Marché des transistors de puissance GaN Taille et part 2026-2035

Taille du marché des transistors de puissance GaN

Le marché des transistors de puissance GaN était évalué à 511,3 millions de dollars américains en 2025. Il devrait atteindre 667,8 millions de dollars américains en 2026, afficher un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 31,8 % sur la période 2026–2035 et atteindre 7,99 milliards de dollars américains d’ici 2035.

Le marché mondial des transistors de puissance GaN passe de l’adoption au stade de la conception à un déploiement plus large sur différentes plateformes, les concepteurs de systèmes électriques privilégiant la fréquence de commutation, le rendement de conversion et la réduction de l’encombrement des composants passifs. La demande est portée par la convergence entre la mobilité électrifiée, les infrastructures informatiques à plus forte densité et les équipements de conversion d’énergie, tandis que l’adoption commerciale reste tributaire des délais de qualification, de l’échelle de production et du coût des systèmes.

Tendances du marché des transistors de puissance GaN, moteurs de croissance et perspectives prévisionnelles de GMI

Les architectures électriques des véhicules électriques et les infrastructures informatiques axées sur l’IA génèrent simultanément une demande de systèmes de conversion compacts et à haut rendement. Une pénétration plus large dépendra de la capacité de la fabrication sur tranches de 200 mm, de l’offre qualifiée et des architectures intégrées des composants à réduire les contraintes d’ingénierie et d’approvisionnement, qui restent importantes dans les conceptions sensibles aux coûts.

Principaux moteurs de croissance

*Les éléments probants s’appuient sur des données externes citées ; les implications pour la demande et les conditions des prévisions relèvent de l’analyse de GMI.*

La demande automobile revêt une importance particulière, car les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels tirent parti du fonctionnement à haute fréquence, qui permet de réduire la taille des composants magnétiques, les besoins en gestion thermique et l’encombrement des systèmes. Une fois le fournisseur de composants qualifié pour une plateforme automobile, il peut bénéficier d’une opportunité de production sur plusieurs années, ce qui rend les contrats de conception remportés dans l’automobile plus pérennes commercialement que les substitutions de composants ponctuelles.

L’alimentation des centres de données constitue un autre vecteur de demande. La densité accrue des racks fait des pertes de conversion et du volume des alimentations des contraintes opérationnelles, plutôt que de simples considérations de conception secondaires. Le GaN peut aider les fournisseurs d’équipements à améliorer la densité de puissance des alimentations des serveurs et des étages de conversion sur bus intermédiaire. Toutefois, le rythme de l’adoption dépendra des évolutions architecturales et des cycles d’approvisionnement des opérateurs hyperscale, et non de la seule demande d’électricité.

Les coûts de fabrication prennent une importance croissante pour le marché adressable. Des formats de plaquettes plus grands peuvent améliorer le nombre de puces produites et la régularité des procédés, mais les avantages commerciaux dépendent de la capacité qualifiée des fonderies, de l’amélioration des rendements, de la disponibilité des solutions de conditionnement et de la capacité des fournisseurs à convertir la baisse des coûts de fabrication en valeur à l’échelle du système pour les équipementiers.

Principaux freins du marché

*Les éléments probants s’appuient sur des données externes citées ; les implications pour la demande et les conditions des prévisions relèvent de l’analyse de GMI.*

La disponibilité du gallium constitue un enjeu stratégique, car elle influe à la fois sur l’approvisionnement en matériaux et sur la crédibilité des plans d’expansion en dehors des centres d’approvisionnement établis. Les entreprises du secteur des composants qui diversifient leurs relations avec les fournisseurs de plaquettes, sécurisent leurs approvisionnements et qualifient des circuits de production alternatifs sont mieux placées pour transformer l’intérêt des clients en programmes de production fiables.

La question des coûts doit être envisagée à l’échelle du système, et non sous le seul angle d’une comparaison du prix des transistors. Dans les applications où la compacité est déterminante, une fréquence de commutation plus élevée peut compenser le coût des composants grâce à des éléments passifs plus petits et à des exigences moindres en matière de conception thermique. En revanche, dans les équipements industriels soumis à des exigences moins strictes en matière de densité, l’intérêt économique du remplacement d’une solution éprouvée à base de silicium peut rester limité jusqu’à ce que l’intégration et l’augmentation des volumes de production réduisent le coût total de mise en œuvre.

La qualification automobile impose également des contraintes de calendrier à la participation des fournisseurs. La validation de la fiabilité, l’évaluation propre à chaque constructeur automobile et le gel de la conception des plateformes peuvent retarder le démarrage de la production, même lorsque les performances des composants sont convaincantes. Cela favorise les fournisseurs qui établissent tôt les preuves de qualification et nouent des relations avec les clients au cours d’un programme automobile.

Analyse par segment du marché des transistors de puissance GaN

Par forme de produit

Les transistors de puissance GaN discrets représentaient 56,0 % du chiffre d’affaires du marché en 2025 et devraient générer 3,83 milliards de dollars américains d’ici 2035. Cette catégorie conserve une large base de conceptions installées, car elle offre aux ingénieurs en systèmes d’alimentation la flexibilité nécessaire pour choisir les pilotes, les boîtiers et les architectures de commande. Sa pertinence durable dépendra de la capacité des fournisseurs à adapter les solutions discrètes à des exigences plus élevées en matière de tension et de fiabilité, tandis que les solutions intégrées réduisent les efforts de développement pour les plateformes grand public.

Les produits à étage de puissance GaN intégré ont généré 127,8 millions de dollars américains en 2025 et devraient progresser à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 32,6 % sur la période 2026–2035. L’intégration répond à un obstacle pratique à l’adoption du GaN : maîtriser le comportement de commutation sans imposer au constructeur des contraintes importantes en matière de routage, de sélection des pilotes et de réglage. Ce format convient donc particulièrement aux chargeurs rapides, à la conversion CC-CC compacte et aux alimentations informatiques, pour lesquelles la réduction des cycles de développement peut être aussi précieuse que les performances des composants.

Les modules de puissance GaN devraient atteindre 1,96 milliard de dollars américains d’ici 2035 et progresser à un TCAC de 34,9 % sur la période 2026–2035. La demande de modules est liée aux applications qui nécessitent une capacité de gestion du courant, une gestion thermique et une garantie de fiabilité supérieures à celles qu’un seul composant discret peut aisément fournir. Les progrès en matière de boîtiers, de qualification de qualité automobile et de conception de convertisseurs haute puissance pourraient étendre l’utilisation des modules, aujourd’hui réservée à des applications spécialisées, à un éventail plus large de systèmes de mobilité, d’entraînement industriel et de conversion d’énergie.

Par application

Le segment de l’électronique grand public a généré 134,4 millions de dollars américains en 2025 et devrait représenter 19,5 % du chiffre d’affaires du marché d’ici 2035. Les chargeurs rapides ont constitué le premier cas commercial à fort volume pour le GaN, en permettant de réduire la taille des adaptateurs sans sacrifier la puissance de charge. Ce segment reste important pour l’apprentissage industriel et la réduction des coûts, même si les applications énergivores à plus forte croissance devraient modifier sa contribution relative au fil du temps.

Le secteur automobile devrait atteindre 2,46 milliards de dollars américains d’ici 2035 et afficher un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 38,3 % (2026–2035). Les chargeurs embarqués et la conversion CC-CC constituent des points d’entrée intéressants, car les ingénieurs automobiles accordent une grande importance à la densité de puissance, à l’efficacité et à la réduction de la masse. La trajectoire commerciale du segment dépendra du calendrier des programmes automobiles et de la qualification de la fiabilité selon les normes automobiles, ce qui peut favoriser les fournisseurs ayant établi des relations avec des équipementiers de premier rang et dont le comportement des dispositifs a été validé.

Le segment des centres de données et de l’informatique devrait générer 1,30 milliard de dollars américains d’ici 2035 et représentait 14,8 % du chiffre d’affaires du marché en 2025. Les charges de travail liées à l’IA augmentent les besoins en puissance à l’échelle des racks et renforcent l’importance d’une conversion efficace dans les architectures d’alimentation des serveurs. Le potentiel du GaN est le plus important lorsque les fabricants d’équipements ont besoin d’alimentations compactes et de pertes de conversion réduites, mais son adoption restera étroitement liée au calendrier de renouvellement des plateformes et au passage à la distribution haute tension.

Le secteur des télécommunications a généré 49,1 millions de dollars américains en 2025 et devrait représenter 8,2 % du chiffre d’affaires du marché d’ici 2035. La demande est soutenue par le redressement, la conversion de l’alimentation des unités radio et les équipements réseau qui tirent parti d’alimentations compactes et efficaces. Le segment est moins exposé aux exigences les plus ambitieuses des centres de données en matière de densité, de sorte que son déploiement dépend davantage du rythme des investissements dans les réseaux et du remplacement des équipements.

Les applications industrielles ont généré 60,3 millions de dollars américains en 2025 et devraient représenter 10,6 % du chiffre d’affaires du marché d’ici 2035. L’adoption dans l’industrie reste sélective, car les gains de performance doivent compenser les avantages des conceptions éprouvées à base de silicium et le coût de la reconception. Les variateurs de moteur, la robotique, le CVC commercial et les systèmes d’alimentation des usines offrent des perspectives lorsque la compacité ou les performances de commutation présentent un intérêt opérationnel, tandis que les équipements plus classiques devraient effectuer une transition progressive.

Le segment des énergies renouvelables et du stockage de l’énergie représentait 9,5 % du chiffre d’affaires en 2025 et devrait afficher un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 33,3 % (2026–2035). Les onduleurs solaires, les convertisseurs de batteries et les systèmes d’alimentation raccordés au réseau peuvent bénéficier de composants magnétiques plus compacts et d’une meilleure efficacité de conversion. Le potentiel est le plus important lorsque le fonctionnement à haute fréquence réduit la complexité des systèmes auxiliaires, même si les compromis entre coût et performance resteront déterminants pour les développeurs de projets et les fabricants d’équipements.

Le segment Aérospatiale et défense devrait atteindre 207,8 millions de dollars américains d’ici 2035 et afficher un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 35,2 % (2026–2035). Il valorise les solutions compactes de conversion de puissance à hautes performances dans les environnements où le poids, la chaleur et la fiabilité comptent davantage que le seul coût du dispositif. Cela peut favoriser des applications haut de gamme dans le conditionnement de l’énergie, les systèmes sans pilote, les équipements liés aux radars et la gestion de l’alimentation des satellites, bien que les cycles des programmes puissent entraîner des tendances d’approvisionnement irrégulières.

Le segment Santé et médical a généré 6,5 millions de dollars américains en 2025 et devrait atteindre 101,4 millions de dollars américains d’ici 2035. Les équipements de diagnostic portables, les systèmes d’imagerie haute fréquence et les applications spécialisées d’alimentation sans fil offrent des débouchés aux architectures de conversion compactes. L’adoption dépend de la fiabilité des dispositifs, des exigences de validation et de la capacité du GaN à permettre une miniaturisation significative des produits ou à améliorer leurs performances thermiques.

Par tension nominale

Les dispositifs basse tension (≤200 V) ont généré 102,7 millions de dollars américains en 2025 et devraient afficher un TCAC de 28,1 % (2026–2035). Cette catégorie bénéficie d’une utilisation bien établie dans la recharge rapide, les entraînements de moteurs basse tension et l’alimentation des systèmes informatiques. La maturité relativement élevée de sa base d’applications et la concurrence persistante du silicium font de l’intégration des dispositifs et de la simplification des systèmes des leviers importants pour soutenir l’adoption.

Les dispositifs moyenne tension (201–650 V) devraient atteindre 3,43 milliards de dollars américains d’ici 2035 et afficher un TCAC de 33,5 % (2026–2035). Cette plage couvre un large éventail de systèmes commercialement importants, notamment les chargeurs de véhicules, les alimentations pour serveurs, la conversion solaire et les systèmes de commande industriels. Son ampleur en fait un indicateur clé pour évaluer si l’apprentissage lié à la fabrication et l’expansion de l’offre peuvent réduire l’écart de coût avec les solutions de semi-conducteurs de puissance établies.

Les dispositifs haute tension (651–1 200 V) représentaient 41,4 % du chiffre d’affaires en 2025 et devraient générer 3,31 milliards de dollars américains d’ici 2035. L’adoption à haute tension témoigne d’une demande accrue pour des solutions de conversion de puissance plus performantes dans les secteurs industriel, aérospatial et énergétique. La réussite commerciale dépendra de la robustesse des dispositifs, de leur conditionnement et de la capacité à proposer une valeur convaincante face au SiC et aux autres technologies en place dans des environnements d’exploitation exigeants.

Analyse régionale du marché des transistors de puissance GaN

Analyse du marché des transistors de puissance GaN en Amérique du Nord

L’Amérique du Nord a généré 146,0 millions de dollars américains en 2025 et devrait atteindre 2,01 milliards de dollars américains d’ici 2035. Le marché nord-américain des transistors de puissance GaN bénéficie des investissements dans les centres de données dédiés à l’IA, des programmes de véhicules électrifiés et de la demande d’électronique de puissance avancée pour les applications liées à la défense. Les mesures régionales en faveur des capacités nationales dans le secteur des semi-conducteurs pourraient renforcer les options de production, mais les progrès commerciaux dépendront de la rapidité avec laquelle des capacités qualifiées seront mises à la disposition des fournisseurs de dispositifs et de leurs clients.

États-Unis

Les États-Unis ont généré 121,2 millions de dollars américains en 2025 et devraient atteindre 1,67 milliard de dollars américains d’ici 2035. L’informatique hyperscale, la production automobile et les applications gouvernementales à hautes performances constituent une vaste base de demande pour la conversion de puissance avancée. Les initiatives nationales en matière de fonderies pourraient améliorer la résilience de la chaîne d’approvisionnement, même si l’adoption par les clients continuera de dépendre de la qualification, des prix et des exigences de conception propres à chaque plateforme.

Canada

Le marché canadien croît au rythme de l’expansion des centres de données en Amérique du Nord et du développement établi de son secteur manufacturier des technologies propres. La capacité nationale d’assemblage de véhicules électriques et les investissements fédéraux dans les technologies énergétiques propres soutiennent la croissance de la demande pour les applications d’électronique de puissance alignées sur les objectifs climatiques nationaux.

Mexique

Le Mexique sert de plateforme de production pour l’assemblage automobile nord-américain, ce qui en fait un bénéficiaire indirect de l’adoption du GaN dans les chargeurs embarqués et l’électronique de puissance des groupes motopropulseurs des véhicules électriques, à mesure que la production des OEM s’oriente vers des plateformes électrifiées.

Analyse du marché des transistors de puissance GaN en Europe

L’Europe représentait 17,7 % des revenus du marché mondial en 2025 et devrait atteindre 1,41 milliard de dollars américains d’ici 2035. La demande européenne repose sur l’ingénierie automobile, l’automatisation industrielle et les infrastructures d’énergies renouvelables. L’écosystème régional des semi-conducteurs de puissance et l’intérêt des pouvoirs publics pour la fabrication avancée lui confèrent un rôle important dans le développement technologique comme dans le déploiement sur les marchés finaux, en particulier lorsque les réglementations en matière d’efficacité et l’électrification des équipements renforcent la justification économique.

Allemagne

L’Allemagne représentait 25,0 % des revenus du marché européen en 2025 et devrait atteindre 362,5 millions de dollars américains d’ici 2035. Les secteurs automobile et industriel du pays en font un marché important pour la recharge embarquée, la conversion CC-CC et les systèmes d’alimentation électrique des usines. Son rôle de pôle de conception des semi-conducteurs de puissance et d’ingénierie automobile favorise également une collaboration plus étroite entre les fournisseurs de composants, les entreprises de rang 1 et les fabricants d’équipements.

Royaume-Uni

Le Royaume-Uni est un marché actif pour l’adoption du GaN dans les systèmes d’alimentation électrique des centres de données, l’électronique de défense et les infrastructures de recharge rapide qui soutiennent l’objectif gouvernemental d’adoption des véhicules électriques. L’expansion des infrastructures publiques de recharge et la poursuite des achats d’équipements électroniques de défense soutiennent la demande de GaN dans plusieurs segments.

France

La demande de GaN en France est stimulée par l’automatisation industrielle, les achats d’équipements électroniques destinés à l’aérospatiale et à la défense, ainsi que par le développement de plateformes de véhicules électriques par Renault et Stellantis. Les investissements publics dans les capacités nationales de production de semi-conducteurs et la forte densité d’activités manufacturières de haute technologie créent des conditions favorables à l’adoption du GaN, tant du côté de l’offre que de la demande sur les marchés finaux.

Pays-Bas

Les Pays-Bas accueillent d’importantes capacités de centres de données européens exploités par des fournisseurs de services hyperscale, ce qui soutient la demande de GaN pour les infrastructures d’alimentation électrique à haut rendement des serveurs. La présence de NXP Semiconductors renforce la position des Pays-Bas en tant que pôle européen des technologies des semi-conducteurs.

Suède

La demande de GaN en Suède repose sur son secteur de l’automatisation industrielle et sa base de fabrication d’équipements de télécommunications, notamment la production de stations de base 5G d’Ericsson et les activités d’ABB dans l’électronique de puissance pour les entraînements de moteurs industriels et les infrastructures de réseau électrique.

Reste de l’Europe

Les autres marchés européens comprennent des pays d’Europe de l’Est et du Sud où l’adoption du GaN se trouve à différents stades. Elle est soutenue par la fabrication d’électronique industrielle, le développement de projets d’énergies renouvelables et la demande d’importations d’électronique grand public dans l’ensemble du marché unique de l’UE.

Analyse du marché des transistors de puissance GaN en Asie-Pacifique

L’Asie-Pacifique a généré 226,9 millions de dollars américains en 2025 et devrait atteindre 3,99 milliards de dollars américains d’ici 2035. Le marché des transistors de puissance GaN en Asie-Pacifique associe d’importantes capacités de production électronique à une demande croissante dans les domaines des véhicules électriques, de l’informatique et de la conversion d’énergie. Son importance tient à la coexistence d’une grande envergure des marchés finaux, de capacités de fabrication de plaquettes et de conditionnement, ainsi que d’un réseau dense de fabricants d’électronique grand public et de systèmes d’alimentation électrique.

Chine

La Chine représentait 46,0 % des revenus du marché de l’Asie-Pacifique en 2025 et devrait atteindre 2,03 milliards de dollars américains d’ici 2035. Sa position s’explique par la profondeur de ses capacités de fabrication dans les domaines de l’approvisionnement en gallium, du traitement des plaquettes, de l’électronique grand public, des véhicules électriques et des infrastructures de centres de données. Cette présence à différents niveaux de la chaîne de valeur peut raccourcir le délai entre le développement des procédés et leur déploiement à grande échelle, même si les clients internationaux continueront d’évaluer la concentration des sources d’approvisionnement et les risques liés aux achats.

Japon

Le Japon a généré 31,8 millions de dollars américains en 2025 et devrait afficher un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 32,0 % (2026–2035). L’électronique industrielle, la chaîne d’approvisionnement automobile et l’expertise japonaise en dispositifs de puissance génèrent une demande de produits de conversion à haute fiabilité. Les fabricants nationaux établis peuvent soutenir le développement d’applications lorsque la qualité des systèmes électriques, les longs cycles de vie des produits et l’assistance technique revêtent une importance particulière.

Corée du Sud

La Corée du Sud représentait 10,0 % des revenus du marché de l’Asie-Pacifique en 2025 et devrait atteindre 378,8 millions de dollars américains d’ici 2035. La production d’électronique grand public, les chaînes d’approvisionnement liées aux batteries et les investissements dans les semi-conducteurs soutiennent une demande diversifiée. Le marché devrait bénéficier de la recherche d’architectures de conversion plus compactes et plus efficaces par les fabricants de systèmes de recharge, de gestion de l’énergie et de produits électroniques.

Taïwan

Taïwan a généré 27,2 millions de dollars américains en 2025 et devrait enregistrer un TCAC de 33,5 % (2026–2035). Son importance dépasse la demande locale, car son écosystème de fonderies et de conception de systèmes de gestion de l’énergie peut influer sur la disponibilité mondiale des dispositifs. La montée en puissance des capacités et la qualification des clients auprès des partenaires de fabrication locaux seront déterminantes pour la portée commerciale des fournisseurs de GaN au service de clients internationaux de l’électronique de puissance.

Inde

L’Inde a généré 13,6 millions de dollars américains en 2025 et devrait afficher un TCAC de 34,0 % (2026–2035). L’expansion de sa base de fabrication électronique, les investissements dans les centres de données et ses ambitions en matière d’électrification des véhicules soutiennent la demande, qui part toutefois d’un niveau précoce. L’adoption dépendra de l’accessibilité financière des systèmes intégrant du GaN et du développement des capacités nationales de conception, d’assemblage et de fabrication d’équipements électriques.

Reste de l’Asie-Pacifique

Le reste de l’Asie-Pacifique comprend les pôles de fabrication électronique d’Asie du Sud-Est, les achats industriels et de défense de l’Australie ainsi que d’autres marchés où l’adoption du GaN en est à différents stades. La croissance de cet ensemble est inférieure à la moyenne régionale, en raison d’infrastructures technologiques nationales moins avancées et d’une plus forte exposition aux applications grand public sensibles aux coûts.

Analyse du marché des transistors de puissance GaN en Amérique latine

L’Amérique latine représentait 3,3 % des revenus du marché mondial en 2025 et devrait afficher un TCAC de 26,9 % (2026–2035). Les perspectives de la région sont liées aux investissements dans les télécommunications, au développement des centres de données, au déploiement des énergies renouvelables et à l’électrification progressive des transports et de l’industrie. L’adoption devrait rester sélective lorsque le coût des systèmes est déterminant, tandis que les applications d’infrastructure offrant des gains d’efficacité ou un encombrement réduit devraient connaître une adoption plus marquée.

Brésil

Le Brésil représentait 55,0 % des revenus du marché latino-américain en 2025 et devrait atteindre 104,9 millions de dollars américains d’ici 2035. L’envergure de ses activités dans les télécommunications et les centres de données, ainsi que sa production d’énergies renouvelables, lui confère une position de premier plan dans la demande régionale. Le développement de son marché dépendra de l’évolution des importations d’équipements, des investissements industriels locaux et de la rentabilité des systèmes de conversion à haut rendement dans les infrastructures commerciales et énergétiques.

Reste de l’Amérique latine

Les autres marchés d’Amérique latine sont dominés par les infrastructures de télécommunications, l’automatisation industrielle et les premières étapes du développement des centres de données, tandis que l’adoption des véhicules électriques en est à ses balbutiements dans la plupart des pays. La croissance est soutenue par les investissements régionaux dans les TIC et par un meilleur accès à la chaîne d’approvisionnement des semi-conducteurs.

Analyse du marché des transistors de puissance GaN au Moyen-Orient et en Afrique

Le Moyen-Orient et l’Afrique ont généré 31,3 millions de dollars américains en 2025, et le marché devrait atteindre 381,3 millions de dollars américains d’ici 2035. La demande est soutenue par les investissements dans les centres de données du Golfe, les projets d’énergies renouvelables, la modernisation des télécommunications et certaines applications de défense. La croissance de la région variera considérablement d’un pays à l’autre, car les grands programmes d’infrastructure peuvent générer une demande concentrée, tandis que les conditions de financement et les capacités techniques locales influencent le déploiement ailleurs.

Pays du CCG

Les pays du CCG représentaient 57,5 % des revenus du marché du Moyen-Orient et de l’Afrique en 2025, et devraient afficher un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 29,0 % sur la période 2026–2035. Les programmes nationaux d’infrastructures numériques, le développement du cloud et les projets d’énergies renouvelables à grande échelle offrent plusieurs voies d’adoption. La conversion à haut rendement gagne en importance pour les opérateurs qui cherchent à maîtriser l’intensité énergétique des centres de données et à optimiser leurs actifs énergétiques dans des conditions climatiques exigeantes.

Afrique du Sud

L’Afrique du Sud représentait 12,1 % des revenus du marché du Moyen-Orient et de l’Afrique en 2025, et devrait atteindre 43,2 millions de dollars américains d’ici 2035. L’activité industrielle, les investissements dans les télécommunications et le développement des centres de données constituent une base pour la demande en électronique de puissance. Le développement du marché dépendra probablement du rythme des investissements dans les infrastructures, de la situation du réseau électrique et de la rentabilité du déploiement de technologies de conversion avancées dans les systèmes commerciaux.

Reste de la région MEA

Les autres marchés de la région MEA comprennent les pays d’Afrique du Nord où les infrastructures d’énergie solaire se développent, les investissements dans les télécommunications en Afrique subsaharienne et les achats d’électronique de défense en Turquie et en Israël. Ces marchés, qui partent d’une base modeste, progressent grâce au développement de projets d’énergies renouvelables et à la modernisation continue des télécommunications.

Parts de marché et paysage concurrentiel des transistors de puissance GaN

La structure des parts de marché mondiales des transistors de puissance GaN était modérément concentrée en 2025, les cinq principaux acteurs détenant collectivement environ 51 % des revenus mondiaux. L’avantage concurrentiel repose sur l’accès à des capacités de production de plaquettes qualifiées, l’ingénierie d’application, les capacités de conditionnement, l’historique de qualification auprès des clients et la possibilité de proposer des solutions de remplacement crédibles reposant sur des architectures de puissance au silicium, au SiC et au GaN.

Infineon Technologies AG détenait 19,0 % des parts du marché mondial en 2025. Son envergure dans le secteur des semi-conducteurs de puissance et ses relations avec les clients des secteurs automobile et industriel, ainsi qu’avec les fabricants d’alimentations électriques, lui donnent accès à un large éventail de marchés. Son portefeuille GaN permet aux clients d’évaluer cette technologie dans le cadre d’une relation déjà établie avec le fournisseur.

Navitas Semiconductor détenait une part de marché de 9,0 % en 2025. Son architecture intégrée d’alimentation en GaN cible des applications où la réduction de la complexité de conception présente un intérêt commercial, notamment la recharge, l’alimentation informatique et les systèmes de conversion à plus haute densité. La stratégie de fabrication de l’entreprise est particulièrement pertinente alors que les clients recherchent une résilience des capacités de production, en plus des performances des composants.

STMicroelectronics détenait une part de marché de 9,0 % en 2025. Sa capacité à répondre à diverses exigences en matière de tension et d’applications lui permet de se positionner sur des marchés où les fabricants d’équipements d’origine (OEM) privilégient un approvisionnement en semi-conducteurs à long terme, l’assistance applicative et l’intégration des systèmes d’alimentation plutôt qu’un composant GaN autonome.

Texas Instruments Incorporated met au service du déploiement du GaN son expertise reconnue en conception de systèmes de gestion de l’alimentation et son vaste réseau de distribution, en particulier dans les systèmes d’alimentation industriels et d’entreprise. onsemi peut tirer parti de ses positions existantes dans le silicium et le SiC pour accompagner les clients qui étudient les applications du GaN dans les centres de données, la mobilité, les énergies renouvelables et l’industrie. Renesas Electronics Corporation, notamment par l’intermédiaire de son activité GaN Transphorm, reste un acteur pertinent auprès des clients qui privilégient une expertise reconnue en conversion de puissance et une assistance à la qualification des composants.

EPC se concentre sur les applications basse tension et haute fréquence, où une faible inductance parasite et une mise en œuvre compacte sont déterminantes. Power Integrations met l’accent sur des plateformes de conversion hautement intégrées, tandis que ROHM Semiconductor, Nexperia, Panasonic Holdings Corporation, Toshiba Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Alpha & Omega Semiconductor, Sumitomo Electric Industries, Sanken Electric Co Ltd, Innoscience Technology et VisIC Technologies se distinguent par leurs atouts respectifs en matière d’échelle de production, de développement haute tension, de fiabilité automobile, de boîtiers industriels et d’accès aux clients régionaux.

Évolutions récentes du secteur

GlobalFoundries et Navitas Semiconductor ont annoncé en novembre 2025 un partenariat à long terme visant à développer et fabriquer des technologies GaN avancées sur le site de GlobalFoundries à Burlington, dans le Vermont, pour les centres de données dédiés à l’IA et les applications d’alimentation critiques. Cet accord offre à Navitas une voie de fabrication aux États-Unis, tout en soutenant l’expansion de la production de GaN de GlobalFoundries.

onsemi a annoncé en décembre 2025 une collaboration avec GlobalFoundries pour développer des composants d’alimentation GaN de nouvelle génération de 650 V, en s’appuyant sur le procédé eMode GaN sur silicium de 200 mm de GlobalFoundries ^{[4]onsemi. “onsemi to Develop Next-Generation GaN Power Devices with GlobalFoundries.” investor.onsemi.com}. La collaboration cible des applications d’alimentation dans les centres de données dédiés à l’IA, la recharge des véhicules électriques, la conversion solaire, le stockage de l’énergie et les entraînements de moteurs industriels.