電気自動車の需要が強め、政府は炭素排出量削減に注力しています。 半導体イノベーションにおける5Gインフラと国のリーダーシップの急速な展開により、SiC MOSFETの需要をさらに強化します。 堅牢な産業基盤と継続的な研究開発投資により、米国はSiC技術の主要市場を維持することが期待されています。

日本市場は、先進のSiC MOSFETの要求を促す大型自動車およびエレクトロニクス産業の存在下で成長しています。 日本自動車メーカーは、電気自動車(EV)開発の最前線にあり、車両の効率性と性能を高めるためにSiC MOSFETを採用しています。 また、太陽光発電の省エネと再生可能エネルギーへのコミットメントに注力し、太陽光発電インバータや電力網用途におけるSiC MOSFETの需要が高まっています。

韓国の炭化ケイ素MOSFETの市場企業は、SiC MOSFETの主要アプリケーションである電気自動車(EV)開発および再生可能エネルギープロジェクトに大きく投資しています。 5Gテクノロジーの主導力と、スマートグリッドおよびパワーエレクトロニクスの継続的な投資は、SiC MOSFETの需要の増加に貢献します。 堅牢な産業基盤と技術の進歩へのコミットメントにより、韓国はグローバルSIC MOSFET市場において重要な役割を果たしています。

たとえば、2024年6月、三菱電機株式会社は、窒化ケイ素(SiC)を埋め込まれたシリコンカーバイド(SBD)の低電流3.3kV / 400Aおよび3.3kV / 200AバージョンのSottkyバリアダイオード(SBD)バージョンの低電流3.3kV / 400Aおよび3.3kV / 200Aの出荷を開始したことを発表しました。 既存の 3.3kV/800A 版と共に、新しく名前付けされた UnifullTM シリーズは大きい産業機器の出力および電力変換の効率を高めることができるインバーターのための成長した要求に応じる 3 つのモジュールで構成されます。

炭化ケイ素 MOSFETSマーケットシェア

シリコンカーバイドMOSFET市場での主要プレイヤーは、日立パワー半導体デバイス、II-VI(旧コヒーレントコーポレーション)、インフィノン、ロングストリート、マイクロチップ、三菱電機、オン半導体、レネサス、ローム、STARCHIP、STMicroelectronics、東芝、TT電子です。 製品の性能と信頼性は、SiC MOSFETが自動車、再生可能エネルギー、産業機器などの産業における高電圧用途の高効率、耐熱性、適合性のために評価されているため、主要な競争差別化要因です。

炭化ケイ素 MOSFETSマーケット企業

炭化ケイ素MOSFETの企業で作動する主要なプレーヤーは次のとおりです:

• 日立パワー半導体デバイス株式会社
• II-VI株式会社(現コーヒーレント株式会社)
• インフィニオンテクノロジーズAG
• 株式会社リテルヒューズ
• マイクロチップ技術株式会社
• 三菱電機株式会社
• ONセミコンダクター
• レネサス電子株式会社
• ROHMセミコンダクター
• ログイン
• STマイクロエレクトロニクス
• 東芝株式会社

炭化ケイ素 MOSFET業界ニュース

• 2024年5月、InfineonはCoolSiC MOSFETs 400を発表 VはAIサーバー電源の電力密度そして効率を再定義します。 新しいMOSFETポートフォリオは、AIサーバーのAC/DCステージで使用するために特別に開発され、最近発表されたPSUロードマップを補完しました。 装置はまた太陽およびエネルギー貯蔵システム(ESS)、インバーター モーター制御、産業および補助電源(SMPS)および住宅の建物のための固体州の遮断器にとって理想的です。
• 2023年12月、Nexperiaは独自のSiC MOSFETを開発しています。NSF040120L3A0とNSF080120L3Aの3ピンパッケージの2つの内臓1,200Vデバイスの導入によってマークされています。 Nexperiaは、その新しいSiC MOSFETsの重要な利点の1つを持っています 比較的安定したドレインツーソースのオン抵抗(RDS(オン)) デバイスの動作温度範囲上。

この炭化ケイ素MOSFETsの市場調査のレポートは企業の深い適用範囲を含んでいます 2021年から2032年までの収益(USD百万米ドル)及び(容積単位)の面で推定及び予測 以下のセグメントの場合:

装置のタイプによる市場、

• ディスクリートSiC MOSFET

• モジュール SiC MOSFET

電圧範囲による市場

• 650Vの
• 900Vの
• 1200Vの
• 1700Vの
• 3300V以上

用途別市場

• パワーサプライ
• インバーター
• 電気自動車(EV)
• 産業機器
• その他

技術ノードによる市場

• 150mmのウエファーの技術
• 200mmのウエファーの技術

エンドユース業界による市場

• 自動車産業
• 産業
• 消費者エレクトロニクス
• 通信事業
• その他

上記情報は、以下の地域および国に提供いたします。

• 北アメリカ
  • アメリカ
  • カナダ
• ヨーロッパ
  • イギリス
  • ドイツ
  • フランス
  • イタリア
  • スペイン
  • ロシア
• アジアパシフィック
  • 中国語(簡体)
  • インド
  • ジャパンジャパン
  • 韓国
  • オーストラリア
• ラテンアメリカ
  • ブラジル
  • メキシコ
• メア
  • アラブ首長国連邦
  • サウジアラビア
  • 南アフリカ