Mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio Tamaño y Compartir 2025 – 2034

Tamaño del mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio

El mercado mundial de dispositivos semiconductores de carburo de silicio se valoró en 2,100 millones de USD en 2024 y se estima que crecerá a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 25,9 % hasta alcanzar 21,000 millones de USD en 2034. El crecimiento del sector de dispositivos semiconductores de carburo de silicio está impulsado por factores clave como el aumento de la demanda de vehículos eléctricos, la creciente aplicación de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en los sectores aeroespacial y de defensa, así como el número cada vez mayor de proyectos de modernización de la red eléctrica y de energías renovables.
 

La creciente inclinación hacia la adopción de vehículos eléctricos está influyendo positivamente en el crecimiento del sector de dispositivos semiconductores de carburo de silicio. Existe una necesidad cada vez mayor de sistemas electrónicos de potencia compactos, eficientes y resistentes al calor que gestionen sus sistemas de baterías, sistemas de propulsión eléctrica e infraestructura de carga. Por consiguiente, los semiconductores de SiC son componentes fundamentales utilizados en los sistemas de propulsión de los vehículos eléctricos, concretamente en inversores, convertidores de CC a CC y cargadores integrados. Asimismo, la mayor resistencia térmica, el aumento de las frecuencias de conmutación y la elevada tensión de ruptura son algunas de las propiedades que están favoreciendo una mayor eficiencia de los vehículos y una mayor autonomía de conducción. Según la Agencia Internacional de la Energía (IEA), en 2024 se vendieron en todo el mundo casi 16,6 millones de vehículos eléctricos, frente a los 13,7 millones de vehículos eléctricos vendidos en 2023. Por tanto, el aumento de los vehículos eléctricos está directamente relacionado con la demanda de dispositivos semiconductores de carburo de silicio, lo que, a su vez, acelera el crecimiento del mercado en todo el mundo.
 

Además, el número cada vez mayor de proyectos de modernización de la red eléctrica y de energías renovables está impulsando la adopción de dispositivos semiconductores de carburo de silicio. La incorporación de semiconductores de SiC a los sistemas de conversión de potencia mejora su eficiencia y fiabilidad, especialmente al integrar fuentes de energía renovable, como la eólica y la solar, en la red eléctrica. Durante la modernización de la red, el uso de tecnologías de SiC aumenta el rendimiento de los sistemas de conversión de potencia de media tensión, fundamentales para la distribución y el almacenamiento eficientes de la energía eléctrica. La proliferación de semiconductores de potencia de SiC, así como de proyectos de energías renovables basados en baterías, está acelerando la implantación de estos sistemas en diversos sectores. Por ejemplo, en marzo de 2025, TS Conductor anunció sus planes de abrir una nueva planta de producción en Hardeeville, Carolina del Sur, cerca del puerto de Savannah. El proyecto, valorado en 134 millones de USD, forma parte de los esfuerzos en curso para modernizar la red eléctrica y satisfacer la creciente demanda de líneas eléctricas de alta capacidad. La planta producirá conductores avanzados destinados a aumentar la capacidad de transmisión de la red y mejorar al mismo tiempo su fiabilidad y eficiencia. El proyecto se enmarca en iniciativas más amplias para modernizar el sistema eléctrico estadounidense, impulsadas por el aumento de la producción nacional y la creciente demanda de electricidad de los centros de datos de inteligencia artificial. Con la tecnología de TS Conductor, las empresas eléctricas pueden aumentar la capacidad de transmisión y mejorar la resiliencia de la red frente a fenómenos meteorológicos extremos. En consecuencia, el énfasis en la adopción de soluciones energéticas sostenibles sigue impulsando la demanda de dispositivos semiconductores de SiC debido a su papel fundamental en la mejora de la eficiencia y la fiabilidad de los sistemas eléctricos modernos.
 

Tendencias del mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio

• El crecimiento de las redes de carga rápida de alta tensión constituye la principal tendencia que está marcando la trayectoria de crecimiento del mercado mundial. La tecnología de carburo de silicio desempeña un papel importante en el desarrollo de las estaciones de carga rápida, necesarias para mejorar la eficiencia con la que se cargan y utilizan los vehículos eléctricos (EV). Los semiconductores de SiC presentan una conductividad térmica superior, además de una mayor tensión de ruptura, una alta velocidad de conmutación y una baja resistencia en conducción en comparación con los dispositivos basados en silicio. Estas características hacen que los convertidores de SIC sean más eficientes durante la conversión de potencia y reduzcan las pérdidas de energía en aplicaciones de alta potencia, como los cargadores rápidos para vehículos eléctricos.
   
• Además, el uso de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en aplicaciones emergentes de movilidad aérea urbana (UAM) y en buques eléctricos está cobrando relevancia. La eficiencia del rendimiento y la densidad de potencia de la tecnología SiC son superiores en estas aplicaciones en comparación con la tecnología tradicional basada en silicio. En el caso de la UAM, las aeronaves eléctricas de despegue y aterrizaje vertical (eVTOL) requieren sistemas electrónicos de potencia eficientes, compactos y ligeros para gestionar operaciones de alta tensión en condiciones extremas. Los dispositivos de SiC pueden incorporar frecuencias de conmutación más elevadas y mayores densidades de potencia a temperaturas de funcionamiento más altas, lo que resulta beneficioso para los sistemas eVTOL. Por tanto, estos factores contribuyen a mejorar el rendimiento y la autonomía, así como a reducir el peso, aspectos esenciales para las soluciones de UAM, lo que está acelerando considerablemente el crecimiento del mercado.
   
• Asimismo, la creciente tendencia hacia centros de datos eficientes y la computación en la nube constituye otra tendencia clave que está impulsando la rápida expansión del mercado. Los sistemas de refrigeración de SiC requieren mucha menos energía para funcionar a plena capacidad, lo que hace que la tecnología SiC sea muy eficaz. Al igual que en otros centros de datos, esta tecnología reduce drásticamente los costes energéticos, los costes operativos y el uso de recursos. Los dispositivos basados en SiC son más adecuados para usos de alta potencia como estos en comparación con los dispositivos tradicionales basados en silicio. A medida que aumenta el uso de la nube, los centros de datos buscan equilibrar el consumo energético con el incremento de las cargas de trabajo. Los semiconductores de SiC pueden resolver este reto, ya que utilizan sistemas más eficientes de conversión de potencia y gestión térmica, lo que se traduce en un mayor rendimiento y fiabilidad. Por tanto, la creciente preocupación por el uso eficiente de la energía en los centros de datos y las instalaciones de computación en la nube está acelerando la incorporación de dispositivos semiconductores de SiC en el sector.
   

Análisis del mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio

Para comprender las principales tendencias del mercado

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Según el componente, el mercado se segmenta en diodos Schottky, transistores FET/MOSFET, circuitos integrados, rectificadores/diodos, módulos de potencia y otros.
 

• El segmento de módulos de potencia representó 581 millones de USD en 2024. El segmento se está expandiendo porque los módulos de potencia de SiC permiten crear sistemas de potencia más pequeños y ligeros al reducir las necesidades de refrigeración. Por ello, los módulos de potencia están ganando una gran popularidad en los vehículos eléctricos, la electrónica de consumo y los sistemas de potencia portátiles. Asimismo, la adopción generalizada de los vehículos eléctricos está impulsando la producción de infraestructuras de carga eléctrica de alta velocidad. El consumo de carga de los módulos de potencia de SiC en estaciones de carga ultrarrápida (por encima de 800 V) es viable, con un desperdicio de energía nulo o muy reducido.
   
• Los circuitos integrados constituyeron el segmento de mayor crecimiento y se prevé que alcance los 2,300 millones de USD en 2034. La rápida expansión de la infraestructura 5G y el aumento de la automatización industrial están disparando la demanda de circuitos integrados de SiC. Además, el creciente uso de infraestructuras compatibles con fuentes de energía renovables señala otro mercado importante para los circuitos integrados semiconductores de SiC, ya que se utilizan en la conversión de energía a escala de red, inversores solares, sistemas de energía eólica y aplicaciones de almacenamiento de energía.
   

Según el tamaño de la oblea, el mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio se divide en obleas de 1 a 4 pulgadas, de 6 pulgadas y de 8 pulgadas.
 

• Se prevé que el segmento de 6 pulgadas represente el 55,7% del mercado mundial en 2024, ya que las obleas de SiC de 6 pulgadas proporcionan un mayor rendimiento por oblea y menores costes de producción por dispositivo, lo que se traduce en menores costes para los fabricantes en comparación con las obleas de 4 pulgadas. Asimismo, las obleas de 6 pulgadas se utilizan cada vez más para fabricar componentes de SiC de alta tensión y eficiencia energética destinados a aplicaciones de carga de alta potencia, debido al aumento de las estaciones de carga EFI para vehículos eléctricos. Además, el mercado está orientándose hacia el uso de obleas de 6 pulgadas para obtener economías de escala, cuya utilización está aumentando en las industrias automovilística y de energías renovables, lo que, a su vez, acelera el crecimiento del segmento a escala mundial.
   
• El segmento de 8 pulgadas registrará una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 31,3% entre 2025 y 2034. Las obleas de 8 pulgadas son más rentables debido a su mayor superficie, que permite fabricar un mayor número de chips por oblea, reduciendo así el coste por dispositivo y mejorando la viabilidad económica de la tecnología de SiC. Los semiconductores de SiC se utilizan ampliamente en aplicaciones de más de 600 V. El mayor tamaño de las obleas frente a las de silicio permite mejorar el rendimiento de estos módulos de potencia, utilizados en cargadores rápidos para vehículos eléctricos, instalaciones de red y maquinaria industrial, gracias a sus elevadas prestaciones. Además, se observa un aumento significativo del gasto económico y de las alianzas dirigidas a reforzar la resiliencia de la cadena de suministro, lo que está llevando a los principales fabricantes de semiconductores a incrementar la capacidad de producción de obleas de 8 pulgadas.
   

Por producto, el mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio se segmenta en dispositivos optoelectrónicos, semiconductores de potencia y dispositivos de frecuencia.

• El segmento de dispositivos de frecuencia lideró el mercado, con unos ingresos de 885,2 millones de USD en 2024. Las industrias aeroespacial, de defensa y de radiodifusión utilizan dispositivos de SiC con componentes de radiofrecuencia por su capacidad para operar en condiciones de alta potencia y frecuencia. Asimismo, el SiC ofrece dispositivos con elevadas capacidades de velocidad y potencia porque, a diferencia del silicio, presenta una mayor tensión de ruptura, una banda prohibida más amplia y una conductividad térmica superior, lo que impulsa el crecimiento del segmento. Además, la distribución de nuevas tecnologías, como Wi-Fi 6, la conexión a internet por satélite y la banda ultraancha (UWB), permite una transferencia de datos sólida y estable, respaldada por los dispositivos de frecuencia de SiC, lo que fomenta la demanda de dispositivos de frecuencia a un ritmo considerable.
   
• Se prevé que el segmento de dispositivos optoelectrónicos registre una TCAC del 31,1% durante el período de previsión. Los dispositivos optoelectrónicos de SiC, como los LED, los diodos láser y los fotodetectores, son muy resistentes, lo que permite que funcionen en temperaturas extremas y entornos con altos niveles de radiación, convirtiéndolos en una opción idónea para aplicaciones aeroespaciales y de defensa, así como para usos industriales.El aumento del consumo de datos, así como la necesidad de transferirlos con mayor rapidez, está impulsando la implementación de fotodetectores y diodos láser basados en SiC en las redes de comunicación de fibra óptica. Además, los dispositivos basados en SiC se utilizan en equipos de diagnóstico por imagen médica, biosensores y dispositivos de diagnóstico, ya que ofrecen un mejor rendimiento en aplicaciones de detección y monitorización de precisión.
   

Según el usuario final, el mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio se divide en los segmentos de automoción, energía y potencia, electrónica de consumo, aeroespacial y defensa, dispositivos médicos, dispositivos de datos y comunicación, y otros.
 

• El segmento de automoción por usuario final lideró el mercado y alcanzó los 707,1 millones de USD en 2024, debido al creciente uso de dispositivos de SiC, que mejoran la eficiencia de los sistemas de propulsión, minimizan el desperdicio energético y prolongan la vida útil de las baterías, en línea con las tendencias emergentes de los vehículos eléctricos (VE) y los vehículos eléctricos híbridos (VEH). Asimismo, el rendimiento general del sistema mejora y la autonomía aumenta gracias a las mayores frecuencias de conmutación y a las menores pérdidas de energía de los módulos de potencia y los inversores de SiC. Además, la creciente adopción de normas de emisiones más estrictas y de incentivos para el uso de VE exige a los fabricantes de automóviles modernizar sus sistemas de automatización para mejorar la eficiencia del combustible e integrar menores emisiones de carbono, lo que ha desplazado el foco hacia el uso de la tecnología SiC y, a su vez, ha disparado la demanda de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en el segmento de automoción por usuario final.
   
• Se prevé que el mercado de energía y potencia registre el mayor crecimiento durante el período de previsión, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 28% entre 2025 y 2034. Los componentes de SiC son esenciales para integrar redes inteligentes en infraestructuras obsoletas que las empresas de servicios públicos y los gobiernos están modernizando con el fin de garantizar una gestión eficaz de la energía, regular la tensión y minimizar las pérdidas de transmisión. La reducción del consumo energético facilitada por las menores pérdidas de conmutación y la mayor tolerancia a temperaturas elevadas del SiC contribuye al cumplimiento de los objetivos de sostenibilidad. Además, los incentivos para el cumplimiento normativo por parte de las empresas de servicios públicos y del sector industrial, junto con el aumento de la adopción de normas destinadas a mejorar la eficiencia y de políticas que promueven las energías limpias, están orientando la atención hacia la tecnología SiC, lo que acelera el crecimiento del segmento de energía y potencia en el mercado.
   

Obtenga más información sobre los segmentos clave que conforman este mercado

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En 2024, el mercado estadounidense de dispositivos semiconductores de carburo de silicio alcanzó los 505,9 millones de USD. Estados Unidos ha experimentado un importante aumento de la demanda de dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC) debido a la innovación tecnológica en múltiples ámbitos y a objetivos estratégicos nacionales. En Estados Unidos, la industria de los vehículos eléctricos (VE) crece con rapidez, ya que fabricantes de automóviles estadounidenses como Tesla, Ford y General Motors están adoptando cada vez más componentes electrónicos de potencia basados en SiC para mejorar la eficiencia energética, reducir las pérdidas de conversión de potencia y aumentar aún más el rendimiento de sus vehículos. Estas tecnologías de semiconductores mejoran significativamente el diseño de los sistemas de propulsión eléctrica, facilitando el desarrollo de sistemas de vehículos más compactos, ligeros y altamente eficientes desde el punto de vista energético, lo que ayuda a responder a las principales expectativas de los consumidores en materia de autonomía y rendimiento de carga. Además, el uso de semiconductores de SiC está cobrando impulso en los sectores militar y de defensa. Los sectores aeroespacial y militar también utilizan dispositivos semiconductores de «alta tecnología» diseñados para funcionar en condiciones ambientales extremas, lo que contribuye a la expansión del mercado regional.
 

Se prevé que el mercado alemán de dispositivos semiconductores de carburo de silicio crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta del 28 % durante el período de previsión. El mercado alemán se ve reforzado por la creciente demanda de productos electrónicos de potencia de alto rendimiento por parte de diferentes sectores, lo que ha acelerado el uso de dispositivos de SiC. Características como la alta conductividad térmica y la resistencia a la tensión hacen que los dispositivos de SiC sean ideales para diversas aplicaciones que requieren un rendimiento superior. Además, el crecimiento del sector de las energías renovables es otro factor que está impulsando la demanda de dispositivos semiconductores de SiC. La sólida política Energiewende del país exige un gasto considerable en energía eólica y solar, así como en la modernización de la red eléctrica, lo que ofrece una nueva oportunidad de mercado para la electrónica de potencia avanzada durante los próximos años.
 

Se prevé que el mercado chino crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta del 28,2 % durante el período de previsión. Entre los factores determinantes se encuentran la integración de las energías renovables y la rápida penetración de productos electrónicos de consumo, como teléfonos inteligentes, tabletas, ordenadores portátiles y otros dispositivos electrónicos. Asimismo, la rápida evolución del mercado chino de vehículos eléctricos ha incrementado la demanda de semiconductores de SiC, que mejoran la eficiencia de los sistemas de propulsión y carga de los vehículos eléctricos. Además, el aumento de las inversiones del Gobierno central y las subvenciones respaldadas por el Estado han contribuido a mejorar la industria china de semiconductores, lo que ha permitido perfeccionar la tecnología de SiC y, a su vez, aprovechar las oportunidades de crecimiento para la expansión del mercado durante el período estimado.
 

En 2024, se prevé que Japón represente una cuota del 16,1 % del mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio en Asia-Pacífico. Varios factores, como la aparición de tecnologías avanzadas, la automatización industrial y la estrategia gubernamental, están impulsando la demanda japonesa de dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC). Además, el sólido ecosistema de fabricación de productos electrónicos del país constituye otro factor clave para la adopción de semiconductores de SiC. Las empresas japonesas de electrónica utilizan progresivamente dispositivos de SiC en computación de alto rendimiento, infraestructuras de telecomunicaciones y equipos industriales avanzados, lo que contribuye al crecimiento del mercado regional a un ritmo significativo.
 

El mercado surcoreano registró un valor de 1,000 millones de USD en 2024. Corea del Sur se caracteriza por el rápido despliegue de la tecnología 5G, que requiere semiconductores de alto rendimiento para gestionar mayores volúmenes de datos y frecuencias. Las redes avanzadas de telecomunicaciones necesitarán la infraestructura de apoyo que proporcionan los dispositivos de SiC. Además, el ecosistema de fabricación de semiconductores de Corea del Sur, liderado por los gigantes mundiales Samsung y SK Hynix, está invirtiendo intensamente en la investigación y la producción de dispositivos de SiC. Las estrategias gubernamentales, incluidas las iniciativas de apoyo a la investigación, el desarrollo tecnológico y los incentivos normativos, están impulsando cada vez más la cadena de suministro nacional de semiconductores de SiC, lo que ofrece perspectivas de crecimiento para la industria surcoreana de dispositivos semiconductores de carburo de silicio.
 

Cuota de mercado de los dispositivos semiconductores de carburo de silicio

El mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC) está consolidado. El número de actores del mercado es reducido y está concentrado debido a las elevadas inversiones de capital y a los requisitos tecnológicos en los ámbitos de la producción de obleas de SiC, la fabricación de dispositivos y la investigación y el desarrollo (I+D). Empresas como Wolfspeed, Infineon Technologies y STMicroelectronics cuentan con una presencia considerable en el mercado y registran las mayores cuotas de mercado, de casi el 48,7 %. Estas empresas tienen una ventaja competitiva gracias a sus tecnologías patentadas y al uso de la integración vertical. Sus posiciones también se ven reforzadas por contratos de suministro a largo plazo y asociaciones con empresas de los sectores automovilístico y de las energías renovables.
 

El mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio evoluciona continuamente con nuevas innovaciones de producto adaptadas al avance de las capacidades de las obleas de carburo de silicio. Por ejemplo, en septiembre de 2022, AIXTRON SE presentó su nuevo sistema G10-SiC de 200 mm para la producción de grandes volúmenes de dispositivos de potencia de carburo de silicio («SiC») de última generación sobre obleas de SiC de 150/200 mm. La Conferencia Internacional sobre Carburo de Silicio y Materiales Relacionados (ICSCRM) anunció esta tecnología CVD de alta temperatura, que está llevando la innovación al siguiente nivel. Se prevé que el SiC, un material con una amplia banda prohibida, se convierta en una tecnología de uso generalizado para la electrónica de potencia eficiente. El SiC contribuye a la protección climática al favorecer significativamente la descarbonización de la sociedad contemporánea.
 

Wolfspeed es una empresa líder integrada verticalmente en carburo de silicio, en un contexto en el que el sector está pasando del silicio al carburo de silicio en componentes y dispositivos. La cartera de la empresa incluye material de carburo de silicio, módulos de potencia, dispositivos de potencia discretos y productos de troqueles de potencia, que contribuyen a mejorar los automóviles, las aeronaves, las fuentes de energía renovable, los equipos de competición, las ciudades y muchas otras aplicaciones.
 

STMicroelectonics es una de las empresas líderes del sector en SiC, con una amplia cartera de patentes importantes y 25 años de dedicación a la investigación y el desarrollo. Catania, sede de las mayores instalaciones de I+D y fabricación de SiC, ha sido durante mucho tiempo una ubicación fundamental para la innovación de ST, ya que contribuye eficazmente a la creación de métodos nuevos y mejorados para fabricar dispositivos de SiC. La cartera de STMicroelectonics incluye MOSFET de SiC STPOWER, que presentan la temperatura de unión nominal más alta del sector, de 200 °C, para diseños más eficientes y sencillos, y diodos de SiC STPOWER, cuyas pérdidas de conmutación son insignificantes y cuya tensión directa (VF) es un 15 % inferior a la de los diodos de silicio convencionales.
 

Empresas del mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio

Las principales empresas del sector de dispositivos semiconductores de carburo de silicio son:

• Wolfspeed
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• onsemi
• ROHM Semiconductor
   

Noticias del sector de dispositivos semiconductores de carburo de silicio

• En marzo de 2025, RFMW, una división de Exponential Technology Group, Inc., estableció una alianza estratégica con CoolCAD Electronics para ampliar su gama de dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC) de alta potencia y alta tensión. Este acuerdo mejora la capacidad de RFMW para proporcionar a sus clientes soluciones de banda prohibida ancha de vanguardia, lo que permite aumentar la eficiencia, el rendimiento y la fiabilidad en aplicaciones de alta temperatura y alta potencia. Como parte de esta colaboración, RFMW distribuirá los transistores semiconductores y circuitos integrados (CI) de carburo de silicio (SiC) de banda prohibida ancha de CoolCAD.
   
• En febrero de 2025, el plan de Infineon Technologies AG para el carburo de silicio (SiC) de 200 mm avanzó significativamente. Los dispositivos fabricados en Villach, Austria, ofrecen tecnología de potencia de SiC de primer nivel para aplicaciones de alta tensión, como vehículos eléctricos, trenes y fuentes de energía renovable. Además, Infineon avanza conforme al calendario previsto para pasar de obleas de 150 milímetros a obleas de mayor diámetro, de 200 milímetros, más eficientes, en su planta de fabricación de Kulim, Malasia.
   
• En junio de 2024, ROHM Co. Ltd., fabricante de dispositivos semiconductores de potencia con sede en Japón, presentó el nombre EcoSiC como marca comercial para dispositivos de carburo de silicio (SiC). El lanzamiento de la marca EcoSiC tiene como objetivo alcanzar varias metas estratégicas, entre ellas mejorar el rendimiento, la sostenibilidad y la innovación tecnológica. El logotipo de EcoSiC forma parte del concepto de marca «Power Eco Family» de ROHM, que busca optimizar la eficiencia y la compacidad de las aplicaciones electrónicas, además de generar un impacto medioambiental positivo.
   

Este informe de investigación del mercado de dispositivos semiconductores de carburo de silicio incluye una cobertura exhaustiva del sector con estimaciones y previsiones de ingresos (millones de USD) para el período 2021–2034, para los siguientes segmentos:

Mercado por componente

• Diodos Schottky
• Transistores FET/MOSFET
• Circuitos integrados
• Rectificadores/diodos
• Módulos de potencia
• Otros

Mercado por tamaño de oblea

• De 1 a 4 pulgadas
• 6 pulgadas
• 8 pulgadas

Mercado por producto

• Dispositivos optoelectrónicos
• Semiconductores de potencia
• Dispositivos de frecuencia

Mercado por uso final

• Automoción
• Energía y electricidad
• Electrónica de consumo
• Aeroespacial y defensa
• Dispositivos médicos
• Dispositivos de datos y comunicaciones
• Otros

La información anterior se proporciona para las siguientes regiones y países:

• América del Norte
  • EE. UU.
  • Canadá
• Europa
  • Reino Unido
  • Alemania
  • Francia
  • Italia
  • España
  • Rusia
• Asia-Pacífico
  • China
  • India
  • Japón
  • Corea del Sur
  • ANZ 
• América Latina
  • Brasil
  • México
• Oriente Medio y África
  • Emiratos Árabes Unidos
  • Arabia Saudí
  • Sudáfrica