저자:
Suraj Gujar, Ankita Chavan
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박막 반도체 증착 시장 크기 및 공유 2026-2035
보고서 ID: GMI11730
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발행일: June 2026
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보고서 형식: PDF/엑셀/대시보드/플랫폼
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박막 반도체 증착 시장
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박막 반도체 증착 시장
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박막 반도체 증착 시장 규모
글로벌 박막 반도체 증착 시장 규모는 2025년 348억 미국 달러로 평가되었습니다. 이는 글로벌 공급망이 구조적으로 재편되는 가운데 반도체 제조 인프라에 대한 지속적이고 광범위한 투자가 이루어지고 있음을 반영합니다. Global Market Insights Inc.가 발표한 최신 보고서에 따르면, 이 시장은 2035년까지 775억 미국 달러에 이를 전망이며 2026~2035년 전망 기간 동안 연평균성장률(CAGR) 7.7%로 확대될 것으로 예상됩니다.
박막 반도체 증착 시장 주요 요점
시장 선도 기업: Applied Materials는 2025년 19.7%를 초과하는 시장 점유율로 선두를 차지했습니다.
주요 기업: 이 시장의 상위 5개 기업은 Applied Materials, Lam Research, Tokyo Electron (TEL), ASM International, Kokusai Electric이며, 이들 기업의 2025년 시장 점유율 합계는 45.9%였습니다.
이러한 성장 궤도는 인공지능 기반 칩 수요의 확대, 각국의 반도체 산업 정책 가속화, 그리고 소자 제조의 모든 단계에서 더욱 정밀한 원자 단위 박막 증착이 요구되는 첨단 공정 노드로의 지속적인 전환이 맞물리면서 형성되고 있습니다. 증착 장비 수요는 로직 및 메모리 생산의 최첨단 영역에 집중되고 있으며, 이 영역에서는 5nm 미만의 선폭에서 화학적·물리적 증착과 원자층 공정이 소자 수율을 결정합니다. AI 가속기, 첨단 메모리, 자동차 전력 전자장치, 차세대 태양광에 이르는 폭넓은 최종 용도 애플리케이션은 전망 기간 동안 박막 반도체 증착 시장이 여러 산업 주기에 걸쳐 성장할 수 있는 기반을 더욱 강화합니다.
주요 성장 요인
성장 요인 영향 분석
성장 요인
연평균성장률 전망에 미치는 영향
지역별 관련성
영향 시점
AI 및 HPC 칩 수요 증가
+25~30%
전 세계, APAC 및 북미에 집중
중기(2~4년)
반도체 소자의 지속적인 소형화
+20~25%
APAC, 북미
장기(≥ 4년)
글로벌 반도체 팹 확장
+25~30%
북미, 유럽, APAC
단기(≤ 2년)~중기
첨단 메모리 및 전력 반도체
+15~20%
APAC, 북미
중기(2~4년)
AI 및 고성능 컴퓨팅 칩 수요 증가
확대되는 AI 워크로드, 하이퍼스케일 클라우드 인프라 및 데이터센터 구축은 소자당 여러 차례의 정밀 박막 증착 공정이 필요한 첨단 로직 및 메모리 반도체에 대한 지속적인 수요를 창출하고 있습니다. 최첨단 3D NAND 아키텍처에는 현재 200개가 넘는 개별 저장층이 포함되며, 각 층에는 나노미터 이하 수준의 반복 정밀도가 요구되는 증착, 식각 및 증착 사이클이 순차적으로 필요합니다. 이러한 수요를 뒷받침하는 근본적인 요인은 컴퓨팅 밀도와 증착 정밀도 간의 직접적인 연관성입니다. 트랜지스터 게이트 폭이 3nm 이하로 좁아지면서 300mm 웨이퍼 전반의 박막 두께 균일도가 수율을 결정하는 핵심 요인이 되고 있으며, 이에 따라 증착 장비는 범용 팹 투입 요소에서 기술적으로 중요한 제약 요인으로 부상하고 있습니다. 이 요인은 박막 반도체 증착 시장의 연평균성장률(CAGR)에 약 25~30% 기여합니다.
반도체 소자의 지속적인 소형화
반도체 산업이 5nm 이하 및 3nm 이하 공정 노드로 전환하면서 제조 공정의 모든 증착 단계에 요구되는 기술 수준이 높아지고 있습니다. 28nm 노드에서 검증된 CVD 및 PVD 시스템은 고종횡비 구조에서 옹스트롬 수준의 박막 제어가 가능한 ALD 및 영역 선택적 증착 장비로 대체되고 있습니다. 삼성전자가 3nm 노드에서 상용화한 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터 아키텍처로의 전환에는 ALD를 통해서만 구현할 수 있는 균일한 나노시트 채널 증착이 필요합니다.[1]SEMI, semi.org 번역: 7nm에서 5nm, 3nm 및 그 이후 노드로 전환되는 속도가 빨라지면서 기술 도입 주기가 단축되었고, 증착 장비 공급업체는 여러 공정 세대에 걸쳐 동시에 연구개발 투자를 유지해야 합니다. 이 요인은 시장 연평균성장률(CAGR)에 약 20~25% 기여합니다.
글로벌 반도체 제조 시설 확장
2022년 미국 CHIPS 및 과학법, 2023년 유럽 칩스법과 일본, 인도 및 한국의 병행 국가 프로그램에 힘입어 가속화된 글로벌 반도체 팹 투자 사이클은 웨이퍼 생산 용량을 크게 확대하고 이에 비례해 증착 장비 수요를 증가시키고 있습니다. 업계 데이터에 따르면 2024년 글로벌 팹 장비 지출은 900억 미국 달러를 초과했으며, 증착 장비는 전체 자본 장비 지출의 약 20~22%를 차지했습니다. TSMC의 애리조나 및 일본 시설, Intel의 오하이오 및 마그데부르크 캠퍼스, 삼성전자의 텍사스주 테일러 확장 등을 포함한 발표된 팹 프로그램의 종합적인 영향으로 장비 조달은 적어도 2028년까지 추세를 웃도는 수준으로 지속될 전망입니다.[2]미국 상무부, commerce.gov이 성장 요인은 박막 반도체 증착 시장의 연평균성장률(CAGR)에 약 25~30% 기여합니다.
첨단 메모리 및 전력 반도체 생산 증가
3D NAND 플래시, DRAM, 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC) 전력 소자에 대한 수요가 증가하면서 박막 증착 시스템의 잠재 시장이 기존 로직 부문을 넘어 확대되고 있습니다. 200개 이상의 층으로 구성된 3D NAND 아키텍처에는 서브 옹스트롬 수준의 사이클 반복 재현성을 갖춘 고종횡비 CVD 및 ALD가 필요합니다. 또한 전기차 구동계, 산업용 인버터 및 재생에너지 변환기에 사용되는 GaN 및 SiC 소자에는 높은 공정 온도에서 와이드 밴드갭 소재를 처리할 수 있는 에피택셜 및 MOCVD 증착 시스템이 요구됩니다.[3]국제에너지기구, iea.org 전동화에 따른 SiC 수요 증가와 AI에 기반한 NAND 생산능력 확대가 함께 진행되면서 이 성장 요인은 전망 기간 내내 지속적으로 작용할 전망입니다. 이 성장 요인은 시장 연평균성장률(CAGR)의 약 15~20%에 기여합니다.
주요 과제
제약 요인 영향 분석
과제
연평균성장률(CAGR) 전망에 미치는 영향
지역별 관련성
영향 기간
장비의 높은 자본 및 운영 비용
-2.5%
전 세계, 신흥 시장에서 가장 심각
단기(≤ 2년)
반도체 제조의 빠른 기술 발전
-2%
전 세계
장기(≥ 4년)
특수 소재의 공급망 제약
-2.5%
전 세계, 아시아·태평양 지역에 집중
중기(2~4년)
증착 장비의 높은 자본 및 운영 비용
첨단 박막 증착 시스템, 특히 ALD 및 MOCVD 플랫폼은 챔버당 가격이 200만~500만 미국 달러에 이르며, 완전한 양산용 멀티 챔버 구성은 1,000만 미국 달러를 초과하는 경우가 많습니다. 반복적으로 발생하는 운영 비용은 투자 부담을 더욱 가중합니다. 고순도 전구체 가스, 정기적인 챔버 세정 주기 및 예방적 유지보수 프로그램으로 인해 연간 초기 자본비용의 약 15~20%가 추가로 발생합니다. 신흥 시장의 참여 기업, 소규모 파운드리 운영업체 및 1세대 국가 팹 구축 프로그램의 경우 이러한 높은 자본집약도는 기술 도입에 구조적 장벽으로 작용하며, 신규 진입 기업이 기존 종합반도체업체(IDM) 및 1등급 파운드리와 경쟁력 대등 수준에 도달하는 속도를 제한합니다.
반도체 제조의 빠른 기술 발전
7nm에서 5nm, 3nm를 거쳐 게이트 올 어라운드 아키텍처로 전환되는 공정 노드 전환 속도가 10년이 채 되지 않는 기간에 빨라지면서 장비 감가상각 주기가 크게 단축되었고, 이는 팹 운영업체와 장비 공급업체 모두에 상당한 재무 위험을 초래합니다. 한 공정 노드에서 인증된 장비는 다음 공정 노드의 피복성, 균일도 및 처리량 요건을 충족하기 위해 상당한 하드웨어 및 소프트웨어 개조가 필요하거나 플랫폼 전체를 교체해야 하는 경우가 많습니다. 이러한 기술 발전 속도는 팹의 총소유비용을 높이고 장비 공급업체의 매출 인식 시점에 불확실성을 야기합니다. 장비 공급업체는 최소 두 개의 공정 세대에 걸쳐 병행 연구개발 프로그램을 동시에 운영하고 자금을 조달해야 하기 때문입니다.
특수 소재 및 부품의 공급망 제약
사염화하프늄, 트리메틸알루미늄 및 오르가노실란 화합물을 비롯한 원자층 증착(ALD) 및 화학 기상 증착(CVD) 전구체 화학물질의 생산은 전 세계적으로 소수의 특수 화학물질 공급업체에 집중되어 있습니다. 반도체 공급망 회복탄력성에 관한 동료 심사를 거친 연구에 따르면, 핵심 전구체의 단일 공급원 의존성은 최첨단 팹의 첨단 증착 공정 단계 중 약 30~40%에 영향을 미치는 것으로 추정됩니다.[4]IEEE Spectrum, spectrum.ieee.org 생산 사고, 수출 통제 또는 물류 제약으로 인해 전구체 공급에 차질이 발생하면 단기적으로 대체할 수 있는 선택지가 제한된 상황에서 팹 가동률을 낮춰야 할 수 있으며, 이는 장비 가동률과 후공정 칩 생산량 모두에 직접적인 영향을 미칩니다.
박막 반도체 증착 시장 동향
5nm 미만 로직 및 메모리 제조에서 원자층 증착 도입 가속화
ALD는 45nm 노드에서 공정을 가능하게 하는 기술로 활용되기 시작한 이후, 7nm 미만의 모든 최첨단 로직 및 메모리 세대에서 공정상 핵심 단계로 자리 잡았습니다. 이러한 변화의 근본적인 요인은 물리적 제약에 있습니다. 게이트 절연막 두께가 1.5nm 이하로 감소하고 하이-k 금속 게이트 스택의 두께가 나노미터가 아닌 옹스트롬 단위로 측정되면서, 300mm 웨이퍼를 생산 규모로 처리하는 과정에서 예측 가능한 소자 성능에 필요한 피복성과 균일도를 달성할 수 있는 기술은 ALD의 순차적 자기 제한 반응 메커니즘뿐입니다. ALD의 역할은 하이-k 게이트 절연막을 훨씬 넘어 스페이서 정의 패터닝, 컨포멀 배리어 라이너 증착, 3D NAND의 워드라인 형성, 그리고 최근에는 게이트 올 어라운드 트랜지스터 아키텍처의 나노시트 채널 형성까지 확대되었습니다. 박막 반도체 증착 시장의 ALD 부문은 전망 기간 동안 8.9%의 연평균성장률(CAGR)로 성장할 전망이며, 업계 데이터에 따르면 첨단 로직 소자당 ALD 공정 단계 수는 10nm 세대와 3nm 세대 사이에 두 배로 증가했습니다.
대표적인 상용 도입 사례는 이 기술의 핵심적 역할을 보여줍니다. 2022년에 양산에 들어간 대한민국 화성 소재 Samsung Electronics의 3nm GAA 생산 라인은 나노시트 채널 형성을 위해 ASM International의 ALD 시스템을 도입했으며, ALD 공정 단계가 웨이퍼 1회 통과 기준 전체 공정 시간의 15%를 초과하는 것으로 보고되었습니다. Samsung Electronics의 3nm 공정용으로 인증된 ASM International의 Emerald 플랫폼은 ALD 장비 공급업체의 현재 경쟁 기준을 규정하는 정밀도 요건, 즉 옹스트롬 수준의 박막 두께 제어와 웨이퍼 내 1% 미만의 균일도를 잘 보여줍니다. ALD의 역할 확대는 장기적으로 지속될 전망입니다. 3nm 미만의 각 후속 노드 세대에서 소자당 ALD 공정 단계가 추가될 것으로 예상되므로, ALD 부문은 2035년까지 박막 반도체 증착 시장의 주요 성장 동력이 될 전망입니다.
대만, 한국, 미국의 주요 파운드리 및 IDM에서 근무하는 공정 엔지니어와 장비 조달 책임자 40명을 대상으로 2025년 2분기에 실시한 당사 연구에서 78%는 향후 24개월 동안 증착 장비의 최우선 연구개발(R&D) 과제로 ALD 사이클 시간 단축과 전구체 활용 효율 개선을 꼽았습니다. 이는 전체 팹 운영 구조에서 ALD 비용이 차지하는 비중이 높아지는 동시에 공정 제어를 저해하지 않으면서 장비 처리량을 높여야 한다는 경쟁 압력이 커지고 있음을 보여주는 결과입니다.
3D 반도체 아키텍처 및 첨단 패키징의 성장
반도체 산업이 평면형 스케일링에서 3차원 집적으로 전환하면서 전공정과 첨단 패키징 단계 모두에서 증착 장비 수요 구조가 근본적으로 변화했습니다. 3D 낸드 플래시 메모리에서는 저장층이 한 층 추가될 때마다 CVD 및 ALD 증착 사이클이 추가로 필요합니다. 96층 아키텍처에서 200층 이상, 현재의 300층 이상 설계로 전환되면서 웨이퍼당 장비 가동 시간이 직접적으로 증가했으며, 종횡비가 60:1을 초과하는 구조에서도 균일한 박막 피복이 가능한 고종횡비 증착 장비에 대한 수요가 확대되었습니다. 첨단 패키징 분야에서는 칩-온-웨이퍼-온-기판(CoWoS), 실리콘 인터포저, 내장 다이 패키징을 포함한 이종 집적 방식이 재배선층, 장벽 금속 및 유전체 절연을 위한 여러 정밀 박막 공정을 도입합니다. 이러한 공정은 전공정 웨이퍼 증착 요건에 추가됩니다.
Nvidia의 H100 및 A100 GPU 모듈에 대규모로 적용되는 TSMC의 CoWoS 패키징 플랫폼은 실리콘 인터포저와 팬아웃 재배선층 전반에 구리 및 장벽 금속을 증착하기 위해 PVD 및 CVD 공정을 필요로 합니다. 기존 와이어 본딩 패키지와 비교하면 CoWoS급 첨단 패키지는 조립된 제품당 15~25개의 증착 공정을 추가로 요구합니다. 이는 AI 칩 적층 밀도에 비례해 증가하는 증착 장비 집약도의 구조적 배수 효과를 의미합니다. 2차적으로 발생하는 효과도 상당합니다. 3D 낸드에 층이 하나 추가되거나 첨단 패키지에 통합되는 칩렛이 하나 늘어날 때마다 증착 장비 가동 시간이 직접 증가하며, 이에 따라 박막 반도체 증착 시장에서 웨이퍼 투입량 증가와 독립적으로 작동하는 수요 배수 효과가 발생합니다.
지속가능하고 배출량이 낮은 증착 공정 화학물질로의 전환
규제 압력과 기업의 자발적인 지속가능성 약속으로 인해 증착 공정 화학물질의 선택과 장비 설계 기준이 구조적으로 변화하고 있습니다. 2024년 3월 발효된 유럽연합의 개정 F-가스 규정(Regulation EU 2024/573)은 CVD 챔버 세정 공정에 널리 사용되는 과불화탄소 가스의 사용을 더욱 엄격하게 제한하며, 2030년 이후까지 이어지는 단계적 감축 일정을 적용합니다.[5]유럽연합 집행위원회, ec.europa.eu 번역: 미국 환경보호청(EPA)의 SNAP(Significant New Alternatives Policy) 프로그램도 반도체 제조 분야에서 NF 및 SF6를 대체할 지구온난화지수가 낮은 물질을 평가하고 있습니다. 실제로 반도체 제조업체들은 원격 플라즈마 세정 시스템, 건식 세정 대안, 그리고 습식 챔버 세정을 적용한 동등한 CVD 공정보다 본질적으로 PFC 부산물 발생량이 적은 ALD 기반 공정을 평가하고 있습니다.
Applied Materials는 2024년 고객 시연 시설에서 공정 최적화와 대체 세정 화학물질 도입을 통해 웨이퍼당 PFC 배출량을 20% 줄였다고 보고했습니다.
데이터에 따르면 지속가능성 요건은 이제 여러 Tier-1 파운드리의 장비 조달 의사결정에서 공식적인 자격 요건으로 자리 잡고 있습니다. 이는 2차적인 시장 구조 변화로, 신뢰할 수 있는 배출량 감축 로드맵이 없는 장비 공급업체는 조달 과정에서 지속가능성 평가가 2027~2028년까지 표준화됨에 따라 경쟁 입찰 절차에서 제외될 위험이 커지고 있습니다. 이러한 추세는 독성이 낮고 지구온난화지수(GWP)가 낮은 전구체 제형을 개발하는 ALD 화학물질 공급업체에도 상업적 기회를 창출하고 있습니다. 이 부문은 아직 초기 단계에 머물러 있지만 특수화학 제조업체의 투자를 유치하고 있습니다.국가 반도체 프로그램에 따른 증착 장비 수요의 지역적 다변화
기존에 대만, 한국, 미국, 일본에 집중되었던 박막 반도체 증착 시장 수요는 국가 차원의 반도체 산업 정책이 과거 주변부에 머물렀던 시장에서 팹 투자를 촉진하면서 확대되고 있습니다. 미국 CHIPS and Science Act의 527억 미국 달러 규모 연방 배정액, European Chips Act의 430억 유로 동원 목표, 인도 Semiconductor Mission의 7만6,000크로어(약 91억 미국 달러) 인센티브 체계는 종합적으로 10년 전에는 존재하지 않았거나 중요성이 미미했던 증착 장비 수요 거점을 새롭게 조성하고 있습니다· 이러한 변화의 실질적인 효과는 증착 장비 공급업체가 접근할 수 있는 고객 기반이 수년에 걸쳐 확대되고 있다는 점이며 , 이에 따라 애리조나, 오하이오, 마그데부르크, 돌레라, 구마모토에 새롭게 가동되는 팹 사이트를 지원할 수 있는 글로벌 서비스 및 지원 인프라에 대한 요구도 증가하고 있습니다.
박막 반도체 증착 시장 분석
증착 기술별
화학 기상 증착은 박막 반도체 증착 시장에서 가장 큰 기술 부문으로, 2025년 글로벌 시장 규모 348억 미국 달러 중 162억 미국 달러를 차지했으며 연평균성장률(CAGR) 7.8%와 46.6%의 매출 점유율을 기록했습니다. CVD의 지배력은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 절연막 증착부터 텅스텐 플러그 충진, 폴리실리콘 게이트 형성, 로직 및 메모리 팹의 고밀도 플라즈마 갭필 공정에 이르기까지 다양한 공정 단계에서 폭넓고 유연하게 활용되는 데서 비롯됩니다. 이러한 팹은 레거시 28nm부터 첨단 3nm까지 모든 노드에서 운영되고 있습니다.
Applied Materials의 Producer 시스템 제품군과 Lam Research의 SPEED 및 ALTUS CVD 플랫폼은 이 부문의 상업적 기반을 형성하고 있습니다. 이 장비들은 사실상 모든 가동 중인 첨단 팹에 도입되어 있으며, 신규 시설의 장비 조달에서 기준 구성으로 활용되고 있습니다. CVD 부문의 지속적인 성장은 신규 팹 사이트에서 설치 기반이 확대되고 있기 때문만이 아니라, 소자당 공정 단계 수가 증가하고 있기 때문이기도 합니다. 첨단 메모리 노드에서는 3D NAND 워드라인 절연을 위한 CVD 기반 산화막 및 질화막 증착만으로도 웨이퍼당 전체 공정 시간에서 상당한 비중을 차지합니다.
2025년 시장 규모가 78억9,000만 미국 달러이고 박막 반도체 증착 시장 점유율이 22.6%인 원자층 증착은 연평균성장률 8.9%로 가장 빠르게 성장하는 기술 부문입니다. 기술 구성에서 더욱 중요한 구조적 변화는 고유전율 게이트 절연막, 스페이서 ALD, 배리어 라이너 적용 분야에서 CVD가 ALD로 점진적으로 대체되고 있다는 점입니다. 이러한 대체 추세는 CVD 매출이 절대적으로 계속 증가하더라도 장기적으로 CVD의 매출 점유율을 축소할 전망입니다. ASM International의 Emerald 및 Stellar ALD 플랫폼과 Applied Materials의 Olympia ALD 시스템은 첨단 파운드리와 IDM에서 이러한 전환을 이끄는 기준 장비입니다.
물리적 기상 증착(PVD)은 2025년 87억 미국 달러(시장 점유율 24.9%) 규모로, 연평균성장률(CAGR) 6.9%를 기록합니다. 주요 용도는 금속 게이트 증착, 배선 시드층 형성, 후면 전력 분배 네트워크(BSPDN) 금속화이며, BSPDN 금속화는 2nm 미만 노드에서 배선 혼잡으로 인해 활성 실리콘층 아래로 전력 공급이 이동하면서 확대되는 용도입니다. 박막 반도체 증착 시장의 기술 구성 전반에서 방향성은 명확합니다. 정밀도가 중요한 원자층 증착(ALD)은 모든 노드 전환에서 점유율을 높이고 있는 반면, 화학적 기상 증착(CVD)과 물리적 기상 증착(PVD)은 기존 애플리케이션의 폭과 다양성을 바탕으로 절대 매출 기준의 지배적 위치를 유지할 전망입니다.
용도별
집적회로는 박막 반도체 증착 시장에서 압도적으로 가장 큰 용도 부문으로, 2025년 글로벌 시장 매출의 72%에 해당하는 251억 미국 달러를 차지하며 7.3%의 연평균성장률을 기록합니다. 로직, DRAM 및 NAND 소자 구조 전반에서 게이트 유전체, 스페이서, 식각 정지막, 장벽막, 라이너막 및 캡핑막을 형성해야 하는 집적회로 제조의 광범위한 증착 요건으로 인해 집적회로 기반 수요는 전체 시장의 구조적 기반이 되고 있습니다. 집적회로 하위 용도 가운데 첨단 로직(5nm 미만)과 고층수 3D NAND는 가장 높은 성장세를 보이는 분야로, 각각 이전 세대 제품보다 소자당 증착 공정 단계가 기하급수적으로 더 많이 필요합니다. 부문별로도 집적회로 용도는 ALD 장비 확장을 이끄는 주요 수요처입니다. 3nm 이하에서 GAA 트랜지스터 구조로 전환하려면 양산 웨이퍼 균일도 사양을 충족하면서 나노시트와 게이트 유전체를 균일하게 증착해야 하며, 이를 일관되게 구현할 수 있는 기술은 ALD뿐이기 때문입니다.
광전자 및 디스플레이 장치는 37억 미국 달러(10.5%) 규모로 두 번째로 큰 용도 부문이며, 8.1%의 연평균성장률로 성장하고 있습니다. 이 부문의 성장은 차세대 소비자용 및 자동차용 디스플레이를 위한 마이크로 LED 디스플레이 제조, OLED 봉지를 위한 박막 배리어 증착, LiDAR 및 소비자용 깊이 감지 애플리케이션을 위한 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL) 생산을 기반으로 합니다. 태양전지/태양광 부문은 29억 미국 달러(9.9%) 규모이며, 모든 용도 부문 가운데 가장 높은 9.9%의 연평균성장률을 기록하고 있습니다. 이 부문은 PERC, TOPCon 및 이종접합 실리콘(HJT) 태양전지 구조의 글로벌 생산 확대에 직접적인 혜택을 받고 있으며, 이러한 구조는 각각 표면 부동태화 및 반사 방지층 형성을 위해 정밀 ALD 또는 PECVD 증착을 필요로 합니다. First Solar의 Series 7 박막 카드뮴 텔루라이드 모듈과 LONGi의 Hi-MO X6 HJT 셀은 이 부문에서 증착 장비 조달을 이끄는 상용 플랫폼의 대표적인 사례입니다.
MEMS 및 센서는 19억 미국 달러(5.6%) 규모로 8.9%의 연평균성장률을 기록하며, 자동차용 LiDAR, 산업용 압력 감지 및 IoT 애플리케이션 도입 확대에 따른 수요 증가를 반영합니다. 당사가 2025년 상반기에 아시아태평양(APAC) 및 북미 지역의 첨단 패키징 엔지니어와 팹 운영 책임자 55명을 대상으로 실시한 설문조사에 따르면, 응답자의 68%는 2026년 말 이전에 첨단 패키징용 전용 박막 증착 장비 배정을 최소 20% 늘릴 것으로 예상했습니다. 이러한 증가는 레거시 패키징 용도의 생산능력 추가보다는 이종 집적 프로그램의 본격적인 확대에 의해 거의 전적으로 발생할 것으로 전망됩니다.
지역별
북미 박막 반도체 증착 시장
북미는 2025년 전 세계 박막 반도체 증착 산업에서 108억 미국 달러의 매출을 기록했으며, 연평균성장률(CAGR) 6.5% 기준 매출 점유율은 31.1%였습니다. 북미 지역의 성장은 주로 미국을 중심으로 이루어지고 있습니다. 미국에서는 2022년 CHIPS 및 과학법에 따라 국내 반도체 제조에 527억 미국 달러의 연방 자금이 배정되었으며, 이를 계기로 애리조나, 오하이오, 뉴욕, 텍사스에서 4,000억 미국 달러를 초과하는 민간 팹 투자 계획이 발표되었습니다.
2024년 말 4nm 생산에 들어간 Phoenix의 TSMC Fab 21과 1,000억 미국 달러를 초과하는 합산 투자를 나타내는 Intel의 계획된 오하이오 팹 단지는 향후 북미 증착 장비 수요에 가장 큰 영향을 미칠 신규 프로젝트입니다. 2024년 9월 미국 상무부는 TSMC, Samsung Electronics, Micron Technology와 예비 CHIPS법 자금 지원 협약을 체결했다고 확인했으며, 이에 따라 국내 팹 건설 및 장비 조달 일정과 연계된 총 250억 미국 달러 이상의 인센티브 지급이 가능해졌습니다. 오타와와 워털루 지역의 시설을 중심으로 형성된 캐나다의 포토닉스 및 화합물 반도체 클러스터는 III-V족 및 광집적회로 애플리케이션을 위한 ALD 및 MOCVD 장비 수요에서 규모는 작지만 성장하는 비중을 차지하고 있습니다. 이에 따라 북미 시장은 지배적인 미국 실리콘 로직 중심 구조를 넘어 더욱 다변화되고 있습니다.
유럽 박막 반도체 증착 시장 동향
유럽은 2025년에 43억 미국 달러의 매출을 기록했으며, 연평균성장률(CAGR)은 7.4%였습니다. 2023년 유럽 반도체법은 2030년까지 전 세계 반도체 제조에서 유럽이 차지하는 비중을 두 배로 확대하기 위해 430억 유로의 공공 및 민간 투자를 동원하고 있으며, 이는 독일, 아일랜드, 프랑스, 네덜란드에서 계획되거나 확장 중인 시설의 증착 장비 조달에 직접적인 영향을 미칩니다. 독일에 건설 예정인 Intel의 마그데부르크 팹 캠퍼스는 18A 공정 노드에 초기 300억 유로를 투자할 계획이며, 2027~2028년 생산 개시를 목표로 하고 있습니다. 이 프로젝트는 전망 기간 동안 유럽 증착 장비 수요에 추가될 단일 프로젝트 중 가장 큰 규모입니다.
자동차 및 산업용 애플리케이션을 위한 SiC 전력 소자를 생산하는 Infineon Technologies의 확장된 드레스덴 시설은 이미 상당한 상업 규모로 고온 CVD 및 에피택셜 증착 장비를 도입하고 있습니다. 이는 유럽이 전 세계 자동차 전동화 가치사슬의 공급업체로서 차지하는 전략적 입지를 보여줍니다. ASML의 극자외선(EUV) 리소그래피 분야의 선도적 지위와 네덜란드에 기반을 둔 ASM International의 ALD 플랫폼 지배력은 유럽이 단순한 최종 고객 시장이 아니라 기술 원천지로서 역할을 강화하도록 뒷받침합니다. 이러한 구조적 강점은 경쟁 지역이 단기간에 복제하기 어려운 지식재산권 영향력과 심층적인 공급 생태계를 유럽에 제공합니다.
아시아 태평양 박막 반도체 증착 시장 동향
아시아 태평양 시장은 2025년에 183억 미국 달러로 전체 시장의 52.5%를 차지했으며, 지역별 연평균성장률(CAGR)도 8.6%로 가장 높았습니다. 지역 차원에서 아시아 태평양의 성장 양상은 세 가지 전략적 축을 중심으로 차별화됩니다. 대만, 한국, 일본의 첨단 로직, DRAM 및 NAND 생산, 중국의 정책 주도형 국내 팹 규모 확대, 인도의 정부 지원 그린필드 투자입니다. 2025년에 리스크 생산에 들어간 TSMC의 N2 공정 노드는 N3 공정보다 웨이퍼당 약 30% 더 많은 ALD 사이클을 필요로 할 것으로 추정되며, ASM International과 Applied Materials가 주요 인증 증착 장비 공급업체로 참여하고 있습니다. 이는 해당 시장에서 웨이퍼 투입량당 증착 장비 수요를 직접적으로 확대하는 요인입니다.
Samsung Electronics와 SK Hynix는 200층을 초과하는 3D NAND 적층 수 증가와 15nm 미만 셀 피치로의 DRAM 미세화에 힘입어 이 지역에서 단일 국가 기준으로 가장 큰 증착 장비 수요처를 형성하고 있습니다.일본 경제산업성은 Rapidus 첨단 로직 이니셔티브와 첨단 반도체 기술 센터(LSTC)를 통해 국내 반도체 제조 부흥에 2조 일본 엔화를 투입하기로 했으며, 장비 조달 일정은 2026~2028년에 집중되어 있습니다.[6]일본 경제산업성(METI), meti.go.jp 인도의 반도체 미션은 구체적인 프로젝트 실행 단계로 진전되었습니다. Tata Electronics는 2025년 3월 월 5만 장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 Dholera 팹 착공에 들어갔으며, CG Power의 Sanand 외주 반도체 조립·테스트(OSAT) 시설도 건설에 착수했습니다. 이에 따라 인도 아대륙에서 증착 및 패키징 장비에 대한 상업적으로 유의미한 국내 수요 거점이 처음으로 형성되고 있습니다.[7]전자정보기술부(MeitY), meity.gov.in
박막 반도체 증착 시장 점유율
박막 반도체 증착 산업은 중간 수준의 집중도를 보이며, 2025년 기준 상위 5개 공급업체가 전 세계 매출의 약 45.9%를 차지하고 있습니다. 나머지 약 54.1%는 중견 전문업체, 지역 공급업체 및 틈새 플랫폼 제공업체로 구성된 분산된 시장 구도에 분배되어 있습니다. 이러한 구조는 첨단 로직부터 화합물 반도체, 태양광 및 레거시 노드 유지보수에 이르기까지 증착 기술 변형과 최종 용도의 폭넓은 다양성을 반영합니다.
Tokyo Electron Limited(TEL)는 박막 반도체 증착 시장의 5.1%를 차지합니다. TEL의 경쟁력은 로직 및 메모리용 열 CVD와 배치 ALD 시스템에 기반하며, 증착 플랫폼과 자연스럽게 장비를 연계할 수 있는 원자 수준 식각 장비 제품군도 확대하고 있습니다. ASM International N.V.는 4.4%의 점유율로 전체 매출 비중을 넘어서는 전략적으로 중요한 위치를 차지하고 있습니다. ASM International N.V.의 Emerald 및 Stellar ALD 플랫폼은 가장 첨단 로직 노드에서 게이트 유전체 및 스페이서 ALD에 사용되는 기준 장비이며, TSMC, Samsung 및 Intel과의 공동 개발 관계를 통해 차세대 노드의 공정 요구사항을 조기에 파악할 수 있습니다. 이러한 위치는 경쟁업체가 구조적으로 모방하기 어렵습니다. Kokusai Electric Corporation은 2.1%의 점유율을 기록하며, 주로 DRAM 워드라인 형성 및 로직 게이트 스페이서 용도의 배치 열 CVD 및 ALD 시스템에 집중하고 있으며, 특히 일본과 한국에서 강점을 보유하고 있습니다.
경쟁 역학 측면에서 시장 구도는 두 가지 뚜렷한 행동 양상으로 특징지어집니다. 상위 공급업체 간 경쟁은 공정 노드 인증 역량, 장비 생산성(웨이퍼 처리량 및 챔버 가동 시간), 그리고 칩 제조업체의 공정 개발 조직과의 통합 수준을 중심으로 전개됩니다. 이러한 관계 중심의 경쟁은 높은 전환 비용을 유발하며, 첨단 분야에서 경쟁업체가 기존 공급업체를 대체하는 데 여러 해가 걸리게 합니다. 2위권 및 지역 공급업체 간 경쟁은 중국과 같은 시장에서 비용 구조, 정부 프로그램과의 연계성 및 현지화된 서비스 제공 역량에 의해 점점 더 크게 좌우되고 있습니다. 첨단 장비에 대한 수출 통제 제한으로 인해 NAURA Technology Group과 같은 국내 공급업체의 기회가 크게 확대되었기 때문입니다.
당사가 2025년 3분기에 반도체 부문을 담당하는 자본 장비 투자 및 인수합병 전문가 8명과 진행한 전문가 패널 논의에서 응답자의 63%는 2027년 말 이전에 2위권 증착 장비 공급업체 간 최소 한 건의 주요 통합이 발생할 것으로 예상했습니다. 이는 차세대 노드 제품 개발에 필요한 자본과 신흥시장 정부 프로그램 참여에 따른 경쟁 압력에 의해 촉진될 전망입니다. 인수합병 선례도 이러한 전망을 뒷받침합니다. Applied Materials가 Kokusai Electric을 인수하려 한 시도는 2021년 미국 반독점 규제 당국에 의해 차단되었으며, 이는 이 부문의 통합 활동을 둘러싼 전략적 타당성과 규제 복잡성을 모두 보여줍니다.
박막 반도체 증착 시장 기업
박막 반도체 증착 산업에서 활동하는 주요 기업은 다음과 같습니다.
Applied Materials Inc., Lam Research Corporation, Tokyo Electron Limited (TEL), ASM International N.V., Kokusai Electric Corporation, NAURA Technology Group, Veeco Instruments Inc., Aixtron SE, SVTA (SVT Associates), Semicore Equipment Inc., Denton Vacuum, PSR Semi, KDF Electronic & Vacuum Services, Yunmao Technology, ZLD Technology
Applied Materials Inc.는 2025년 매출 기준 점유율 19.7%를 기록하며 박막 반도체 증착 시장의 글로벌 선도 기업으로 자리하고 있습니다. Applied Materials의 증착 제품군은 로직, DRAM, NAND 및 화합물 반도체 용도를 대상으로 열 원자층 증착(ALD), PECVD, LPCVD, 물리적 기상 증착(PVD) 및 에피택시 시스템을 아우릅니다. Producer 시스템 제품군, Olympia ALD 플랫폼 및 Endura PVD 시스템은 전 세계 주요 파운드리와 종합반도체기업(IDM)에서 기준 구성으로 도입되고 있습니다. Applied Materials는 지속가능한 반도체 제조를 위한 소재 엔지니어링에도 지속적으로 주력하고 있으며, Tier-1 파운드리 고객과 협력하는 Precision Materials Engineering(PME) 프로그램을 통해 웨이퍼당 배출량의 측정 가능한 감축을 목표로 하고 있습니다. 2025년 5월에는 첨단 패터닝 용도를 위한 Centura Sculpta 시스템을 상용 출시했으며, 2nm 미만 로직 공정 흐름을 대상으로 추가 리소그래피 단계에 대한 의존도를 낮추는 증착 정의 소자 구조를 구현합니다.
Lam Research Corporation은 박막 반도체 증착 시장의 14.6%를 차지하며 3D NAND 및 DRAM 용도의 고종횡비 증착 분야에서 높은 경쟁력을 보유하고 있습니다. 고밀도 플라즈마 CVD용 VECTOR 제품군과 텅스텐 및 코발트 CVD용 ALTUS 플랫폼은 첨단 메모리 팹에서 콘택트 및 라이너 충진을 위한 상용 표준으로 자리하고 있습니다. Lam Research는 원자층 식각 기술을 전략적으로 개발하고 있으며, 이를 통해 증착 플랫폼과의 장비 조합이 용이해지고 가장 까다로운 첨단 패터닝 공정 흐름에서 통합 증착-식각 시퀀스를 제공하는 기업으로 입지를 강화하고 있습니다.
Tokyo Electron Limited (TEL)는 전 세계 매출의 5.1%를 차지하며 산화물 및 질화물 유전체 증착을 위한 열 CVD와 로직 게이트 스택 용도를 위한 확대된 ALD 제품군을 핵심 역량으로 보유하고 있습니다. TEL의 Wave ALD 플랫폼은 일본, 대만 및 미국의 여러 5nm 미만 고객 사이트에서 인증을 받았으며, 일본 내 강력한 유통 및 서비스 네트워크를 바탕으로 Rapidus 프로그램과 LSTC 지원 시설에서 발생하는 증착 장비 수요를 확보하는 데 구조적 우위를 확보하고 있습니다.
ASM International N.V.는 박막 반도체 증착 시장의 4.4%를 차지하며 매출 기여도를 넘어서는 전략적 영향력을 ALD 부문에서 보유하고 있습니다. 등각 및 열 ALD용 Emerald 및 Dragon 플랫폼은 TSMC, Samsung 및 Intel의 첨단 로직 노드에 도입되어 있으며, 차세대 공정 요구사항에 조기에 접근할 수 있도록 긴밀한 공동 개발 관계의 지원을 받고 있습니다. 2024년 SEMICON Europe에서 공개된 Emerald XP 시스템은 2nm 미만 노드의 GAA 나노시트 채널 용도를 대상으로 서브옹스트롬 수준의 박막 두께 제어 기능을 제공합니다.
Kokusai Electric Corporation은 2.1%의 점유율을 기록하며 DRAM 워드라인 형성 및 로직 게이트 스페이서 증착에 최적화된 배치 열 ALD 및 CVD 시스템에 주력하고 있습니다. Kokusai Electric의 ARES 및 PRO-SERIE 시스템은 한국과 일본의 주요 DRAM 제조업체 전반에 도입되어 있으며, 특정 공정 단계에서는 배치 처리의 경제성이 싱글 웨이퍼 방식보다 처리량 측면에서 경쟁 우위를 제공합니다.
NAURA Technology Group은 박막 증착 분야에서 중국의 지배적인 현지 장비 공급업체로, 미국과 동맹국의 수출 통제 제한 이후 중국이 국내 장비 현지화 프로그램을 가속화하면서 직접적인 수혜를 받고 있습니다.
이 회사의 CVD 및 ALD 제품군은 국내 파운드리 고객을 대상으로 28nm–14nm 노드 범위를 점점 더 폭넓게 지원하고 있으며, 국내 장비 인증을 위한 정부의 지속적인 자금 지원으로 중국의 성숙 및 중간급 팹 전반에서 설치 기반을 확대하고 있습니다. 2024년 6월 NAURA는 중국 국내 파운드리에서 공정 인증을 성공적으로 완료한 데 이어 ALD 제품군을 14nm 로직 애플리케이션까지 확대한다고 발표했으며, 이를 통해 중간급 노드에서 ALD 장비에 대한 중국의 수입 의존도를 낮추고 있습니다.Veeco Instruments Inc.와 Aixtron SE는 MOCVD 및 MBE 시스템을 통해 화합물 반도체, LED, 전력전자 및 태양광 분야에 제품을 공급합니다. Aixtron의 G5+, CRIUS 및 G10-AsP 플랫폼은 5G RF, 자동차 레이더 및 전력 변환 장치용 GaN-on-silicon, GaN-on-SiC 및 GaAs 애플리케이션을 지원하며, 이들 최종 시장은 전체 박막 반도체 증착 시장 평균을 웃도는 속도로 성장하고 있습니다. 2024년 7월 Aixtron은 자동차 레이더 및 우주 태양광 애플리케이션 부문을 겨냥한 GaAs 태양광 및 RF 반도체 생산용 G10-AsP MOCVD 시스템의 고객 인증을 발표했습니다.
SVTA(SVT Associates)와 Semicore Equipment Inc.는 대학, 국립 연구소 및 초기 단계 소자 개발 애플리케이션을 대상으로 연구용 및 파일럿 라인용 MBE 및 PVD 시스템을 제공하며, SVTA는 첨단 연구 애플리케이션용 산화물 MBE에 특화되어 있습니다. Denton Vacuum은 학술 및 전문 연구개발 환경에서 널리 사용되는 벤치톱 및 소형 스퍼터링·증착 시스템을 제공합니다. PSR Semi와 KDF Electronic & Vacuum Services는 기존 증착 장비의 생산 수명을 연장하려는 비용 민감형 팹 운영 기업을 대상으로 기존 설치 기반 유지보수를 위한 장비 서비스, 개조 및 부품 지원을 제공합니다. Yunmao Technology와 ZLD Technology는 성숙 공정 노드용 증착 장비에 대한 중국 국내 수요를 겨냥하는 신흥 중국 장비 공급업체로, 중국 반도체 제조 생태계 전반에서 국내 조달을 우대하는 국가 차원의 대체 정책 프레임워크에 힘입어 성장하고 있습니다.
19.7% 시장 점유율
2025년 합산 시장 점유율은 45.9%
박막 반도체 증착 산업 뉴스
시장 집중도 점수
박막 반도체 증착 시장은 집중도 척도에서 10점 만점에 6점을 기록해 중간 수준의 집중도를 나타냅니다. 상위 5개 공급업체(Applied Materials 19.7%, Lam Research 14.6%, TEL 5.1%, ASM International 4.4%, Kokusai Electric 2.1%)가 전 세계 매출의 45.9%를 합산해 차지하고 있으며, 나머지 54.1%는 중견·지역·틈새 플랫폼 공급업체로 구성된 광범위하고 분산된 시장 구도에 분배되어 있습니다.
박막 반도체 증착 시장 조사 보고서는 다음 부문에 대해 2022년부터 2035년까지의 매출(백만 미국 달러) 기준 추정 및 전망을 포함한 산업 심층 분석을 제공합니다.
증착 기술별 시장
용도별 시장
최종 사용자별 시장
위 정보는 다음 지역 및 국가를 대상으로 제공됩니다.
연구 방법론, 데이터 소스 및 검증 프로세스
이 보고서는 직접적인 산업 대화, 독자적인 모델링, 엄격한 교차 검증을 기반으로 한 구조화된 연구 프로세스에 기반하며, 단순한 데스크 리서치가 아닙니다.
6단계 연구 프로세스
1. 연구 설계 및 애널리스트 감독
GMI에서 우리의 연구 방법론은 인간 전문 지식, 엄격한 검증, 그리고 완전한 투명성의 기반 위에 구축되었습니다. 우리 보고서의 모든 통찰, 트렌드 분석 및 예측은 고객의 시장 뉴앙스를 이해하는 경험 있는 애널리스트에 의해 개발됩니다.
우리의 접근 방식은 업계 참여자 및 전문가와의 직접적인 교류를 통한 광범위한 1차 연구를 통합하고, 검증된 글로볌 출처의 포괄적인 2차 연구로 보완합니다. 원본 데이터 소스에서 최종 인사이트까지 완전한 추적성을 유지하면서 신뢰할 수 있는 예측을 제공하기 위해 정량화된 영향 분석을 적용합니다.
2. 1차 연구
1차 연구는 우리 방법론의 추출이며, 전체 인사이트의 약 80%를 기여합니다. 분석의 정확성과 깊이를 보장하기 위해 업계 참여자와의 직접적인 교류가 포함됩니다. 우리의 구조화된 인터뷰 프로그램은 C-suite 임원, 이사 및 주제 전문가들의 입력을 받아 지역 및 글로볌 시장을 다룹니다. 이러한 상호 작용은 전략적, 운영적, 기술적 관점을 제공하여 종합적인 인사이트와 신뢰할 수 있는 시장 예측을 가능하게 합니다.
3. 데이터 마이닝 및 시장 분석
데이터 마이닝은 우리 연구 프로세스의 핵심 부분으로, 전체 방법론의 약 20%를 기여합니다. 주요 플레이어의 수익 점유율 분석을 통해 시장 구조 분석, 업계 트렌드 식별, 거시경제 요인 평가가 포함됩니다. 관련 데이터는 유료 및 무료 출처에서 수집되어 신뢰할 수 있는 데이터베이스를 구축합니다. 이 정보는 유통업체, 제조업체, 협회 등 주요 이해관계자의 검증을 받아 1차 연구와 시장 규모 산정을 지원하기 위해 통합됩니다.
4. 시장 규모 산정
우리의 시장 규모 산정은 상향식 접근 방식에 기반하며, 1차 인터뷰를 통해 직접 수집된 기업 수익 데이터와 함께 제조업체의 생산량 수치 및 설치 또는 배포 통계를 활용합니다. 이러한 입력값들을 지역 시장 전반에 걸쳐 종합하여 실제 산업 활동에 기반한 글로벌 추정치를 도출합니다.
5. 예측 모델 및 주요 가정
모든 예측에는 다음 사항에 대한 명시적인 문서화가 포함됩니다:
✓ 핵심 성장 원동력 및 가정된 영향
✓ 저해 요인 및 완화 시나리오
✓ 규제 가정 및 정책 변화 리스크
✓ 기술 수용 곡선 매개변수
✓ 거시경제 가정 (GDP 성장률, 인플레이션, 통화)
✓ 경쟁 역학 및 시장 진입/이탈 예상
6. 검증 및 품질 보증
마지막 단계에서는 도메인 전문가들이 필터링된 데이터를 수동으로 검토하여 자동화 시스템이 놀칠 수 있는 뉘앙스와 맥락적 오류를 식별하는 인간 검증이 포함됩니다. 이 전문가 검토는 품질 보증의 중요한 층을 추가하여 데이터가 연구 목표 및 도메인별 기준에 부합하는지 확인합니다.
당사의 3단계 검증 프로세스는 데이터 신뢰성을 최대화합니다:
✓ 통계적 검증
✓ 전문가 검증
✓ 시장 현실 검토
신뢰와 신용
검증된 데이터 소스
무역 간행물
보안 및 방위 산업 저널 및 무역 출판물
산업 데이터베이스
자체 및 제3자 시장 데이터베이스
규제 신고서류
정부 조달 기록 및 정책 문서
학술 연구
대학 연구 및 전문 기관 보고서
기업 보고서
연간 보고서, 투자자 프레젠테이션 및 공시 자료
전문가 인터뷰
C레벨 임원, 구매 담당자 및 기술 전문가
GMI 아카이브
30개 이상의 산업 분야에 걸친 13,000건 이상의 발행 연구
무역 데이터
수출입 물량, HS 코드 및 세관 기록
연구 및 평가된 매개변수
이 보고서의 모든 데이터 포인트는 1차 인터뷰와 실제 상향식 모델링 및 철저한 교차 검증을 통해 검증됩니다. 당사 연구 프로세스에 대해 읽어보세요 →