Mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) Tamaño y compartir 2026 - 2034

Tamaño del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema

El mercado mundial de equipos de litografía ultravioleta extrema alcanzó un valor de 9.710 millones de USD en 2025. Se prevé que el mercado crezca de 10.940 millones de USD en 2026 a 33.910 millones de USD en 2034, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 15,2 % durante el período de previsión, según el último informe publicado por Global Market Insights Inc.

Mercado de equipos de litografía" src="https://cdn.gminsights.com/image/rd/electronics-and-media/extreme-ultraviolet-euv-lithography-equipment-market-2025-2034.webp" title="Informe de investigación del mercado de litografía ultravioleta extrema (EUV)" />

• El panorama competitivo del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema sigue estando muy concentrado, ya que ASML es el único proveedor comercial de sistemas de litografía EUV del mundo. El liderazgo tecnológico de la empresa se sustenta en una compleja cadena de suministro que incluye óptica avanzada, fuentes de luz de plasma producido por láser, mecatrónica de precisión y tecnologías de metrología. A medida que los fabricantes de semiconductores continúan ampliando la producción de chips de última generación, la demanda de las plataformas EUV de ASML sigue estando estrechamente vinculada al gasto mundial de capital del sector de los semiconductores y a la construcción de plantas de fabricación avanzadas.
   
• Se prevé que el impulso del mercado se acelere hasta 2030, a medida que las principales fundiciones de semiconductores amplíen su capacidad de fabricación avanzada para respaldar la inteligencia artificial, la computación de alto rendimiento, la electrónica para automóviles y los dispositivos de memoria de nueva generación. Las hojas de ruta del sector indican que las instalaciones acumuladas de sistemas EUV superarán las 500 unidades al final de la década, lo que reforzará el papel central de esta tecnología en la escalabilidad de los semiconductores y en las inversiones a largo plazo en la fabricación de obleas.
   
• La litografía EUV se ha convertido en una de las tecnologías de fabricación más importantes para producir dispositivos semiconductores en nodos de proceso inferiores a 7 nm. En comparación con la litografía ultravioleta profunda (DUV) convencional, la EUV permite definir patrones de circuitos más finos con menos capas de máscaras, lo que mejora la eficiencia de fabricación y favorece una mayor densidad de transistores, un menor consumo energético y un mejor rendimiento de los chips en procesadores de inteligencia artificial, teléfonos inteligentes, centros de datos y semiconductores para automóviles.
   
• La demanda regional sigue estando condicionada por las iniciativas de fabricación de semiconductores respaldadas por los gobiernos y por la ampliación de la capacidad. Asia-Pacífico sigue siendo el mayor mercado debido a las inversiones de las principales fundiciones de Taiwán y Corea del Sur, mientras que Estados Unidos y Europa están incrementando la producción nacional de semiconductores mediante programas de incentivos e inversiones estratégicas. China y la India también están reforzando sus ecosistemas de semiconductores para mejorar la resiliencia de la cadena de suministro y reducir la dependencia de las tecnologías importadas de fabricación de chips.
   
• Las decisiones de compra de equipos de litografía EUV están influidas por factores que van más allá de la inversión de capital inicial. Al planificar nuevas plantas de fabricación, los fabricantes de chips evalúan el rendimiento de producción de los equipos, la precisión de superposición, el tiempo de actividad, el servicio técnico, el consumo energético y la capacidad de actualización a largo plazo. A medida que la fabricación avanzada de semiconductores requiere cada vez más capital, la fiabilidad de los equipos y el soporte durante todo su ciclo de vida desempeñan un papel fundamental para maximizar el rendimiento de la inversión.

Factores de crecimiento

Aumento de la demanda de nodos avanzados de semiconductores

La creciente demanda de nodos avanzados de semiconductores es uno de los principales factores de crecimiento del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema.

A medida que los fabricantes de semiconductores adoptan tecnologías de proceso de 3 nm, 2 nm y futuras tecnologías inferiores a 2 nm, la litografía ultravioleta profunda (DUV) convencional resulta cada vez menos eficiente debido a su dependencia de técnicas complejas de multipatronado. La litografía ultravioleta extrema (EUV) permite definir circuitos más pequeños con menos pasos de exposición, lo que mejora la densidad de transistores, el rendimiento y la eficiencia de fabricación. Este cambio está acelerando las inversiones en instalaciones avanzadas de fabricación en Estados Unidos, Corea del Sur, Alemania, China, India y Reino Unido, donde los Gobiernos y los fabricantes de chips están ampliando la producción nacional de semiconductores para respaldar las aplicaciones de inteligencia artificial, computación de alto rendimiento, electrónica para automoción y memoria avanzada.

Mayor adopción de la tecnología EUV en la fabricación de alto volumen por parte de las principales fundiciones

El aumento del despliegue de la litografía EUV en la fabricación de alto volumen (HVM) por parte de las principales fundiciones de semiconductores está impulsando significativamente el crecimiento del mercado. Grandes fabricantes como TSMC, Samsung Electronics e Intel están ampliando su capacidad EUV para producir chips lógicos y de memoria avanzados con un mejor rendimiento, un menor consumo energético y mayores rendimientos de fabricación. La transición desde las primeras aplicaciones de EUV hacia la producción a gran escala también está incrementando la demanda de tecnologías complementarias, como fotomáscaras, sistemas de metrología, equipos de inspección y fuentes láser de alta potencia. A medida que los principales fabricantes de equipos para semiconductores siguen introduciendo plataformas EUV de alta apertura numérica (High-NA), se prevé que la adopción se acelere aún más, reforzando las perspectivas a largo plazo del mercado mundial de equipos de litografía EUV.

Obstáculos y retos

Gastos de capital y costes operativos extremadamente elevados

El coste excepcionalmente elevado de adquirir y operar equipos de litografía ultravioleta extrema sigue siendo una de las principales barreras para la adopción en el sector. Un único escáner EUV puede costar más de 200 millones de USD, mientras que los sistemas EUV de alta apertura numérica de próxima generación tienen un precio aproximado de 370–400 millones de USD, lo que limita su adquisición a un reducido número de fabricantes líderes de semiconductores. Además de la adquisición de equipos, los fabricantes de chips deben invertir en infraestructuras de salas blancas, metrología avanzada, inspección de máscaras, mantenimiento y desarrollo de una plantilla cualificada. Estos importantes requisitos de capital hacen que el despliegue de EUV sea económicamente viable principalmente para grandes fundiciones como TSMC, Samsung Electronics e Intel, al tiempo que restringen su adopción entre los fabricantes de semiconductores más pequeños.

Potencia limitada de la fuente EUV y restricciones de rendimiento

A pesar de los continuos avances tecnológicos, la potencia limitada de la fuente EUV y el rendimiento reducido de procesamiento de obleas siguen siendo retos técnicos críticos que afectan a la productividad de la fabricación de semiconductores. La litografía EUV depende de fuentes de luz de plasma generado por láser de alta potencia (LPP) que operan a una longitud de onda de 13,5 nm, donde la generación constante de un flujo suficiente de fotones sigue siendo técnicamente compleja. Una menor potencia de la fuente reduce la velocidad de procesamiento de las obleas, aumenta los tiempos de ciclo de producción y limita la productividad general de la fábrica, especialmente durante la fabricación de alto volumen. A medida que los fabricantes de semiconductores avanzan hacia nodos de 2 nm e inferiores a 2 nm, mejorar la eficiencia de las fuentes de luz EUV, el tiempo de actividad de los sistemas, la durabilidad de las máscaras y el rendimiento se ha convertido en una prioridad clave para proveedores de equipos como ASML y sus socios tecnológicos, con el fin de respaldar la producción de chips a gran escala económicamente viable.

Oportunidades:

Integración de sistemas EUV de alta apertura numérica

La comercialización de sistemas EUV de alta apertura numérica (High-NA) representa una de las oportunidades de crecimiento más importantes para el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema. La tecnología EUV de alta apertura numérica, con una apertura numérica de 0,55 frente a la apertura numérica de 0,33 de los sistemas EUV convencionales, permite obtener una resolución de características más fina, necesaria para la fabricación de semiconductores de 2 nm e inferiores a 2 nm.A medida que las principales fundiciones y los fabricantes integrados de dispositivos (IDM) se preparan para poner en marcha instalaciones de fabricación de próxima generación, la demanda se extenderá más allá de los escáneres de EUV a la óptica avanzada, las fotomáscaras, la metrología, los sistemas de inspección, los materiales fotorresistentes y las fuentes de luz de alta potencia. Se prevé que esta transición tecnológica genere nuevas oportunidades de ingresos en todo el ecosistema más amplio de equipos para semiconductores, al tiempo que favorecerá la continuidad de la reducción del tamaño de los transistores y la innovación en chips impulsada por la inteligencia artificial.

Mayor penetración en la memoria avanzada y el encapsulado heterogéneo

La creciente adopción de la litografía de EUV en la fabricación de memoria avanzada y el encapsulado heterogéneo está generando nuevas oportunidades más allá de los dispositivos lógicos de vanguardia. Los fabricantes de memoria integran cada vez más la tecnología EUV en la producción de DRAM para mejorar la precisión del modelado, reducir la complejidad de los procesos y aumentar el rendimiento a medida que las arquitecturas de memoria siguen reduciendo su tamaño. Al mismo tiempo, la rápida adopción de diseños basados en chiplets, el encapsulado 2,5D y 3D y la memoria de alto ancho de banda (HBM) para la inteligencia artificial y la computación de alto rendimiento está incrementando la demanda de tecnologías avanzadas de fabricación de semiconductores. A medida que los aceleradores de IA, los procesadores para centros de datos y los semiconductores para automoción se vuelven más complejos, se prevé que la fabricación habilitada para EUV desempeñe un papel cada vez más importante en el desarrollo de soluciones de memoria de próxima generación y encapsulado avanzado.

Tendencias del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema

• La tendencia más importante que está configurando el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) es la transición de la industria de los semiconductores desde la litografía convencional ultravioleta profundo (DUV) de inmersión de 193 nm hacia la tecnología EUV para fabricar chips lógicos y de memoria avanzados. A medida que los fabricantes de chips avanzan hacia nodos de proceso de 3 nm, 2 nm e inferiores a 2 nm, la tecnología EUV permite definir circuitos más finos mediante litografía de exposición única, lo que reduce la dependencia de complejas técnicas de modelado múltiple. Esto mejora la eficiencia de fabricación, reduce la variabilidad de los procesos y permite aumentar la densidad de transistores, convirtiendo la tecnología EUV en un recurso indispensable para los procesadores de IA, la computación de alto rendimiento (HPC), los semiconductores para automoción y los dispositivos móviles de próxima generación.
   
• Otra tendencia definitoria es la comercialización de la litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA), diseñada para respaldar la producción de semiconductores en nodos tecnológicos de 2 nm e inferiores. Los sistemas High-NA utilizan ópticas con una apertura numérica de 0,55, frente a la apertura numérica de 0,33 de las plataformas EUV de la generación actual, lo que permite obtener tamaños mínimos de característica de aproximadamente 8 nm, frente a 13 nm. La mayor resolución óptica reduce la complejidad del modelado y mejora al mismo tiempo la precisión de superposición y el rendimiento de fabricación de circuitos integrados cada vez más densos.
   
• La introducción de la tecnología EUV de alta apertura numérica también representa una importante inversión de capital para los fabricantes de semiconductores. El sistema TWINSCAN EXE:5000 de ASML, cuyo precio oscila entre 370 millones y 400 millones de USD, cuesta casi el doble que los sistemas EUV convencionales, valorados en torno a 200 millones de USD. A pesar de la mayor inversión, las principales fundiciones consideran que la tecnología EUV de alta apertura numérica es esencial para prolongar la Ley de Moore, mejorar la productividad de las obleas y respaldar la producción de aceleradores de IA de próxima generación, memoria avanzada y procesadores para centros de datos. Intel recibió el primer sistema comercial EUV de alta apertura numérica en diciembre de 2023, seguido de TSMC a finales de 2024, mientras que las hojas de ruta del sector indican un despliegue más amplio a partir de 2024–2025 y una fabricación en volumen prevista para 2026–2027.
   
• El número de capas EUV utilizadas en cada dispositivo semiconductor sigue aumentando a medida que las arquitecturas de los chips se vuelven más complejas. Las tecnologías de proceso avanzadas de 7 nm suelen requerir entre 5 y 10 capas EUV, mientras que la fabricación de 3 nm ha incrementado su uso hasta entre 15 y 20 capas. Se prevé que la futura producción de 2 nm requiera más de 25 capas EUV por chip.Este aumento constante ilustra por qué la demanda de equipos de litografía EUV sigue expandiéndose, incluso cuando las fábricas de semiconductores individuales optimizan su capacidad de producción. Un mayor número de capas se traduce en una utilización más intensa de escáneres EUV, fotomáscaras, sistemas de metrología, materiales fotorresistentes y equipos de inspección, lo que crea oportunidades sostenidas en toda la cadena de valor de los equipos semiconductores.
   
• El panorama competitivo también está evolucionando a medida que los gobiernos y los fabricantes de semiconductores amplían la capacidad nacional de fabricación. Las inversiones en Estados Unidos, Corea del Sur, China, Alemania, el Reino Unido y la India están reforzando los ecosistemas regionales de semiconductores e incrementando la demanda de tecnologías avanzadas de litografía. Aunque ASML sigue siendo el único proveedor comercial de sistemas de litografía EUV, su ecosistema de socios en óptica, fuentes de luz, metrología y equipos semiconductores continúa expandiéndose, ya que los principales fabricantes de semiconductores invierten en instalaciones de fabricación de próxima generación. Se prevé que esta combinación de innovación tecnológica, iniciativas gubernamentales de apoyo al sector de los semiconductores y creciente demanda de chips impulsada por la inteligencia artificial siga siendo el principal motor de la adopción de equipos de litografía EUV a largo plazo. 

Análisis del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema

Según el tipo de tecnología, el mercado se divide en sistemas EUV estándar y sistemas EUV de alta NA.
 

• Los sistemas EUV estándar, que todavía funcionan con litografía de inmersión de 193 nm y ópticas con una apertura numérica de 0,33, pueden fabricar nodos de proceso de 7 nm, 5 nm e incluso los primeros nodos de 3 nm. Esto demuestra cómo el sector está pasando gradualmente de métodos anteriores a la nueva tecnología EUV (ultravioleta extrema).
   
• Estos sistemas EUV estándar alcanzan dimensiones mínimas de las características de aproximadamente 13 nm y son suficientemente rápidos para la producción industrial, con un procesamiento de aproximadamente 170–200 obleas por hora. Se proyecta una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 14,8 % para los sistemas EUV estándar, lo que refleja su despliegue continuo en nodos avanzados consolidados y su expansión hacia las aplicaciones de memoria.
   
• Los sistemas EUV de alta NA son sistemas de litografía en desarrollo que cuentan con una apertura numérica superior (NA de 0,55), lo que les permite imprimir características aún más pequeñas y alcanzar dimensiones mínimas de 8 nm, necesarias para los nodos de proceso de 2 nm e inferiores a 2 nm. La TCAC del 17,9 % prevista para los sistemas de alta NA refleja la transición de esta tecnología de la investigación y el desarrollo a las primeras fases de producción por parte de Intel y TSMC en 2023–2024.
   
• Aunque los sistemas de alta NA tienen un coste extremadamente elevado, de 370–400 millones de USD, superior al de los sistemas EUV convencionales, permiten ahorrar costes y reducir la complejidad a largo plazo, ya que disminuyen la necesidad de pasos adicionales denominados doble patronaje, necesarios en los sistemas anteriores para fabricar características muy pequeñas.

 

Según el tipo de equipo, el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema se segmenta en escáneres EUV, sistemas ópticos EUV, fuentes de luz EUV, máscaras y sustratos en blanco EUV, equipos de metrología e inspección EUV, sistemas de soporte EUV y software y sistemas computacionales EUV.
 

• Las divisiones por tipo de equipo ponen de relieve el detallado ecosistema necesario para llevar a cabo la litografía EUV, en el que los escáneres EUV registran la mayor cuota de mercado, del 50,7 %, y se prevé que crezcan a una TCAC del 16,1 % hasta 2034. La potencia de los escáneres constituye el núcleo del proceso de litografía y estos equipos son extremadamente costosos: cada uno cuesta entre 200 y 400 millones de USD, en función de sus características.
   
• Los sistemas ópticos EUV representan el 14,9 % de la cuota de mercado, con una TCAC del 14,6 %, e incluyen los espejos de precisión, los colectores y los componentes ópticos que proporcionan el rendimiento del sistema EUV. ZEISS mantiene acuerdos de suministro exclusivos con ASML para las ópticas EUV, y cada sistema requiere entre 10 y 11 espejos de precisión, lo que exige a los fabricantes alcanzar una exactitud de hasta picómetros.
   
• Las fuentes de luz EUV representan el 14,2 % de la cuota de mercado, con una TCAC del 15,3 %, y constituyen uno de los componentes técnicamente más complejos del ecosistema EUV. Los sistemas actuales utilizan potentes láseres de CO2 para incidir sobre diminutas gotas de estaño y producir luz EUV a 250–300 vatios. Para satisfacer las necesidades de los escáneres High-NA, la potencia de la fuente debe aumentar hasta superar los 500 vatios, lo que convierte esta área en un foco clave de desarrollo.
   

Según la aplicación por nodo tecnológico, el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema se divide en nodo lógico de 7 nm, nodo lógico de 5 nm, nodo lógico de 3 nm, nodo lógico de 2 nm, nodos lógicos inferiores a 2 nm, DRAM avanzada (de clase de 10 nm e inferior) y memoria NAND Flash avanzada.
 

• Las aplicaciones del nodo lógico de 7 nm se sitúan a la vanguardia, con una cuota de mercado del 28,9 % y una TCAC del 14 %. Este segmento representa el primer despliegue comercial significativo de la tecnología EUV, en el que la economía de la EUV frente a la multiplicidad de patrones alcanzó el punto de equilibrio para la fabricación de grandes volúmenes.
   
• Las aplicaciones del nodo lógico de 5 nm representaron una cuota de mercado del 25,3 % en 2025 y se prevé que crezcan a una TCAC del 15 %, por lo que constituyen el foco actual de la fabricación de grandes volúmenes de las principales fundiciones. En los nodos de 5 nm, la tecnología EUV se aplica a entre 10 y 15 capas críticas, lo que reduce la complejidad del proceso en comparación con las alternativas de inmersión de 193 nm y, al mismo tiempo, permite cumplir los requisitos de densidad y rendimiento de los transistores de los procesadores avanzados y los SoC móviles.
   
• Las aplicaciones del nodo lógico de 3 nm representan el 20,9 % del mercado, con una TCAC del 15,8 %, y constituyen la frontera tecnológica para el despliegue de la producción. Los nodos de 3 nm utilizan EUV en entre 15 y 20 capas críticas y requieren todas las prestaciones de los sistemas EUV de generación actual, como una mayor precisión de superposición y una reducción de los efectos estocásticos. Las principales fundiciones están aumentando la producción de 3 nm con la EUV como tecnología que lo hace posible.

América del Norte representó el 25,2 % de la cuota de mercado en 2025 y se prevé que crezca a una TCAC del 15,2 %. Esto se debe principalmente al despliegue intensivo de la EUV por parte de Intel para la fabricación en nodos avanzados y a la concentración de las principales empresas sin fábrica que requieren servicios de fabricación compatibles con EUV. Gracias a su inversión en tecnología EUV High-NA, Intel no solo se convierte en líder tecnológico, sino también en la primera empresa en disponer de capacidades de litografía de próxima generación.
 

• El mercado estadounidense de equipos de litografía ultravioleta extrema alcanzó un valor de 2.200 millones de USD en 2025 y se prevé que crezca a una TCAC del 15,3 % durante todo el período de previsión, de 2026 a 2034.
Según la Ley CHIPS del Gobierno de Estados Unidos, se han asignado 825 millones de USD a los programas EUV Accelerator, que respaldan las capacidades nacionales de fabricación de semiconductores y contribuyen a reducir la dependencia de la producción de productos extranjeros habilitados para EUV. Esta ayuda pública es la razón por la que el sector privado está aumentando sus inversiones en tecnología EUV y en capacidad de fabricación nacional.
 
• Los fabricantes pueden aprovechar las subvenciones de la Ley CHIPS y colaborar con las plantas de fabricación estadounidenses para localizar las cadenas de suministro, lo que no solo garantizará el rápido despliegue de la tecnología, sino que también hará más competitivo el sector de producción de semiconductores de alto rendimiento.
   
• Se prevé que el mercado canadiense de equipos de litografía ultravioleta extrema crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 14,1 % hasta 2034. El mercado canadiense de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) está creciendo debido al aumento del apoyo gubernamental a la investigación y el desarrollo de semiconductores, al incremento de las inversiones en fabricación avanzada y a la creciente demanda de chips de precisión en los sectores de la inteligencia artificial, la industria aeroespacial y las telecomunicaciones. La colaboración entre las instituciones de investigación y los fabricantes mundiales de chips no solo fomentará, sino que también acelerará la adopción de esta tecnología.
   
• Los fabricantes pueden aprovechar mejor su tiempo y sus recursos si primero se centran en establecer relaciones con los centros de investigación canadienses y, posteriormente, aprovechan los incentivos públicos para crear operaciones locales de ensamblaje o pruebas. De este modo, contribuirán a reforzar la resiliencia de la cadena de suministro y la competitividad tecnológica regional.
   

Europa representa el 15,4 % del mercado y registra una TCAC del 13,5 % en 2025. El crecimiento se debe principalmente a las amplias actividades de investigación y desarrollo realizadas en instituciones como IMEC y CEA-Leti, además de los fabricantes de semiconductores especializados que requieren capacidades EUV para aplicaciones específicas. Varias iniciativas de la Unión Europea, incluida la Chips Joint Undertaking, están proporcionando la financiación necesaria para el desarrollo y el despliegue de la tecnología EUV.
 

• Se prevé que el mercado alemán de equipos de litografía ultravioleta extrema crezca a una TCAC del 14,8 % hasta 2034. El crecimiento del mercado alemán de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) está impulsado principalmente por las inversiones en investigación y desarrollo de semiconductores, la creciente demanda de componentes electrónicos para el sector de la automoción y la innovación en chips influida por la Industria 4.0. Numerosos programas de financiación respaldados por el Gobierno, junto con las alianzas resultantes entre institutos de investigación y fabricantes de chips que están acelerando el despliegue de la litografía, están consolidando la posición de Alemania como centro de fabricación de semiconductores de alta gama.
   
• Los fabricantes de Alemania deben priorizar la colaboración con empresas industriales y del sector de la automoción, así como su alineación con los programas federales de financiación. Estas actividades les ayudarán no solo a acelerar la comercialización de la tecnología EUV, sino también a establecer alianzas sólidas.
   
• Se prevé que el mercado británico de equipos de litografía ultravioleta extrema genere más de 1.270 millones de USD hasta 2034. Uno de los factores que contribuyen al éxito del mercado británico de equipos de litografía EUV es el aumento de la inversión en diseño de semiconductores, computación cuántica e investigación en nanotecnología. Varias iniciativas gubernamentales, incluida la Estrategia Nacional de Semiconductores, así como las colaboraciones entre instituciones académicas, son los principales impulsores de la innovación. Como resultado, la tecnología EUV está ganando popularidad por su precisión en la fabricación de chips y por sus aplicaciones tecnológicas de alto valor.
   
• Los fabricantes deben colaborar estrechamente con los institutos de investigación del Reino Unido, aprovechar plenamente las subvenciones a la innovación y participar en el desarrollo de procesos de semiconductores habilitados para EUV con el fin de mejorar la capacidad tecnológica local y obtener una ventaja en el emergente ecosistema de chips del país.
   

Asia-Pacífico lideró el mercado con una cuota del 56,5% y una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 15,7%, lo que se atribuyó en gran medida a la concentración de los principales fabricantes de semiconductores del mundo y a la intensa inversión de la región en tecnologías de nodos avanzados. Por tanto, la región alberga a TSMC, Samsung, SK Hynix, entre otras empresas, que a su vez son los principales clientes de la tecnología EUV, ya que representan a las principales fundiciones y fabricantes de memorias.
 

• El mercado chino de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) estaba valorado en 2.100 millones de USD en 2025, lo que representaba el 38,2% de la cuota total del mercado de Asia-Pacífico. La cuota de China en el mercado de Asia-Pacífico es limitada debido a una serie de medidas de control de las exportaciones que restringen el acceso a la tecnología EUV, lo que brinda una oportunidad a otros mercados. En consecuencia, Japón, Singapur y los mercados emergentes del Sudeste Asiático se encuentran entre los beneficiarios de estas restricciones. Sony y Renesas, por ejemplo, son empresas japonesas que están aumentando la adopción de EUV para aplicaciones especializadas de semiconductores.
   
• Los fabricantes deben analizar la viabilidad de crear empresas conjuntas estratégicas, aprovechar plenamente los incentivos públicos y centrarse en la adaptación localizada de la tecnología para superar los retos regulatorios y utilizar de manera eficiente el amplio ecosistema de fabricación de semiconductores de China.
   
• Se prevé que el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) de Corea del Sur crezca a una TCAC del 15% durante el período de previsión. Corea del Sur es el segundo mercado más importante de la región de Asia-Pacífico, con operaciones de fundición en Samsung y fabricación de memorias por parte de Samsung, empresas que han realizado las mayores inversiones en EUV tanto para aplicaciones lógicas como de DRAM. Una colaboración entre Samsung y ASML cuenta con una inversión de 760 millones de USD en investigación y aplicación de tecnología EUV para varias líneas de productos.
   
• Se prevé que el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) de la India supere los 5.230 millones de USD en 2034. El mercado indio de herramientas de litografía compatibles con el ultravioleta extremo (EUV) está impulsado por programas gubernamentales de apoyo a los semiconductores, como la «India Semiconductor Mission», cuyo objetivo es desarrollar una capacidad nacional de fabricación de chips. La creciente tendencia de fabricación de productos electrónicos, la digitalización y los incentivos ofrecidos a los fabricantes extranjeros de semiconductores también contribuyen a la adopción de la tecnología EUV, necesaria para satisfacer la demanda, que aumenta rápidamente, de producción de chips con nodos avanzados.
   
• Los fabricantes deben colaborar con las fábricas indias, alinearse con los incentivos públicos y crear una base temprana de EUV que favorezca la producción local de chips y sea coherente con los objetivos de autosuficiencia del país en materia de semiconductores a largo plazo.
   

Se prevé que el mercado latinoamericano de equipos de litografía ultravioleta extrema supere los 257,7 millones de USD en 2034. La demanda de informática avanzada y de componentes electrónicos para automóviles se ha convertido en el principal motor de las inversiones de la región en sistemas de litografía de próxima generación, con el fin de mejorar la miniaturización de los chips y la eficiencia de la producción.
 

Se espera que el mercado de máquinas de litografía EUV de Oriente Medio y África supere los 552,8 millones en 2034. El crecimiento del mercado de equipos de litografía EUV de Oriente Medio y África se atribuye principalmente a los centros de ensamblaje de semiconductores que están surgiendo en los Emiratos Árabes Unidos e Israel, con el respaldo de las inversiones en los sectores de la electrónica, la industria aeroespacial y la defensa.
 

• El mercado sudafricano de equipos de litografía ultravioleta extrema estaba valorado en 40 millones de USD en 2025. El mercado sudafricano de equipos de litografía EUV está creciendo gracias al creciente interés en la fabricación de microelectrónica y en los centros de innovación basados en la investigación y el desarrollo.

La atención del Gobierno a la industrialización digital y al desarrollo de competencias en semiconductores está promoviendo alianzas con los fabricantes mundiales de equipos para chips, con el objetivo de reforzar las oportunidades de fabricación local y reducir la dependencia de las tecnologías de semiconductores importadas.
 

Los fabricantes deberían centrarse en programas de formación colaborativa e iniciativas de transferencia tecnológica para establecer una posición dominante temprana en el emergente ecosistema de semiconductores de Sudáfrica y en los esfuerzos de producción local de chips basados en I+D.
 

Se prevé que el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema en Arabia Saudí crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 13,6% durante el período de previsión. La iniciativa Visión 2030 de Arabia Saudí está acelerando las inversiones en fabricación de semiconductores como parte de sus objetivos de transformación digital. El interés del Gobierno por las infraestructuras inteligentes, la electrónica de defensa y las tecnologías renovables está impulsando la demanda de herramientas avanzadas de producción de chips, incluidos los sistemas de litografía EUV, para respaldar los esfuerzos de fabricación local y soberanía tecnológica.
 

Los fabricantes deberían asociarse con programas de innovación respaldados por el Estado y clústeres industriales para alinear el despliegue de sistemas EUV con los objetivos estratégicos de Arabia Saudí en materia de autosuficiencia en semiconductores y diversificación industrial de alta tecnología.
 

Se prevé que el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema de los EAU supere los 167 millones de USD en 2034. Los EAU se están desarrollando rápidamente como un centro de innovación en semiconductores, gracias a sus amplias inversiones en inteligencia artificial, ciudades inteligentes y tecnología de defensa. Sus alianzas estratégicas con empresas internacionales de semiconductores y su favorable entorno regulatorio están impulsando la adopción de la litografía EUV para respaldar el diseño, las pruebas y el empaquetado avanzado de chips nacionales.
 

Cuota de mercado de los equipos de litografía ultravioleta extrema

• La cuota conjunta del 87,61% correspondiente a los cinco principales actores incluye los sistemas de escáner de ASML, además de los proveedores de componentes críticos que conforman el ecosistema esencial de EUV. ZEISS mantiene una relación exclusiva con ASML para los sistemas ópticos EUV y proporciona espejos de precisión y conjuntos ópticos que determinan el rendimiento del sistema. Cada sistema EUV requiere entre 10 y 11 espejos de precisión fabricados con tolerancias medidas en picómetros, lo que representa un valor de varios millones de dólares por sistema óptico y escáner, según la investigación de ZEISS.
   
• El mercado de equipos de litografía EUV en la Unión Europea está muy concentrado en términos de panorama competitivo. ASML Holding N.V. es el principal actor, con una cuota del 72,5% en el mercado del segmento más amplio de equipos de litografía y cerca del 100% del mercado de sistemas comerciales de escáner EUV. La posición líder de ASML en el mercado se debe a una inversión centrada en el desarrollo de tecnología EUV durante más de 20 años, que incluyó la colaboración con los principales fabricantes de semiconductores, instituciones de investigación financiadas por los Gobiernos y proveedores de componentes.
   
• Tras la adquisición de sistemas y componentes láser coherentes, Coherent Corporation lidera la tecnología de fuentes de luz ultravioleta extrema. Los láseres de CO₂ de alta potencia de la empresa son los componentes principales de las fuentes EUV de plasma producido por láser (LPP), y cada sistema requiere varios módulos láser que funcionan a niveles de potencia de kilovatios. Según Coherent Corporation, la posición de la empresa en el mercado se ve reforzada por el desarrollo continuo de tecnologías láser de próxima generación necesarias para los sistemas EUV de alta apertura numérica (High-NA).
   
• Trumpf SE + Co. KG, gracias a su experiencia en láseres industriales y a sus colaboraciones con desarrolladores de fuentes EUV, está bien posicionada para seguir desarrollando la tecnología láser necesaria para las fuentes EUV. La potencia máxima del sistema láser de la empresa lo convirtió en un componente determinante de la arquitectura de las fuentes EUV. Según los resultados de la investigación realizada en Trumpf, la empresa lleva a cabo desarrollos destinados a aumentar la potencia y mejorar la fiabilidad, aspectos necesarios para la fabricación de grandes volúmenes.
   
• KLA Corporation es líder en equipos de metrología e inspección para EUV y contribuye a proporcionar los sistemas de medición especializados necesarios para el control de procesos EUV y la optimización del rendimiento. Los sistemas de inspección actínica de KLA funcionan con longitudes de onda EUV para detectar defectos y medir dimensiones críticas con una precisión inferior al nanómetro y, por tanto, pueden alcanzar precios muy elevados debido a sus capacidades ultraprecisas, según KLA Corporation.
   

Empresas del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema

Entre las principales empresas que operan en el mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) se incluyen:
 

• ASML Holding N.V.
• Coherent Corporation
• Trumpf SE + Co. KG
• Jenoptik AG
• KLA Corporation
• Applied Materials, Inc.
• Lam Research Corporation
• Nikon Corporation
• Canon Inc.
• Gigaphoton Inc.
• NuFlare Technology, Inc.
• Lasertec Corporation
• Veeco Instruments Inc.
• SUSS MicroTec SE
• EV Group E. Thallner GmbH
• SET Corporation
• Oxford Instruments plc
• Plasma-Therm LLC
• Oxford Instruments plc
• Plasma-Therm LLC
  
   

Los principales actores del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema representan un ecosistema completo que va más allá de la integración de sistemas e incluye componentes, materiales y servicios de asistencia críticos. La estructura del mercado refleja la naturaleza extremadamente especializada de la tecnología EUV y la extensa cadena de suministro necesaria para entregar sistemas de litografía funcionales.
 

ASML Holding N.V. es el líder indiscutible en sistemas de escáneres EUV. Su serie TWINSCAN NXE representa la generación actual de sistemas EUV de producción, mientras que el sistema TWINSCAN EXE:5000 High-NA define la próxima frontera tecnológica. Coherent Corporation mantiene una posición estratégica en la tecnología de fuentes de luz EUV mediante sus sistemas y componentes láser de alta potencia. La experiencia de la empresa en láseres industriales permite fabricar los láseres de CO2 de clase kilovatio necesarios para las fuentes EUV de plasma producido por láser (LPP).
 

Jenoptik AG ofrece componentes y sistemas ópticos de precisión que son esenciales para el ecosistema EUV. Estos incluyen equipos de metrología y sistemas ópticos especializados. La tecnología de fabricación de precisión y de sistemas ópticos de la empresa no solo contribuye al desarrollo de escáneres EUV, sino que también respalda los requisitos de metrología a nivel de fábrica.
 

Como complemento de los sistemas de litografía EUV, Applied Materials, Inc. ofrece equipos de proceso y soluciones de materiales que pueden integrarse sin problemas. Las iniciativas estratégicas de la empresa incluyen la creación de procesos de deposición y grabado compatibles con EUV, el uso de materiales avanzados para aplicaciones EUV y el desarrollo de soluciones de proceso integradas que maximizan el rendimiento de la tecnología EUV.
 

Veeco Instruments Inc., SUSS MicroTec SE, EV Group E. Thallner GmbH, SET Corporation, Oxford Instruments plc y Plasma-Therm LLC son los seis proveedores que facilitan la implementación y el funcionamiento de fábricas EUV mediante equipos de proceso especializados, sistemas de manipulación de materiales y otras tecnologías complementarias.

Noticias del sector de equipos de litografía ultravioleta extrema

• En junio de 2026, ASML reafirmó que nunca ha enviado a China ningún sistema de litografía ultravioleta extrema (EUV) ni componentes específicos para EUV, tras las informaciones relativas a posibles problemas de control de las exportaciones. La empresa declaró que todas las exportaciones de equipos EUV cumplen las normativas neerlandesas e internacionales, lo que pone de relieve el impacto continuado de las políticas comerciales geopolíticas en el mercado mundial de equipos para semiconductores.
   
• En junio de 2026, los investigadores demostraron una técnica de irradiación láser de doble haz que mejoró aproximadamente un 40% la eficiencia de conversión de la fuente de luz ultravioleta extrema (EUV), lo que ofrece una posible vía para desarrollar fuentes EUV de mayor potencia necesarias para la futura litografía EUV de alta NA. Este avance podría contribuir al desarrollo de fuentes de luz EUV de varios kilovatios, lo que permitiría aumentar el rendimiento de las obleas y mejorar la eficiencia de fabricación para la producción de semiconductores de próxima generación.
   

El informe de investigación del mercado de equipos de litografía ultravioleta extrema incluye una cobertura detallada del sector con estimaciones y previsiones en términos de ingresos (miles de millones de USD) y volumen (unidades) de 2021 a 2034, para los siguientes segmentos:

Mercado por tipo de tecnología

• Sistemas EUV estándar (NA 0,33)
  • Sistemas NXE:3400C
  • Sistemas NXE:3600D
  • Sistemas NXE:3800E 
• Sistemas EUV de alta NA (NA 0,55)  
  • Sistemas EXE:5000
  • Sistemas EXE:5200B
  • Sistemas de alta NA de próxima generación

Mercado por tipo de equipo

• Escáneres EUV       
• Sistemas ópticos EUV        
  • Sistemas de iluminación
  • Óptica de proyección
  • Sistemas de espejos y recubrimientos multicapa 
• Fuentes de luz EUV
  • Sistemas láser de CO2
  • Equipos de generación de plasma
  • Sistemas de acondicionamiento de potencia
• Máscaras y blancos EUV        
  • Blancos de sustrato para máscaras
  • Sistemas de películas protectoras
  • Equipos de fabricación de máscaras
• Equipos de metrología e inspección EUV 
  • Sistemas de inspección de defectos
  • Sistemas de metrología de superposición
  • Sistemas de medición de dimensiones críticas
• Sistemas de soporte EUV       
  • Sistemas de vacío
  • Equipos de depuración
  • Sistemas de control ambiental
• Software y sistemas computacionales EUV
  • Software de litografía computacional
  • Software de control de procesos
  • Software de diseño de máscaras

Mercado por aplicación según el nodo tecnológico  

• Nodo lógico de 7 nm   
• Nodo lógico de 5 nm   
• Nodo lógico de 3 nm   
• Nodo lógico de 2 nm   
• Nodos lógicos inferiores a 2 nm      
• DRAM avanzada (de clase de 10 nm e inferior)  
• Memoria flash NAND avanzada     

Mercado por tipo de uso final     

• Fundiciones puras         
• Fabricantes integrados de dispositivos (IDM)
• Fabricantes de memoria  

Mercado por sector de uso final

• Electrónica móvil y de consumo  
• Semiconductores para automoción       
• Inteligencia artificial y aprendizaje automático          
• Centros de datos y computación de alto rendimiento     
• Infraestructura 5G y de telecomunicaciones           
• Aplicaciones industriales y de IoT       
• Aeroespacial y defensa                  

La información anterior se proporciona para las siguientes regiones y países:

• Norteamérica
  • EE. UU.
  • Canadá
• Europa
  • Reino Unido
  • Alemania
  • Francia
  • Italia
  • España
  • Rusia
• Asia-Pacífico
  • China
  • India
  • Japón
  • Corea del Sur
  • ANZ 
• América Latina
  • Brasil
  • México 
• Oriente Medio y África (MEA)
  • EAU
  • Arabia Saudí
  • Sudáfrica