Siliciumcarbid MOSFETs Marktgröße, Aktien & Prognose – 2032

Siliciumcarbid MOSFETs Marktgröße

Der globale Markt für Siliciumcarbid-MOSFETs wurde 2023 auf 2 Milliarden USD geschätzt und wird von 2024 bis 2032 auf 30,1 % CAGR geschätzt.

Die Transportindustrie, die wesentlich zu Treibhausgasemissionen beiträgt, wird zu Elektrifizierungen übergegangen. Dieser große Übergang im Verkehrssektor treibt die Nachfrage nach SiC-MOSFETS voran, da sie wesentliche Bestandteile von EV-Powertrain, Antriebsstrang und Ladeinfrastruktur sind und im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Komponenten hohe Effizienz und reduzierte Verlustleistungen bieten. Darüber hinaus sind Regierungen auf der ganzen Welt daran interessiert, ihren CO2-Fußabdruck zu reduzieren und das Marktwachstum des Siliziumcarbid-MOSFETs-Markts während der Prognosezeit voranzutreiben.

SiC MOSFETs werden zunehmend in der erneuerbaren Energieerzeugung und -speicherung eingesetzt. Diese MOSFETs sind sehr kritische Komponenten von Wechselrichtern und Stromrichtern, die bei der Erzeugung und Speicherung erneuerbarer Energien eingesetzt werden. Der zunehmende Einsatz von Solar- und Windenergieanlagen, die durch staatliche Anreize und die Notwendigkeit nachhaltiger Energielösungen angetrieben werden, soll die Nachfrage nach SiC-MOSFETs erhöhen.

So stellt Vishay Intertechnology im Juni 2024 erste SiC MOSFET Produkte auf PCIM Europe 2024 vor. Das Unternehmen wird sein breites Portfolio an Power-Management-Lösungen zeigen, die mehrere immer wichtigere Trends in der Leistungselektronik ansprechen, darunter E-Mobilität, hohe Effizienz-Stromumwandlung, Energiespeicher und Netzmanagement. Unter dem Zentrum für Vishay bei PCIM werden die neu veröffentlichten 1200 V MaxSiC-Serie Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs, die On-Widerstände von 55 m?, 95 m? und 280 m? in Standard-Paketen für industrielle Anwendungen, mit Sonderprodukten auch verfügbar sein.

Siliciumcarbid MOSFETs Markttrends

Das wachsende Eindringen von Elektrofahrzeugen weltweit ist einer der Haupttreiber von Siliziumkarbid-MOSFETs. Aufgrund ihrer höheren Effizienz- und Energiesparfähigkeiten sind Silizium-Kohlenstoff-MOSFETs schnell zu den bevorzugten Komponenten für EV-Powertrains, APUs und Ladeinfrastruktur geworden. Dieser Trend wird wahrscheinlich weiter beschleunigen, da Autohersteller versuchen, mehr Reichweite EVs mit besserer Leistung zu bieten, während die Emissionsvorschriften eingehalten werden.

Erneuerbare Energie, insbesondere Solar- und Windenergie, fördern das Wachstum von SiC-MOSFETs deutlich. Weltweite Anstrengungen zur Umstellung auf saubere Energie verstärken sich, die Notwendigkeit einer hocheffizienten Leistungselektronik, die die Leistung erneuerbarer Energiequellen maximieren kann, steigt ebenfalls an, was letztendlich die Nachfrage nach Siliziumcarbid-MOSFETs-Markt während der Prognosezeit erhöht.

Die Übernahme von 5G-Netzwerken bietet neue Möglichkeiten für SiC-MOSFETs. 5G-Netze benötigen eine hohe Leistung und eine hochleistungsfähige Kapazitätslösung. SiC MOSFETs können sehr effizient bei höheren Frequenzen und Temperaturen arbeiten, wodurch sie ideal für den Einsatz in 5G Basisstationen und Rechenzentren sind. Da sich die 5G-Technologie global weiter ausdehnt, wird die Nachfrage nach SiC-MOSFETs in der Telekommunikation voraussichtlich deutlich steigen, was durch die Notwendigkeit einer schnelleren und zuverlässigeren Netzwerkleistung bedingt ist.

Siliciumcarbid MOSFETs Marktanalyse

Entwicklung und Herstellung von Siliziumkarbid MOSFETS ist ein kostenintensiver Prozess durch komplexes Design, Einsatz fortschrittlicher Materialien und komplexes Herstellungsverfahren. Die Integration zusätzlicher Features und Technologien in Verpackungslösungen erfordert oft erhebliche Investitionen, die sich auf Gewinnmargen auswirken können. In solchen Fällen müssen Unternehmen die Kosten-Nutzen-Verhältnis bewerten, um sicherzustellen, dass zusätzliche Funktionalitäten auf Kosten lohnenswert sind.

Der Siliziumcarbid-MOSFETs-Markt wird auf Basis des Gerätetyps in diskrete SiC-MOSFETs, Modul SiC-MOSFETs unterteilt. Das Modul SiC MOSFETs-Segment soll einen CAGR 31% der Prognosezeit registrieren.

• Module SiC MOSFETs beziehen sich auf SiC MOSFETs, die in ein Modul oder Paket integriert sind, das mehrere Geräte und zusätzliche Komponenten wie Gatetreiber und thermische Managementsysteme umfasst. Diese Module sollen die Implementierung der SiC-Technologie in Hochleistungsanwendungen vereinfachen, indem sie eine gebrauchsfertige, kompakte Lösung mit verbesserten Leistungseigenschaften bieten.
• Module SiC MOSFETs werden häufig in Anwendungen wie Industrieinverter, Netzteile und Traktionsantriebe für Elektrofahrzeuge eingesetzt. Sie bieten Vorteile wie verbesserte Leistungsdichte, reduzierte parasitäre Induktivität und eine einfachere Integration in komplexe Systeme, wodurch sie für Anwendungen geeignet sind, die ein robustes und zuverlässiges Leistungsmanagement erfordern.

Basierend auf Technologie-Knoten wird der Siliziumcarbid MOSFETs Markt in 150mm Wafer-Technologie, 200mm Wafer-Technologie unterteilt. Das Segment 150mm Wafertechnologie wird bis 2032 auf 10,3 Milliarden USD prognostiziert.

• Die 150mm-Wafertechnologie, auch bekannt als 6-Zoll-Wafertechnologie, bezieht sich auf den Herstellungsprozess, der Siliziumwafer mit 150mm Durchmesser als Substrat zur Herstellung von SiC-MOSFETs verwendet. Diese Technologie wird typischerweise in frühesten oder Nischenanwendungen eingesetzt, bei denen Kosten und Produktionsvolumen überschaubar sind.
• Während 150mm Wafer einige Vorteile in Bezug auf die Materialhandhabung und Fertigungsflexibilität bieten, werden sie allmählich zugunsten größerer Wafergrößen ausgeschleust.
• Trotzdem bleibt die 150mm-Wafertechnologie für bestimmte Anwendungen und Märkte von Bedeutung, insbesondere wenn eine kleinere Produktion erforderlich ist oder die vorhandene Infrastruktur diese Wafergröße unterstützt.

Der US-Markt für Siliciumcarbid-MOSFETs belief sich 2023 auf einen Anteil von 67,8% an Nordamerika. Der US Silicon Carbide (SiC) MOSFETS wird von einer starken Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und dem Fokus der Regierung auf die Verringerung der Kohlenstoffemissionen angetrieben. die schnelle Bereitstellung von 5G-Infrastruktur und die Führung des Landes in der Halbleiterinnovation stärken die Nachfrage nach SiC-MOSFETs weiter. Mit einer etablierten industriellen Basis und kontinuierlichen FuE-Investitionen wird erwartet, dass die USA ein Schlüsselmarkt für die SiC-Technologie bleiben.

Japan-Markt wächst aufgrund der großen Automobil- und Elektronikindustrie, die die Nachfrage nach fortschrittlichen SiC-MOSFETs fordert. Die japanischen Autohersteller stehen vor der Entwicklung des Elektrofahrzeugs (EV) und übernehmen zunehmend SiC-MOSFETs, um die Effizienz und Leistungsfähigkeit der Fahrzeuge zu verbessern. Darüber hinaus haben Japans Fokus auf Energieeinsparung und sein Engagement für erneuerbare Energien zu einer wachsenden Nachfrage nach SiC-MOSFETs in Solar-Wechselrichtern und Netzanwendungen geführt.

Die südkoreanischen Siliziumkarbid-MOSFETs-Marktunternehmen investieren stark in Entwicklungs- und Erneuerbare-Energieprojekte im Elektrofahrzeug (EV), die beide für SiC-MOSFETs eingesetzt werden. Die Führung der 5G-Technologie und ihre laufenden Investitionen in Smart Grids und Power Electronics tragen ebenfalls zur steigenden Nachfrage nach SiC MOSFETs bei. Mit einer robusten Industriebasis und einem Engagement für den technologischen Fortschritt ist Südkorea bereit, ein bedeutender Akteur im globalen SiC-MOSFETs-Markt zu werden.

So hat die Mitsubishi Electric Corporation im Juni 2024 bekannt gegeben, dass sie mit der Lieferung von Low-Strom 3.3kV/400A und 3.3kV/200A-Versionen einer Schottky-Barrierediode (SBD) mit eingebettetem Siliziumcarbid (SiC) Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET)-Modul für große industrielle Geräte, einschließlich Rollmaterial und elektrische Energiesysteme, ab heute, 10. Zusammen mit der bestehenden 3.3kV/800A-Version umfasst die neu benannte UnifullTM-Serie drei Module, um die steigende Nachfrage nach Wechselrichtern zu erfüllen, die in großen Industrieanlagen Leistungs- und Leistungsumwandlungseffizienz steigern können.

Siliciumcarbid MOSFETs Marktanteil

Die wichtigsten Player im Siliziumkarbid MOSFET-Markt sind Hitachi Power Semiconductor Device, II-VI (ehemals Coherent Corporation), Infineon, Long-Street, Microchip, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, Renesas, ROHM, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba und TT Electronics. Produktleistung und Zuverlässigkeit sind primäre wettbewerbsfähige Differenzierer, da SiC MOSFETs für ihre hohe Effizienz, Wärmebeständigkeit und Eignung für Hochspannungsanwendungen in Industrien wie Automotive, erneuerbare Energien und Industrieanlagen geschätzt werden.

Siliciumcarbid MOSFETs Marktunternehmen

Hauptakteure, die in der Siliziumkarbid-MOSFET-Industrie tätig sind, sind:

• Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
• II-VI Incorporated (heute Coherent Corp.)
• Infineon Technologies AG
• Littelfuse, Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Mitsubishi Electric Corporation
• ON Semiconductor
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM Halbleiter
• STARCHITE
• STMicroelectronics
• Toshiba Corporation

Siliciumcarbid MOSFETs Industrie News

• Im Mai 2024 enthüllt Infineon CoolSiC MOSFETs 400 V neu definieren Leistungsdichte und Effizienz in KI-Server-Stromversorgung. Das neue MOSFET-Portfolio wurde speziell für den Einsatz in der AC/DC-Phase von KI-Servern entwickelt und ergänzt die kürzlich angekündigte PSU Roadmap von Infineon. Die Geräte sind auch ideal für Solar- und Energiespeicher (ESS), Wechselrichtermotorsteuerung, Industrie- und Hilfsstromversorgung (SMPS) sowie Feststrom-Leistungsschalter für Wohngebäude.
• Im Dezember 2023 entwickelt Nexperia eigene SiC-MOSFETs, gekennzeichnet durch die Einführung von zwei inauguralen 1.200 V-Geräten in Drei-Pin-Verpackungen: die NSF040120L3A0 und NSF080120L3A. Nexperia hat einen der wichtigsten Vorteile seiner neuen SiC-MOSFETs ist ihre relativ stabile Drain-Source-On-Widerstand (RDS (on)) über den Betriebstemperaturbereich der Vorrichtung.

Dieser Marktforschungsbericht für Siliziumkarbid-MOSFETs umfasst eine eingehende Erfassung der Industrie mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD-Millionen) & (Volumeneinheiten) von 2021 bis 2032, für die folgenden Segmente:

Markt, nach Gerätetyp

• Diskrete SiC MOSFETs

• Modul SiC MOSFETs

Markt durch Spannungsbereich

• 650V
• 90V
• 1200 V
• ANHANG
• 3300V und höher

Markt, nach Anwendung

• Stromversorgung
• Inverter
• Elektrofahrzeuge (EVs)
• Industrielle Ausrüstungen
• Sonstige

Markt, nach Technologieknoten

• 150mm Wafertechnologie
• 200mm Wafertechnologie

Markt, nach Gebrauchsindustrie

• Automobilindustrie
• Industrie
• Verbraucherelektronik
• Telekommunikation
• Sonstige

Die vorstehenden Angaben sind für die folgenden Regionen und Länder angegeben:

• Nordamerika
  • US.
  • Kanada
• Europa
  • Vereinigtes Königreich
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Russland
• Asia Pacific
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Südkorea
  • Australien
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
• MENSCHEN
  • VAE
  • Saudi Arabien
  • Südafrika