Marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium Taille et partage 2025 – 2034

Taille du marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium

Le marché mondial des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium était évalué à 2,1 milliards de dollars (USD) en 2024 et devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 25,9 % pour atteindre 21 milliards de dollars (USD) d’ici 2034. La croissance du secteur des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium est portée par plusieurs facteurs clés, notamment la forte hausse de la demande de véhicules électriques, l’utilisation croissante de ces dispositifs dans les applications aérospatiales et de défense, ainsi que le nombre croissant de projets de modernisation des réseaux électriques et d’énergies renouvelables.
 

L’intérêt croissant pour l’adoption des véhicules électriques exerce une influence positive sur la croissance du secteur des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium. Les systèmes électroniques de puissance qui gèrent les batteries, les groupes motopropulseurs électriques et les infrastructures de recharge doivent être compacts, efficaces et résistants à la chaleur. À ce titre, les semi-conducteurs en SiC sont des composants essentiels utilisés dans les groupes motopropulseurs des véhicules électriques, notamment dans les onduleurs, les convertisseurs CC-CC et les chargeurs embarqués. En outre, leur meilleure résistance thermique, leurs fréquences de commutation élevées et leur tension de claquage élevée sont autant de propriétés qui permettent d’améliorer l’efficacité des véhicules et d’accroître leur autonomie. Selon l’Agence internationale de l’énergie (AIE), près de 16,6 millions de voitures électriques ont été vendues dans le monde en 2024, contre 13,7 millions en 2023. Ainsi, l’essor des voitures électriques est directement associé à la demande de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium, accélérant à son tour la croissance du marché à l’échelle mondiale.
 

En outre, le nombre croissant de projets de modernisation des réseaux électriques et d’énergies renouvelables entraîne une hausse de l’adoption des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium. L’intégration de semi-conducteurs en SiC dans les systèmes de conversion de puissance améliore leur efficacité et leur fiabilité, notamment lors de l’intégration de sources d’énergie renouvelable telles que l’éolien et le solaire au réseau électrique. Dans le cadre de la modernisation des réseaux, l’utilisation des technologies SiC améliore les performances des systèmes de conversion de puissance moyenne tension, qui sont essentiels à la distribution et au stockage efficaces de l’énergie électrique. La généralisation des semi-conducteurs de puissance en SiC, ainsi que des projets de batteries et d’énergies renouvelables, accélère la mise en œuvre de ces systèmes dans différents secteurs. Par exemple, en mars 2025, TS Conductor a annoncé son intention d’ouvrir une nouvelle usine de production à Hardeeville, en Caroline du Sud, à proximité du port de Savannah. Ce projet de 134 millions de dollars (USD) s’inscrit dans les efforts en cours pour moderniser le réseau électrique et répondre à la demande croissante de lignes électriques à haute capacité. L’usine produira des conducteurs avancés destinés à accroître la capacité de transport du réseau tout en renforçant sa fiabilité et son efficacité. Le projet s’inscrit dans le cadre d’initiatives plus larges visant à moderniser le système électrique américain, soutenues par l’augmentation de la production nationale et par la demande croissante d’électricité des centres de données dédiés à l’intelligence artificielle. Grâce à la technologie de TS Conductor, les services publics peuvent accroître la capacité de transport et améliorer la résilience du réseau face aux phénomènes météorologiques extrêmes. Par conséquent, l’accent mis sur l’adoption de solutions énergétiques durables continue de stimuler la demande de dispositifs semi-conducteurs en SiC, compte tenu de leur rôle central dans l’amélioration de l’efficacité et de la fiabilité des systèmes électriques modernes.
 

Tendances du marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium

• La croissance des réseaux de recharge rapide haute tension constitue la principale tendance qui dessine la trajectoire de croissance du marché mondial. La technologie du carbure de silicium joue un rôle important dans le développement des stations de recharge rapide, indispensables pour améliorer l’efficacité avec laquelle les véhicules électriques (VE) sont pris en charge et utilisés. Les semi-conducteurs en SiC présentent une conductivité thermique supérieure, ainsi qu’une tension de claquage plus élevée, une vitesse de commutation importante et une faible résistance à l’état passant par rapport aux dispositifs à base de silicium. Ces caractéristiques rendent les convertisseurs en SiC plus efficaces lors de la conversion d’énergie et réduisent les pertes énergétiques dans les applications à forte puissance telles que les chargeurs rapides pour véhicules électriques.
   
• Par ailleurs, l’utilisation de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium dans les applications émergentes de la mobilité aérienne urbaine (UAM) et dans les navires électriques constitue une autre tendance importante. L’efficacité des performances et la densité de puissance de la technologie SiC sont supérieures pour ces applications à celles des technologies traditionnelles à base de silicium. Dans le domaine de l’UAM, les aéronefs électriques à décollage et atterrissage verticaux (eVTOL) nécessitent des systèmes électroniques de puissance efficaces, compacts et légers pour gérer les opérations à haute tension dans des conditions extrêmes. Les dispositifs en SiC permettent d’intégrer des fréquences de commutation plus élevées et d’atteindre une densité de puissance supérieure à des températures de fonctionnement plus élevées, ce qui est avantageux pour les systèmes eVTOL. Ces facteurs contribuent ainsi à améliorer les performances et l’autonomie tout en réduisant le poids, un élément essentiel pour les solutions de mobilité aérienne urbaine, ce qui accélère sensiblement la croissance du marché.
   
• En outre, l’intérêt croissant pour les centres de données et l’informatique en nuage à haut rendement énergétique constitue une autre tendance clé qui entraîne une expansion rapide du marché. Les systèmes de refroidissement en SiC nécessitent beaucoup moins d’énergie pour fonctionner à pleine capacité, ce qui rend la technologie SiC particulièrement efficace. Comme d’autres centres de données, ce secteur a considérablement réduit ses coûts énergétiques, ses coûts d’exploitation et sa consommation de ressources. Ces dispositifs sont mieux adaptés aux applications à forte puissance que les dispositifs traditionnels à base de silicium. Avec l’essor de l’informatique en nuage, les centres de données cherchent à équilibrer leur consommation d’énergie et l’augmentation des charges de travail. Les semi-conducteurs en SiC peuvent répondre à ce défi grâce à des systèmes plus efficaces de conversion d’énergie et de gestion thermique, qui améliorent les performances et la fiabilité. Par conséquent, les préoccupations croissantes concernant l’efficacité énergétique dans les centres de données et les installations d’informatique en nuage accélèrent l’intégration des dispositifs semi-conducteurs en SiC dans le secteur.
   

Analyse du marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium

Comprendre les tendances clés du marché

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Selon le composant, le marché est segmenté en diodes Schottky, transistors FET/MOSFET, circuits intégrés, redresseurs/diodes, modules de puissance et autres composants.
 

• Le segment des modules de puissance représentait 581 millions de dollars USD en 2024. Ce segment se développe parce que les modules de puissance en SiC permettent de concevoir des systèmes électriques plus petits et plus légers en réduisant les besoins en refroidissement. Les modules de puissance gagnent ainsi en popularité dans les véhicules électriques, l’électronique grand public et les systèmes d’alimentation portables. Par ailleurs, l’adoption généralisée des véhicules électriques stimule la production d’infrastructures de recharge électrique à haute vitesse. L’utilisation de modules de puissance en SiC dans les stations de recharge ultra-rapide, à une tension supérieure à 800 V, est viable avec des pertes énergétiques nulles ou très faibles.
   
• Les circuits intégrés constituaient le segment affichant la croissance la plus rapide et devraient atteindre 2,3 milliards de dollars (USD) en 2034. La prolifération rapide des infrastructures 5G ainsi que l’essor de l’automatisation industrielle stimulent la demande de circuits intégrés en SiC. En outre, l’utilisation croissante d’infrastructures prenant en charge les sources d’énergie renouvelable fait émerger un autre marché important pour les circuits intégrés semi-conducteurs en SiC, qui sont utilisés pour la conversion d’électricité à l’échelle du réseau, les onduleurs solaires, les systèmes d’énergie éolienne et les applications de stockage d’énergie.
   

Selon la taille des plaquettes, le marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium est segmenté en plaquettes de 1 à 4 pouces, de 6 pouces et de 8 pouces.
 

• Le segment des plaquettes de 6 pouces devrait représenter 55,7 % du marché mondial en 2024, car ces plaquettes en SiC offrent un meilleur rendement par plaquette et des coûts de production par dispositif inférieurs, ce qui réduit les coûts pour les fabricants par rapport aux plaquettes de 4 pouces. Par ailleurs, les plaquettes de 6 pouces sont de plus en plus utilisées pour fabriquer des composants en SiC à haute tension et à haut rendement énergétique destinés aux applications de recharge à forte puissance, avec l’augmentation du nombre de stations de recharge EFI pour véhicules électriques. En outre, le marché s’oriente vers l’utilisation de plaquettes de 6 pouces afin de bénéficier d’économies d’échelle, dont l’adoption croissante dans les secteurs automobile et des énergies renouvelables accélère à son tour la croissance du segment à l’échelle mondiale.
   
• Le segment des plaquettes de 8 pouces affichera un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 31,3 % sur la période 2025–2034. Les plaquettes de 8 pouces sont plus économiques grâce à leur surface plus importante, qui permet de fabriquer un plus grand nombre de puces par plaquette, réduisant ainsi le coût par dispositif et améliorant la viabilité économique de la technologie SiC. Les semi-conducteurs en SiC sont largement utilisés dans les applications dépassant 600 V. Les performances supérieures de ces modules de puissance, utilisés pour les chargeurs rapides de véhicules électriques, les infrastructures de réseau et les machines industrielles, sont rendues possibles par la taille plus importante des plaquettes par rapport aux plaquettes de silicium. En outre, l’augmentation significative des dépenses économiques et des partenariats destinés à renforcer la résilience de la chaîne d’approvisionnement conduit les principaux fabricants de semi-conducteurs à accroître leur capacité de production de plaquettes de 8 pouces.
   

Selon le produit, le marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium est segmenté en dispositifs optoélectroniques, semi-conducteurs de puissance et dispositifs de fréquence.

• Le segment des dispositifs de fréquence dominait le marché, avec une valeur de 885,2 millions de dollars (USD) en 2024. Les secteurs de l’aérospatiale, de la défense et de la radiodiffusion utilisent des dispositifs en SiC intégrant des composants radiofréquence en raison de leur capacité à fonctionner dans des conditions de puissance et de fréquence élevées. En outre, contrairement au silicium, le SiC offre des dispositifs présentant des capacités élevées en matière de vitesse et de puissance, grâce à une meilleure tension de claquage, une bande interdite plus large et une conductivité thermique supérieure, ce qui stimule la croissance du segment. Par ailleurs, le déploiement de nouvelles technologies telles que le Wi-Fi 6, l’Internet par satellite et l’ultra-large bande (UWB) permet un transfert de données rapide et stable, pris en charge par les dispositifs de fréquence en SiC, et stimule fortement la demande de dispositifs de fréquence.
   
• Le segment des dispositifs optoélectroniques progressera à un TCAC de 31,1 % au cours de la période de prévision. Les dispositifs optoélectroniques en SiC, tels que les LED, les diodes laser et les photodétecteurs, sont particulièrement robustes, ce qui leur permet de fonctionner à des températures extrêmes et dans des environnements fortement irradiés, faisant de ces dispositifs des solutions adaptées aux secteurs de l’aérospatiale et de la défense ainsi qu’aux besoins industriels.L’augmentation de la consommation de données ainsi que la nécessité d’accélérer le transfert des données stimulent la mise en œuvre de photodétecteurs et de diodes laser à base de SiC dans les réseaux de communication pour les fibres optiques. En outre, les dispositifs à base de SiC sont utilisés dans les équipements d’imagerie médicale, les biocapteurs et les appareils de diagnostic, offrant de meilleures performances pour les applications de détection et de surveillance de précision.
   

Selon l’utilisateur final, le marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium se divise entre les secteurs automobile, de l’énergie et de l’électricité, de l’électronique grand public, de l’aérospatiale et de la défense, des dispositifs médicaux, des dispositifs de données et de communication, ainsi que les autres secteurs.
 

• Le segment des utilisateurs finaux du secteur automobile dominait le marché, avec un chiffre de 707,1 millions de dollars (USD) en 2024, en raison de l’utilisation croissante de dispositifs SiC qui améliorent l’efficacité des groupes motopropulseurs, réduisent le gaspillage énergétique et prolongent la durée de vie des batteries, en lien avec l’essor des véhicules électriques (EV) et des véhicules hybrides électriques (HEV). En outre, les modules de puissance et les onduleurs en SiC améliorent les performances globales du système et l’autonomie grâce à des fréquences de commutation plus élevées et à des pertes énergétiques réduites. Par ailleurs, l’adoption croissante de normes d’émissions strictes et les mesures incitatives en faveur des véhicules électriques obligent les constructeurs automobiles à moderniser leurs systèmes d’automatisation afin d’améliorer leur efficacité énergétique et de réduire leurs émissions de carbone. Cette évolution a réorienté l’attention vers l’utilisation de la technologie SiC, entraînant à son tour une forte hausse de la demande de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium dans le segment automobile.
   
• Le marché de l’énergie et de l’électricité devrait enregistrer la plus forte croissance au cours de la période de prévision, avec un TCAC de 28 % entre 2025 et 2034. Les composants SiC sont essentiels à l’intégration de réseaux intelligents dans des infrastructures obsolètes modernisées par les fournisseurs de services publics et les pouvoirs publics afin d’assurer une gestion efficace de l’électricité, une régulation de la tension et une réduction des pertes de transmission. La diminution de la consommation d’énergie permise par les pertes de commutation plus faibles du SiC et sa meilleure tolérance aux températures élevées contribuent à la réalisation des objectifs de durabilité. En outre, les incitations à la mise en conformité dans les secteurs des services publics et industriels, conjuguées à l’adoption croissante de normes visant à accroître l’efficacité et aux politiques favorisant l’adoption des énergies propres, réorientent l’attention vers la technologie SiC, ce qui accélère la croissance du marché de l’énergie et de l’électricité.
   

En savoir plus sur les principaux segments façonnant ce marché

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En 2024, le marché américain des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium s’élevait à 505,9 millions de dollars (USD). Les États-Unis ont enregistré une forte hausse de la demande de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) grâce à des innovations technologiques sur plusieurs fronts et à des objectifs stratégiques nationaux. Aux États-Unis, le secteur des véhicules électriques (EV) connaît une croissance rapide, les constructeurs automobiles américains tels que Tesla, Ford et General Motors adoptant de plus en plus l’électronique de puissance SiC afin d’améliorer l’efficacité énergétique, de réduire les pertes lors de la conversion de puissance et d’accroître davantage les performances de leurs véhicules. Ces technologies semi-conductrices améliorent considérablement la conception des groupes motopropulseurs électriques, facilitant la mise au point de systèmes automobiles plus compacts, plus légers et plus économes en énergie, ce qui contribue à répondre aux attentes importantes des consommateurs en matière d’autonomie et de performances de recharge. En outre, l’utilisation de semi-conducteurs SiC gagne du terrain dans les secteurs militaire et de la défense. Les secteurs de l’aérospatiale et de la défense utilisent également des dispositifs semi-conducteurs « de haute technologie » conçus pour fonctionner dans des conditions environnementales difficiles, ce qui contribue à l’expansion du marché régional.
 

Le marché allemand des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 28 % au cours de la période de prévision. Le marché allemand est soutenu par la demande croissante de plusieurs secteurs pour des composants électroniques de puissance à hautes performances, ce qui a accéléré l’utilisation des dispositifs en SiC. Des caractéristiques telles qu’une conductivité thermique élevée et une forte résistance à la tension rendent les dispositifs en SiC idéaux pour diverses applications nécessitant des performances supérieures. En outre, la croissance du secteur des énergies renouvelables constitue un autre facteur stimulant la demande de dispositifs semi-conducteurs en SiC. La politique ambitieuse de transition énergétique du pays, l’Energiewende, nécessite des investissements considérables dans l’énergie éolienne et solaire ainsi que dans la modernisation du réseau, ce qui ouvre de nouvelles perspectives de marché pour l’électronique de puissance avancée au cours des prochaines années.
 

Le marché chinois devrait progresser à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 28,2 % au cours de la période de prévision. Cette croissance est portée par des facteurs tels que l’intégration des énergies renouvelables et la pénétration rapide de l’électronique grand public, notamment les smartphones, les tablettes, les ordinateurs portables et d’autres appareils électroniques. La demande de semi-conducteurs en SiC a également augmenté, car ces composants améliorent l’efficacité des groupes motopropulseurs et des systèmes de recharge des véhicules électriques, dans un contexte de développement rapide du marché chinois des véhicules électriques. En outre, l’augmentation des investissements du gouvernement central et les subventions soutenues par l’État ont contribué à améliorer l’industrie chinoise des semi-conducteurs et à renforcer la technologie SiC, ce qui favorise à son tour les perspectives de croissance et d’expansion du marché au cours de la période étudiée.
 

En 2024, le Japon devrait représenter 16,1 % du marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium dans la région Asie-Pacifique. Plusieurs facteurs, tels que l’émergence de technologies avancées, l’automatisation industrielle et la stratégie gouvernementale, stimulent la demande japonaise de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC). En outre, le solide écosystème de fabrication électronique du pays constitue un autre moteur clé de l’adoption des semi-conducteurs en SiC. Les entreprises japonaises du secteur électronique utilisent progressivement les dispositifs en SiC dans le calcul haute performance, les infrastructures de télécommunications et les équipements industriels avancés, ce qui contribue de manière significative à la croissance du marché régional.
 

Le marché sud-coréen représentait 1 milliard de dollars (USD) en 2024. La Corée du Sud a connu un déploiement rapide de la technologie 5G, qui nécessite des semi-conducteurs à hautes performances pour gérer des volumes de données et des fréquences plus élevés. Les réseaux de télécommunications avancés nécessiteront une infrastructure de soutien fournie par les dispositifs en SiC. En outre, l’écosystème sud-coréen de fabrication de semi-conducteurs, dirigé par les grandes entreprises mondiales Samsung et SK Hynix, investit massivement dans la recherche et la production de dispositifs en SiC. Les stratégies gouvernementales, notamment le soutien aux initiatives de recherche, au développement technologique et aux mesures incitatives, renforcent de plus en plus la chaîne d’approvisionnement nationale en semi-conducteurs SiC, ce qui ouvre des perspectives de croissance pour l’industrie sud-coréenne des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium.
 

Part de marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium

Le marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) est consolidé. Il compte un nombre limité d’acteurs concentrés en raison des investissements élevés en capital et des exigences technologiques liées à la production de plaquettes de SiC, à la fabrication des dispositifs ainsi qu’à la recherche et au développement (R&D). Des entreprises telles que Wolfspeed, Infineon Technologies et STMicroelectronics disposent d’une présence importante sur le marché et détiennent ensemble près de 48,7 % des parts de marché. Ces entreprises bénéficient d’un avantage concurrentiel grâce à leurs technologies propriétaires et à leur intégration verticale. Leur position est également renforcée par des contrats d’approvisionnement à long terme et des partenariats avec des entreprises des secteurs automobile et des énergies renouvelables.
 

Le marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium évolue continuellement grâce à de nouvelles innovations produits adaptées à l’amélioration des capacités des plaquettes de carbure de silicium. Par exemple, en septembre 2022, AIXTRON SE a présenté son nouveau système G10-SiC de 200 mm destiné à la production en grande série de dispositifs de puissance en carbure de silicium ("SiC") de dernière génération sur des plaquettes de SiC de 150/200 mm. La International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) a annoncé cette technologie de dépôt chimique en phase vapeur à haute température, qui porte l’innovation à un niveau supérieur. Le SiC, un matériau présentant une large bande interdite, devrait devenir une technologie courante pour l’électronique de puissance haute performance. Le SiC contribue à la protection du climat en favorisant significativement la décarbonation de la société contemporaine.
 

Wolfspeed est une entreprise verticalement intégrée et un acteur de premier plan du carbure de silicium, alors que le secteur passe du silicium au carbure de silicium dans les composants et les dispositifs. Le portefeuille de l’entreprise comprend des matériaux en carbure de silicium, des modules de puissance, des dispositifs de puissance discrets et des produits à base de puces de puissance, qui contribuent à l’amélioration des automobiles, des aéronefs, des sources d’énergie renouvelable, des écuries de course, des villes et de nombreuses autres applications.
 

STMicroelectonics est l’un des leaders du secteur du SiC et dispose d’un portefeuille conséquent de brevets importants, ainsi que de 25 années consacrées à la recherche et au développement. En tant que site accueillant les plus grandes installations de R&D et de fabrication de SiC, Catane constitue depuis longtemps un emplacement essentiel pour l’innovation de ST, contribuant efficacement à la création de nouvelles méthodes permettant de produire des dispositifs en SiC plus nombreux et plus performants. Le portefeuille de STMicroelectonics comprend les MOSFET SiC STPOWER, qui affichent la température de jonction nominale la plus élevée du secteur, à 200 °C, pour des conceptions plus efficaces et plus simples, ainsi que les diodes SiC STPOWER, dont les pertes de commutation sont négligeables et dont la tension directe (VF) est inférieure de 15 % à celle des diodes classiques en silicium.
 

Entreprises du marché des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium

Les principales entreprises du secteur des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium sont notamment :

• Wolfspeed
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• onsemi
• ROHM Semiconductor
   

Actualités du secteur des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium

• En mars 2025, RFMW, une division d’Exponential Technology Group, Inc., a formé un partenariat stratégique avec CoolCAD Electronics afin d’élargir sa gamme de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) haute puissance et haute tension. Cet accord renforce la capacité de RFMW à fournir à ses clients des solutions de pointe à large bande interdite, permettant d’accroître l’efficacité, les performances et la fiabilité dans les applications à haute température et haute puissance. Dans le cadre de cette collaboration, RFMW distribuera les transistors et circuits intégrés (IC) semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) à large bande interdite de CoolCAD.
   
• En février 2025, le plan d’Infineon Technologies AG concernant le carbure de silicium (SiC) de 200 mm a enregistré des avancées significatives. Les dispositifs produits à Villach, en Autriche, offrent une technologie de puissance SiC de premier plan pour les applications haute tension telles que les véhicules électriques, les trains et les sources d’énergie renouvelable. En outre, Infineon est en bonne voie pour passer de plaquettes de 150 mm à des plaquettes de plus grand diamètre, de 200 mm, et plus efficaces dans son site de production de Kulim, en Malaisie.
   
• En juin 2024, ROHM Co. Ltd., fabricant japonais de dispositifs semi-conducteurs de puissance, a introduit la dénomination EcoSiC en tant que marque déposée pour ses dispositifs en carbure de silicium (SiC). Le lancement de la marque EcoSiC vise à atteindre plusieurs objectifs stratégiques, notamment l’amélioration des performances, de la durabilité et de l’innovation technologique. Le logo EcoSiC s’inscrit dans le concept de marque « Power Eco Family » de ROHM, qui vise à optimiser l’efficacité et la compacité des applications électroniques tout en produisant un effet bénéfique sur l’environnement.
   

Ce rapport d’étude de marché sur les dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium fournit une couverture approfondie du secteur avec des estimations et des prévisions en termes de chiffre d’affaires (millions de dollars US) de 2021 à 2034, pour les segments suivants :

Marché, par composant

• Diodes Schottky
• Transistors FET/MOSFET
• Circuits intégrés
• Redresseurs/diodes
• Modules de puissance
• Autres

Marché, par taille de plaquette

• De 1 à 4 pouces
• 6 pouces
• 8 pouces

Marché, par produit

• Dispositifs optoélectroniques
• Semi-conducteurs de puissance
• Dispositifs haute fréquence

Marché, par utilisation finale

• Automobile
• Énergie et électricité
• Électronique grand public
• Aéronautique et défense
• Dispositifs médicaux
• Dispositifs de données et de communication
• Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et pays suivants :

• Amérique du Nord
  • États-Unis
  • Canada
• Europe
  • Royaume-Uni
  • Allemagne
  • France
  • Italie
  • Espagne
  • Russie
• Asie-Pacifique
  • Chine
  • Inde
  • Japon
  • Corée du Sud
  • ANZ 
• Amérique latine
  • Brésil
  • Mexique
• MEA
  • Émirats arabes unis
  • Arabie saoudite
  • Afrique du Sud