Markt für GaN-Leistungsbauelemente Größe und Anteil 2026-2035

Marktgröße für GaN-Leistungsbauelemente

Der Markt für GaN-Leistungsbauelemente wurde 2025 auf 520,5 Millionen USD bewertet und wird voraussichtlich 2026 711,8 Millionen USD sowie bis 2035 6,5 Milliarden USD erreichen, was einem jährlichen Wachstum (CAGR) von 27,9 % im Zeitraum 2026–2035 entspricht. Der adressierbare Markt umfasst GaN-basierte Schalter, integrierte Leistungs-ICs und Module, die dort eingesetzt werden, wo die Größe des Wandlers, die Leistungsdichte und die Umwandlungsverluste die Systemauslegung maßgeblich beeinflussen.

Das Wachstum wird von mehreren Nachfragepools mit unterschiedlichen Qualifizierungszyklen geprägt. Verbraucher-Schnellladegeräte können integrierte Bauelemente relativ schnell übernehmen, wenn kompakte Bauformen und die thermische Leistungsfähigkeit einen Aufpreis für die Komponente rechtfertigen. Das Laden von Elektrofahrzeugen, industrielle Umwandlung und Stromversorgungsarchitekturen von Rechenzentren entwickeln sich langsamer, da die Bauelementauswahl an die Plattformvalidierung, Sicherheitsanforderungen und langfristige Lieferverpflichtungen geknüpft ist. Der weltweite Absatz von Elektrofahrzeugen erreichte 2023 nahezu 14 Millionen, und die IEA erwartete, dass sich der Absatz 2024 17 Millionen nähern würde. Dadurch vergrößert sich die installierte Basis von Lade- und Fahrzeug-Stromumwandlungsanwendungen, die den Einsatz von GaN-Designs unterstützen können ^{[1]International Energy Agency, Global EV Outlook 2024, Trends in Electric Cars, April 2024, iea.org}.

Der wirtschaftliche Nutzen der Technologie ist dort am größten, wo Schaltverluste und die Größe passiver Komponenten eine Belastung auf Systemebene darstellen. Es wurde prognostiziert, dass sich der Strombedarf von Rechenzentren zwischen 2022 und 2026 mehr als verdoppeln würde, wobei künstliche Intelligenz maßgeblich zu diesem Anstieg beiträgt ^{[2]International Energy Agency, Electricity 2024, Executive Summary, January 2024, iea.org}. Im Bereich der erneuerbaren Energien erreichten die weltweiten Zubauten von Solar-PV-Anlagen 2024 etwa 554–601 GW, wodurch sich die Chancen für effiziente Umwandlungshardware in dezentralen und netzgebundenen Systemen erweitern. Diese Nachfragesignale führen nicht automatisch zu einer Substitution durch GaN; sie erhöhen den Wert kleinerer und effizienterer Leistungsstufen, sofern Qualifizierungs-, Kosten- und Beschaffungsbedingungen erfüllt sind.

Die zentrale Einschränkung besteht darin, dass sich die Nachfrageausweitung und die Widerstandsfähigkeit der Lieferkette mit unterschiedlicher Geschwindigkeit entwickeln. Programme im Automobil- und Infrastrukturbereich können lange Zeiträume für die Design-in-Phase schaffen, während die Konzentration der Galliumversorgung und die Qualifizierungsanforderungen die Versorgungssicherheit zu einem Bestandteil der Beschaffungsentscheidung machen. Lieferanten, die zuverlässige Fertigung, Anwendungsunterstützung und qualifizierte integrierte Produkte kombinieren, sind gut positioniert, um einen überproportionalen Wert zu erfassen, wenn Kunden über die isolierte Bewertung von GaN hinausgehen.

Wichtigste Wachstumstreiber

Steigende Verbreitung von Elektrofahrzeugen (EVs)

Das Wachstum bei Elektrofahrzeugen erweitert den Markt für Bordladegeräte, DC/DC-Wandlung und Ladeinfrastruktur. Die kommerzielle Relevanz von GaN konzentriert sich auf Leistungsstufen, bei denen eine kleinere magnetische Baugruppe, geringere Verluste oder eine höhere Leistungsdichte die Integration im Fahrzeug oder das Ladegerätedesign verbessern können. Die Verkaufsergebnisse der IEA für 2023 und der Ausblick für 2024 zeigen, dass die Elektrifizierung des Verkehrs in Nordamerika, Europa und im Asien-Pazifik-Raum eine umfangreichere Qualifizierungspipeline schafft.

Steigende Nachfrage nach schnellladefähiger Unterhaltungselektronik

Netzteile mit hoher Ausgangsleistung begünstigen Architekturen, die das Gehäusevolumen reduzieren und gleichzeitig die Wärmeentwicklung innerhalb akzeptabler Grenzen halten können. Dies begünstigt integrierte GaN-Leistungs-ICs, da der Anbieter Schalt-, Ansteuerungs- und Schutzfunktionen in einer Bauform integrieren kann, die den Integrationsaufwand auf Leiterplattenebene reduziert. Die Nachfragewirkung ist in der Elektronikfertigungsbasis des Asien-Pazifik-Raums und in den nordamerikanischen Ökosystemen für Premiumgeräte am stärksten, wo kompakte Ladegeräte für mehrere Geräte eine etablierte Produktkategorie darstellen.

Ausbau erneuerbarer Energiesysteme

Der Zubau von Solar-PV-Anlagen in Höhe von etwa 554–601 GW im Jahr 2024 vergrößerte die installierte Basis, die Wandlungs-, Aufbereitungs- und Hardware für die dezentrale Stromversorgung erfordert ^{[3]IEA Photovoltaic Power Systems Programme, Snapshot of Global PV Markets 2025, April 2025, iea-pvps.org}. Die Relevanz von GaN variiert je nach Topologie und Spannungsanforderung; die kurzfristige Chance ist selektiver, als es die Zahlen zum Solarausbau allein vermuten lassen. Wo ein Hochfrequenzbetrieb die Größe passiver Bauteile reduziert oder die Leistungsdichte von Wandlern verbessert, können Anbieter um Anwendungen im Umfeld von Wechselrichtern und in der dezentralen Energieversorgung konkurrieren, während längere Validierungszyklen bei Installationen mit höherer Leistung weiterhin von Bedeutung sind.

Steigender Bedarf an energieeffizienter Leistungselektronik

Der wachsende Bedarf an Rechenleistung macht die Effizienz der Energieumwandlung zu einer Frage der Betriebskosten und nicht nur zu einer Komponentenspezifikation. Eine Analyse der IEA prognostiziert bis 2026 einen starken Anstieg des Stromverbrauchs von Rechenzentren, wobei KI-Workloads eine wesentliche Quelle der zusätzlichen Nachfrage darstellen. Parallel dazu legt die Verordnung (EU) 2023/826 der Kommission Ökodesign-Anforderungen für den Stromverbrauch im Aus-Zustand, im Bereitschaftsmodus und im vernetzten Bereitschaftsmodus fest und stärkt damit den regulatorischen Wert effizienter Stromversorgungsarchitekturen in Europa.

Wichtigste Markthemmnisse

Hohe Herstellungs- und Produktionskosten

GaN-Bauelemente sind mit einem Herstellungs- und Kommerzialisierungsaufwand verbunden, der über den Transistorchip hinausgeht. Epitaxiewachstum, Prozessentwicklung, Gehäusetechnik und Anwendungsvalidierung können die Kosten für den Einstieg in neue Leistungsklassen im Vergleich zu etablierten Siliziumlösungen erhöhen. Größenvorteile in der Produktion können diesen Aufwand verringern: Infineon kündigte im September 2024 eine 300-mm-Leistungs-GaN-Technologie an und verdeutlichte damit das Bestreben der Branche, Wafer-Skaleneffekte zu erzielen, anstatt sich ausschließlich auf Leistungsvorteile zu stützen. Kostensenkungen müssen jedoch mit Ausbeute, Zuverlässigkeit und Kundenqualifizierung einhergehen, bevor sie das Beschaffungsverhalten bei preissensiblen Stromversorgungen verändern.

Beschränkungen bei Lieferkette und Rohstoffen

Die Verfügbarkeit von Gallium bleibt ein strategisches Risiko, da China 2023 etwa 89 % der weltweiten Primärgalliumproduktion auf sich vereinte. China führte ab August 2023 Ausfuhrkontrollanforderungen für Gallium und Germanium ein, wodurch sich für Hersteller außerhalb des Landes zusätzliche Anforderungen an Lizenzen und die Lieferplanung ergaben ^{[4]Ministry of Commerce of the People's Republic of China, Regular Press Conference July 6 2023, July 2023, english.mofcom.gov.cn}. Das daraus resultierende Risiko beschränkt sich nicht auf die Materialverfügbarkeit: Kunden in den Bereichen Automobil, Telekommunikation und Industrie könnten Anbieter bevorzugen, die eine rückverfolgbare Beschaffung und Pläne zur Versorgungskontinuität nachweisen können, gegenüber Anbietern mit dem niedrigsten anfänglichen Preis für das Bauelement.

Die Konzentration der Lieferquellen stellt ein bedeutenderes Markthemmnis dar als ein kurzfristiges Problem bei den Rohstoffpreisen. Risiken im Zusammenhang mit der Galliumbeschaffung und Ausfuhrkontrollen können die Lieferantenqualifizierung verlängern und Multi-Sourcing-Strategien fördern. Investitionen in Größenvorteile, etwa in die 300-mm-GaN-Fertigung, können die Kostenstruktur verbessern. Der kommerzielle Vorteil wird jedoch den Anbietern zugutekommen, die die Produktionsgröße in eine zuverlässige, qualifizierte Versorgung umsetzen.

Segmentanalyse des Marktes für GaN-Leistungsbauelemente

Nach Bauelementetyp

Diskrete GaN-Leistungsbauelemente erzielten 2025 einen Umsatz von 279 Millionen USD und machten 53,5 % des Marktumsatzes aus. Bis 2035 wird für sie eine jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 28,7 % prognostiziert. Ihre führende Position spiegelt ihre Rolle als flexibler Migrationspfad für Ingenieure wider, die etablierte Wandlertopologien an GaN-Schaltbauelemente anpassen.

Integrierte GaN-Leistungs-ICs entfielen auf 0,159 Milliarden USD bzw. 30,6 % des Umsatzes im Jahr 2025 und werden voraussichtlich mit einer CAGR von 36,9 % wachsen. Ihr Wachstumsaufschlag spiegelt den Wert der Kombination von Leistungsschaltung mit Treiber- und Schutzfunktionen wider, wenn Leiterplattenfläche, die Steuerung der Schaltkreise und die Verkürzung der Entwicklungszyklen die Einführung beeinflussen. GaN-Leistungsmodule machten 0,082 Milliarden USD bzw. 15,8 % des Marktes aus und werden voraussichtlich mit einer CAGR von 36,3 % wachsen, da Anwendungen mit höherer Leistung der integrierten thermischen und elektrischen Auslegung einen höheren Stellenwert einräumen.

Nach Betriebsart

Bauelemente im Anreicherungsbetrieb entfielen auf 0,436 Milliarden USD bzw. 83,7 % des Umsatzes im Jahr 2025 und werden voraussichtlich mit einer CAGR von 33,8 % wachsen. Ihr normalerweise ausgeschaltetes Betriebsverhalten entspricht den Sicherheits- und Steuerungsanforderungen vieler gängiger Stromversorgungsdesigns. Konfigurationen im Verarmungsbetrieb und Kaskodenschaltungen machten 0,085 Milliarden USD bzw. 16,3 % aus und bleiben relevant, wenn bestimmte Spannungs-, Gate-Ansteuerungs- oder Schaltungsdesignmerkmale für industrielle Anwendungen und Anwendungen mit höherer Leistung geeignet sind.

Nach Spannungsbereich

Mittelspannungsbauelemente mit einer Nennspannung von 200–650 V führten den Markt 2025 mit 0,248 Milliarden USD bzw. 47,7 % des Umsatzes an und werden voraussichtlich mit einer CAGR von 34,0 % wachsen. Dieser Bereich überschneidet sich mit AC/DC-Adaptern, Stromversorgungen und Ladeanwendungen, bei denen GaN die Leistungsdichte verbessern kann, ohne die Qualifikationsanforderungen der höchsten Spannungsbereiche zu erfordern.

Niederspannungsbauelemente unter 200 V erzielten einen Umsatz von 0,208 Milliarden USD und machten 39,9 % des Marktes aus; für sie wird eine CAGR von 29,6 % prognostiziert. Sie sind für kompakte Stromwandlung, drahtlose Energieübertragung und spezialisierte Elektronik relevant. Hochspannungsbauelemente über 650 V entfielen auf 0,064 Milliarden USD und werden voraussichtlich mit der schnellsten CAGR von 36,5 % wachsen, was auf eine wachsende Entwicklungspipeline in anspruchsvollen Lade-, Wechselrichter- und Industrieanwendungen hindeutet.

Nach Substrattechnologie

GaN-on-Si ist für leistungsorientierte Großserienbauelemente prädestiniert, da die Kompatibilität mit Siliziumsubstraten einen Weg zur Fertigung auf größeren Wafern unterstützt. Die Ankündigung von Infineon zu 300-mm-Leistungs-GaN zeigt die strategische Bedeutung der Skalierung dieses Fertigungswegs ^{[5]Infineon Technologies, World's First 300 mm Power GaN Technology, September 2024, infineon.com}. GaN-on-SiC- und native GaN-Architekturen adressieren Anwendungen, bei denen thermische, elektrische oder Hochspannungsanforderungen die Wahl spezialisierterer Materialien rechtfertigen können. Andere Substratansätze bleiben relevant, wenn sich die Bauelementearchitektur oder die angestrebten Betriebsbedingungen von gängigen lateralen GaN-Lösungen unterscheiden.

Nach Anwendung

Stromversorgungen, Adapter und Schnellladegeräte bieten die unmittelbarste Möglichkeit für hohe Stückzahlen, da die Verringerung von Größe und Wärmeentwicklung des Wandlers sichtbare Produktvorteile mit sich bringt. DC/DC-Wandler und Wechselrichter erweitern den adressierbaren Markt auf Leistungsstufen in Fahrzeugen, der Industrie, im Bereich erneuerbarer Energien und in Rechenanwendungen. Für Motorantriebe ist eine anwendungsspezifische Validierung erforderlich, da sich Schaltverhalten, Systemspannung und Zuverlässigkeitsanforderungen erheblich von denen bei Stromversorgungen für Verbraucher unterscheiden.

Drahtlose Energieübertragung, LiDAR- und Laufzeitmesssysteme sowie andere spezialisierte Anwendungen profitieren von der Möglichkeit, kompakte Hochfrequenzschaltungen zu entwickeln; sie bilden jedoch keine austauschbaren Nachfragepools. Ihre Einführung hängt vom Wert einer Verringerung der Größe passiver Bauelemente, einer präzisen Leistungsübertragung oder von Platzbeschränkungen im Endsystem ab.

Nach Endverbrauchsbranche

Die Unterhaltungselektronik sorgt für schnelle Designzyklen und eine hohe Nachfrage nach kompakten Ladegeräten. Automobil- und Elektrofahrzeuganwendungen bieten hochwertige Design-in-Möglichkeiten, erfordern jedoch längere Qualifizierungsprozesse und Zusagen zur Versorgungssicherheit. Rechenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur entwickeln sich zu strategisch wichtigen Anwendern, da der mit künstlicher Intelligenz verbundene Strombedarf den wirtschaftlichen Wert der Umwandlungseffizienz erhöht.

Die industrielle Automatisierung erfordert Zuverlässigkeit in vielfältigen Betriebsumgebungen, während die Luft- und Raumfahrt sowie der Verteidigungs- und Gesundheitssektor einschließlich der Medizintechnik technisch differenzierte Leistungslösungen bevorzugen, bei denen Qualifizierung, Rückverfolgbarkeit und anwendungsspezifisches Engineering die Stückkosten überwiegen können. Diese Endanwendungen erweitern den Markt, verhindern jedoch zugleich, dass eine einzige Kommerzialisierungsstrategie für alle GaN-Chancen geeignet ist.

Der mittlere Spannungsbereich bleibt das kommerzielle Zentrum des Marktes, während das Wachstum im Hochspannungsbereich signalisiert, dass Anbieter GaN auf anspruchsvollere Leistungsstufen ausweiten. Diese Expansion sollte mit Vorsicht interpretiert werden: Das Umsatzwachstum im Hochspannungsbereich wird von nachgewiesener Zuverlässigkeit und anwendungsspezifischer Validierung abhängen, nicht lediglich von der Verfügbarkeit höher spezifizierter Bauelemente. Der Wettbewerbsvorteil verlagert sich daher von der reinen Transistorleistung hin zu Gehäusetechnologien, Referenzdesigns, Zuverlässigkeitsnachweisen und skalierbarer Fertigung.

Regionale Analyse des Marktes für GaN-Leistungsbauelemente

Nordamerika

Nordamerika erzielte 2025 einen Umsatz von 0,179 Milliarden USD und wird voraussichtlich bis 2035 1,866 Milliarden USD erreichen, was einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 25,5 % entspricht. Auf die USA entfielen 0,160 Milliarden USD des regionalen Umsatzes, während Kanada 0,020 Milliarden USD beisteuerte. Die Nachfrage in den USA wird durch Investitionen in Elektrofahrzeuge und Rechenzentren gestützt, während die Halbleiterpolitik ein angebotsseitiges Argument für den Aufbau inländischer Kapazitäten liefert. Der CHIPS and Science Act genehmigte 52,7 Milliarden USD zur Stärkung der US-amerikanischen Halbleiterfertigung sowie der Forschungs- und Arbeitskräftekapazitäten ^{[6]U.S. National Institute of Standards and Technology CHIPS Program Office, CHIPS Incentives Funding Opportunities, updated 2025, nist.gov}. Die Marktchance Kanadas hängt mit seiner Beteiligung an den nordamerikanischen Lieferketten für Leistungselektronik, Energie und Technologie zusammen.

Europa

Der europäische Markt wurde 2025 auf 0,123 Milliarden USD bewertet und soll bis 2035 voraussichtlich 1,320 Milliarden USD erreichen, bei einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 25,9 %. Deutschland bildet durch seine Aktivitäten im Bereich der Automobilindustrie und der industriellen Leistungselektronik den Anker der regionalen Nachfrage, während Frankreich, das Vereinigte Königreich, die Niederlande, Spanien und Italien durch ihre differenzierten Elektronik-, Infrastruktur-, Erneuerbare-Energien- und Industrieökosysteme eine spezifische Nachfrage bieten. Das europäische Chipgesetz mobilisiert mehr als 43 Milliarden EUR an politisch gelenkten Investitionen und stärkt damit den regionalen Kontext für Halbleiterkapazitäten und Versorgungssicherheit ^{[7]European Commission, European Chips Act, updated 2024, digital-strategy.ec.europa.eu}. Ökodesign-Verpflichtungen unterstützen zudem effiziente Stromversorgungsarchitekturen in auf dem europäischen Markt vertriebenen Geräten.

Asien-Pazifik

Der asiatisch-pazifische Raum erzielte 2025 einen Umsatz von 0,178 Milliarden USD und wird voraussichtlich bis 2035 2,919 Milliarden USD erreichen. Damit ist die Region sowohl die größte als auch die am schnellsten wachsende Region mit einer CAGR von 31,4 %. Chinas Fertigungstiefe in der Elektronikindustrie und seine Rolle bei der Galliumversorgung unterstützen ein umfangreiches GaN-Ökosystem, wobei die Materialkonzentration zugleich Beschaffungsrisiken für ausländische Käufer schafft. Japan und Südkorea verfügen über eine fortschrittliche Elektronikindustrie, Verpackungstechnologien und eine Nachfrage nach Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit. Die indische Halbleitermission soll inländische Kapazitäten für die Halbleiter- und Displayfertigung entwickeln und dadurch die längerfristige Bedeutung der Region für die Produktion von Leistungshalbleitern und die nachgelagerte Integration erhöhen. Australien ergänzt den Markt um ein kleineres, aber relevantes Segment für Energie-, Industrie- und Technologieanwendungen.

Naher Osten und Afrika

Der Markt im Nahen Osten und in Afrika wurde 2025 auf 0,019 Milliarden USD bewertet und soll bis 2035 voraussichtlich 0,169 Milliarden USD erreichen, bei einer CAGR von 22,8 %. Saudi-Arabien und die Vereinigten Arabischen Emirate bieten die wichtigsten regionalen Chancen, da Investitionen in die digitale Infrastruktur und Energiesysteme die Nachfrage nach effizienter Leistungsumwandlung steigern können. Südafrika verfügt über eine eigenständige industrielle und energiebezogene Anwendungsbasis. Das Marktwachstum dürfte eher von importierten Bauelementen und der Integration auf Systemebene als von einer breit aufgestellten lokalen GaN-Fertigungsbasis getragen werden.

Lateinamerika

Lateinamerika erzielte 2025 einen Umsatz von 0,021 Milliarden USD und wird voraussichtlich bis 2035 0,228 Milliarden USD erreichen, was einer CAGR von 26,3 % entspricht. Brasilien ist das größte potenzielle Nachfragezentrum der Region, unterstützt durch industrielle Anwendungen sowie Anwendungen in der Unterhaltungselektronik und im Energiebereich. Mexiko profitiert von seiner Nähe zu nordamerikanischen Fertigungslieferketten, während die Chancen in Argentinien selektiver sind und mit Anforderungen der industriellen Energieumwandlung zusammenhängen. Die regionale Einführung wird davon abhängen, ob GaN-fähige Systeme in Anwendungen, in denen die anfänglichen Komponentenkosten weiterhin deutlich sichtbar sind, wirtschaftliche Vorteile nachweisen können.

Nordamerika und Europa bleiben kommerziell bedeutend, da politische Unterstützung, die Infrastruktur für Elektrofahrzeuge, die Nachfrage nach Rechenleistung und regulierte Effizienzanforderungen hochwertige Design-ins fördern können. Ihre strategische Rolle entspricht nicht der volumenbezogenen Rolle des asiatisch-pazifischen Raums. Nordamerikanische und europäische Käufer werden voraussichtlich eher qualifizierte Lieferquellen, Anwendungsunterstützung und eine Absicherung über den gesamten Lebenszyklus priorisieren, während Lateinamerika sowie der Nahe Osten und Afrika vor allem Lösungen honorieren werden, die einen klaren wirtschaftlichen Nutzen auf Systemebene belegen.

Marktanteil und Wettbewerbslandschaft des Marktes für GaN-Leistungsbauelemente

Der Markt für Power-GaN-Bauelemente konzentriert sich auf eine kleine Gruppe von Anbietern mit etablierten Leistungshalbleiter-Portfolios, GaN-Spezialisierung und Kompetenzen in der Anwendungstechnik. Infineon Technologies AG hielt 2025 einen Marktanteil von 24,8%. Auf die fünf größten Anbieter – Infineon Technologies AG, Navitas Semiconductor Corporation, STMicroelectronics N.V., Texas Instruments Incorporated und Renesas Electronics Corporation – entfielen zusammen rund 87,4% des Marktumsatzes.

Die Größe ist wichtig, doch die Wettbewerbsposition hängt auch von der Fähigkeit ab, die Entwicklungs- und Qualifizierungszyklen der Kunden zu verkürzen. Integrierte Leistungs-ICs, Referenzdesigns, Programme für die Automobilindustrie, Verpackungskompetenz und Versorgungskontinuität sind wesentliche Differenzierungsmerkmale, da Systementwickler einen Implementierungsweg und nicht lediglich ein Schaltbauelement auswählen. Die 300-mm-GaN-Initiative von Infineon ist in diesem Zusammenhang relevant, da sie Technologieentwicklung mit einem potenziellen Vorteil bei der Fertigung im industriellen Maßstab verbindet.

Navitas übernahm am 15. August 2022 GeneSiC Semiconductor und kombinierte damit GaN- und SiC-Technologien innerhalb eines breiteren Portfolios für Halbleiter mit großer Bandlücke ^{[8]Navitas Semiconductor, Navitas Semiconductor Announces Acquisition of GeneSiC Semiconductor Silicon Carbide Pioneer, August 2022, navitassemi.com}. Renesas schloss am 20. Juni 2024 die Übernahme von Transphorm ab und integrierte dadurch die GaN-Technologie von Transphorm in einen größeren, diversifizierten Halbleiteranbieter ^{[9]Renesas Electronics, Renesas Completes Acquisition of Transphorm, June 2024, renesas.com}. Diese Transaktionen verdeutlichen den Wert der Kombination von differenziertem GaN-Know-how mit einem breiteren Vertriebszugang, Systemunterstützung und Ressourcen für die Kundenqualifizierung.

Aktuelle Branchenentwicklungen

• Im September 2024 kündigte Infineon eine nach eigenen Angaben weltweit erste 300-mm-Power-GaN-Technologie an – eine Initiative zur Unterstützung der Power-GaN-Fertigung im industriellen Maßstab.
• Im August 2024 genehmigte die Europäische Kommission eine deutsche staatliche Beihilfemaßnahme in Höhe von 5 Milliarden EUR für die ESMC-Halbleiterfertigungsstätte in Dresden. Bei der Anlage handelt es sich um ein fortschrittliches Siliziumfertigungsprojekt.
• Im Juni 2024 schloss Renesas die Übernahme von Transphorm ab und erweiterte sein Leistungshalbleiter-Portfolio um GaN-Technologie.
• Im August 2022 kündigte Navitas die Übernahme von GeneSiC Semiconductor an und ergänzte seine auf GaN ausgerichtete Plattform um SiC-Produkte.