Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs Größe und Anteil 20242032

Marktgröße für Siliziumkarbid-MOSFETs

Der weltweite Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs wurde 2023 auf 2 Milliarden US-Dollar bewertet und dürfte von 2024 bis 2032 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 30,1 % wachsen.

Die Transportbranche, die erheblich zu den Treibhausgasemissionen beiträgt, befindet sich im Wandel hin zur Elektrifizierung. Dieser umfassende Wandel im Transportsektor treibt die Nachfrage nach SiC-MOSFETs an, da sie entscheidende Komponenten des Antriebsstrangs von Elektrofahrzeugen (EVs) sowie der Ladeinfrastruktur sind und im Vergleich zu herkömmlichen Komponenten auf Siliziumbasis eine höhere Effizienz und geringere Leistungsverluste bieten. Darüber hinaus streben Regierungen weltweit eine Verringerung des CO₂-Fußabdrucks des Verkehrs an, was das Wachstum des Marktes für Siliziumkarbid-MOSFETs im Prognosezeitraum vorantreibt.
 

SiC-MOSFETs kommen zunehmend bei der Erzeugung und Speicherung erneuerbarer Energie zum Einsatz. Diese MOSFETs sind entscheidende Komponenten von Wechselrichtern und Leistungswandlern, die bei der Erzeugung und Speicherung erneuerbarer Energie eingesetzt werden. Die zunehmende Installation von Solar- und Windkraftanlagen, die durch staatliche Fördermaßnahmen und den Bedarf an nachhaltigen Energielösungen vorangetrieben wird, dürfte die Nachfrage nach SiC-MOSFETs steigern.
 

So stellte Vishay Intertechnology im Juni 2024 erstmals SiC-MOSFET-Produkte auf der PCIM Europe 2024 vor. Das Unternehmen präsentierte sein umfassendes Portfolio an Lösungen für das Energiemanagement, die mehrere zunehmend wichtige Trends in der Leistungselektronik adressieren, darunter Elektromobilität, hocheffiziente Leistungsumwandlung, Energiespeicherung und Netzmanagement. Im Mittelpunkt des Vishay-Auftritts auf der PCIM standen die neu eingeführten Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) der Serie 1200 V MaxSiC. Sie bieten Einschaltwiderstände von 55 m, 95 m und 280 m in Standardgehäusen für industrielle Anwendungen; kundenspezifische Produkte sind ebenfalls erhältlich.

Markttrends bei Siliziumkarbid-MOSFETs

Die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen weltweit ist einer der wichtigsten Wachstumstreiber für Siliziumkarbid-MOSFETs. Aufgrund ihrer höheren Effizienz und Energieeinsparpotenziale haben sich Siliziumkarbid-MOSFETs schnell zu bevorzugten Komponenten für Antriebsstränge, Hilfsaggregate (APUs) und Ladeinfrastruktur von Elektrofahrzeugen entwickelt. Dieser Trend dürfte sich weiter beschleunigen, da Automobilhersteller versuchen, Elektrofahrzeuge mit größerer Reichweite und besserer Leistung anzubieten und zugleich die Emissionsvorschriften einzuhalten.
 

Erneuerbare Energien, insbesondere Solar- und Windenergie, treiben das Wachstum von SiC-MOSFETs maßgeblich voran. Während sich die weltweiten Bemühungen um den Umstieg auf saubere Energie intensivieren, steigt auch der Bedarf an hocheffizienter Leistungselektronik, mit der sich die Leistung erneuerbarer Energiequellen maximieren lässt. Dies erhöht letztlich die Nachfrage nach Siliziumkarbid-MOSFETs im Prognosezeitraum.
 

Der Ausbau von 5G-Netzen eröffnet neue Möglichkeiten für SiC-MOSFETs. 5G-Netze erfordern leistungsstarke Lösungen mit hoher Belastbarkeit. SiC-MOSFETs können bei höheren Frequenzen und Temperaturen sehr effizient arbeiten und eignen sich daher ideal für den Einsatz in 5G-Basisstationen und Rechenzentren. Mit der weiteren weltweiten Verbreitung der 5G-Technologie dürfte die Nachfrage nach SiC-MOSFETs in der Telekommunikation deutlich steigen, angetrieben durch den Bedarf an einer schnelleren und zuverlässigeren Netzwerkleistung.
 

Marktanalyse für Siliziumkarbid-MOSFETs

Die Entwicklung und Produktion von Siliziumkarbid-MOSFETs ist aufgrund des komplexen Designs, des Einsatzes fortschrittlicher Materialien und des aufwendigen Herstellungsprozesses kostenintensiv. Die Integration zusätzlicher Funktionen und Technologien in Gehäuselösungen erfordert häufig erhebliche Investitionen, die sich auf die Gewinnmargen auswirken können. In solchen Fällen müssen Unternehmen das Kosten-Nutzen-Verhältnis bewerten, um sicherzustellen, dass sich zusätzliche Funktionen angesichts der damit verbundenen Kosten lohnen.
 

Um die wichtigsten Markttrends zu verstehen

Kostenloses PDF herunterladen

Nach Gerätetyp ist der Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs in diskrete SiC-MOSFETs und SiC-MOSFET-Module unterteilt. Für das Segment der SiC-MOSFET-Module wird im Prognosezeitraum eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 31 % erwartet.
 

• SiC-MOSFET-Module sind SiC-MOSFETs, die in ein Modul oder Gehäuse integriert sind, das mehrere Bauelemente und zusätzliche Komponenten wie Gate-Treiber und Wärmemanagementsysteme umfasst. Diese Module sollen die Implementierung der SiC-Technologie in Hochleistungsanwendungen vereinfachen, indem sie eine sofort einsatzbereite, kompakte Lösung mit verbesserten Leistungsmerkmalen bieten.
   
• SiC-MOSFET-Module kommen häufig in Anwendungen wie Industrieumrichtern, Stromversorgungen und Traktionsantrieben für Elektrofahrzeuge zum Einsatz. Sie bieten Vorteile wie eine höhere Leistungsdichte, eine geringere parasitäre Induktivität und eine einfachere Integration in komplexe Systeme. Dadurch eignen sie sich für Anwendungen, die ein robustes und zuverlässiges Energiemanagement erfordern.
   

Nach Technologieknoten ist der Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs in 150-mm-Wafertechnologie und 200-mm-Wafertechnologie unterteilt. Für das Segment der 150-mm-Wafertechnologie wird bis 2032 ein Marktvolumen von 10,3 Milliarden US-Dollar prognostiziert.
 

• Die 150-mm-Wafertechnologie, auch als 6-Zoll-Wafertechnologie bekannt, bezeichnet ein Produktionsverfahren, bei dem Wafer aus Silizium mit einem Durchmesser von 150 mm als Substrat für die Herstellung von SiC-MOSFETs verwendet werden. Diese Technologie kommt typischerweise in frühen Entwicklungsphasen oder Nischenanwendungen zum Einsatz, bei denen Kosten und Produktionsvolumen überschaubar sind.  
   
• 150-mm-Wafer bieten zwar gewisse Vorteile bei der Materialhandhabung und der Flexibilität der Fertigung, werden jedoch nach und nach zugunsten größerer Waferformate abgelöst.  
   
• Dennoch bleibt die 150-mm-Wafertechnologie für bestimmte Anwendungen und Märkte relevant, insbesondere dort, wo eine Produktion in kleinerem Maßstab erforderlich ist oder die vorhandene Infrastruktur dieses Waferformat unterstützt.
   

Erfahren Sie mehr über die wichtigsten Segmente, die diesen Markt formen

Kostenloses PDF herunterladen

2023 entfiel auf den US-amerikanischen Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs ein Anteil von 67,8 % am nordamerikanischen Markt. Der US-amerikanische Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) wird durch die starke Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und den Fokus der Regierung auf die Verringerung der CO₂-Emissionen angetrieben. Der rasche Ausbau der 5G-Infrastruktur und die führende Stellung des Landes bei Halbleiterinnovationen stärken die Nachfrage nach SiC-MOSFETs zusätzlich. Dank einer gut etablierten industriellen Basis und kontinuierlicher Investitionen in Forschung und Entwicklung dürfte die USA ein wichtiger Markt für die SiC-Technologie bleiben.
 

Der Markt in Japan wächst aufgrund der Präsenz großer Automobil- und Elektronikindustrien, die die Nachfrage nach fortschrittlichen SiC-MOSFETs antreiben. Japanische Automobilhersteller sind führend bei der Entwicklung von Elektrofahrzeugen (EVs) und setzen zunehmend SiC-MOSFETs ein, um die Fahrzeugeffizienz und -leistung zu verbessern. Darüber hinaus haben Japans Fokus auf Energieeinsparung und sein Engagement für erneuerbare Energien zu einer steigenden Nachfrage nach SiC-MOSFETs in Solarwechselrichtern und Stromnetzanwendungen geführt.
 

Unternehmen auf dem südkoreanischen Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs investieren massiv in die Entwicklung von Elektrofahrzeugen (EVs) und in Projekte für erneuerbare Energien, die beide wichtige Anwendungsbereiche für SiC-MOSFETs sind. Die Führungsrolle des Landes in der 5G-Technologie sowie die laufenden Investitionen in intelligente Stromnetze und Leistungselektronik tragen ebenfalls zur steigenden Nachfrage nach SiC-MOSFETs bei. Dank einer robusten industriellen Basis und seines Engagements für technologischen Fortschritt ist Südkorea gut aufgestellt, um zu einem bedeutenden Akteur auf dem globalen Markt für SiC-MOSFETs zu werden.
 

So gab Mitsubishi Electric Corporation im Juni 2024 bekannt, dass das Unternehmen ab dem heutigen 10. Juni mit der Auslieferung von Varianten mit geringem Nennstrom (3,3 kV/400 A und 3,3 kV/200 A) eines Siliziumkarbid-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Moduls (SiC-MOSFET) mit integrierter Schottky-Barriere-Diode (SBD) für große Industrieanlagen, darunter Schienenfahrzeuge und Stromversorgungssysteme, begonnen hat. Zusammen mit der bestehenden 3,3-kV/800-A-Version umfasst die neu benannte UnifullTM-Serie drei Module, um der steigenden Nachfrage nach Wechselrichtern gerecht zu werden, die die Leistungsabgabe und die Energieumwandlungseffizienz in großen Industrieanlagen erhöhen können.
 

Marktanteil im Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs

Zu den wichtigsten Marktteilnehmern im Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs zählen Hitachi Power Semiconductor Device, II-VI (ehemals Coherent Corporation), Infineon, Long-Street, Microchip, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, Renesas, ROHM, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba und TT Electronics. Produktleistung und Zuverlässigkeit sind wichtige Wettbewerbsfaktoren, da SiC-MOSFETs für ihren hohen Wirkungsgrad, ihre Wärmebeständigkeit und ihre Eignung für Hochspannungsanwendungen in Branchen wie der Automobilindustrie, den erneuerbaren Energien und der Industrieausrüstung geschätzt werden.
 

Unternehmen im Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs

Zu den wichtigsten Unternehmen der Siliziumkarbid-MOSFET-Branche zählen:

• Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
• II-VI Incorporated (jetzt Coherent Corp.)
• Infineon Technologies AG
• Littelfuse, Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Mitsubishi Electric Corporation
• ON Semiconductor
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM Semiconductor
• STARCHIP
• STMicroelectronics
• Toshiba Corporation
   

Branchennachrichten zum Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs

• Im Mai 2024 stellt Infineon CoolSiC-MOSFETs mit 400 V vor, die Leistungsdichte und Effizienz in KI-Server-Stromversorgungen neu definieren. Das neue MOSFET-Portfolio wurde speziell für den Einsatz in der AC/DC-Stufe von KI-Servern entwickelt und ergänzt die kürzlich angekündigte Roadmap von Infineon für Stromversorgungen. Die Bauelemente eignen sich auch ideal für Solar- und Energiespeichersysteme (ESS), die Motorsteuerung in Wechselrichtern, industrielle und Hilfsstromversorgungen (SMPS) sowie Festkörper-Leistungsschalter für Wohngebäude.
   
• Im Dezember 2023 entwickelt Nexperia eigene SiC-MOSFETs und stellt mit zwei ersten 1.200-V-Bauelementen in einem Gehäuse mit drei Anschlüssen die NSF040120L3A0 und NSF080120L3A vor. Einer der wichtigsten Vorteile der neuen SiC-MOSFETs von Nexperia ist ihr relativ stabiler Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS (on)) über den Betriebstemperaturbereich des Bauelements hinweg.
   

Dieser Marktforschungsbericht zum Markt für Siliziumkarbid-MOSFETs bietet eine detaillierte Analyse der Branche mit Schätzungen und Prognosen zu Umsatz (Millionen US-Dollar) und Absatzvolumen (Einheiten) von 2021 bis 2032 für die folgenden Segmente:

Markt nach Gerätetyp

• Diskrete SiC-MOSFETs

• SiC-MOSFET-Module

Markt nach Spannungsbereich

• 650 V
• 900 V
• 1.200 V
• 1.700 V
• 3.300 V und mehr

Markt nach Anwendung

• Stromversorgungen
• Wechselrichter
• Elektrofahrzeuge (EVs)
• Industrieanlagen
• Sonstige

Markt nach Technologieknoten

• 150-mm-Wafertechnologie
• 200-mm-Wafertechnologie

Markt nach Endverbrauchsbranche

• Automobilindustrie
• Industrie
• Unterhaltungselektronik
• Telekommunikation
• Sonstige

Die obigen Informationen beziehen sich auf die folgenden Regionen und Länder:

• Nordamerika
  • USA
  • Kanada
• Europa
  • Vereinigtes Königreich
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Russland
• Asien-Pazifik
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Südkorea
  • Australien 
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
• MEA
  • VAE
  • Saudi-Arabien
  • Südafrika