Marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces Taille et partage 2026-2035

Taille du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces

Le marché mondial du dépôt de semi-conducteurs en couches minces était évalué à 34,8 milliards de dollars américains en 2025, reflétant des investissements soutenus et généralisés dans les infrastructures de fabrication de semi-conducteurs à un moment où les chaînes d'approvisionnement mondiales subissent un réalignement structurel. Selon le dernier rapport publié par Global Market Insights Inc., le marché devrait atteindre 77,5 milliards de dollars américains d'ici 2035, avec un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 7,7 % sur la période de prévision 2026-2035.

La trajectoire de croissance est soutenue par la convergence de la demande de puces pilotée par l'intelligence artificielle, l'accélération des politiques industrielles nationales en matière de semi-conducteurs et la migration soutenue vers des nœuds de processus avancés qui nécessitent des dépôts de films de plus en plus précis à l'échelle atomique à chaque étape de la fabrication des dispositifs. La demande d'équipements de dépôt se concentre sur les frontières de la production de logique et de mémoire, où les procédés chimiques, physiques et de dépôt de couches atomiques déterminent le rendement des dispositifs à des géométries inférieures à 5 nm. L'étendue des applications finales, allant des accélérateurs d'IA aux mémoires avancées, en passant par l'électronique de puissance automobile et le photovoltaïque de nouvelle génération, renforce davantage le profil de croissance multi-cycles du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces tout au long de l'horizon de prévision.

Tendances du marché du dépôt de couches minces pour semi-conducteurs

Adoption accélérée du dépôt de couches atomiques dans la fabrication de mémoires et de logiques sub-5 nm

L’ALD est passée d’une technologie d’appoint au nœud 45 nm à une étape critique dans chaque génération de logiques et mémoires de pointe en dessous de 7 nm. Le moteur sous-jacent est une contrainte physique fondamentale : à mesure que l’épaisseur du diélectrique de grille descend en dessous de 1,5 nm et que les empilements de grilles métalliques à haute permittivité (high-k) sont mesurés en angströms plutôt qu’en nanomètres, seul le mécanisme de réaction séquentiel et auto-limité de l’ALD permet d’atteindre la conformité et l’uniformité requises pour une performance prévisible des dispositifs sur des plaquettes de 300 mm à des volumes de production. Le rôle de cette technologie s’est étendu bien au-delà des diélectriques de grille high-k, englobant le dépôt de barrières conformes, la formation de lignes de mot dans la mémoire 3D NAND, et, plus récemment, la formation de canaux en nanosheets dans les architectures de transistors à grille tout autour (GAA). Le segment ALD du marché du dépôt de couches minces pour semi-conducteurs devrait croître à un TCAC de 8,9 % sur la période de prévision, et les données industrielles indiquent que le nombre d’étapes ALD par dispositif logique avancé a doublé entre les générations 10 nm et 3 nm.

Un déploiement commercial représentatif souligne le caractère central de cette technologie : la ligne de production 3 nm GAA de Samsung Electronics à Hwaseong, en Corée du Sud, entrée en production de masse en 2022, intègre des systèmes ALD d’ASM International pour la formation des canaux en nanosheets, les étapes ALD représentant reportedly plus de 15 % du temps de traitement total par passage de plaquette. La plateforme Emerald d’ASM International, qualifiée pour le processus 3 nm de Samsung, illustre les exigences de précision – contrôle de l’épaisseur des couches à l’échelle de l’angström et uniformité inférieure à 1 % sur la plaquette – qui définissent aujourd’hui les critères de compétitivité pour les équipementiers ALD. L’évolution du rôle de l’ALD s’inscrit dans la durée : chaque génération successive de nœuds sub-3 nm devrait ajouter davantage d’étapes ALD par dispositif, faisant de ce segment le principal moteur de croissance du marché du dépôt de couches minces pour semi-conducteurs jusqu’en 2035.

Dans notre recherche du deuxième trimestre 2025 portant sur 40 ingénieurs de procédés et responsables des achats d'équipements auprès de fonderies et de fabricants d'équipements intégrés (IDM) leaders à Taïwan, en Corée du Sud et aux États-Unis, 78 % ont identifié la réduction du temps de cycle de l'ALD et l'efficacité d'utilisation des précurseurs comme principales priorités de R&D pour les équipements de dépôt au cours des 24 prochains mois, une conclusion qui reflète à la fois l'augmentation du poids des coûts de l'ALD dans la structure globale des coûts d'exploitation des usines (fabs) et la pression concurrentielle pour accroître le débit des équipements sans compromettre le contrôle des procédés.

Croissance des architectures semi-conductrices 3D et de l'emballage avancé

Le passage de l'industrie des semi-conducteurs du dimensionnement planaire à l'intégration tridimensionnelle a fondamentalement modifié le profil de demande en équipements de dépôt, tant au niveau de la fabrication en front-end qu'aux étapes d'emballage avancé. Dans les mémoires flash 3D NAND, chaque couche de stockage supplémentaire nécessite des cycles de dépôt supplémentaires par CVD et ALD ; le passage d'architectures à 96 couches à plus de 200, puis désormais à plus de 300 couches, a directement multiplié les heures d'équipement par plaquette et accru la demande en outils de dépôt à haut rapport d'aspect capables de couvrir uniformément les films dans des structures dont le rapport d'aspect dépasse 60:1. Au niveau de l'emballage avancé, les approches d'intégration hétérogène – y compris les plateformes d'emballage CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate), les interposeurs en silicium et les emballages à puces intégrées – introduisent plusieurs étapes de dépôt de couches minces de précision pour les couches de redistribution, les métaux barrières et l'isolation diélectrique, qui s'ajoutent aux exigences de dépôt en front-end des plaquettes.

La plateforme d'emballage CoWoS de TSMC, déployée à grande échelle pour les modules GPU H100 et A100 de Nvidia, nécessite des étapes de PVD et CVD pour le dépôt de cuivre et de métaux barrières sur les interposeurs en silicium et les couches de redistribution en fan-out. Par rapport aux emballages traditionnels par câblage, les emballages avancés équivalents à CoWoS ajoutent 15 à 25 étapes de dépôt supplémentaires par unité assemblée – un multiplicateur structurel de l'intensité en équipements de dépôt qui augmente proportionnellement avec les densités d'empilement des puces IA. L'effet de second ordre est significatif : chaque couche supplémentaire ajoutée dans la NAND 3D ou chaque puce supplémentaire intégrée dans un emballage avancé se traduit directement par des heures supplémentaires d'équipement de dépôt, créant un multiplicateur de demande qui fonctionne indépendamment de la croissance du volume de plaquettes traitées sur le marché du dépôt de couches minces semi-conductrices.

Transition vers des chimies de procédés de dépôt durables et à faible émission

Les pressions réglementaires et les engagements volontaires en matière de durabilité des entreprises génèrent un changement structurel mesurable dans la sélection des chimies de procédés de dépôt et les critères de conception des équipements. Le règlement révisé de l'Union européenne sur les gaz fluorés (règlement UE 2024/573), entré en vigueur en mars 2024, impose des restrictions plus strictes sur l'utilisation des perfluorocarbures – des gaz largement employés dans les procédés de nettoyage des chambres CVD – avec des calendriers de réduction progressive s'étendant jusqu'en 2030 et au-delà.^{[5]Commission européenne, ec.europa.eu} Le programme SNAP (Significant New Alternatives Policy) de l'Agence américaine de protection de l'environnement évalue simultanément des substituts à faible potentiel de réchauffement planétaire pour le NF et le SF6 dans les applications de fabrication de semi-conducteurs. En termes pratiques, les fabricants de puces évaluent les systèmes de nettoyage par plasma à distance, les alternatives de nettoyage à sec et les procédés basés sur l'ALD qui génèrent intrinsèquement moins de sous-produits PFC que les procédés CVD équivalents avec nettoyage humide des chambres.

Applied Materials a rapporté une réduction de 20 % des émissions de PFC par plaquette dans son installation de démonstration client en 2024 grâce à l'optimisation des procédés et à l'adoption de chimies de nettoyage alternatives.

The data indicates that sustainability requirements are now a formal qualification criterion in equipment procurement decisions at several Tier-1 foundries, a second-order market structure shift where equipment vendors without credible emissions reduction roadmaps face increasing risk of exclusion from competitive tender processes as procurement sustainability scoring becomes standard by 2027–2028. This trend is also creating commercial opportunity for ALD chemistry suppliers developing lower-toxicity and lower-GWP precursor formulations, a segment that remains nascent but is attracting investment from specialty chemical producers.

Diversification géographique de la demande d'équipements de dépôt par les programmes nationaux de semi-conducteurs

La concentration traditionnelle de la demande du marché des dépôts de semi-conducteurs en couches minces en Taïwan, en Corée du Sud, aux États-Unis et au Japon s'élargit à mesure que les politiques industrielles nationales en matière de semi-conducteurs catalysent les investissements dans des usines dans des marchés auparavant périphériques. L'allocation fédérale de 52,7 milliards de dollars américains de l'United States CHIPS and Science Act, l'objectif de mobilisation de 43 milliards d'euros de l'European Chips Act et le cadre incitatif de 76 000 crore INR (environ 9,1 milliards de dollars américains) de la Semiconductor Mission de l'Inde créent collectivement des nœuds de demande d'équipements de dépôt qui n'existaient pas ou étaient insignifiants au début de la décennie. L'effet pratique est un élargissement pluriannuel de la base de clients adressable pour les fournisseurs d'équipements de dépôt, et, en conséquence, une exigence croissante en matière d'infrastructure mondiale de service et de support capable de couvrir les nouveaux sites de fabrication activés à Arizona, Ohio, Magdebourg, Dholera et Kumamoto.

Analyse du marché des dépôts de semi-conducteurs en couches minces

Par technologie de dépôt

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) reste le segment technologique le plus important sur le marché des dépôts de semi-conducteurs en couches minces, représentant 16,2 milliards de dollars américains sur un marché mondial de 34,8 milliards de dollars américains en 2025, soit une part de revenus de 46,6 % avec un TCAC de 7,8 %. La domination du CVD reflète son déploiement établi et polyvalent dans un large éventail d'étapes de processus, allant du dépôt de diélectriques en dioxyde de silicium et en nitrure de silicium à la formation de portes en polysilicium et aux applications de remplissage de tranchées à haute densité dans les usines logiques et mémoire fonctionnant à chaque nœud, des 28 nm hérités aux 3 nm de pointe.

Les familles de systèmes Producer d'Applied Materials et les plateformes SPEED et ALTUS CVD de Lam Research représentent les ancrages commerciaux de ce segment, déployés dans pratiquement toutes les usines avancées actives et servant de configurations de référence pour les nouveaux équipements de procurement des installations. La croissance soutenue du segment CVD reflète non seulement l'expansion de la base installée sur les nouveaux sites de fabrication, mais aussi l'approfondissement du nombre d'étapes par dispositif : aux nœuds mémoire avancés, le dépôt d'oxyde et de nitrure à base de CVD pour l'isolation des lignes de mots 3D NAND représente à lui seul une fraction matérielle du temps de processus total par plaquette.

Le dépôt par couche atomique, à 7,89 milliards de dollars américains et une part de marché de 22,6 % dans les dépôts de semi-conducteurs en couches minces en 2025, est la catégorie technologique à la croissance la plus rapide avec un TCAC de 8,9 %. Le changement structurel plus conséquent au sein du mix technologique est le déplacement progressif du CVD par l'ALD dans les applications de diélectrique de grille à haute permittivité, l'ALD d'espacement et les revêtements barrières, une tendance de substitution qui comprimera la part de revenus du CVD à long terme, même si les revenus absolus du CVD continuent de croître. Les plateformes ALD Emerald et Stellar d'ASM International et le système ALD Olympia d'Applied Materials sont les outils de référence qui pilotent cette transition dans les principales fonderies et IDM.

Le dépôt physique en phase vapeur (PVD) représente 8,7 milliards de dollars (24,9 % de part de marché) en 2025 avec un TCAC de 6,9 %, ses applications principales étant le dépôt de grille métallique, la formation de couches de germination d'interconnexion et la métallisation du réseau de distribution d'alimentation arrière (BSPDN), une application en croissance aux nœuds sub-2 nm où la congestion de routage pousse la livraison d'énergie sous la couche de silicium actif. À travers le mélange technologique, la tendance directionnelle au sein du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces est sans ambiguïté : l'ALD, intensif en précision, gagne des parts à chaque transition de nœud, tandis que le CVD et le PVD conservent des positions de revenus absolus dominants grâce à l'étendue et à la diversité de leur couverture d'applications établies.

Par application

Les circuits intégrés représentent le segment d'application dominant de manière écrasante au sein du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces, représentant 25,1 milliards de dollars ou 72 % des revenus mondiaux du marché en 2025, avec un TCAC de 7,3 %. L'étendue des exigences de dépôt dans la fabrication de CI, couvrant le diélectrique de grille, l'espaceur, la couche d'arrêt de gravure, la barrière, la couche de revêtement et les films de encapsulation sur les architectures de dispositifs logiques, DRAM et NAND 3D, garantit que la demande liée aux CI sert de base structurelle à l'ensemble du marché. Parmi les sous-applications des CI, la logique de pointe (sub-5 nm) et le NAND 3D à nombre élevé de couches sont les vecteurs de croissance les plus élevés, chacun nécessitant exponentiellement plus d'étapes de dépôt par dispositif que les équivalents des générations précédentes. Au niveau du segment, l'application CI est également le principal moteur de la demande pour l'expansion des outils ALD, car la transition vers des structures de transistors GAA à 3 nm et moins nécessite un dépôt conforme de nanosheets et de diélectriques de grille que seul l'ALD peut consistently atteindre avec des spécifications d'uniformité sur plaquette de production.

Les dispositifs optoélectroniques et d'affichage représentent la deuxième plus grande application avec 3,7 milliards de dollars (10,5 %), en croissance à un TCAC de 8,1 %. La croissance de ce segment est ancrée dans la fabrication d'écrans micro-LED pour les écrans de nouvelle génération pour les consommateurs et l'automobile, le dépôt de barrière de film mince d'encapsulation OLED et la production de lasers à cavité verticale à émission de surface (VCSEL) pour les applications LiDAR et de détection de profondeur des consommateurs. Le segment des cellules solaires/photovoltaïques, à 2,9 milliards de dollars (9,9 %) et le TCAC le plus rapide de 9,9 % parmi toutes les catégories d'applications, bénéficie directement de l'augmentation mondiale des architectures de cellules solaires en silicium PERC, TOPCon et à hétérojonction (HJT), chacune nécessitant un dépôt ALD ou PECVD de précision pour la passivation de surface et les couches antireflets. Les modules en tellurure de cadmium en couches minces Series 7 de First Solar et les cellules HJT Hi-MO X6 de LONGi illustrent les plateformes commerciales qui stimulent l'approvisionnement en équipements de dépôt dans ce segment.

Les MEMS et capteurs, à 1,9 milliard de dollars (5,6 %) et un TCAC de 8,9 %, reflètent la demande croissante des déploiements de LiDAR automobile, de capteurs de pression industriels et d'applications IoT. Notre enquête menée auprès de 55 ingénieurs en packaging avancé et responsables d'opérations de fabrication au premier semestre 2025 en Asie-Pacifique et en Amérique du Nord a révélé que 68 % anticipaient une augmentation d'au moins 20 % de leur allocation dédiée aux outils de dépôt en couches minces pour le packaging avancé d'ici la fin 2026, principalement motivée par les rampes de programmes d'intégration hétérogène plutôt que par des ajouts de capacité pour les applications de packaging héritées.

Par région

Marché nord-américain du dépôt de semi-conducteurs en couches minces

L'Amérique du Nord représentait 10,8 milliards de dollars américains du secteur mondial de la déposition de semi-conducteurs en couches minces en 2025, représentant une part de revenus de 31,1 % à un TCAC de 6,5 %. La croissance de la région s'ancre principalement aux États-Unis, où le CHIPS and Science Act de 2022 a alloué 52,7 milliards de dollars américains de financement fédéral à la fabrication nationale de semi-conducteurs, catalysant plus de 400 milliards de dollars américains d'investissements privés annoncés dans des usines de semi-conducteurs en Arizona, Ohio, New York et Texas.

La Fab 21 de TSMC à Phoenix, qui est entrée en production 4 nm fin 2024, et le complexe de fabs d'Intel prévu dans l'Ohio, représentant un investissement combiné dépassant 100 milliards de dollars américains, sont les ajouts les plus importants à court terme à la demande nord-américaine en équipements de déposition. En septembre 2024, le département du Commerce des États-Unis a confirmé des accords de financement préliminaires du CHIPS Act avec TSMC, Samsung Electronics et Micron Technology, débloquant plus de 25 milliards de dollars américains de versements d'incitations liés aux calendriers de construction et d'approvisionnement en équipements des usines nationales. Le groupe de photonique et de semi-conducteurs composés du Canada, centré sur des installations à Ottawa et dans la région de Waterloo, contribue à une part plus petite mais croissante de la demande en équipements ALD et MOCVD pour les applications III-V et les circuits photoniques intégrés, diversifiant ainsi le marché nord-américain au-delà de son ancrage dominant dans les semi-conducteurs logiques en silicium aux États-Unis.

Tendances du marché de la déposition de semi-conducteurs en couches minces en Europe

L'Europe a enregistré un chiffre d'affaires de 4,3 milliards de dollars américains en 2025, avec une croissance de 7,4 % de TCAC. Le European Chips Act de 2023 mobilise 43 milliards d'euros d'investissements publics et privés pour doubler la part de l'Europe dans la fabrication mondiale de semi-conducteurs d'ici 2030, avec des implications directes pour l'approvisionnement en équipements de déposition dans les installations prévues et en expansion en Allemagne, en Irlande, en France et aux Pays-Bas. Le campus de fabs d'Intel à Magdebourg en Allemagne, visant un investissement initial de 30 milliards d'euros pour son nœud 18A, avec un début de production prévu entre 2027 et 2028, représente l'augmentation la plus importante prévue de la demande européenne en équipements de déposition sur la période de prévision.

L'installation élargie d'Infineon Technologies à Dresde, produisant des dispositifs de puissance SiC pour les applications automobiles et industrielles, absorbe déjà des volumes commercialement significatifs d'équipements de déposition CVD à haute température et épitaxiale, reflétant la position stratégique de l'Europe en tant que fournisseur de la chaîne de valeur de l'électrification automobile mondiale. Le leadership d'ASML en lithographie EUV et la domination de la plateforme ALD d'ASM International aux Pays-Bas renforcent le rôle de l'Europe en tant qu'origine technologique plutôt que simplement un marché de clients finaux – un avantage structurel qui offre à la région un levier de propriété intellectuelle et une profondeur d'écosystème d'approvisionnement que les concurrents ne peuvent pas reproduire rapidement.

Tendances du marché de la déposition de semi-conducteurs en couches minces en Asie-Pacifique

Le marché de l'Asie-Pacifique représentait 18,3 milliards de dollars américains (52,5 %) en 2025 et affichait le TCAC régional le plus élevé de 8,6 %. Au niveau régional, le profil de croissance se différencie selon trois axes stratégiques : la production de logique de pointe, de DRAM et de NAND à Taïwan, en Corée du Sud et au Japon ; l'expansion des fabs nationales en Chine, soutenue par des politiques ; et les investissements verts gouvernementaux en Inde. Le nœud N2 de TSMC, entrant en production à risque en 2025, nécessite environ 30 % de cycles ALD supplémentaires par plaquette que le processus N3, avec ASM International et Applied Materials comme principaux fournisseurs qualifiés d'équipements de déposition – un multiplicateur direct de la demande en équipements de déposition par lancement de plaquette sur le marché.

Samsung Electronics et SK Hynix représentent collectivement le plus grand consommateur d'outils de déposition dans la région, en raison de l'augmentation du nombre de couches de NAND 3D au-delà de 200 couches et de la réduction des pas de cellule DRAM à moins de 15 nm.

Part de marché du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces

Le secteur du dépôt de semi-conducteurs en couches minces présente une concentration modérée, les cinq principaux fournisseurs contrôlant collectivement environ 45,9 % des revenus mondiaux en 2025. Les quelque 54,1 % restants sont répartis entre un paysage fragmenté de spécialistes de taille moyenne, de fournisseurs régionaux et de prestataires de plateformes de niche, une structure qui reflète l'étendue des variantes technologiques de dépôt et la diversité des applications finales, allant des nœuds logiques de pointe aux semi-conducteurs composés, au photovoltaïque et à la maintenance des nœuds hérités.

Tokyo Electron Limited (TEL) représente 5,1 % du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces. La position concurrentielle de TEL s'appuie sur les systèmes CVD thermique et ALD par lots pour la logique et la mémoire, ainsi que sur une gamme croissante d'outils de gravure à l'échelle atomique qui créent des opportunités naturelles d'appariement d'équipements avec ses plateformes de dépôt. ASM International N.V., avec 4,4 %, occupe une position stratégique critique disproportionnée par rapport à sa part de revenus globale : ses plateformes ALD Emerald et Stellar sont des outils de référence pour le dépôt diélectrique de grille et le dépôt de séparateurs ALD aux nœuds logiques les plus avancés, et ses relations de co-développement avec TSMC, Samsung et Intel lui donnent une visibilité précoce sur les exigences des processus des nœuds suivants, difficile à reproduire structurellement. Kokusai Electric Corporation, avec 2,1 %, se concentre principalement sur les systèmes CVD thermique et ALD par lots pour la formation des lignes de mots DRAM et les applications de séparateurs de portes logiques, avec une force particulière au Japon et en Corée du Sud.

D'un point de vue dynamique concurrentielle, deux schémas comportementaux distincts caractérisent le paysage. Parmi les fournisseurs de premier rang, la concurrence porte sur la profondeur de qualification des nœuds de processus, la productivité des équipements (débit de plaquettes et temps de disponibilité des chambres) et l'intégration approfondie avec les organisations de développement de processus des fabricants de puces, une dynamique relationnelle qui génère des coûts de changement élevés et rend le déplacement concurrentiel à la pointe technologique un processus pluriannuel. Parmi les fournisseurs de deuxième rang et régionaux, la concurrence est de plus en plus façonnée par la structure des coûts, l'alignement sur les programmes gouvernementaux et la localisation des services sur des marchés tels que la Chine, où les restrictions de contrôle des exportations sur les outils avancés ont considérablement élargi les opportunités pour les fournisseurs nationaux tels que NAURA Technology Group.

Lors de notre discussion d'experts du T3 2025 avec huit professionnels de l'investissement en équipements de capital et de fusions et acquisitions couvrant le secteur des semi-conducteurs, 63 % ont anticipé au moins un événement majeur de consolidation parmi les fournisseurs d'équipements de dépôt de deuxième rang avant la fin 2027, motivé par les exigences en capital du développement de produits pour les nœuds suivants et la pression concurrentielle de la participation aux programmes de marchés émergents. Les précédents de fusions et acquisitions renforcent cette perspective : la tentative d'acquisition de Kokusai Electric par Applied Materials a été bloquée par les régulateurs antitrust américains en 2021, soulignant à la fois la logique stratégique et la complexité réglementaire qui encadre l'activité de consolidation dans ce segment.

Entreprises du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces

Les principaux acteurs opérant dans l'industrie du dépôt de semi-conducteurs en couches minces sont :

Applied Materials Inc., Lam Research Corporation, Tokyo Electron Limited (TEL), ASM International N.V., Kokusai Electric Corporation, NAURA Technology Group, Veeco Instruments Inc., Aixtron SE, SVTA (SVT Associates), Semicore Equipment Inc., Denton Vacuum, PSR Semi, KDF Electronic & Vacuum Services, Yunmao Technology, ZLD Technology

Applied Materials Inc. est le leader mondial du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces avec une part de revenus de 19,7 % en 2025. Le portefeuille de dépôt de l'entreprise couvre l'ALD thermique, le PECVD, le LPCVD, le PVD et les systèmes épitaxiaux pour les applications logiques, DRAM, NAND et semi-conducteurs composés. La famille de systèmes Producer, la plateforme Olympia ALD et le système Endura PVD sont déployés comme configurations de référence dans les principales fonderies et IDM du monde. Applied Materials maintient un accent parallèle sur l'ingénierie des matériaux pour une fabrication durable de semi-conducteurs, avec son programme Precision Materials Engineering (PME) visant des réductions mesurables des émissions par tranche en collaboration avec des clients de fonderies de premier rang. En mai 2025, l'entreprise a lancé commercialement son système Centura Sculpta pour des applications de gravure avancée, ciblant des flux de processus logiques sub-2 nm et permettant des géométries de dispositifs définies par dépôt qui réduisent la dépendance à l'égard d'étapes de lithographie supplémentaires.

Lam Research Corporation détient 14,6 % du marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces avec une profondeur concurrentielle dans le dépôt à haut rapport d'aspect pour les applications 3D NAND et DRAM. La suite VECTOR de l'entreprise pour le CVD à plasma haute densité et la plateforme ALTUS pour le CVD du tungstène et du cobalt représentent la norme commerciale pour le remplissage des contacts et des revêtements dans les usines de mémoire avancées. Le développement stratégique par Lam Research de capacités de gravure par couche atomique crée un appariement naturel avec ses plateformes de dépôt, le positionnant comme fournisseur de séquences de dépôt-gravure intégrées dans les flux de gravure les plus exigeants.

Tokyo Electron Limited (TEL) contribue à 5,1 % des revenus mondiaux avec des compétences de base dans le CVD thermique pour le dépôt de diélectriques d'oxyde et de nitrure et un portefeuille ALD en croissance pour les applications de pile de portes logiques. La plateforme Wave ALD de l'entreprise a été qualifiée dans plusieurs sites clients sub-5 nm au Japon, à Taïwan et aux États-Unis, et le solide réseau de distribution et de service de TEL au Japon offre un avantage structurel pour capter la demande d'équipements de dépôt du programme Rapidus et des installations soutenues par le LSTC.

ASM International N.V., avec une part de marché de 4,4 % dans le dépôt de semi-conducteurs en couches minces, exerce une influence stratégique dans le segment ALD qui dépasse sa contribution aux revenus. Ses plateformes Emerald et Dragon pour l'ALD conforme et thermique sont déployées dans des nœuds logiques avancés chez TSMC, Samsung et Intel, soutenues par des relations de co-développement étroit qui offrent un accès précoce aux exigences de processus des nœuds suivants. Le système Emerald XP de l'entreprise, dévoilé lors du SEMICON Europe 2024, présente un contrôle de l'épaisseur des films inférieur à l'angström ciblant les applications de canaux de nanosheets GAAFET aux nœuds sub-2 nm.

Kokusai Electric Corporation, avec 2,1 %, se concentre sur les systèmes ALD et CVD thermiques par lots optimisés pour la formation des lignes de mots DRAM et le dépôt des espaceurs de portes logiques. Les systèmes ARES et PRO-SERIE de l'entreprise sont déployés dans les principaux producteurs de DRAM en Corée du Sud et au Japon, où l'économie du traitement par lots offre des avantages de débit compétitifs par rapport aux alternatives à tranche unique dans des étapes de processus spécifiques.

NAURA Technology Group est le principal fournisseur d'équipements chinois pour le dépôt en couches minces, bénéficiant directement des programmes accélérés de localisation des équipements nationaux en Chine suite aux restrictions de contrôle des exportations des États-Unis et de leurs alliés.

Actualités de l'industrie du dépôt de semi-conducteurs en couches minces

• Mai 2025 : Applied Materials a annoncé le lancement commercial de son système Centura Sculpta pour des applications de gravure avancée, ciblant des flux de processus logiques inférieurs à 2 nm et permettant des géométries de dispositifs définies par dépôt qui réduisent la dépendance à des étapes de lithographie supplémentaires.
• Avr 2025 : TSMC a confirmé le début de la production à risque de son nœud N2 (2 nm) à la Fab 20 à Hsinchu, intégrant un déploiement significativement accru d'outils ALD par rapport au processus N3, avec ASM International et Applied Materials comme principaux fournisseurs d'équipements de dépôt qualifiés pour ce nœud.
• Mar 2025 : Tata Electronics d'Inde a commencé la construction de sa fonderie de semi-conducteurs de 50 000 plaquettes par mois à Dholera, Gujarat, dans le cadre de la Mission Semiconducteur de l'Inde, marquant le premier investissement commercial à grande échelle dans une fonderie en Inde et initiant des activités d'approvisionnement en équipements de dépôt domestiques.
• Fév 2025 : Lam Research a rapporté un chiffre d'affaires de 14,9 milliards de dollars américains pour l'année 2024, citant la mémoire avancée (NAND 3D et mise à l'échelle DRAM) et les transitions logiques à grille tout autour comme principaux moteurs de croissance pour ses systèmes de dépôt et de gravure.
• Jan 2025 : Intel a officiellement posé la première pierre de l'expansion de sa Fab 34 à Leixlip, en Irlande, une installation de nœud 28A destinée à servir les clients logiques avancés en Europe et dans le monde, générant des commandes supplémentaires d'équipements CVD et ALD dans la région européenne.
• Nov 2024 : ASM International a dévoilé son système ALD Emerald XP lors du SEMICON Europe 2024 à Dresde, offrant un contrôle de l'épaisseur des films inférieur à l'angström et une efficacité améliorée de l'utilisation des précurseurs, spécialement conçu pour la formation de canaux de nanosheets GAA aux nœuds de processus inférieurs à 2 nm.
• Sep 2024 :The U.S. Department of Commerce a annoncé les termes d'un accord préliminaire avec TSMC, Samsung Electronics et Micron Technology dans le cadre du programme de financement direct du CHIPS Act, débloquant un total combiné de plus de 25 milliards de dollars US en incitations liées aux calendriers de construction d'usines et d'acquisition d'équipements domestiques.
• Juillet 2024 : Aixtron SE a annoncé la qualification client de son système MOCVD G10-AsP pour la production photovoltaïque GaAs et de semi-conducteurs RF, ciblant les segments des radars automobiles et des applications solaires spatiales.
• Juin 2024 : NAURA Technology Group a révélé l'expansion de sa gamme de produits ALD pour couvrir les applications logiques à 14 nm après la qualification réussie du processus dans une fonderie chinoise locale, réduisant ainsi la dépendance de la Chine aux importations d'équipements ALD pour les nœuds intermédiaires.
• Avril 2024 : Le règlement d'application de l'European Chips Act est entré en vigueur, établissant un cadre de mobilisation de 43 milliards d'euros et confirmant les critères d'éligibilité et la structure des subventions pour les installations de fabrication de semi-conducteurs "First-of-a-Kind" dans l'Union européenne.
• Janvier 2024 : Samsung Electronics a lancé la production à risque de son nœud 2 nm GAA dans l'usine de Hwaseong, intégrant des systèmes ALD d'ASM International et d'Applied Materials pour la formation des canaux à nanofeuilles, marquant le premier déploiement commercial de l'architecture GAA dans le dépôt de couches minces à l'échelle industrielle.

Le rapport de recherche sur le marché du dépôt de semi-conducteurs en couches minces comprend une couverture approfondie du secteur avec des estimations et prévisions en termes de chiffre d'affaires (en millions de dollars US) de 2022 à 2035, pour les segments suivants :

Marché, par technologie de dépôt

• Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
  • CVD à pression atmosphérique (APCVD)
  • CVD à basse pression (LPCVD)
  • CVD assisté par plasma (PECVD)
  • Autres variantes de CVD
• Dépôt physique en phase vapeur (PVD)
  • Pulvérisation cathodique
  • Évaporation
  • Autres techniques PVD
• Dépôt de couches atomiques (ALD)
• Autres

Marché, par application

• Circuits intégrés (CI)
  • Microprocesseurs
  • Dispositifs de mémoire (DRAM, NAND, NOR)
  • Autres
• Optoélectronique et dispositifs d'affichage
  • Écrans LED
  • Panneaux OLED
  • Écrans LCD
  • Autres
• Cellules solaires/Photovoltaïque
  • Panneaux solaires en couches minces
  • Cellules solaires en silicium cristallin
  • Autres
• MEMS et capteurs
  • Capteurs de pression
  • Capteurs inertiels (accéléromètres, gyroscopes)
  • Capteurs optiques
  • Autres
• Autres

Marché, par utilisateur final

• Électronique grand public
  • Smartphones et tablettes
  • Ordinateurs portables et appareils informatiques
  • Autres
• Automobile
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