メモリスタ市場 サイズとシェア 2026-2035

メモリスタ市場規模

世界のメモリスタ市場は、2025年に4億3,650万米ドルに達した。最新のGlobal Market Insights Inc.のレポートによると、市場規模は予測期間中、年平均成長率（CAGR）30.2%で、2026年の5億6,620万米ドルから2031年には21億米ドル、2035年には61億米ドルへ拡大すると予測されている。

成長の進展は、不揮発性デバイスが、量産半導体プログラムに必要な歩留まり、データ保持特性、精度を損なうことなく、ディスクリート用途や組み込みメモリ用途から、認定済みのメモリ内演算およびセキュリティアーキテクチャへ移行できるかどうかに左右される。

メモリスタは、印加された電気刺激の履歴によって抵抗値が変化し、電源が切れた後もその状態を保持する2端子デバイスである。この特性により、データの保存に加え、クロスバー構成では同一の物理アレイ上でアナログ行列・ベクトル演算を実行できる。そのため、エッジ推論、永続的な組み込みメモリ、ハードウェア・ルート・オブ・トラスト設計において重要な技術となっている。^[1]mdpi.comしたがって、商業的な価値は、フラッシュメモリやDRAMを一度に置き換えることではない。特定のワークロードにおいてメモリとプロセッサー間のデータ転送をなくしながら、システムがアイドル状態にある場合でも不揮発性を維持できる点にある。

抵抗変化型メモリスタ（RRAM）は、2025年に1億9,570万米ドルを占め、相変化メモリスタ（PCM）の1億3,010万米ドル、スピントロニクス型メモリスタの5,270万米ドル、強誘電体メモリスタの4,610万米ドル、その他の技術の1,190万米ドルを上回った。RRAMが短期的に優位に立つのは、その材料および後工程への統合経路が、組み込み不揮発性メモリの用途に適合しているためである。PCMは、技術別では約31.8%と最も高いCAGRを示す。これは、ドリフトとプログラミング精度を制御できれば、その多値コンダクタンスによってアナログ演算のワークロードに対応できるためである。低ドリフトSiSbTe PCMに関する研究は、後者の機会において、単純なスイッチング性能ではなく材料の安定性が重要である理由を示している。^{[2]research.ibm.com}

供給面の環境はより整いつつあるが、認定リスクがなくなるわけではない。米国CHIPS法に基づきMicronに付与された、アイダホ州およびニューヨーク州のプロジェクト向けインセンティブは最大61億6,500万米ドルに上り、国内の先端メモリ・エコシステムを強化している。欧州では、規則（EU）2023/1781により、半導体の生産能力と設計能力を強化するためのChips Actの枠組みが確立された。これらの措置はメモリスタに対する直接的な需要を生み出すものではないが、実際には、新興メモリ技術が生産工程への導入を目指す際の基盤となるプロセス開発、パッケージング、顧客認定の裾野を広げる効果がある。

したがって、予測の成否を左右するのは、一般化されたAI支出の議論というより、設計イネーブルメントである。ライセンス供与され、特性評価済みのプロセスオプションにより、メモリスタの能力はファブレス顧客がテープアウトできる形に変換される。これに対し、再現性のあるウェハーレベルの動作を伴わない、アレイレベルで印象的なエネルギー効率の結果は、購買価値が限定的である。プロセスIP、試験データ、利用しやすい設計フローを組み合わせるサプライヤーは、研究用ハードウェアから評価・認定済みの組み込み製品および推論製品への移行を取り込む立場にある。

主な成長要因

AI推論およびニューロモーフィック・ワークロード

アナログ・クロスバーは、コンダクタンス状態として重みを表現し、アレイを介して行列ベクトル乗算を実行できるため、メモリと演算装置の間で重みを繰り返し移動させる必要性を低減する。2025年の、しきい値近傍で動作するメモリスタ・コンピュートインメモリ・エンジンに関する研究は、チップ外メモリへのデータ転送がエネルギー予算の大部分を占める可能性があるエッジインテリジェンスにおいて、このアプローチが重要であることを示している。^{[3]nature.com} IBMのディスク型PCMに関する研究では、約40 μAの書き込み電流と、3桁を超える範囲にわたる抵抗ウィンドウが報告されており、これらの特性はアナログ重みの制御性向上を意図したものである。こうした成果はAI推論が需要の成長要因となることを示す一方、商業的価値は、デバイスばらつきと周辺回路の変換処理を考慮した後もモデル精度を維持できるかどうかに左右される。

低消費電力の組み込み不揮発性メモリ

組み込みシステムでは、常時電力を供給しなくても、コードの保持、構成情報の保存、イベントの記録を行う必要がある。RRAMは、不揮発性素子をチップの相互接続層に組み込めるため、従来の組み込みフラッシュを先端ロジックに統合することが難しくなる場合に有望である。2025年12月に発表されたWeebit NanoのTexas Instrumentsとのライセンス契約は、メモリIPから先端組み込みプロセスの顧客へと至る具体的な道筋を示す例である。需要が最も強いのは、独立したメモリ部品やフラッシュ互換プロセスモジュールを不要にすることで、電力、面積、またはプロセスノードの選択に利点が生じる製品である。

データセンターおよびハイパフォーマンス・ストレージの要件

データセンターの需要はAIアクセラレーターに限られない。電源イベント発生時にもデータを保持できる永続メモリはストレージサブシステムに価値をもたらす一方、アナログ演算アーキテクチャは推論用途で評価が進められている。Everspinの1 Gb PERSYST STT-MRAMはIBM FlashCore Module 4向けに採用された。これは2024年4月の設計採用実績であり、スピントロニクス永続メモリ製品とエンタープライズストレージを結び付けるものである。この導入は、DRAMやNANDを広範に代替できることを示すものではないが、不揮発性と帯域幅がシステムレベルで規定される、より短期的な商業化への道筋を示している。

エッジおよび産業用IoTの導入

エッジ環境では、メモリ技術は低消費電力、データ保持性、ローカル処理、用途固有の信頼性という相反する要件を満たす必要がある。メモリスタアレイは、センサー処理経路の近くに重みを保持でき、確率的スイッチングは物理的複製困難関数や乱数生成にも利用できる。調整可能な確率的メモリスタに関する研究は、後者のセキュリティ用途を支えている。経済的メリットが最も大きいのは、クラウド接続、バッテリー交換、または外部に露出したセキュリティバスのコストが高い領域である。そのため、この機会は IoT エンドポイントの広範な導入基盤全体に比べ、より選択的なものとなる。

プロセス統合と製造の進展

製造技術の進展により、実現可能性のあるアーキテクチャの範囲が広がっている。4DS Memory は、4.7 ns の書き込み速度のマイルストーンと、カスタム PCMO ReRAM テストチップに関する Infineon との 2024年12月の設計契約を報告した。別途、TetraMem と SK hynix による論文では、深さ方向畳み込み向けに 21.3 TOPS/W を実現する 65 nm メモリスタベースのインメモリコンピューティング SoC が説明されている。これらのマイルストーンが重要なのは、プロセス統合とシステム統合を同時に検証し、材料の実証と設計可能な製品との隔たりを縮めるためである。

主な抑制要因

技術ばらつきと信頼性

多くの RRAM デバイスでは、フィラメントの形成と消失が確率的に生じる。その結果として発生するデバイス間およびサイクル間のコンダクタンスのばらつきは、読み出しマージン、アレイのプログラミング、アナログ推論の精度に影響を及ぼす。メモリスタ型ニューロモーフィックハードウェアに関するレビューでは、ばらつき、非線形性、耐久性、アレイレベルの寄生要素が、主流導入に向けた継続的な障害として特定されている。コストはセルに限定されない。冗長化、キャリブレーション、セレクター、エラー補償、大型の周辺回路により、デバイスレベルで想定された密度およびエネルギー面の優位性が薄れる可能性がある。

製造成熟度とスケーラビリティ

実用性のある量産メモリには、ウェハー、プロセスコーナー、温度、保持時間、顧客認定条件全体にわたる再現性の高い動作が必要である。量産対応のメモリスタ PDK と統計モデルの導入基盤は、確立された組み込みフラッシュに比べて依然として限定的である。溶液プロセス型メモリスタに関するレビューでは、性能の主張が限られたデバイスサンプルや、対象規模の用途には適用できない試験プロトコルに依存する可能性があると警告している。このことは、認定にかかる経済性を抑制要因にしている。顧客は新たなメモリの選択肢を評価していても、ファウンドリ、テストフロー、信頼性に関する証拠が十分に成熟し、テープアウトのリスクを低減できるまで、導入を見送る可能性がある。

この違いにより、市場は二極化している。組み込み不揮発性メモリ向けプログラムは、アナログコンピューティングがコンダクタンス制御の制約を受けている間も、ファウンドリ認定や顧客による設計採用を通じて前進する可能性がある。一方、PCMおよびクロスバーのサプライヤーは、ドリフトが小さく再現性のある精度を実証できれば、大幅な成長余地を創出できる。ただし、対象となる売上高は検証の遅延により影響を受けやすい。そのため、調達部門は、発表済みの実証と、設計に組み込むことが可能でサポート対象となるプロセスオプションを区別し、採用計画に認定スケジュールを織り込んで評価すべきである。

メモリスタ市場のセグメント分析

技術別

RRAMの市場規模は、2025年の 1億9,570万米ドルから2035年には 26億3,240万米ドルに拡大し、年平均成長率（CAGR）は約 29.7%になると予測される。商業面での優位性は統合性にある。酸化物ベースのスイッチング層は、CMOSのバックエンド処理と整合させることができ、マイクロコントローラー、センサー、SoCに組み込むマクロを支える。もっとも、この技術が先行しているからといって、ばらつきの影響を受けないわけではない。市場での地位は、ライセンサーとファウンドリが、製品チームにとって統合上の優位性を実用化できるモデル、テスト構造、信頼性データを供給できるかどうかにかかっている。

PCMの市場規模は 1億3,010万米ドルから 20億5,490万米ドルに拡大し、CAGRは約 31.8%となる。成長率が高いのは、アナログコンピューティングにおいて、制御可能な多値コンダクタンスがもたらす潜在的価値を反映している。IBMのSiSbTe PCM研究では、状態に依存しない低抵抗ドリフトと、65°Cで7日間にわたるBERT精度の低下が 2%未満であることが報告されており、アナログ重み記憶における主要な懸念に対応している。スピントロニクス・メモリスタの市場規模は 5,270万米ドルから 6億800万米ドルに拡大し、CAGRは約 27.7%となる。耐久性、熱耐性、または不揮発性記憶特性が重視される分野で、引き続き重要性を保つ。強誘電体メモリスタの市場規模は 4,610万米ドルから 6億7,480万米ドルに拡大し、CAGRは約 30.8%となる。CMOSプロセス開発との親和性が高い酸化ハフニウムが成長を後押しする。その他の技術は 1,190万米ドルから 1億940万米ドルに増加し、CAGRは約 24.8%となる。

メモリ容量別

中密度メモリ（1 Gb〜10 Gb）が容量別売上高をリードし、市場規模は2025年の 1億8,180万米ドルから2035年には 24億3,790万米ドルに拡大する。CAGRは約 29.7%である。この区分は、構成情報の保存容量を大幅に上回る容量を必要とする一方、エンタープライズ規模の容量までは必要としない組み込みシステムに適合する。低密度製品（1 Gb未満）の市場規模は 1億5,940万米ドルから 18億3,600万米ドルに拡大し、CAGRは約 27.7%となる。センサー、ウェアラブル機器、初期段階のクロスバーモジュールなどが用途となる。KnowmのSDCクロスバー製品は、研究およびアプリケーションのプロトタイピングにおいて、利用しやすいデバイスが果たす役割を示している。

高密度メモリ（10 Gb超）の市場規模は 9,540万米ドルから 18億560万米ドルに拡大し、容量別では最も高い約 34.2%のCAGRとなる。このセグメントの成長見通しは、成熟した設置基盤ではなく、将来的なストレージクラスメモリおよびAIインフラの機会を反映している。高密度メモリの採用は、アレイレベルの欠陥制御、セレクターの統合、生産テストに特に左右される。これらの要件により、同セグメントのより速い成長予測は、中密度セグメントよりも製造遅延の影響を受けやすい。

用途別

不揮発性メモリは、2025年における最大の用途であり、ORCA由来の売上高は約1億5,270万米ドルです。2035年には、年平均成長率（CAGR）約26.8%で約16億4,150万米ドルに達すると予測されます。ファームウェア保持と組み込みストレージには明確な仕様と確立された認定プロセスがあるため、同用途は商用化の中核となっています。ニューロモーフィック・AIコンピューティングの市場規模は、2025年の約1億30万米ドルから2035年には約18億8,460万米ドルに拡大し、CAGRは約33.9%と推定されます。同用途の成長は、コンダクタンス状態を重みとして、アレイ電流を計算に利用することによるものですが、実用化における重要な成果は、アレイのピーク効率だけでなく、製造ばらつき全体にわたって精度を維持できるかどうかに左右されます。

エッジコンピューティング・IoTアクセラレーションの市場規模は、約8,730万米ドルから約13億3,750万米ドルへ拡大し、CAGRは約31.2%となります。再構成可能ロジック・アナログコンピューティングは、約5,240万米ドルから約6億6,870万米ドルに増加し、CAGRは約29.2%です。セキュリティ・暗号ハードウェアは、約3,060万米ドルから約4億2,560万米ドルに拡大し、CAGRは約30.1%となります。メモリスタPUFの研究では、デバイス向けに設計されたアーキテクチャにおいて、デバイスのばらつきを信頼性上の問題からエントロピー源へ転換できることが示されています。^{[4]nature.com}その他の用途は、約1,320万米ドルから約1億2,160万米ドルへ拡大し、CAGRは約24.8%となります。

フォームファクター別

SoC内蔵メモリは最大のフォームファクターであり、2025年の約1億6,590万米ドルから、2035年には約23億6,850万米ドルへ拡大し、CAGRは約30.3%となります。これは短期的な商用モデルに合致しています。すなわち、メモリマクロをより大規模なチップに組み込み、顧客は独立したメモリデバイスではなく、認定済みの設計フローを購入します。スタンドアロンメモリデバイスは、約1億2,220万米ドルから約15億1,990万米ドルへ増加し、CAGRは約28.7%となります。これは、不揮発性メモリおよび産業分野での導入事例に支えられています。

クロスバーアレイ・アーキテクチャは、約8,730万米ドルから約13億3,750万米ドルへ拡大し、フォームファクター別で最も高い約31.5%のCAGRとなります。強みはアレイレベルでの同時演算にありますが、商用化に伴うコストにはDAC、ADC、セレクター、キャリブレーションが含まれ、セルレベルでの効率向上を相殺する可能性があります。ニューロモーフィック・チップセットは、約6,110万米ドルから約8億5,360万米ドルへ増加し、CAGRは約30.0%となります。DARPAのScalable Analog Neural-networksプログラムは2024年12月に開始され、スケーラブルで堅牢なアナログニューラルネットワーク回路を明確に目標としており、これらのアーキテクチャが広範に導入されるまでには、なおエンジニアリング面での取り組みが必要であることを示しています。

最終用途産業別

民生用電子機器は最大の最終用途セグメントであり、2025年の1億2,240万米ドルから2035年には15億6,850万米ドルへ拡大し、CAGRは約29.1%となります。大きな売上基盤は組み込みデバイスの量産効果を反映していますが、価格感応度が高いため、認定とウェハーコストが決定的な要因となります。IT・データセンターは最も速く成長し、1億1,730万米ドルから19億3,330万米ドルへ拡大して、CAGRは約32.4%となります。同分野では、不揮発性ストレージの設計採用と推論アーキテクチャにより、デバイス当たりの付加価値を高められる可能性があります。自動車分野は、6,750万米ドルから9億9,100万米ドルへ拡大し、CAGRは約30.9%となります。熱特性、データ保持、AEC認定が求められるため、同分野は直ちに大量導入が進む市場ではなく、長期サイクル型の市場となっています。

航空宇宙・防衛分野は4,150万米ドルから4億5,600万米ドルへ拡大し、CAGRは約27.1%となる一方、産業製造分野は4,170万米ドルから5億8,970万米ドルへ成長し、CAGRは約30.4%となります。ヘルスケア分野は3,490万米ドルから4億2,560万米ドルへ拡大し、CAGRは約28.4%となります。また、その他の最終用途は11米ドルから増加し、

300万米ドルから1億1,550万米ドルへ、年平均成長率（CAGR）約26.1%で拡大する。これらの分野全体では、購入の意思決定は一律のメモリ性能ベンチマークではなく、耐久性、電力、セキュリティ、認定コストの相対的重要性によって左右される。

中間に位置する技術と用途が重要なのは、技術的能力を信頼できる顧客学習へと転換できるためである。スタンドアロン製品と低密度クロスバーが導入実績を創出し、組み込みマクロが再現性のある設計採用実績を生み、その後に初めて高密度アーキテクチャやアナログコンピューティングアーキテクチャを拡大できる。すべてのセグメントに同じ商用化モデルで取り組む企業は、リソース配分を誤るリスクがある。組み込み市場ではIPサポートと認定が決定的である一方、メモリ内演算市場ではアルゴリズムとハードウェアの協調設計および周辺回路の効率が決定的となる。

メモリスタ市場の地域別分析

北米

北米の市場規模は2025年に1億5,630万米ドルに達し、2035年には20億9,740万米ドルに拡大すると予測され、年平均成長率（CAGR）は約29.7%となる。米国は1億3,660万米ドルから18億5,200万米ドルへ、年平均成長率約29.8%で拡大する一方、カナダは1,970万米ドルから2億4,540万米ドルへ、年平均成長率約28.7%で成長する。同地域には、AIシステム開発企業、メモリおよびIPサプライヤー、政府支援による半導体投資が集積している。北米で認定された参加企業には、Avalanche Technology Inc.、Everspin Technologies Inc.、Micron Technology Inc.、Western Digital Corporationに加え、Crossbar Inc.とKnowm Inc.が含まれる。EverspinによるIBM向けストレージ導入は、地域需要が量販部品のサイクルではなく、エンタープライズ向け認定から始まり得ることを示している。^{[5]investor.everspin.com}

欧州

欧州の市場規模は2025年の1億430万米ドルから2035年には12億8,890万米ドルへ、年平均成長率約28.6%で拡大する。ドイツは3,000万米ドルから3億6,600万米ドルへ、英国は2,200万米ドルから2億9,510万米ドルへ、フランスは2,000万米ドルから2億5,650万米ドルへ、イタリアは1,280万米ドルから1億5,470万米ドルへ、スペインは860万米ドルから1億180万米ドルへ増加する。ロシアを含むその他の欧州地域は、1,090万米ドルから1億1,470万米ドルへ拡大する。欧州の自動車・産業基盤は、認定に関する厳格な管理が競争優位となり得る組み込みメモリの導入に適している。対象範囲に含まれる地域企業はSTMicroelectronicsである。Chips Actはエコシステム強化の政策枠組みを提供するが、商業的な牽引力は今後も、顧客固有の信頼性要件とプロセスノード要件に左右される。^{[6]eur-lex.europa.eu}

アジア太平洋

アジア太平洋地域は最も速い成長が見込まれ、2025年の1億4,100万米ドルから2035年には24億750万米ドルに拡大し、年平均成長率（CAGR）は約32.8%となる。中国は5,540万米ドルから10億630万米ドルへ、約33.6%のCAGRで成長する。インドは2,420万米ドルから5億560万米ドルへ、約35.5%のCAGRで成長する。日本は2,650万米ドルから4億3,340万米ドルへ、約32.3%のCAGRで成長する。韓国は2,190万米ドルから3億3,700万米ドルへ、約31.4%のCAGRで成長する。オーストラリアは470万米ドルから5,540万米ドルへ、約28.0%のCAGRで成長する。その他のAPAC地域は830万米ドルから6,980万米ドルへ拡大する。Panasonic Corporation、RAMXEED、4DS Memory Limited、SK hynix Inc.、Toshiba Corporation、TSMCが対象範囲に含まれる認定企業である。

同地域の成長は、メモリメーカー、ファウンドリ、電子機器組立拠点の集積に加え、AIおよびエッジデバイス需要の拡大を反映している。TetraMemとSK hynixによる実証は、研究室内に限定されたプラットフォームではなく、コンピューティング・イン・メモリ（compute-in-memory）アーキテクチャを大手メモリメーカーと結び付けている点で、特に重要である。インドの予測成長率が高いのは、より小規模な売上高基盤からの拡大であることを踏まえて解釈する必要がある。この成長を実現するには、現地の設計力と電子機器需要を、認定済みデバイスプログラムへと結び付けなければならない。

ラテンアメリカ

ラテンアメリカは、2025年の1,890万米ドルから2035年には1億7,020万米ドルへ拡大し、CAGRは約24.5%となる。ORCAから導出した比率を承認済みの地域合計に適用すると、ブラジルが同地域の約55%、メキシコが約30%、アルゼンチンが約15%を占める。これらの比率から、2025年および2035年の概算市場規模は、ブラジルが1,040万米ドルおよび9,360万米ドル、メキシコが570万米ドルおよび5,110万米ドル、アルゼンチンが280万米ドルおよび2,550万米ドルとなる。普及は、大規模な国内先端メモリ製造基盤ではなく、自動車、産業機器、コネクティビティ機器で使用される輸入組み込み部品に集中すると見込まれる。

中東・アフリカ

中東・アフリカは、2025年の1,600万米ドルから2035年には1億1,550万米ドルへ拡大し、CAGRは約21.7%となる。サウジアラビアは480万米ドルから3,590万米ドルへ、UAEは370万米ドルから2,960万米ドルへ、南アフリカは320万米ドルから2,370万米ドルへ、その他のMEA地域は430万米ドルから2,630万米ドルへ成長する。同地域の成長率が低いのは、先端半導体の設計・製造基盤が比較的小規模であることを反映している。需要は主に、データセンター、インフラ、産業機器、輸入電子機器への導入によって形成されるため、現地でのデバイス革新よりも、認定済み部品とシステムインテグレーターの確保が重要になる。

欧州は、比較的緩やかながらも堅調な成長軌道を描いており、自動車および産業分野の認定サイクルがその動向を左右する。新たなメモリの選択肢は、温度変化、データ保持、製品寿命の面での性能を実証する必要がある。ラテンアメリカとMEAは、世界的な部品供給の時期と可用性への依存度が高い。したがって、地域戦略は認定エコシステムを軸に構築すべきである。具体的には、数量確保に向けたアジアのファウンドリへの組み込み、コンピューティングおよびストレージの検証に向けた北米のシステムパートナーとの連携、信頼性を重視する用途に向けた欧州の自動車分野での導入経路が挙げられる。

メモリスタ市場のシェアと競争環境

2025年の市場では、Crossbar Inc.が17.2%、Knowm Inc.が12.8%、Intel Corporationが11.5%、IBM Corporationが8.2%、Samsung Electronicsが6.8%を占め、その他の参加企業が43.5%を占めている。この分布は、知的財産（IP）の保有、プロトタイプの入手可能性、プロセス上の関係、大手企業の研究プログラムが共存する市場構造と整合している。市場シェアは、均一な製品カテゴリーを示す指標ではない。研究用デバイスの供給企業、IPライセンサー、永続メモリのベンダー、半導体メーカーでは、バリューチェーンの異なる部分を収益化している。

対象範囲における世界の主要企業は、Crossbar Inc.、Samsung Electronics、Intel Corporation、Knowm Inc.、IBM Corporationである。CrossbarのDARICプラットフォームは、ReRAMとセキュアプロセッシングの統合を軸として位置付けられている一方、KnowmのSDCクロスバーは商用利用可能な研究用ハードウェアを提供している。IBMのPCM研究は、アナログ・インメモリ・コンピューティングにおけるデバイス動作に集中しており、SamsungとIntelは製造能力と先端アーキテクチャーの能力を有している。両社を含む各社の競争上の差別化は、デバイス物理を、サポート体制を備えた設計フローおよび顧客認定済み製品へと転換できるかどうかに左右される。

対象範囲に含まれる北米企業は、Avalanche Technology Inc.、Everspin Technologies Inc.、Micron Technology Inc.、Western Digital Corporationである。アジア太平洋地域の参加企業は、Panasonic Corporation、RAMXEED、4DS Memory Limited、SK hynix Inc.、Toshiba Corporation、TSMCであり、欧州ではSTMicroelectronicsが対象となる。また、Weebit Nanoは特定ニッチ市場の破壊的企業として位置付けられている。最も重要な競争は、単なるメモリセルの仕様をめぐるものではない。ファウンドリー統合、特性評価データ、顧客サポート、そして複数四半期にわたる認定サイクルに対応する能力をめぐる競争である。Weebit NanoとTexas Instrumentsのライセンス契約、および4DS MemoryとInfineonの設計契約は、パートナー主導の検証の重要性を示す例である。^{[7]weebit-nano.com[8]4dsmemory.com}

最近の業界動向

Weebit Nano、Texas InstrumentsにReRAM技術をライセンス供与 — 2025年12月29日

Weebit Nanoは、IPライセンス、技術移転、ならびにTIの先端組み込みプロセッシングノードにおけるWeebit ReRAMの設計および認定を対象とするライセンス契約をTexas Instrumentsと締結したと発表した。この契約により、同技術をTIの顧客基盤へ導入する道筋が形成される。IPが量産を想定した組み込みプロセスと結び付く点で、重要な動きである。

EverspinのPERSYST 1 Gb STT-MRAM、IBM FlashCore Module 4に採用 — 2024年4月30日

Everspinは、IBMが同社のPERSYST EMD4E001G 1 Gb STT-MRAMをFlashCore Module 4向けに採用したと発表した。同製品は、DDR4インターフェースで2.7 GB/sの読み書き帯域幅と即時不揮発性を備える仕様であり、今回の発表は将来的な技術主張ではなく、企業向けストレージへの具体的な導入を示すものである。

4DS Memory、Infineonと450万米ドルの設計契約を締結 — 2024年12月17日

4DS Memoryは、15-month、450万米ドルの設計契約をInfineonと締結したと公表した。この契約は、imecおよび台湾の大手ファウンドリーが関与する、カスタムPCMO ReRAMメモリテストチップを対象としている。この取り決めは、4DSが報告した4.7 nsの書き込み速度達成および20 nmプロセスのチューニング作業に続くものである。

TetraMemとSK hynix、メモリスターベースのAI SoCを共同発表 — 2025年

TetraMemとSK hynixは、深さ方向畳み込み向けの65 nmメモリスターベース・インメモリ・コンピューティングSoCについて報告した。同論文では、100 MHzで21.3 TOPS/W、対象となる深さ方向レイヤーで約100%の重み利用率を達成したと報告されている。