Mercado de MOSFET de carburo de silicio: por tipo de dispositivo, por rango de voltaje, por aplicación, por nodo tecnológico, por industria de uso final y pronóstico, 2024-2032

Carburo de silicona MOSFETs Tamaño del mercado

El mercado mundial de carburo de silicio MOSFETs fue valorado en USD 2 mil millones en 2023 y se estima que crecerá en una CAGR de 30,1% de 2024 a 2032.

La industria del transporte, que contribuye significativamente a las emisiones de gases de efecto invernadero, está experimentando transiciones para ser electrificada. Esta transición a gran escala en el sector del transporte está impulsando la demanda de MOSFETS SiC, ya que son componentes cruciales de la infraestructura de propulsión, transmisión y carga EV, ofreciendo una alta eficiencia y reducción de la pérdida de energía en comparación con los componentes tradicionales basados en silicio. Además, los gobiernos de todo el mundo están apegados a reducir su huella de carbono del transporte, impulsando el crecimiento del mercado del carburo de silicio MOSFETs durante el período previsto.

Los MOSFET de SiC se utilizan cada vez más en la generación y almacenamiento de energía renovable. Estos MOSFET son componentes muy críticos de inversores y convertidores de potencia utilizados en la generación y almacenamiento de energía renovable. Se espera que el creciente despliegue de instalaciones solares y eólicas, impulsadas por incentivos gubernamentales y la necesidad de soluciones energéticas sostenibles, aumente la demanda de MOSFETs SiC.

Por ejemplo, en junio de 2024, Vishay Intertechnology presenta First SiC MOSFET Products a PCIM Europe 2024. La compañía mostrará su amplia cartera de soluciones de gestión de energía que abordan varias tendencias cada vez más importantes en la electrónica de energía, incluyendo la movilidad electrónica, la conversión de potencia de alta eficiencia, el almacenamiento de energía y la gestión de redes. Tomar el escenario central para Vishay en PCIM será la nueva versión de la compañía 1200 V MaxSiC serie carburo de silicio (SiC) MOSFETs, que entrega en resistencias de 55 m?, 95 m?, y 280 m? en paquetes estándar para aplicaciones industriales, con productos personalizados también disponibles.

Carburo de silicona MOSFETs Market Trends

La creciente penetración de vehículos eléctricos en todo el mundo es uno de los principales motores de carburo de silicio MOSFETs. Debido a su mayor eficiencia y capacidades de ahorro de energía, los MOSFETs de carbono de silicio se han convertido rápidamente en los componentes preferidos para los trenes de energía EV, las APU y la infraestructura de carga. Es probable que esta tendencia se acelere más a medida que los fabricantes de automóviles traten de proporcionar una mayor gama de VE con mejores resultados mientras cumplen las normas de emisiones.

La energía renovable, en particular la energía solar y eólica, está impulsando significativamente el crecimiento de los MOSFETs SiC. Los esfuerzos mundiales por cambiar a la energía limpia intensifican, la necesidad de electrónica de alta eficiencia que pueda maximizar la producción de fuentes de energía renovable también está aumentando, lo que en última instancia está aumentando la demanda del mercado de carburo de silicio MOSFETs durante el período previsto.

La adopción de redes 5G ofrece nuevas oportunidades para los MOSFETs SiC. Las redes 5G requieren una solución de alto rendimiento y capacidad de alta potencia. SiC MOSFETs puede operar de manera muy eficiente en frecuencias y temperaturas más altas que los hacen ideales para el despliegue en estaciones base 5G y centros de datos. A medida que la tecnología 5G continúa expandiéndose a nivel mundial, se espera que la demanda de MOSFETs SiC en telecomunicaciones crezca significativamente, impulsada por la necesidad de un rendimiento de red más rápido y fiable.

Carburo de silicona MOSFETs Market Analysis

Desarrollo y producción de carburo de silicio MOSFETS es un proceso intensivo de coste debido al diseño complejo, uso de materiales avanzados y proceso de fabricación complejo. La integración de características y tecnologías adicionales en soluciones de embalaje a menudo requiere inversiones sustanciales, que pueden afectar los márgenes de ganancia. En tales casos, las empresas deben evaluar la relación costo-beneficio para garantizar que las funcionalidades adicionales valgan la pena a expensas.

Basado en el tipo de dispositivo, el mercado de carburo de silicio MOSFETs se divide en MOSFETs discretos SiC, módulo SiC MOSFETs. Se espera que el segmento SiC MOSFETs registre un CAGR 31% del período de previsión.

• Módulo SiC MOSFETs se refieren a SiC MOSFETs que se integran en un módulo o paquete que incluye múltiples dispositivos y componentes adicionales como controladores de puertas y sistemas de gestión térmica. Estos módulos están diseñados para simplificar la implementación de la tecnología SiC en aplicaciones de alta potencia proporcionando una solución compacta y lista para usar con características de rendimiento mejoradas.
• Módulo SiC MOSFETs se utilizan comúnmente en aplicaciones como inversores industriales, suministros de energía y unidades de tracción para vehículos eléctricos. Ofrecen ventajas como la mejora de la densidad de energía, la reducción de la inductancia parasitaria y la integración más fácil en sistemas complejos, haciéndolos adecuados para aplicaciones que requieren una gestión de potencia robusta y fiable.

Basado en el nodo tecnológico, el mercado de carburo de silicio MOSFETs se divide en tecnología 150mm wafer, tecnología 200mm wafer. Se prevé que el segmento de tecnología de wafer de 150 mm representará 10.3 billones de dólares en 2032.

• La tecnología 150mm wafer, también conocida como tecnología de 6 pulgadas wafer, se refiere al proceso de producción que utiliza wafers de silicio de 150 mm de diámetro como sustrato para la fabricación de MOSFETs SiC. Esta tecnología se emplea normalmente en aplicaciones de fase temprana o nicho donde el volumen de coste y producción es manejable.
• Mientras que 150mm wafers ofrecen algunas ventajas en términos de manipulación de materiales y flexibilidad de fabricación, se están eliminando gradualmente a favor de tamaños de wafer más grandes.
• A pesar de ello, la tecnología de wafer de 150 mm sigue siendo relevante para ciertas aplicaciones y mercados, en particular cuando se requiere producción a menor escala o donde la infraestructura existente apoya este tamaño de wafer.

En 2023, el mercado de carburo de silicio de EE.UU. MOSFETs representó una parte del 67,8% de América del Norte. El MOSFETS de Silicon Carbide (SiC) está impulsado por una fuerte demanda de vehículos eléctricos y el enfoque del gobierno en la reducción de las emisiones de carbono. el rápido despliegue de la infraestructura 5G y el liderazgo del país en la innovación semiconductora refuerzan aún más la demanda de MOSFETs SiC. Con una base industrial bien establecida y inversiones continuas de RciendoD, se espera que Estados Unidos siga siendo un mercado clave para la tecnología SiC.

El mercado de Japón está creciendo debido a la presencia de grandes industrias automotriz y electrónica que impulsan la demanda de MOSFETs SiC avanzados. Los fabricantes de automóviles japoneses están a la vanguardia del desarrollo del vehículo eléctrico (EV), adoptando cada vez más MOSFETs SiC para mejorar la eficiencia y el rendimiento del vehículo. Además, el enfoque de Japón en la conservación de la energía y su compromiso con la energía renovable han llevado a una creciente demanda de MOSFETs SiC en inversores solares y aplicaciones de red eléctrica.

Las compañías de mercado de carburo de silicio surcoreano MOSFETs están invirtiendo fuertemente en proyectos de desarrollo de vehículos eléctricos (EV) y energías renovables, ambos de los cuales son aplicaciones importantes para SiC MOSFETs. El liderazgo del país en tecnología 5G y sus inversiones en redes inteligentes y electrónica de energía también contribuyen a la creciente demanda de MOSFETs SiC. Con una sólida base industrial y un compromiso con el avance tecnológico, Corea del Sur está preparada para convertirse en un importante jugador en el mercado mundial de MOSFETs SiC.

Por ejemplo, en junio de 2024, Mitsubishi Electric Corporation anunció que ha comenzado a enviar versiones de 3,3kV/400A y 3,3kV/200A de un diodo de barrera Schotky (SBD) carburo de silicio incrustado (SiC) metal-oxide-semiconductor transistor de efectos de campo (MOSFET) para grandes equipos industriales, incluyendo stock de rodamiento y sistemas eléctricos. Junto con la versión 3.3kV/800A existente, la nueva serie UnifullTM se compone de tres módulos para satisfacer la creciente demanda de inversores capaces de aumentar la eficiencia de producción de potencia y conversión de potencia en grandes equipos industriales.

Carburo de silicona MOSFETs Market Share

Los principales jugadores del mercado de carburo de silicio MOSFET son Hitachi Power Semiconductor Device, II-VI (antes Coherent Corporation), Infineon, Long-Street, Microchip, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, Renesas, ROHM, STARCHIP, STMicroelectronics, Toshiba y TT Electronics. El rendimiento y la fiabilidad de los productos son diferenciadores competitivos primarios, ya que SiC MOSFETs se valoran por su alta eficiencia, resistencia al calor y idoneidad para aplicaciones de alta tensión en industrias como automotriz, energía renovable y equipo industrial.

Carburo de silicona MOSFETs Market Companies

Los principales jugadores que operan en la industria del carburo de silicio MOSFETs son:

• Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
• II-VI Incorporated (now Coherent Corp.)
• Infineon Technologies AG
• Littelfuse, Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Mitsubishi Electric Corporation
• ON Semiconductor
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM Semiconductor
• STARCHIP
• STMicroelectronics
• Toshiba Corporation

Carburo de silicona MOSFETs Industry News

• En mayo de 2024, Infineon revela CoolSiC MOSFETs 400 V redefinir la densidad de potencia y la eficiencia en los suministros de potencia del servidor AI. La nueva cartera MOSFET se desarrolló especialmente para su uso en la etapa AC/DC de los servidores AI, complementando la hoja de ruta PSU recientemente anunciada de Infineon. Los dispositivos también son ideales para sistemas de almacenamiento solar y energético (ESS), control de motor inverter, suministros de energía industrial y auxiliar (SMPS) y interruptores de estado sólido para edificios residenciales.
• En diciembre de 2023, Nexperia está desarrollando sus propios MOSFETs SiC, marcados por la introducción de dos dispositivos inaugurales de 1.200 V en envases de tres puntas: los NSF040120L3A0 y NSF080120L3A. Nexperia tiene una de las ventajas clave de sus nuevos MOSFETs SiC es su drenaje relativamente estable a la resistencia (RDS (on)) sobre el rango de temperatura operativa del dispositivo.

Este informe de investigación de mercado de carburo de silicio MOSFETs incluye una cobertura profunda de la industria con estimaciones " en términos de ingresos (dólares EE.UU.) " (unidades de volumen) de 2021 a 2032, para los siguientes segmentos:

Mercado, por tipo de dispositivo

• Discreta SiC MOSFETs

• Módulo SiC MOSFETs

Mercado por rango de tensión

• 650V
• 900V
• 1200V
• 1700V
• 3300V y categorías superiores

Mercado, por aplicación

• Suministros de energía
• Inversión
• Vehículos eléctricos (VE)
• Equipo industrial
• Otros

Mercado, por nodo tecnológico

• 150mm wafer tecnología
• Tecnología de wafer de 200 mm

Mercado, por industria de uso final

• Automoción
• Industrial
• Consumer electronics
• Telecomunicaciones
• Otros

La información anterior se proporciona a las siguientes regiones y países:

• América del Norte
  • EE.UU.
  • Canadá
• Europa
  • UK
  • Alemania
  • Francia
  • Italia
  • España
  • Rusia
• Asia Pacífico
  • China
  • India
  • Japón
  • Corea del Sur
  • Australia
• América Latina
  • Brasil
  • México
• MEA
  • UAE
  • Arabia Saudita
  • Sudáfrica