下一代存储器市场 大小和分享 2024 to 2032
报告 ID: GMI8697
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发布日期: March 2024
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报告格式: PDF
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作者: Suraj Gujar, Sandeep Ugale

下一代存储器市场规模
2023年,下一代存储器市场规模超过67亿美元,预计2024年至2032年复合年增长率将超过24.8%。物联网设备需求的增加正在推动市场扩张。
物联网设备会产生大量数据,需要有效存储和分析,因此对先进存储技术的需求不断增加。下一代存储解决方案具有多种优势,如体积小、存储容量大和功耗低,这些特性特别适合物联网相关需求和应用,如智能电表和联网汽车等。
下一代存储器市场在非易失性存储产品需求增加的推动下经历了显著增长。企业存储、数据中心、汽车电子和物联网设备等需要持续存储的关键应用不倾向于使用易失性存储,因为断电时易失性存储无法保留数据。与传统非易失性存储(如NAND闪存和硬盘驱动器)相比,下一代存储技术(如电阻随机存取存储器(ReRAM)、相变存储器(PCM)和磁存储器(MRAM))具有显著优势,包括更快的访问速度、更低的功耗和更高的密度。
在开发下一代存储器的过程中,面临许多挑战。存储技术对更快速度、更大容量和更低功耗的需求也带来了成本问题。此外,将新技术引入现有系统和标准也面临诸多挑战。例如,克服相变存储器或电阻随机存取存储器等新兴存储技术中固有的物理限制需要大量的研发投入。
下一代存储器市场趋势
高性能计算(HPC)需求日益增长,成为市场增长的主要驱动力。当前的科学模拟、人工智能、深度学习和数据分析需要处理海量数据和大规模处理能力。这些存储器由于采用新兴技术(如电阻随机存取存储器(ReRAM)、相变存储器(PCM)和磁存储器(MRAM)),具有更高的带宽。
这些特性使它们非常适合HPC环境。2023年11月,HPC和AI公司Altair推出了Altair HPCWorks;这是一个HPC和云平台。它配备了基于AI的用户门户,其中包括先进的HPC监控/报告工具,以便更轻松地进行云扩展,以及下一代分布式工作流技术。
数据存储和处理是下一代存储器市场的主要趋势。大数据、物联网(IoT)、人工智能(AI)和机器学习等带来的海量数据推动了对更快存储解决方案的需求。这些解决方案更高效,能够节省能源以存储和处理大数据。与传统存储解决方案相比,下一代存储技术(如电阻随机存取存储器(ReRAM)、相变存储器(PCM)和磁存储器(MRAM))提供了更快、更耐用和低功耗的产品。
下一代存储器市场分析
根据存储器晶圆尺寸,市场被细分为200毫米和300毫米。2023年,300毫米细分市场占据了超过55%的最大市场份额。采用更大晶圆(如300毫米)的好处包括生产效率提升、良品率提高以及单位制造成本降低。
此外,新一代存储器如电阻式随机存取存储器(ReRAM)、相变存储器(PCM)和磁性随机存取存储器(MRAM)将从300毫米晶圆制造的规模经济中受益,因为它允许以更低成本实现更高产量。通过采用300毫米晶圆,半导体制造商能够采用更先进的工艺节点,实现更高的芯片密度,从而提升性能并提高未来存储设备的存储容量。
按技术划分,下一代存储器市场被细分为非易失性存储器和易失性存储器。非易失性存储器进一步细分为SRAM、磁阻式随机存取存储器、铁电随机存取存储器(FRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)、纳米RAM和其他。易失性存储器进一步细分为混合存储立方体(HMC)和高带宽存储器(HBM)。预计非易失性存储器细分市场在2024年至2032年期间将以超过26%的复合年增长率增长。
非易失性存储器解决方案在断电时仍能保留数据,因此在车载电子、企业存储和物联网等领域的数据存储中至关重要。电阻式随机存取存储器(ReRAM)、相变存储器(PCM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等非易失性存储器技术的进步,使其速度、能效和耐久性优于传统非易失性存储器如NAND闪存和硬盘驱动器(HDD)。这些进步与大数据、人工智能(AI)和物联网等趋势推动的数据密集型应用中对更快的数据存储、检索和处理需求相一致。
2023年,北美在下一代存储器市场中占据了超过36.5%的显著份额。该地区以强大的半导体企业、研究机构和科技公司生态系统为特征,推动先进存储器技术的创新和发展。此外,由于边缘计算应用、数据中心和高性能计算的需求增长,对更快、更节能的存储器解决方案的需求也在增加。
此外,北美拥有英特尔、美光科技和IBM等半导体行业的关键参与者,他们正在大力投资磁阻式随机存取存储器(MRAM)、相变存储器(PCM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)等新一代存储器。这些企业与创业初创公司和学术机构合作,旨在加速这些技术的商业化和采用。
下一代存储器市场份额
三星和美光科技公司在2023年市场份额超过18%。三星是下一代存储器市场的主导者,通过其先进的存储技术成为创新领导者,为科技市场提供解决方案。3D NAND闪存、LPDDR5 DRAM和HBM2E是三星通过其半导体制造专业能力成功生产的下一代存储器之一。
美光科技公司因其在半导体和存储解决方案方面的专业知识,成为下一代存储器市场的重要参与者。该公司积极参与开发和商业化先进存储技术,如与英特尔共同开发的3D XPoint非易失性存储技术。
下一代存储器市场公司
下一代存储器行业的主要参与者包括:
下一代存储器行业新闻
下一代存储器市场研究报告涵盖了行业的深入分析,包括2018年至2032年的收入估计和预测(百万美元),以下是各细分市场:
市场,按技术分类,2018 - 2032
市场,按存储器晶圆尺寸分类,2018 - 2032
市场,按应用分类,2018 - 2032
上述信息适用于以下地区和国家: