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下一代内存市场大小和股份报告,2032年
报告 ID: GMI8697 | 发布日期: March 2024 | 报告格式: PDF
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高级报告详情
基准年: 2023
涵盖的公司: 10
表格和图表: 362
涵盖的国家: 21
页数: 230
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下一代记忆市场大小
下一个Generation记忆市场的规模在2023年价值超过67亿美元,估计在2024至2032年间将登记超过24.8%的CAGR. 对IOT设备的兴趣日益增加,正在推动市场扩张。
IoT设备生成需要有效存储和分析的大数据,因此对高级内存技术的需求日益增加. 后源内存解决方案提供了许多好处,比如其紧凑的大小和大数据存储容量和低功耗,这些都是为了适应IoT相关需要和应用程序而定制的,比如智能计和接通的汽车等等.
这一下一代记忆市场出现了显著增长,以应对对非挥发性记忆产品日益增长的需求. 需要经常存储的关键应用程序,如企业存储、数据中心、 汽车电子设备 & Iot 设备不赞成可挥发性内存, 因为当电源被关闭时它不会保留数据 。 针对传统的非挥发性记忆,如NAND flash & Hard Disk Drives(HDDs),下一代内存技术,包括抵抗RAM,相变记忆(PCM),和磁性RAM(MRAM),由于它们的访问时间较快,功率消耗减少并密度较高,因此具有显著优势.
在努力创造出下一代记忆的过程中,问题很多. 在内存技术方面对更快的速度,更大的能力和更低的能耗的渴望也是昂贵的. 将新技术引入目前的系统和规范本身就会产生一系列问题,使情况更加复杂。 例如,克服新兴记忆技术所固有的物理限制,如相位变化或阻力随机存取记忆,需要广泛的研究和开发。
下一代记忆市场 趋势
高性能计算(HPC)正日益成为人们追求的目标,从而使其成为市场的主要增长驱动力。 当前的科学模拟,人工智能,深度学习,和数据分析需要大量的数据和大规模处理能力. 这些记忆由于其新兴技术而具有较高的带宽,这些技术包括抗逆性RAM(ReRAM),相变记忆(PCM)和磁性RAM(MRAM).
由于这些特点,它们对于HPC环境是理想的. 2023年11月,HPC和AI公司Altair推出了Altair HPCWorks;一个HPC和云平台. 它有一个由AI驱动的用户门户,其中包括先进的HPC监测/报告工具来更方便地进行云缩放以及下一代分布式工作流程技术.
数据存储和处理是下一代内存市场的突出趋势. 对更快的内存解决方案的需求,由"大数据","物联网"(IoT),"人工智能"(AI),"机器学习"等带来的大量数据卷所驱动. 这些解决方案效率更高,节省了能量来存储并处理大数据. 相较于传统的内存解决方案,下一代内存技术如耐用RAM(ReRAM),相变内存(Phase-Change Memory (PCM))和磁性RAM(MRAM)既能提供快活又能耗低的产品.
下一代记忆市场分析
根据内存瓦片大小,市场被分割为200毫米和300毫米. 300毫米机能部分在2023年占据了超过55%的最大市场份额. 向300毫米等更大型的瓦片移动的好处包括生产期间效率提高,产量率提高,每台制造价格降低。
此外,新一代的记忆,如耐用RAM、相变记忆(PCM)和磁性RAM(MRAM),将受益于通过300毫米瓦佛制造的规模经济,因为它允许以负担得起的成本增加体积。 同样,通过使用300mm域使半导体制造商采取更先进的工艺节点,并获得更高的芯片密度来提高性能,提高未来内存设备的存储能力.
基于技术,下一代记忆市场被分解为非挥发性的记忆和起伏性的记忆. 非挥发性记忆被进一步分解入SRAM,磁铁抗随机访问内存,Ferroelective RAM(FRAM),抗随机访问内存(ReRAM),纳米RAM等. 挥发性记忆被进一步分解为 混合内存 Cube (HMC)和高波带宽记忆 (HBM). 非挥发性记忆部分预计将在2024至2032年间登记超过26%的CAGR.
非挥发性内存解决方案即使在电源被关闭时也能保留数据,因此在存储车辆电子、企业存储和物联网等工作的数据方面至关重要。 非挥发性内存技术的进步,如耐活性内存(ReRAM),相变内存(PCM)和磁性内存(MRAM)等,比NAND闪存和硬盘驱动器(HDD)等常规的非挥发性内存提高了速度和能源效率并增强了耐活性. 这些进展符合在大数据、人工智能(AI)和 " 物联网 " 等趋势推动下,对数据密集型应用软件进行更快的数据存储、检索和处理的日益增长的需要。
2023年北美在下一代记忆市场中占有显著份额,市场份额超过36.5%. 本区域的特点是半导体公司、研究机构和技术公司具有强大的生态系统,它们推动了先进记忆技术的创新和进步。 此外,对更快、更能高效的内存解决方案的需求也日益增加,因为越来越需要 边缘计算 应用、数据中心和高性能计算。
此外,北美在半导体行业有多个关键玩家,如英特尔,Micron Technology和IBM,他们正在大量投资于下一代内存,如MRAM(Magneto restainive Random Access Memory),PCM(Page-Cchange Memory)和ReRAM(Resistive Random Access Memory)等. 这些企业与创业初创企业和学术机构合作,目的是快速实现商业化,并采用这些发明。
下一代记忆市场份额
三星和微信科技股份有限公司在2023年的市场占有18%以上的份额. 三星是下一代内存市场的主导角色,通过向技术市场提供先进的内存技术来承担创新领袖的角色. 3D NAND闪存,LPDDDR5 DRAM和HBM2E是三星通过它的半导体制作专业技术而能出产的一些下一代记忆.
Micron Technology, Inc. 由于在半导体和内存解决方案方面的专门知识,是下一代记忆市场的重要角色. 公司积极参与了3D XPoint等先进内存技术的开发与商业化,与英特尔公司共同开发,作为非挥发性内存技术.
下一代记忆市场公司
在下一代内存产业中运营的主要角色有:
下一代记忆产业新闻
下一代记忆市场研究报告包括对该行业的深入报道 估计和预测2018年至2032年的收入(百万美元), 下列部分:
市场,按技术分类,2018-2032年
市场,由记忆瓦费尔大小,2018–2032
市场, 根据应用, 2018–2032
现就下列区域和国家提供上述资料: