半導体メモリ市場 サイズとシェア 2026-2035

半導体メモリ市場の規模

半導体メモリ市場は、2025年に1,195億米ドルと評価され、2026年の1,317億米ドルから2035年には3,601億米ドルへ拡大すると予測されており、年平均成長率（CAGR）は約11.8%となる見込みです。

数量ベースでは、2025年の1,397億2,000万個、2026年の1,948億1,000万個から、2035年には3兆9,909億7,000万個へ増加すると予想されます。数量の成長と売上高の成長に乖離が見られることは、デバイスへの搭載拡大が進む一方で、ビット当たりコストの低下が続き、高付加価値メモリのカテゴリーが価値の不均衡に大きな割合を占めることを示しています。

現在のメモリ需要は、2種類の異なる調達モデルを反映しています。NAND、標準DRAM、NOR、組み込みメモリは、引き続きデバイスサイクル、在庫調整、ビット当たりコストの低下の影響を受けています。これに対して、HBMはAIアクセラレーター向けの、供給能力に制約されるシステムコンポーネントとなっています。Micronは2024年2月にHBM3Eの量産を開始し、スタック当たり1.2 TB/sの帯域幅と、競合するHBM3E製品と比べて30%低い消費電力を実現したと主張しています ^{[1]Micron Technology, Inc., Micron Commences Volume Production of Industry-Leading HBM3E Solution to Accelerate the Growth of AI, February 26, 2024, investors.micron.com}。Samsungは2026年2月にHBM4の商用出荷を開始し、ピーク帯域幅3.3 TB/s、I/Oピン2,048本、HBM3E比で40%の電力効率向上を挙げています ^{[2]Samsung Electronics Co., Samsung Ships Industry-First Commercial HBM4 With Ultimate Performance for AI Computing, February 2026, news.samsung.com}。Epoch AIは、2025年のHBM生産による売上高の90%超をAIチップが占めたと推定しています。

この高付加価値層によって、メモリ市場の循環性がなくなるわけではありません。DRAMとNANDは2024年第4四半期から2025年第1四半期にかけて供給過剰と価格下落に直面し、SamsungやKioxiaを含むサプライヤーはNANDの生産削減を進めました。そのため市場は、ビット需要全体だけでなく、AI向け高付加価値メモリと汎用品の間で、先端ウェハー、積層、パッケージングの生産能力をどのように配分するかによって、ますます左右されるようになっています。

重要な制約は、単なるウェハー生産能力ではありません。HBMにはダイの積層、テスト、熱管理、顧客プラットフォームでの認定が必要であり、コモディティDRAMの生産能力と比べて、供給の追加はより遅く、代替も容易ではありません。そのため、アクセラレーター向けメモリを必要とする買い手は、早期に供給の継続性を確保する必要があります。一方、サプライヤーは、AIプラットフォームのなかでも比較的限定された顧客群に先端生産能力を過度に割り当てるリスクと、この機会とのバランスを取らなければなりません。

本分析は、2022〜2025年の実績期間、2025年を基準年、2026〜2035年を予測期間とし、世界の半導体メモリ市場を対象としています。メモリタイプ、フォームファクター、技術、用途、最終用途産業に加え、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東・アフリカの地域市場を分析しています。

主要な成長要因

AIコンピューティングはDRAMの価値構成を変化させている。生成AIのトレーニングと推論では、アクセラレーターとメモリ間で持続的な帯域幅が必要となるため、従来型のサーバーDIMMでは効率的に対応できないワークロードが生じている。MicronのHBM3Eは2024年にNVIDIA H200システム向けの量産に入り、Samsungによる2026年のHBM4出荷は、性能およびパッケージングの移行におけるさらなる一歩となった。2025年のHBM出荷額の90%超をAIチップが吸収したことから、認定済みHBM生産能力を有するメモリサプライヤーは、広く取引されるコモディティ市場ではなく、供給制約のある製品層において優位な立場にある。

自動運転化と機能安全要件の高まりに伴い、自動車向けメモリ搭載量が増加している。L1〜L2のADASシステムでは5〜50 GB/sであるメモリ帯域幅要件が、L4システムでは256〜512 GB/s以上に高まるため、需要はLPDDR5X、GDDR6、さらに将来的にはより高帯域幅のアーキテクチャへと移行している ^{[3]JEDEC Solid State Technology Association, LPDDR, GDDR, and HBM for Automotive AI Applications (JEDEC Automotive Forum 2024), 2024, jedec.org}。認定要件により代替可能性は低下する。自動車向けサプライヤーは、長期にわたる車両プログラム期間中、信頼性、トレーサビリティ、機能安全の条件を満たすデバイスを必要とする。SamsungのASIL-D認証取得済み自動車向けLPDDR5Xは、認定が民生用メモリを上回る、より持続的な価格形成を支え得ることを示している。

クラウドインフラは、プレミアムメモリと高密度メモリの双方の需要を支えている。AIラックでは、HBM搭載アクセラレーター、DDR5ホストメモリ、データ、チェックポイント、モデルストレージ向けのエンタープライズSSDを組み合わせて使用する。この階層的な消費パターンは、2026年に 209.0億米ドルに達するデータセンター・クラウド市場を支えており、同市場は2035年までに 648.3億米ドルに達すると予測されている。また、スマートフォンの買い替えサイクルへの依存度が低いマネージドストレージの需要も創出している。

5Gおよびエッジ展開により、組み込みメモリの需要が広がっている。通信機器では信号処理とバッファリングのためにDRAMが必要とされる一方、NORフラッシュは基地局やネットワーク機器において、永続的なファームウェア保存と実行インプレース機能を提供する。遅延に敏感なAIワークロードがネットワークエッジへ移行することで、特にクラウド接続では応答時間の要件を満たせない環境において、ローカルストレージおよび処理用メモリの要件が加わっている。

主な抑制要因

コモディティメモリは、在庫調整の影響を引き続き受けやすい。DRAMとNANDの供給過剰は2024年第4四半期から2025年第1四半期にかけて続き、価格下落を招くとともに、主要サプライヤーはNANDの生産量削減に動いた。このサイクルは調達上の緊張を生み出す。OEMは短期的には部品価格の低下による恩恵を受ける可能性があるが、急激な生産削減により、長期にわたる製品開発サイクルが完了する前に供給が逼迫する可能性がある。HBMもこのリスクを排除するものではなく、プレミアムAIメモリを従来型メモリ層に影響を及ぼす弱い価格環境から切り離している。

生産能力への投資はリードタイムが長く、実行リスクも高い。Micronは2025年1月、シンガポールでHBM先端パッケージング施設の建設に着手し、初期操業は2026年に開始され、2027年以降にはより大規模な生産能力拡大が見込まれている ^{[4]Micron Technology, Inc., Micron Breaks Ground on New HBM Advanced Packaging Facility in Singapore, January 8, 2025, investors.micron.com}。2025年6月の発表では、米国の製造業への投資約1,500億米ドルと、研究開発への投資500億米ドルの概要が示された。このようなコミットメントは、時間の経過とともに供給の強靭性を高める可能性があるが、建設、歩留まりの立ち上げ、設備導入、顧客認定に数年を要する市場の需給不均衡を短期間で是正することはできない。

政府プログラムは、事業運営の複雑さを解消することなく、一部の財務リスクを緩和している。米国CHIPS法では、2025年1月までに、40件の商用半導体製造プロジェクトを対象として、307億米ドルの助成金と55億米ドルの融資が確約されていた。EU半導体法は430億ユーロを超える公的投資を動員し、mid-2026までに、初の実用化施設に関する承認決定13件を支援していた。新たな地域生産能力の整備には、専門材料、訓練を受けた労働力、安定したユーティリティ、現地の認定エコシステムが依然として必要である。

購入企業にとっての含意は、単一のメモリー調達戦略では不十分だということである。HBMおよび車載グレード製品には複数年にわたる認定と供給コミットメントが必要である一方、主流のNANDとDRAMでは、価格サイクル全体を通じた規律ある在庫管理が求められる。サプライヤーにとって、より持続的な優位性は、単にウェハー投入量を拡大することではなく、設備投資をパッケージング能力や顧客のロードマップに合わせることにある。

半導体メモリー市場のセグメント分析

メモリータイプ

DRAMの市場規模は、2026年の436億米ドルから2035年には1,368.5億米ドルへ拡大し、年平均成長率（CAGR）は13.55%になると予測される。その成長を上回る要因は、AIアクセラレーターにおけるHBMの採用と、サーバー、PC、モバイル機器、車載システムにおけるDDR5およびLPDDR5Xの普及である。HBMでは、積層、テスト、システム統合により性能と認定済み供給の重要性が高まるため、標準的なDRAMダイを超える価値が生み出される。MicronのHBM3EとSamsungのHBM4は、より広い帯域幅を必要とする上位層への移行を示す例である。

SRAMの市場規模は、2026年の349.1億米ドルから2035年には936.4億米ドルへ拡大すると予測される。SRAMは、密度よりも確定的なアクセスが重視される低レイテンシのプロセッサキャッシュ、MCUメモリー、ASIC、ネットワークバッファに利用される。需要はストレージの拡大よりも、キャッシュ階層の深化や、より複雑なエッジプロセッサおよび車載プロセッサの普及に連動している。

NANDフラッシュの市場規模は、2026年の249.2億米ドルから2035年には638.7億米ドルへ拡大すると予測される。エンタープライズSSDの需要がAIインフラにおける同セグメントを支える一方、消費者需要は引き続きデバイスの在庫サイクルの影響を受ける。KioxiaとSandiskは2025年9月にKitakami Fab2の操業を開始し、CMOS直接接合型アレイ技術を用いた218-layer 3Dフラッシュを生産している^{[5]Sandisk Corporation, Kioxia and Sandisk Announce Beginning of Operation of Fab2 at Kitakami Plant, Japan to Meet the Market Demand Driven by AI, September 29, 2025, sandisk.com}。より高層のアーキテクチャは密度とビット当たりコストの経済性を改善するが、需要に先行して生産能力が追加された場合、供給過剰を深刻化させる可能性もある。

NOR型フラッシュメモリの市場規模は、2026年の182.3億米ドルから2035年には414.3億米ドルに拡大すると予測されている。ブートコード、ファームウェア、産業用コントローラー、自動車用ECU、通信機器で採用されていることから、大容量NANDとは異なる専門性の高い位置づけを有している。製品が備える実行インプレース機能と耐久性は、永続的かつ低遅延のコードアクセスが求められる用途を支えている。

MRAM、ReRAM、PCMなどのその他のメモリ技術は、2026年の100.9億米ドルから2035年には243.5億米ドルに拡大すると予測されている。これらの商機は、従来型フラッシュだけでは実現できない不揮発性、耐久性、低遅延が求められる用途に集中している。

フォームファクター

UFS、eMMC、SSDなどのマネージドストレージは、依然として最大のフォームファクター区分であり、2026年の465.1億米ドルから2035年には1,296.5億米ドルに増加する見込みである。スマートフォン、クライアント機器、自動車のインフォテインメント、エンタープライズインフラに幅広く採用されていることが、数量規模をもたらしている。AIデータセンターの導入は、エンタープライズSSDの需要を一段と強化している。これは、学習データとチェックポイントに高密度の永続ストレージが必要となるためである。

HBMおよび3D-stackedメモリは、2026年の352.4億米ドルから2035年には1,019.2億米ドルに増加すると予測され、年平均成長率（CAGR）は12.52%となる見込みである。同セグメントの成長は、単純なビット容量の増加ではなく、AIアクセラレーター業界が帯域幅とエネルギー効率に依存していることを反映している。高度な積層技術により、メモリの価値はファウンドリー、パッケージング、アクセラレーターのロードマップとの結びつきを強めており、サプライヤーを迅速に切り替える際の障壁が高まっている。

ディスクリートICは、2026年の285.7億米ドルから2035年には756.3億米ドルに拡大すると予測されている。設計者が個別に認定されたメモリコンポーネントを必要とする産業、自動車、通信の各用途において、ディスクリートICは引き続き重要である。組み込みメモリは、同じ期間に214.2億米ドルから529.4億米ドルに増加すると予測されている。これは、コンパクトな設計、低遅延、エネルギー効率を重視するSoCやMCUに支えられている。

技術

不揮発性メモリは、絶対額ベースでは引き続き大きな規模を維持し、2026年の712.7億米ドルから2035年には1,872.7億米ドルに増加すると予測されている。消費者向け、産業用、自動車用、データセンター向けの各プラットフォームで永続ストレージが必要とされるため、NANDとNORの需要は構造的に幅広い。

揮発性メモリは、不揮発性メモリよりも速いペースで成長し、2026年の604.7億米ドルから2035年には1,728.7億米ドルに拡大すると予測されている。CAGRは12.38%となる見込みである。この差は、特にHBMを含むAIインフラへのDRAMのエクスポージャーを反映している。成長率の差は、不揮発性メモリの重要性が低下していることを意味するものではない。帯域幅を多く必要とする処理が、従来型ストレージの搭載分よりもシステム当たりの収益を多く生み出していることを示している。

用途

ストレージメモリは、SSD、UFS、eMMC、フラッシュモジュールを中心に構成される。処理メモリは、サーバー、AIアクセラレーター、ワークステーション、高性能機器向けのDRAMとHBMで構成される。キャッシュメモリは主にSRAMに依存しており、低遅延と決定論的な動作が機能上の要件となる。組み込み・コードストレージメモリでは、ファームウェア、ECU、モデム、基地局、IoT機器向けにNORと組み込みフラッシュが使用される。その他の用途には、グラフィックスメモリ、ネットワークバッファ、特殊用途の永続メモリ導入が含まれる。

商業面での中心的な違いは、メモリとコンピューティングの関係にある。ストレージメモリは容量、耐久性、ビット当たりコストを重視し、処理メモリは帯域幅と消費電力を重視する。キャッシュメモリと組み込みメモリは、低遅延、信頼性、統合性を重視している。こうした最適化の優先順位が異なるため、市場全体を均質な単一のメモリプールとして扱うことの有用性は低下する。

最終用途産業

民生用電子機器市場は、2026年の297.7億米ドルから2035年には864.3億米ドルに拡大すると予測される。スマートフォン、ゲーム機器、ウェアラブル機器、AI PCが数量ベースの需要を生み出す一方、購入動向は機器の買い替えサイクルの影響を受けやすい状況が続いている。

データセンター・クラウドは最も成長の速い最終用途産業であり、2026年の209.0億米ドルから2035年には648.3億米ドルへ、年平均成長率（CAGR）13.40%で拡大する。AIラックでは、HBM、DDR5、エンタープライズSSDが一体的に使用されるため、導入システム1台当たりのメモリ搭載量が増加している。

車載電子機器市場は、2026年の205.4億米ドルから2035年には529.4億米ドルに拡大すると見込まれる。車載システムには、機能安全および信頼性の基準を満たすメモリが求められ、ADASアーキテクチャの進展に伴い、帯域幅の需要も急速に高まっている。コンピューティング・IT市場は、PC、エンタープライズサーバー、ネットワーク機器に支えられ、130.5億米ドルから349.3億米ドルへ拡大すると予測される。

産業・製造分野の需要は109.9億米ドルから273.7億米ドルへ拡大すると予測される一方、通信・ネットワーク分野は124.5億米ドルから313.3億米ドルへ増加する。ヘルスケア電子機器市場は68.6億米ドルから180.1億米ドルへ、航空宇宙・防衛市場は92.2億米ドルから252.1億米ドルへ拡大する。これらの市場では一般に、民生製品よりも長期の供給可能期間と厳格な認定が求められるため、調達および製品ライフサイクル管理の差別化が促される。その他の最終用途は、79.6億米ドルから190.9億米ドルへ増加すると予測される。

セグメント構成からは、認定が重要である理由も明らかになる。車載、産業、通信、航空宇宙用途では、単により多くのメモリを消費するのではなく、信頼性、安全性、温度、供給可能性に関する固有の特性が求められる。技術認定と長期的な製品サポートを組み合わせられるサプライヤーは、民生向けDRAMおよびNANDの価格が弱含む局面でも、価格感応度の低い需要層に対応できる。

半導体メモリ市場の地域別分析

北米

北米市場は、2026年の496.4億米ドルから2035年には1,401.6億米ドルへ、CAGR 12.23%で拡大すると予測される。米国市場は、2026年の461.1億米ドルから2035年には1,289.5億米ドルへ成長し、ハイパースケールAIインフラと国内メモリ投資の拡大を組み合わせている。CHIPS法の資金提供は、2025年1月時点で40件の商用プロジェクトに対する助成金307億米ドルおよび融資55億米ドルに達していた ^{[6]Congressional Research Service, Semiconductor Fabrication Facilities Funded by the CHIPS Act Incentives, January 2025, congress.gov}。Micronの米国拡張計画は製造および研究開発の規模を拡大するが、商業面での影響は、その実行力と生産 ramp-up の時期に左右される。

カナダ市場は、2026年の35.2億米ドルから2035年には112.1億米ドルへ、CAGR 15.57%で成長すると予測される。クラウド、エンタープライズIT、デジタルインフラへの需要に支えられ、より小規模な基盤から米国を上回る成長率を示す。

欧州

欧州の市場規模は、2026年の379.2億米ドルから2035年には1,159.1億米ドルに拡大すると予測されており、年平均成長率（CAGR）は地域別で最も高い13.22%となる見込みです。自動車OEM、産業オートメーション、防衛エレクトロニクス、政策に支えられた半導体投資が、この成長を下支えしています。欧州半導体法（European Chips Act）は2023年9月に施行され、2030年までに世界の半導体生産に占める割合を20%に引き上げることを目標としており、430億ユーロを超える公的投資を動員しています ^{[7]European Commission, European Chips Act - Building Europe's Semiconductor Ecosystem, Updated July 2026, digital-strategy.ec.europa.eu}。

ドイツの市場規模は、2026年の117.9億米ドルから2035年には421.5億米ドルに増加すると予測されています。これに続き、英国は81.3億米ドルから254.4億米ドル、フランスは76.7億米ドルから221.6億米ドルに拡大する見込みです。イタリアは30.5億米ドルから82.3億米ドル、スペインは22.6億米ドルから55.8億米ドル、ロシアは16.6億米ドルから38.3億米ドルに成長すると予想されます。欧州では、自動車および産業分野のユーザーが認定済みコンポーネントを必要とする領域で市場機会が最も大きい一方、公的投資が完全に域内化されたメモリ供給基盤に結び付くまでには時間を要します。

アジア太平洋

アジア太平洋の市場規模は、2026年の286.8億米ドルから2035年には769.5億米ドルに拡大すると予測されています。同地域は世界のメモリ生産の中心であると同時に、主要な消費市場でもあります。中国の市場規模は、2026年の144.4億米ドルから2035年には419.5億米ドルに増加すると予測されており、民生用電子機器、5G、クラウドインフラ、国内メモリ施策が成長を支えています。インドは71.7億米ドルから185.4億米ドルに拡大すると見込まれており、電子機器製造、スマートフォン、組立・テスト投資が寄与しています。

日本の市場規模は、2026年の28.7億米ドルから2035年には74.9億米ドルに増加すると予想されています。KioxiaとSandiskが日本でNANDの製造を行っているため、日本の役割は戦略的に重要です。両社は2025年に北上Fab2の操業を開始し、政府の支援を条件として、2032年までに310億米ドルを超える将来的な投資を発表しました。韓国は17.1億米ドルから39.2億米ドルに拡大すると予測される一方、オーストラリアの2026年の市場規模は11.4億米ドルです。地域全体の動向には、製造面での主導権と域内消費の違いが表れています。大量のメモリを輸出する国では、生産上の役割から想定される水準を下回る国内需要となる場合があります。

ラテンアメリカ

ラテンアメリカの市場規模は、2026年の81.7億米ドルから2035年には176.8億米ドルに増加すると予測されており、CAGRは8.96%となる見込みです。同市場は主に、民生用機器、企業インフラ、電子機器の組立に使用される輸入部品によって牽引されています。ブラジルとメキシコが最大の需要拠点となっていますが、域内のメモリ製造能力が限られているため、需要企業は為替変動、貿易環境、世界的な供給サイクルの影響を受けやすい状況にあります。

中東・アフリカ

中東・アフリカの市場規模は、2026年の73.3億米ドルから2035年には94.4億米ドルに増加すると予測されており、CAGRは2.85%となる見込みです。湾岸諸国のデータセンター、公共部門のデジタル化、通信投資、AI指向のインフラが需要を支えています。成長率が低い背景には、ICT成熟度のばらつきと大規模な域内メモリ製造基盤の不在があり、同地域は輸入供給と世界的な価格動向への依存度が高くなっています。

アジア太平洋地域は、重要な DRAM および NAND の製造エコシステムを擁していることから、今後も世界の供給環境の大部分を左右し続けると見込まれる。日本で計画されている NAND 投資と、Kioxia-Sandisk の製造における継続的な役割は、供給レジリエンスが地理的な分散だけで決まるのではなく、技術的に成熟したクラスターの継続性にも依存することを示している。欧州および北米の購入企業は、調達および認定戦略によって依存度を低減できるが、短期的には、確立されたアジアの生産ネットワークを完全に代替することはできない。

半導体メモリ市場のシェアと競争環境

Samsung は 2025 年の市場収益の 28% を占め、SK hynix が 22%、Micron が 18%、Kioxia が 10%、Western Digital が 7% で続いた。残りの 15% は、その他の正規参入企業が分け合っている。上位 5 社へのサプライヤー集中により、これらの企業は先進 DRAM、HBM、NAND の供給に大きな影響力を持つが、技術や顧客認定によって競争上の位置付けは異なる。

Samsung Electronics Co. は、DRAM、NAND、HBM を幅広く展開するポートフォリオで市場をリードしている。同社が 2026 年 2 月に出荷を開始した HBM4 は、2,048 本の I/O ピンを備え、転送速度 3.3 TB/s と電力効率の向上を実現した製品である。また、自動車向け LPDDR5X は ASIL-D 認証を取得している。同社は製品ポートフォリオの幅広さを生かし、AI、民生、企業、自動車分野の需要に対応できる一方、メモリのカテゴリーごとに異なる景気循環の影響も受ける。

SK hynix Inc. は 22% のシェアを占め、DRAM および Solidigm を通じた NAND で強固な地位を築く主要 HBM サプライヤーである。同社の競争上の重要性は、HBM の早期商用化、顧客認定、ならびに計画されている龍仁および清州の製造能力拡張に基づいている。

Micron Technology, Inc. は 18% のシェアを占め、DRAM、NAND、HBM を供給する米国本拠の主要企業である。同社は 2024 年に HBM3E の量産を開始し、2025 年にはシンガポールの HBM パッケージング施設の建設に着手した。また、2025 年 6 月には、米国における製造および研究開発への大規模な投資を発表した。これらのプロジェクトは同社の戦略的地位を強化するが、供給能力への貢献は、量産立ち上げを成功裏に実行できるかどうかに左右される。

Kioxia Corporation は 10% のシェアを占め、Sandisk との日本における製造提携を通じて、引き続き主要な NAND サプライヤーとなっている。北上 Fab2 は 2025 年 9 月に 218-layer NAND の生産を開始し、その後、両社は政府支援を条件として、2032 年までに日本で 310 億米ドルを超える投資を行う計画を発表した ^{[8]Sandisk Corporation, Kioxia and Sandisk to Invest Over $31 Billion in Japan, Extending Leadership in Memory Industry, August 27, 2026, sandisk.com}。

Western Digital Corporation/Sandisk は、2025 年の市場収益の 7% を占める。Western Digital は 2025 年 2 月にフラッシュ事業の分離を完了し、Sandisk を独立上場企業として設立した ^{[9]Western Digital Corporation, Western Digital Completes Planned Company Separation, February 24, 2025, westerndigital.com}。現在、関連する NAND 競合企業は、Kioxia との製造合弁関係を含めて Sandisk であり、Western Digital は HDD 製品に注力している。

Kingston Technology Company, Inc. は、独立系のメモリモジュール、SSD、フラッシュストレージのサプライヤーとして事業を展開している。同社の役割は、ウェハー製造よりも、モジュール設計、製品認定、調達、チャネル管理に集中している。

Texas Instruments Incorporated は、アナログおよび組み込み処理のエコシステムにおいて NOR フラッシュおよび SRAM を供給している。同社は、より広範な組み込みプラットフォームの一部としてメモリを使用する自動車および産業用設計に関連する企業である。

最近の業界動向

• Western DigitalがSandiskの分離を完了（2025年2月24日）：SandiskはSNDKのティッカーシンボルでNasdaqでの独立取引を開始し、Western DigitalはHDD事業を維持した。
• Micronが米国での製造および研究開発投資の拡大を発表（2025年6月12日）：同社は、BoiseおよびManassasでの取り組み、国内でのHBMパッケージング計画を含め、米国でのメモリ製造に約1,500億米ドル、研究開発に500億米ドルを投資すると発表した。
• KioxiaとSandiskがKitakami Fab2の操業を開始（2025年9月29日）：同施設はCBA技術を用いた第8世代218-layer 3Dフラッシュの生産を開始し、投資の一部は日本政府の支援を受けた。
• Samsungが商用HBM4を出荷（2026年2月）：SamsungはHBM4の量産および出荷を発表し、転送速度11.7 Gbps、ピーク帯域幅3.3 TB/s、2,048ピンのインターフェースを挙げた。
• KioxiaとSandiskが日本でのNAND投資計画を発表（2026年8月27日）：両社は政府の支援を前提に、2032年までに310億米ドルを超える投資を見込むとともに、製造合弁事業の枠組みを2034年12月まで延長すると発表した。