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Marché de la mémoire vive dynamique (DRAM) – Par type (DRAM synchrone (SDRAM), DRAM graphique (GDDR), DRAM mobile), par secteur d' 'utilisation finale (automobile, électronique grand public, informatique et télécommunications, soins de santé, aérospatiale et défense) et Prévisions, 2024 - 2032

ID du rapport: GMI11028   |  Date de publication: August 2024 |  Format du rapport: PDF
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Taille du marché de la mémoire d'accès aléatoire dynamique

Le marché dynamique de la mémoire d'accès aléatoire a été évalué à 84,6 milliards de dollars en 2023 et devrait connaître une croissance de plus de 20 % entre 2024 et 2032. Le marché connaît une croissance importante, principalement en raison de la demande croissante de calcul à haute performance dans divers secteurs.

Dynamic Random Access Memory Market

La prolifération d'applications à forte intensité de données, comme l'intelligence artificielle (IA), l'apprentissage automatique et l'analyse des mégadonnées, nécessite une capacité de mémoire substantielle et des vitesses de traitement plus rapides. La capacité de DRAM à fournir un accès rapide aux données, couplée aux progrès des technologies de semi-conducteurs, repousse les limites de la performance de la mémoire, alimentant son adoption dans les systèmes informatiques avancés.

L'expansion du marché de l'électronique grand public, y compris les smartphones, tablettes et consoles de jeu, est à l'origine de la demande de DRAM. Ces appareils nécessitent une mémoire substantielle pour une performance optimale, d'autant plus que les consommateurs recherchent des fonctionnalités plus avancées comme les écrans à haute résolution, la réalité augmentée (AR) et les expériences de réalité virtuelle (VR). L'avènement de la connectivité 5G amplifie encore cette demande, car elle améliore les capacités des appareils et gère le trafic de données croissant des appareils connectés, rendant de plus en plus essentielles des solutions mémoire robustes comme DRAM.

Par exemple, en avril 2024, Micron Technology a obtenu un financement important de 6,14 milliards de dollars américains du Département du commerce des États-Unis dans le cadre de la CHIPS and Science Act afin d'élargir ses pratiques DRAM à Syracuse, New York. Ce mouvement s'inscrit dans la stratégie de Micron's de transférer 40 % de sa production DRAM aux États-Unis, soutenue par d'autres investissements, dont 25 milliards DRAM fab à Boise, Idaho.

L'adoption croissante de l'informatique en nuage et des centres de données contribue de manière significative à la croissance du marché DRAM. Les centres de données ont besoin de grandes quantités de mémoire pour faire face à l'augmentation des besoins de stockage et de traitement des données entraînée par le passage à des services basés sur le cloud. Avec la migration croissante des entreprises vers les environnements cloud, la demande de DRAM dans les serveurs et les systèmes de stockage de données devrait augmenter. En outre, l'évolution des technologies de la mémoire, telles que DDR5 DRAM, qui offre plus de bande passante et d'efficacité, est sur le point de stimuler la croissance du marché dans les années à venir.

Les perturbations de la chaîne d'approvisionnement posent un défi important sur le marché de la DRAM, en particulier parce qu'une grande partie de la production de DRAM est concentrée dans des régions spécifiques comme Taïwan, le Japon et la Corée du Sud. Ces zones sont sujettes à des tensions géopolitiques, à des catastrophes naturelles et à d'autres perturbations qui peuvent avoir de graves répercussions sur la chaîne d'approvisionnement mondiale. Par exemple, les tremblements de terre, les typhons ou l'instabilité politique dans ces régions peuvent entraîner des fermetures d'usines, des retards dans la production et des pénuries dans l'approvisionnement mondial de puces DRAM. Ces perturbations peuvent entraîner des fluctuations importantes des prix des DRAM, ce qui a des répercussions sur les fabricants qui comptent sur un approvisionnement régulier en puces de mémoire pour leurs produits.

Marché dynamique de la mémoire d'accès aléatoire Tendances

Le marché DRAM connaît plusieurs tendances clés, l'une des plus notables étant le passage à des solutions de mémoire à faible puissance et à haute performance adaptées aux applications d'IA et d'apprentissage automatique. Au fur et à mesure que l'IA s'intègre davantage à l'électronique grand public, aux véhicules autonomes et à l'automatisation industrielle, la demande de puces DRAM est de plus en plus forte et permet de traiter des données intensives tout en maintenant l'efficacité énergétique. Le développement des technologies LPDDR5X et DDR5 DRAM, qui offrent une bande passante plus élevée et une consommation d'énergie plus faible, gagne en traction, en raison de la nécessité d'une mémoire plus rapide et plus efficace dans les systèmes informatiques avancés.

Une autre tendance importante est la diversification géographique de la production de DRAM, dans la mesure où les entreprises cherchent à réduire la dépendance à l'égard des centres de fabrication traditionnels en Asie. En réponse aux vulnérabilités de la chaîne d'approvisionnement, les fabricants élargissent leurs installations de production dans d'autres régions, en particulier aux États-Unis et en Europe, grâce à des mesures d'incitation gouvernementales telles que la CHIPS et la Science Act. Ce mouvement vise non seulement à renforcer la résilience de la chaîne d'approvisionnement, mais aussi à répondre à la demande croissante des secteurs émergents comme la 5G, l'IoT et le cloud computing, qui nécessitent des solutions mémoire robustes et fiables.

Par exemple, en avril 2024, Samsung a dévoilé la première puce DRAM LPDDR5X de l'industrie, spécialement conçue pour les applications AI. Cette puce, qui tire parti de la technologie de traitement 12-nanomètres, offre les performances les plus élevées à 10,7 Gbps, améliorant l'efficacité de 25% et la capacité de 30%.

Analyse dynamique du marché de la mémoire d'accès aléatoire

Dynamic Random Access Memory Market Size, By Type, 2022-2032 (USD Billion)

Basé sur le type, le marché est divisé en DRAM synchrone (SDRAM), DRAM graphique (GDDR), DRAM mobile, et autres. Le segment graphique DRAM (GDDR) devrait enregistrer un TCAC de plus de 20 % au cours de la période de prévision.

  • Le besoin croissant de graphismes performants dans le jeu, la réalité virtuelle (VR), la réalité augmentée (AR) et les applications graphiques professionnelles est à l'origine de la demande en RDA. Les applications à forte intensité graphique nécessitent une mémoire plus rapide avec une bande passante élevée, que la RDA fournit par rapport à d'autres types de DRAM.
  • Avec l'augmentation des consoles de jeu avancées, des PC haut de gamme et des postes de travail graphiques sophistiqués, le besoin de performances graphiques supérieures est en train d'augmenter. La mémoire de la RDA, connue pour ses taux élevés de transfert de données et son efficacité, est essentielle pour répondre aux exigences de ces technologies.
Dynamic Random Access Memory Market Share, By End-use Industry 2023

Basé sur l'industrie de l'utilisation finale, le marché dynamique de la mémoire d'accès aléatoire est divisé en automobile, électronique grand public, informatique et télécommunications, soins de santé, aérospatiale et défense, et autres. Le secteur automobile devrait dominer le marché mondial avec un chiffre d'affaires de plus de 100 milliards de dollars en 2032.

  • L'industrie automobile intègre de plus en plus les technologies avancées de l'ADAS, telles que le régulateur de vitesse adaptatif, l'aide à l'entretien des voies et le stationnement automatisé. Ces systèmes dépendent fortement de DRAM pour le traitement en temps réel des données et leur fonctionnement efficace, ce qui entraîne une forte demande de mémoire haute performance.
  • Les véhicules modernes sont équipés de systèmes d'infodivertissement avancés qui offrent des fonctions de navigation, de divertissement et de connectivité. Ces systèmes nécessitent un DRAM important pour gérer des applications complexes et fournir une expérience utilisateur transparente, contribuant à la croissance du segment automobile.
U.S. Dynamic Random Access Memory Market Size, 2022-2032 (USD Billion)

L'Amérique du Nord a dominé le marché mondial dynamique de la mémoire d'accès aléatoire en 2023, représentant une part de plus de 35 %. La croissance de l'Amérique du Nord sur le marché de la DRAM est largement attribuable à la forte infrastructure technologique de la région et à la demande croissante de solutions informatiques de pointe. L'essor des centres de données, de l'informatique en nuage et des applications d'IA a considérablement accru le besoin de mémoire haute performance. De plus, des initiatives gouvernementales comme la Loi sur les produits chimiques et les sciences favorisent la fabrication de semi-conducteurs au pays, réduisent la dépendance à l'égard des importations et renforcent la sécurité de la chaîne d'approvisionnement. L'accent mis par la région sur l'innovation, conjugué à d'importants investissements en R-D, place l'Amérique du Nord comme un acteur clé sur le marché mondial de la DRAM.

Aux États-Unis, le marché DRAM connaît une forte croissance en raison de plusieurs facteurs, dont l'expansion des centres de données, les progrès de l'IA et l'adoption croissante de la technologie 5G. L'accent mis par le gouvernement des États-Unis sur le renforcement de l'industrie nationale des semi-conducteurs grâce à un financement et à des incitatifs importants a également joué un rôle central.

Le marché chinois de la DRAM connaît une croissance importante en raison d'investissements importants dans la fabrication de semi-conducteurs et les progrès technologiques. L'expansion rapide des centres de données, associée à une poussée des applications AI et IoT, stimule la demande de DRAM à haute performance. De plus, l'accent mis par le pays sur la promotion de sa technologie des semi-conducteurs, y compris le développement de puces DRAM de nouvelle génération, soutient cette croissance. Le rôle de la Chine sur le marché mondial de la DRAM se renforce avec l'augmentation de ses efforts de R-D et l'augmentation de ses capacités de production.

La Corée du Sud reste un acteur dominant sur le marché mondial dynamique de la mémoire d'accès aléatoire, en grande partie grâce à son industrie des semi-conducteurs et à des entreprises technologiques de premier plan, telles que Samsung et SK Hynix. Le pays continue d'innover avec les technologies DRAM avancées, y compris les dernières puces DDR5 et LPDDR5X, qui répondent aux exigences croissantes de l'IA, de la 5G et du calcul haute performance. La forte concentration de la Corée du Sud sur la R-D et les investissements substantiels dans l'infrastructure de fabrication de semi-conducteurs sont des facteurs clés de la croissance du marché. De plus, l'importance stratégique du pays en tant que principal fournisseur de DRAM assure son influence et son expansion continues sur le marché mondial.

Par exemple, en avril 2024, SK Hynix a annoncé un investissement de 5,3 billions de couronnes (3,86 milliards de dollars américains) pour la construction d'une nouvelle usine de fabrication DRAM, appelée M15X, en Corée du Sud. L'usine, qui devrait commencer la construction à la fin d'avril et se terminer en novembre 2025, fait partie d'un plan à long terme pour investir plus de KRW 20 billions, renforçant les capacités de production de la société DRAM.

Le marché japonais de la DRAM connaît une résurgence alors que le pays tire parti de son expertise technologique et de ses capacités de fabrication. Les entreprises japonaises se concentrent sur le développement de technologies DRAM de pointe et sur l'amélioration de l'efficacité de la production pour être compétitives sur le marché mondial. L'accent mis par le pays sur des solutions de mémoire fiables et de qualité s'harmonise avec la demande croissante de l'électronique automobile, de l'automatisation industrielle et de l'électronique grand public. Les partenariats stratégiques et les collaborations du Japon avec des entreprises internationales contribuent également à la croissance du marché, car le pays cherche à renforcer sa position dans la chaîne d'approvisionnement mondiale en semi-conducteurs tout en répondant aux demandes nationales et internationales de produits DRAM de pointe.

Part du marché de la mémoire d'accès aléatoire dynamique

Samsung Electronics Co., Ltd et SK Hynix Inc détient une part importante de l'industrie dynamique de la mémoire d'accès aléatoire. Samsung Electronics Co., Ltd. est un leader mondial dans le secteur DRAM, réputé pour sa technologie de mémoire avancée et ses capacités de production étendues. La domination de l'entreprise est soutenue par ses investissements substantiels dans la recherche et le développement, qui stimulent l'innovation dans les solutions de mémoire. Le portefeuille complet de produits de Samsung comprend une large gamme de produits DRAM adaptés à diverses applications, de l'électronique grand public à l'informatique haute performance. Sa forte présence mondiale et sa capacité d'écheller efficacement la production contribuent à sa position de premier plan sur le marché.

 

SK Hynix Inc. détient une part importante du marché DRAM, qui se distingue par ses technologies de pointe en mémoire et ses capacités de fabrication robustes. L'entreprise est connue pour ses progrès technologiques, notamment pour ses solutions DRAM à haute vitesse et ses produits écoénergétiques. Les investissements stratégiques de SK Hynix dans les nouvelles technologies et l'expansion des installations de production renforcent son leadership sur le marché. L'accent mis par l'entreprise sur la satisfaction de l'évolution des besoins de l'informatique haute performance, des appareils mobiles et des centres de données renforce encore sa position dans l'industrie DRAM.

Entreprises dynamiques du marché de la mémoire d'accès aléatoire

Les principaux acteurs de l'industrie sont :

  • Technologies de mémoire ChangXin
  • Micron Technology Inc.
  • Société de technologie Nanya
  • Minerais Fabrication Corp.
  • Samsung Electronics Co. Ltd
  • SK Hynix Inc.
  • Société d'électronique Winbond

Nouvelles de l'industrie de l'accès aléatoire dynamique

  • En juin 2024, Micron Technology a dévoilé sa nouvelle technologie DRAM 1α (1-alpha). Cette avancée permet une plus grande densité et une meilleure efficacité énergétique, permettant des solutions mémoire plus compactes et économes en énergie. La DRAM de 1α noeud est conçue pour supporter une large gamme d'applications, des appareils mobiles aux centres de données, et devrait conduire à des améliorations significatives dans les performances et la durée de vie de la batterie.
  • En novembre 2023, ChangXin Memory Technologies (CXMT) a introduit sa première puce DRAM LPDDR5, ce qui marque un progrès important dans la technologie semi-conducteur du pays. Cette nouvelle puce mémoire, conçue pour les smartphones, réduit l'écart technologique avec les États-Unis et ses alliés, en s'appuyant sur la technologie initialement développée par Samsung en 2018.

Le rapport d'étude dynamique du marché de la mémoire d'accès aléatoire comprend une couverture approfondie de l'industrie avec estimations et prévisions en termes de recettes (en millions de dollars américains) de 2021 à 2032, pour les segments suivants:

Marché, par type

  • DRAM synchrone (SDRAM)
    • DDR2 SDRAM
    • DDR3 SDRAM
    • DDR4 SDRAM
    • Autres
  • Graphique DRAM (GDDR)
    • RDA3
    • RDA5
    • RDA6
  • DRAM mobile
    • LPDDR (DDR de faible puissance)
    • LPDDR2
    • LPDDR3
    • LPDDR4
    • LPDDR5
  • Autres

Marché, par industrie d'utilisation finale

  • Automobile
  • Électronique grand public
  • Informatique et télécommunications
  • Santé
  • Aéronautique et défense
  • Autres

Les informations ci-dessus sont fournies pour les régions et les pays suivants:

  • Amérique du Nord
    • États-Unis
    • Canada
  • Europe
    • Allemagne
    • Royaume Uni
    • France
    • Italie
    • Espagne
    • Reste de l'Europe
  • Asie-Pacifique
    • Chine
    • Inde
    • Japon
    • Corée du Sud
    • NZ
    • Reste de l ' Asie et du Pacifique
  • Amérique latine
    • Brésil
    • Mexique
    • Reste de l'Amérique latine
  • MEA
    • EAU
    • Arabie saoudite
    • Afrique du Sud
    • Reste du MEA

 

Auteurs:Suraj Gujar, Deeksha Vishwakarma
Questions fréquemment posées :
Qui sont les principaux acteurs dynamiques de l'industrie de la mémoire d'accès aléatoire?
ChangXin Memory Technologies, Micron Technology Inc., Nanya Technology Corporation, Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp., Samsung Electronics Co. Ltd, SK Hynix Inc. et Winbond Electronics Corporation
Combien vaut le marché dynamique de la mémoire d'accès aléatoire en Amérique du Nord?
Pourquoi l'utilisation de DRAM augmente-t-elle dans l'automobile?
Quelle est la taille du marché dynamique de la mémoire d'accès aléatoire?
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Détails du rapport Premium

Année de référence: 2023

Entreprises couvertes: 20

Tableaux et figures: 352

Pays couverts: 22

Pages: 210

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