Mercado de memoria de próxima generación Tamaño y compartir 2026-2035

Tamaño del mercado de memoria de próxima generación

El mercado mundial de memoria de próxima generación estaba valorado en 8.900 millones de dólares en 2025. Se prevé que el mercado crezca de 10.400 millones de dólares en 2026 a 64.000 millones de dólares en 2035, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 22,4 % durante el período de previsión, según el último informe publicado por Global Market Insights Inc.

La creciente demanda de computación de alto rendimiento (HPC) para aplicaciones de inteligencia artificial está impulsando el mercado de memoria de próxima generación, especialmente en el caso de la memoria de alto ancho de banda (HBM). En agosto de 2024, el Departamento de Comercio de Estados Unidos anunció un paquete de incentivos federales por valor de 450 millones de dólares para SK hynix, destinado a establecer una instalación avanzada de encapsulado y de investigación y desarrollo (I+D) de HBM, lo que respaldará directamente la cadena de suministro estadounidense de memoria para aplicaciones de inteligencia artificial y aumentará la capacidad de producción de HBM. Estas iniciativas a escala federal aceleran la comercialización de la HBM y del encapsulado avanzado de memoria, lo que impulsa un crecimiento significativo del mercado, ya que las cargas de trabajo de inteligencia artificial requieren arquitecturas de memoria con un rendimiento extremadamente elevado.

El mercado de memoria de próxima generación está fuertemente impulsado por la rápida expansión del Internet de las cosas (IoT), los sistemas habilitados para inteligencia artificial y las infraestructuras de comunicaciones inalámbricas, que están elevando significativamente la demanda de soluciones de memoria de próxima generación en aplicaciones de consumo, automoción, telecomunicaciones e industriales. Según la Oficina de Información de Prensa (PIB) del Gobierno de la India, el mercado nacional de semiconductores alcanzó entre 45.000 y 50.000 millones de dólares durante 2024–2025, impulsado en gran medida por el creciente uso del IoT y de dispositivos electrónicos en todo el país.

A medida que las implementaciones del Internet de las cosas (IoT) se extienden a soluciones de movilidad inteligente, aplicaciones de fabricación inteligente y mercados de consumo, sigue aumentando la necesidad de tecnologías de memoria de bajo consumo, alta densidad y con capacidad de persistencia. Como resultado, los fabricantes de memoria se centran en el desarrollo de soluciones avanzadas de DRAM y de bajo consumo energético.

El crecimiento del mercado también está impulsado por la rápida expansión de las plataformas en la nube, los centros de datos a hiperescala y las cargas de trabajo de inteligencia artificial, que generan cantidades de datos sin precedentes y requieren soluciones de memoria de mayor capacidad y alta velocidad. Este crecimiento también se ve respaldado por la elevada tasa de crecimiento del segmento de memoria; de hecho, las previsiones para el mercado mundial de semiconductores indican que el segmento de memoria será uno de los segmentos de circuitos integrados de más rápido crecimiento debido al aumento de las necesidades de almacenamiento y procesamiento.

El mercado ha experimentado un crecimiento sostenido entre 2022 y 2024, con un aumento de los ingresos de 6.300 millones de dólares en 2022 a 7.800 millones de dólares en 2024. Debido a la aceleración de la transición hacia la computación basada en inteligencia artificial, la movilidad autónoma y las infraestructuras 5G de alta velocidad, la demanda de soluciones de memoria de alto ancho de banda y baja latencia está aumentando rápidamente. Al mismo tiempo, la creciente penetración de los ecosistemas del IoT y de los dispositivos conectados está impulsando la necesidad de arquitecturas de memoria energéticamente eficientes, persistentes y escalables en todos los sectores. Los avances paralelos en encapsulado avanzado, cargas de trabajo de computación de alto rendimiento e innovación en semiconductores están reforzando aún más la adopción de soluciones de memoria de próxima generación.

Tendencias del mercado de memoria de próxima generación

• La DRAM de consumo ultrabajo para aplicaciones de inteligencia artificial en el dispositivo es una tendencia al alza desde 2024, principalmente debido a la necesidad de mejorar la eficiencia de la computación para diversas aplicaciones móviles, de automoción y de computación en el borde. La tendencia se ha visto reforzada por el anuncio de la DRAM LPDDR5X de 10,7 Gbps de Samsung en abril de 2024, que incorpora mejoras en la gestión de la energía para dispositivos de inteligencia artificial de próxima generación. A medida que la computación de inteligencia artificial avanza hacia la computación en el borde, se prevé que la tendencia continúe en el futuro, hasta 2033.
• La tendencia hacia las arquitecturas de memoria desagregada basadas en CXL se ha fortalecido desde 2024, impulsada por la necesidad de contar con grupos de memoria escalables y de gran ancho de banda para respaldar las cargas de trabajo basadas en inteligencia artificial en las empresas. Esta tendencia cobró aún más impulso después de que Samsung anunciara su solución CXL Memory Module Box (CMM-B), que demostró ampliaciones a escala de rack en Memcon 2024. Es probable que esta tendencia continúe hasta 2035, a medida que sigan creciendo las cargas de trabajo de computación en la nube, los centros de datos y la inteligencia artificial. Es probable que esta tendencia se mantenga en 2035 y años posteriores, impulsada por el aumento de las necesidades de computación en la nube, los centros de datos y la inteligencia artificial.
• La tendencia hacia un mayor interés regulatorio en las tecnologías de memoria avanzada siguió cobrando fuerza en el mercado durante 2024, con un enfoque creciente en el entorno de control de las exportaciones de tecnologías de computación de alto rendimiento y tecnologías HBM. La Oficina de Industria y Seguridad de Estados Unidos introdujo regulaciones sobre la exportación de tecnologías de computación avanzada y tecnologías de memoria de gran ancho de banda, lo que hizo esencial que los fabricantes reevaluaran las estrategias de cumplimiento normativo y de flujo tecnológico que debían implementarse. Se prevé que esta tendencia continúe durante el período de previsión hasta 2033.

Análisis del mercado de memoria de próxima generación

Según la tecnología, el mercado de memoria de próxima generación se segmenta en memorias no volátiles y memorias volátiles

• El segmento de las memorias volátiles lideró el mercado, con una cuota de mercado del 53,8 % en 2025, debido a su importancia para proporcionar una latencia ultrabaja y un rendimiento con gran ancho de banda, necesarios para la aceleración de la inteligencia artificial, la computación de alto rendimiento (HPC), los videojuegos y el análisis en tiempo real. La DRAM y la HBM son arquitecturas de computación dominantes para servidores, dispositivos móviles y productos electrónicos inteligentes, y cuentan con una amplia y sólida adopción en el mercado. A medida que aumentan las exigencias de las cargas de trabajo y los requisitos de ancho de banda de memoria, la memoria volátil mantiene su posición de liderazgo.
• Se prevé que el segmento de las memorias no volátiles registre una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 26,1 % durante el período de previsión. Debido a la creciente demanda de soluciones de almacenamiento de alta densidad y rendimiento constante para sistemas de inteligencia artificial, sistemas autónomos y aplicaciones empresariales centradas en los datos, el sector está experimentando un crecimiento significativo de las innovaciones relacionadas con 3D NAND, NVM y las tecnologías de almacenamiento de alta resistencia, especialmente en aplicaciones de computación en la nube, automoción y computación en el borde. A medida que aumenta la necesidad de funcionalidad de activación inmediata y retención de datos, este segmento registra elevadas tasas de crecimiento.

Según el tamaño de la oblea de memoria, el mercado de memoria de próxima generación se segmenta en 200 mm, 300 mm y otros

• El segmento de 300 mm es el segmento más grande y de mayor crecimiento del mercado en 2025, con un valor de 6.000 millones de dólares, debido a su capacidad para respaldar la litografía avanzada, una mayor densidad de transistores y una eficiencia de fabricación superior, necesarias para el desarrollo de dispositivos de memoria DRAM, NAND y HBM de próxima generación. La capacidad de ampliación también permite reducir el coste por bit y aumentar el rendimiento de fabricación, lo que convierte a este segmento en el más adecuado para servidores de inteligencia artificial, centros de datos en la nube y entornos de computación de alto rendimiento.
• Se prevé que el segmento de 200m registre una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 15.7 % del mercado y mantiene un crecimiento constante, ya que sustenta la producción de memorias de nodos maduros y semiconductores especializados ampliamente utilizados en la electrónica para automoción, los controles industriales, los dispositivos del IoT y las categorías de DRAM heredadas. Su rentabilidad, su cadena de suministro estable y su compatibilidad con equipos consolidados desde hace décadas la convierten en una tecnología esencial para aplicaciones de gran volumen y sensibles al precio.

Según el tipo de aplicación, el mercado de memoria de próxima generación se segmenta en electrónica de consumo, electrónica para automoción, centros de datos y HPC, industria e IoT, computación neuromórfica / hardware de IA, telecomunicaciones, industria aeroespacial y defensa y otros.

• La electrónica de consumo lideró el mercado, con una cuota del 23,1 % en 2025, debido a su importancia en teléfonos inteligentes, ordenadores portátiles, videoconsolas, dispositivos electrónicos ponibles y hogares inteligentes, donde se requieren altas velocidades para el acceso y el almacenamiento de datos. Además, la creciente tendencia hacia las funciones móviles basadas en IA, los contenidos inmersivos y los estilos de vida digitales multidispositivo impulsará la demanda de tecnologías avanzadas de DRAM, NAND y HBM.
• Se prevé que el segmento de computación neuromórfica / hardware de IA registre una TCAC del 29,6 % durante el período de previsión, ya que los procesadores de IA emergentes, los dispositivos de inteligencia en el extremo y las arquitecturas de computación cognitiva requieren memoria de latencia ultrabaja y gran ancho de banda para reproducir un rendimiento de nivel neuronal. El aumento de la inferencia en el dispositivo, los módulos de aceleración y la computación inspirada en el cerebro impulsa el crecimiento de las tecnologías de memoria especializadas. La creciente escala de las cargas de trabajo de IA en los sectores de la automoción, la robótica, la automatización industrial y los chips también acelera el crecimiento de este segmento.

Mercado de memoria de próxima generación de América del Norte

América del Norte registró una cuota del 32,8 % de la industria de memoria de próxima generación en 2025.

• El mercado norteamericano está impulsado por las elevadas tasas de adopción de productos electrónicos de consumo avanzados, sistemas electrónicos basados en IA y sistemas digitales habilitados para la nube. La elevada adopción de aplicaciones intensivas en datos en teléfonos inteligentes, ordenadores personales, dispositivos ponibles y sistemas de automatización del hogar está acelerando el crecimiento del mercado en América del Norte. Además, la elevada adopción de sistemas de computación en el extremo en América del Norte también está acelerando el crecimiento del mercado.
• El mercado norteamericano también está impulsado por las elevadas inversiones en centros de datos de IA, plataformas de movilidad autónoma y sistemas de comunicaciones 5G/6G, que requieren sistemas de memoria de próxima generación para ejecutar aplicaciones de alto rendimiento. Además, la elevada adopción de sistemas de memoria de próxima generación en los sectores de consumo y comercial para ejecutar aplicaciones de alto rendimiento está acelerando el crecimiento del mercado en América del Norte.

El mercado mundial estadounidense de memoria de próxima generación registró un valor de 1.800 millones de USD y 2.000 millones de USD en 2022 y 2023, respectivamente. El tamaño del mercado alcanzó los 2.600 millones de USD en 2025, frente a los 2.300 millones de USD de 2024.

• La industria estadounidense de memoria de próxima generación crece a medida que consumidores y empresas dependen cada vez más de dispositivos móviles intensivos en datos, como teléfonos inteligentes y ordenadores portátiles, dispositivos ponibles y dispositivos conectados que necesitan soluciones de memoria de alto rendimiento, con alta velocidad y baja latencia. La creciente tendencia hacia las aplicaciones basadas en IA, las experiencias de juego avanzadas, las aplicaciones basadas en la nube y los dispositivos personales de alto rendimiento está impulsando el crecimiento del mercado de memorias DRAM, NAND y HBM.
• El aumento de las iniciativas de inversión en infraestructura de redes 5G, soluciones de computación en el borde y soluciones empresariales inteligentes también está impulsando el crecimiento del mercado de memorias de próxima generación en Estados Unidos. A medida que Estados Unidos avanza en la digitalización de las empresas y los consumidores, se prevé que el mercado de memorias de próxima generación mantenga el mismo ritmo de crecimiento.

Mercado europeo de memorias de próxima generación

El sector europeo de memorias de próxima generación representó 1.400 millones de USD en 2025 y se prevé que registre un crecimiento atractivo durante el período de previsión.

• El mercado europeo de memorias de próxima generación está creciendo a medida que la región sigue haciendo hincapié en el desarrollo y el despliegue de productos electrónicos de consumo avanzados, tecnologías digitales energéticamente eficientes y tecnologías de computación de alto rendimiento. La adopción generalizada de teléfonos inteligentes basados en IA, dispositivos portátiles, tecnologías para hogares inteligentes y plataformas de movilidad conectada está creando un mercado importante para las tecnologías DRAM, NAND y de memoria de alto rendimiento.
• El énfasis de Europa en unos ecosistemas digitales seguros, eficientes y sostenibles también contribuye al crecimiento del mercado regional de memorias de próxima generación. Además, la apuesta de Europa por la automatización industrial, las innovaciones en el sector de la automoción y las operaciones empresariales digitales también incrementa la demanda de memorias de próxima generación. Asimismo, el aumento de la movilidad transfronteriza, el uso digital al aire libre y la infraestructura para el trabajo remoto también generan una demanda significativa de memorias de próxima generación.

Alemania domina el mercado europeo de memorias de próxima generación y presenta un sólido potencial de crecimiento.

• El mercado alemán de memorias de próxima generación está registrando un crecimiento significativo debido al enfoque del país en la digitalización. Además, el uso de productos electrónicos de consumo avanzados también ha aumentado en Alemania. Asimismo, el uso de dispositivos móviles conectados se ha generalizado en el país. Por tanto, el enfoque del país en la movilidad digital ha aumentado de forma significativa. Esto también ha impulsado la demanda de soluciones DRAM, NAND y de memoria de próxima generación optimizadas para IA y de alta velocidad.
• El aumento de las inversiones en tecnología de movilidad sostenible, sistemas de transporte inteligentes y procesos industriales automatizados también está contribuyendo al crecimiento del mercado de memorias en Alemania. La necesidad de memoria en los sectores de la logística, la fabricación, la automoción y las operaciones sobre el terreno en Alemania está contribuyendo al crecimiento de la tecnología de memorias de próxima generación.

Mercado de memorias de próxima generación de Asia-Pacífico

Se prevé que el sector de memorias de próxima generación de Asia-Pacífico crezca a una TCAC del 23 % durante el período de previsión.

• El mercado de Asia-Pacífico presenta un potencial de crecimiento significativo debido al elevado ritmo de crecimiento de los productos electrónicos de consumo y los estilos de vida digitales, así como a la adopción generalizada de teléfonos inteligentes, dispositivos electrónicos portátiles y dispositivos conectados en China, India, Japón, Corea y el Sudeste Asiático. En esta región, la infraestructura de fabricación de semiconductores también ha crecido de forma significativa, lo que ha reforzado su liderazgo en el mercado.

• Asia-Pacífico también ha experimentado un crecimiento significativo debido al elevado ritmo de crecimiento de los viajes, la logística, el comercio electrónico y las infraestructuras inteligentes, entre otros ámbitos. En esta región, las inversiones en automatización industrial, soluciones para el trabajo remoto y soluciones de movilidad inteligente, entre otras, también han registrado un crecimiento significativo.

Se estima que el mercado chino de memorias de próxima generación crecerá a una TCAC significativa dentro del mercado de Asia-Pacífico.

• El mercado chino de memorias de próxima generación está creciendo a un ritmo acelerado debido al uso generalizado de aplicaciones móviles intensivas en datos y al elevado consumo de productos electrónicos de consumo de última generación en el país y en las ciudades de nivel 2 y nivel 3. El elevado nivel de consumo digital del país requiere memorias DRAM y NAND de alta velocidad, así como soluciones de memoria optimizadas para IA, que proporcionen conectividad continua y rendimiento a los consumidores. El ecosistema de semiconductores bien desarrollado del país impulsa el mercado de memorias de próxima generación y lo convierte en un mercado clave para las soluciones de memoria de última generación.
• La acelerada tasa de crecimiento del mercado de memoria de próxima generación en China también se debe al ecosistema de comercio electrónico bien desarrollado del país y a la rápida evolución de su infraestructura de comercio digital, que requiere soluciones de memoria de alta velocidad para el procesamiento en tiempo real, así como a la creciente necesidad de soluciones de memoria de alto rendimiento en el sector empresarial del país para mantener la eficiencia operativa y a la creciente necesidad de flujos de trabajo inteligentes en los sectores minorista, del transporte y de la automatización industrial de China.

Se prevé que el mercado de memoria de próxima generación de Arabia Saudí experimente un crecimiento sustancial en el mercado de Oriente Medio y África.

• La industria de la memoria de próxima generación en Arabia Saudí está creciendo a medida que la nación continúa avanzando hacia la transformación digital, impulsada por la amplia adopción de teléfonos inteligentes, dispositivos del Internet de las cosas (IoT) y tecnologías de consumo basadas en inteligencia artificial. La creciente adopción de aplicaciones móviles, plataformas en la nube y servicios digitales intensivos en datos sigue impulsando el mercado de la memoria.
• El mercado también se beneficia del rápido desarrollo de infraestructuras inteligentes, la modernización de las operaciones logísticas y comerciales, y la necesidad de tecnologías que requieren un uso intensivo de memoria en operaciones y actividades logísticas impulsadas por la tecnología. La industria del transporte, las operaciones minoristas, las operaciones de petróleo y gas y los servicios de campo dependen cada vez más de operaciones intensivas en datos y equipos habilitados para el Internet de las cosas. A medida que la movilidad, la automatización y el acceso digital desde ubicaciones exteriores continúan mejorando en el país, surgen oportunidades constantes para el crecimiento del mercado de la memoria.

Cuota de mercado de la memoria de próxima generación

Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology, Intel Corporation y KIOXIA lideran conjuntamente la industria de la memoria de próxima generación. Estas cinco empresas registraron en conjunto una cuota de mercado del 67,9% en 2025 gracias a su experiencia en el desarrollo y la fabricación de tecnologías avanzadas de memoria, como DRAM, NAND, HBM y otras tecnologías de memoria. Su capacidad para proporcionar productos de memoria de alta calidad, energéticamente eficientes y muy fiables les permite satisfacer las crecientes necesidades de memoria en la computación de inteligencia artificial, la expansión de los centros de datos y la electrónica de consumo.

Además, estas empresas también se benefician de su sólida cadena de suministro y de su liderazgo tecnológico para mantenerse a la vanguardia frente a sus competidores mundiales. Asimismo, amplían su alcance de mercado mediante la innovación constante en el desarrollo y la fabricación de dispositivos de memoria avanzados, como encapsulados de memoria, arquitecturas de memoria de baja latencia y dispositivos de almacenamiento de memoria de alta densidad para los mercados de automoción, servicios en la nube y computación de alto rendimiento. Su enfoque en la calidad y la fiabilidad les ayuda a atender diversas necesidades de la industria con una calidad constante y excelencia técnica.

Empresas del mercado de memoria de próxima generación

A continuación se mencionan los principales actores que operan en la industria de la memoria de próxima generación:

• Everspin Technologies
• GlobalFoundries
• Infineon Technologies
• Intel Corporation
• KIOXIA
• Macronix International
• Micron Technology
• Nanya Technology
• NXP Semiconductors
• ON Semiconductor
• Renesas Electronics
• Samsung Electronics
• SK Hynix
• Western Digital
• Winbond Electronics

•  SK Hynix está especializada en memoria de alto ancho de banda de vanguardia y arquitecturas innovadoras de DRAM para ofrecer un rendimiento líder del sector en aplicaciones de inteligencia artificial, computación de alto rendimiento (HPC) y gráficos. Su enfoque innovador en la memoria con apilamiento elevado y los encapsulados innovadores le proporciona una ventaja competitiva en aplicaciones informáticas de próxima generación.
•  Micron Technology  destaca por su oferta de DRAM, NAND y tecnologías de memoria futuras de vanguardia, que proporcionan la mejor combinación de fiabilidad, longevidad y rendimiento. Su experiencia en memorias de gran capacidad para aplicaciones empresariales y de automoción le proporciona una ventaja competitiva para diferenciarse.
•  Samsung Electronicsmantiene una posición de liderazgo diferenciada en las memorias DRAM, NAND y HBM de alto rendimiento gracias a su experiencia de primer nivel mundial en I+D y fabricación. La capacidad de la empresa para ofrecer un rendimiento superior en términos de velocidad, densidad y eficiencia energética en sus memorias le proporciona una ventaja tecnológica que ningún competidor puede igualar.
•  Intel Corporation cuenta con una propuesta de valor diferenciada, ya que sus memorias están integradas en sus plataformas informáticas de tal forma que sus memorias persistentes se sitúan entre las curvas de rendimiento del almacenamiento y la DRAM. Su solución combinada de procesador, acelerador y memoria permite optimizar el sistema en su conjunto de una manera que ningún competidor puede igualar.
•  KIOXIA  aprovecha su experiencia en memoria flash NAND y tecnologías SSD para ofrecer soluciones de almacenamiento de alta resistencia y precisión a los mercados empresarial y de hiperescala. Su liderazgo en la innovación de la memoria flash 3D y en el codesarrollo de controladores avanzados la sitúa en una posición sólida dentro del mercado de almacenamiento premium.

Noticias del sector de las memorias de nueva generación

• En marzo de 2026, Samsung anunció una ampliación de su colaboración estratégica con Advanced Micro Devices (AMD) para desarrollar conjuntamente soluciones de memoria de nueva generación para inteligencia artificial, incluidas plataformas HBM4 líderes del sector y plataformas DDR5 avanzadas. Esta asociación refuerza los ecosistemas de computación de alto rendimiento al alinear la tecnología avanzada de memoria con aceleradores de inteligencia artificial de nueva generación y arquitecturas de centros de datos.
• En enero de 2026, SK hynix presentó sus últimas innovaciones en memorias impulsadas por inteligencia artificial en la feria Consumer Electronics Show CES, incluida una HBM4 de 16 capas (48 GB), LPDDR6 de nueva generación y soluciones NAND avanzadas optimizadas para servidores de inteligencia artificial y funciones de inteligencia en el dispositivo. La empresa destacó la HBM personalizada, el procesamiento en memoria (PIM) y las arquitecturas basadas en CXL, lo que refuerza su liderazgo en tecnologías de memoria adaptadas a ecosistemas de inteligencia artificial en rápida expansión.
• En febrero de 2025, KIOXIA y SanDisk presentaron una innovadora tecnología de memoria flash 3D con una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, una mayor eficiencia energética y una densidad significativamente superior. Esta innovación aprovecha tecnologías avanzadas de unión e interfaz y establece nuevos estándares para soluciones de almacenamiento de alto rendimiento y bajo consumo en los mercados de inteligencia artificial, centros de datos y dispositivos de alta capacidad.

El informe de investigación del mercado de memorias de nueva generación ofrece una cobertura exhaustiva del sector, con estimaciones y previsiones de los ingresos (miles de millones de USD) de 2022 a 2035 para los siguientes segmentos:

Mercado, por tipo de material

• Materiales ferroeléctricos
• Materiales magnéticos
• Materiales de cambio de fase
• Óxidos metálicos
• Materiales basados en carbono
• Otros                                                             

Mercado, por tecnología

• Memorias no volátiles
  • Memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio (MRAM)                             
  • RAM ferroeléctrica (FeRAM)                     
  • Memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM)                            
  • Memoria de cambio de fase (PCM)                            
  • Nano RAM                         
  • Otros
• Memorias volátiles
  • Memoria estática de acceso aleatorio (SRAM)
  • Cubo de memoria híbrida (HMC)
  • Memoria de alto ancho de banda (HBM)              

Mercado por tamaño de oblea de memoria 

• 200 mm
• 300 mm
• Otros

Mercado por aplicación

• Electrónica de consumo
• Electrónica para automóviles
• Centros de datos y HPC
• Industria e IoT
• Computación neuromórfica / hardware de IA
• Telecomunicaciones
• Sector aeroespacial y defensa
• Otros

La información anterior se proporciona para las siguientes regiones y países:

• América del Norte
  • EE. UU.
  • Canadá
• Europa
  • Alemania
  • Reino Unido
  • Francia
  • España
  • Italia
  • Rusia
• Asia-Pacífico
  • China
  • India
  • Japón
  • Australia
  • Corea del Sur

• América Latina
  • Brasil
  • México
  • Argentina

• Oriente Medio y África
  • Sudáfrica
  • Arabia Saudí

Emiratos Árabes Unidos