Silicon EPI Wafer Marktgröße, Aktien- und Trendbericht, 2034

Silicon EPI Marktanteil

Der globale Silizium-EPI-Wafermarkt wurde 2024 auf 1,6 Mrd. USD geschätzt und wird mit einem CAGR von 13,2% auf 5,5 Mrd. USD bis 2034 mit dem Volumen von 39,4mila Einheiten wachsen. Das Wachstum des Marktes wird durch wichtige Faktoren wie die Expansion der Automobilelektronik, die zunehmende Übernahme von IoT- und Edge-Geräten sowie wachsende Investitionen in die Halbleiterfertigung getrieben.

Die Tarife für importierte Halbleiter, wie Taiwan, China und Südkorea, während der Trump-Administration sind ein wesentliches Anliegen für den US Silicon Epitaxial Wafer Market. Die Handelstarife (potenziell bis zu 100%) erhöhen den Preis von lebenswichtigen Halbleiterbauelementen und drängen damit das gesamte Preissystem innerhalb der Halbleiterwertkette einer inländischen Industrie. Daher verlieren amerikanische Hersteller ihre globale Kostenwettbewerbsfähigkeit und erhöhen die Produktionskosten erheblich. Die Unternehmen müssen sich auf die Verlagerung von Fabrikationsanlagen konzentrieren – mit ihren riesigen Kapitalanlagen und langen Vorlaufzeiten, die die Lieferketten weiter dezimieren werden. Diese Tarife stehen auch für den Schaden internationaler Beziehungen und weitere eskalieren Streitigkeiten über die Überlieferung von Halbleitern.

Die zunehmenden Investitionen in die Halbleiterherstellung führen die Nachfrage nach Silizium EPI-Wafermarkt aus. Das US-amerikanische CHIPS- und Science Act hat die Notwendigkeit betont, die Kapazität des Landes für die Halbleiterherstellung zu stärken und erhebliche Ressourcen für die Erreichung dieses Ziels bereitzustellen. Diese neuen Konstruktionen und Erweiterungen von Fertigungsanlagen führen zu einem kritischen Bedarf an fortschrittlichen Halbleiterbauelementen, die wiederum hochwertige Silizium-Epitaxie (EPI) Wafer benötigen.

Darüber hinaus gehen die Hersteller auf die Erhöhung der Produktionskapazität, die Errichtung neuer FuE-Anlagen und Übersee-Investitionen zurück, um das Wachstum des Silizium-EPI-Wafermarkts zu unterstützen. Zum Beispiel kündigte TSMC im März 2025 seinen Plan an, seine Investitionen um zusätzliche $100 Milliarden in der fortgeschrittenen Halbleiterproduktion in den USA zu erhöhen. Die gesamte Investition von TSMC in die Vereinigten Staaten wird voraussichtlich mehr als 165 Milliarden US-Dollar betragen, was auf der aktuellen Investition von 65 Milliarden US-Dollar in den fortgeschrittenen Halbleiterfertigungsbetrieben in Phoenix, Arizona basiert.

Mit Plänen für drei neue Fertigungseinheiten, zwei hochmoderne Verpackungsanlagen und ein beträchtliches FuE-Teamzentrum ist die Entwicklung sicher, die bedeutendste ausländische Direktinvestition in Amerika zu repräsentieren. Desgleichen will Larsen & Toubro Ltd. im Oktober 2024 ein fabless Chip-Unternehmen in Indien mit einem Plan zu investieren über 300 Millionen USD und Design 15 Produkte bis 2027. Angesichts der globalen Veränderungen der Lieferkette unterstützt diese Initiative die Bemühungen Indiens, die Importe von Halbleitern zu verringern und die Inlandskapazität zu erhöhen.

Silicon EPI Markt für Wafer Trends

• Neuer Trend, der auf dem Markt beobachtet wird, ist der zunehmende Einsatz von Silizium EPI (epitaxiale) Wafern innerhalb von Leistungsgeräten und Elektrofahrzeugen (EV) Anwendungen für Energieeffizienz und Hochleistungs-Power-Management-Systeme. Die überlegene Dotierungssteuerung und verminderte Defektdichten von IGBTs, MOSFETs und Dioden auf EPI-Wafern führt dazu, dass die Fertigung für EV-Wechselrichter, Onboard-Ladegeräte und Batteriemanagementsysteme betrieben wird. Da OEMs mehr auf die elektrischen Fahrzeug-Aspekte von Silizium konzentrieren, da sie höhere Spannungsfestigkeit, thermische Stabilität und geringere Platzbelegung benötigen, wird EPI Silizium wesentlich, um zuverlässige und skalierbare Halbleiterlösungen zu garantieren, die die Nachfrage nach Silizium EPI-Wafermarkt erhöht.
• Dieser Trend wird voraussichtlich neue Möglichkeiten für Hersteller schaffen, da sie auf die Verbesserung der Doping-Profilsteuerung investieren können, um die Leistungskonsistenz in EV-Powertrain-Anwendungen zu erfüllen. Dies wird erwartet, dass Spieler bei der Stärkung des Produktangebots helfen und den Umsatzanteil erhöhen.
• Ein weiterer Trend auf dem Markt ist die zunehmende Verwendung von Silizium-EPI-Wafern mit neuen CMOS- und FinFET-Technologien. Da diese Schichten eine genaue Steuerung der Kanaldotierung, Dehnungstechnik und Defektminimierung ermöglichen, die alle für Leistung und Skalierung optimiert sind. Durch die Implementierung von epitaktischen Silicon-Germanium- und Silicon-Carbide-Schichten wird die Trägerbeweglichkeit und die thermisch verwaltete Schwellenspannung in FinFET-Transistoren verbessert, wodurch die Größe, Geschwindigkeit und Leistungsaufnahme der Transistoren weiter optimiert werden können. Da die Technologie-Knoten von Halbleitern unter 5nm skaliert werden, besteht in den logischen und leistungsfähigen Computing-Märkten eine wachsende Nachfrage nach hochpräzisen epitaktischen Substraten.

Silicon EPI Marktanalyse von Wafer

Basierend auf dem Epitaxie-Typ wird der Markt in Heteroepitaxie und Homoepitaxie segmentiert.

• Der Markt für Heteroepitaxie wurde 2024 auf 851.3 Mio. USD geschätzt. Die Nachfrage nach Heteroepitaxie im Markt wird durch den zunehmenden Bedarf an Hochleistungshalbleitern in Hochgeschwindigkeits- und optoelektronischen Anwendungen getrieben. Heteroepitaxie ermöglicht die Integration von dissimilaren gitterbildenden Materialien wie Silizium-germanium (SiGe) auf Silizium, die eine größere Elektronenmobilität, Bandgap-Tarifierung und Dehnungsoptimierung erreichen können. Dies ist wichtig für hochfrequente HF-Geräte, fortschrittliche CMOS-Technologien und Photodetektoren. Die Verschiebung in Richtung heterogener Integration in 3D-IC- und System-On-Chip- (SoC)-Designs erhöht zudem den Einsatz heteroepitaktischer Prozesse, um strenge Leistungs-, Geschwindigkeits- und Größenzwänge dieser Geräte anzusprechen.
• Der Homoepitaxy-Markt war aufgrund anderer Branchen wie der Automobil- und Industrieautomatisierung, die sich auf High-Power-Geräte konzentrierten, am schnellsten wachsender und wahrscheinlich 2,8 Milliarden US-Dollar im Jahr 2034 erreichen. Das Wachstum wird der Leistungselektronik und der fortgeschrittenen CMOS-Fertigungsfunktion auf einem höheren Niveau zugeschrieben, wenn sie mit niederdefekten, hochreinen Siliziumschichten gekoppelt sind. Das Verfahren des Anwachsens einer Siliziumschicht über ein Substrat gleicher kristallographischer Orientierung minimiert die Fehlerdichte und sorgt für eine überlegene Gitteranpassung, was zu konsistenten elektrischen Eigenschaften führt, die für hohe Durchbruchsspannungen neben thermischer Stabilität kritisch sind.

Basierend auf der Wafergröße wird der Silizium EPI-Wafermarkt in 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll und andere aufgeteilt.

• 8) Der Inch-Markt wird voraussichtlich 2024 33,2 % des globalen Marktes ausmachen. Die schnelle Verbreitung von Unterhaltungselektronik wie Smartphones, Tablets, Wearables und Smart Home-Geräten erleichtert die Nachfrage nach Halbleitern, die mit 8 Zoll-Wafern hergestellt werden. Darüber hinaus hat die Verlagerung des Automobilsektors auf Elektrofahrzeuge (EV) und Advanced Driver-Assisted Systems (ADAS) die Nachfrage nach zuverlässigen und kostengünstigen Halbleitern gefördert. Die Herstellung von in diesen Anwendungen verwendeten Leistungsgeräten und Sensoren wird mit 8 Zoll Wafern hergestellt.
• 12 Inch-Segment entfiel auf CAGR von 14,4% in 2025-2034. Die zunehmende Betonung auf die Erzeugung von Solarenergie hat den Bedarf an hocheffizienten Silizium-Wafern, die für die Produktion von Solarzellen mit optimalen Leistungsfähigkeiten von entscheidender Bedeutung sind, angestoßen. Die Regierungen und Konzerne arbeiten an der Annahme nachhaltiger Energieinitiativen, die Wachstumsaussichten für das Segmentwachstum darstellen. Darüber hinaus hat die Zunahme der Einführung von Elektrofahrzeugen zusammen mit der Verbreitung von ADAS ein weiteres Wachstum der Leistungselektronik vorangetrieben. Die Herstellung von Elektrofahrzeugen und deren Komponenten erfordert Silizium 12“-Epiwafer für die IGBT- und MOSFET-Herstellung, die für den effektiven und effizienten Betrieb von EVs wesentlich sind, was wiederum das Segmentwachstum über den Prognosezeitraum verstärkt.

Basierend auf der Anwendung wird der Silizium EPI-Wafermarkt in Leistungselektronik, MEMS, HF-Elektronik, Photonik und andere aufgeteilt.

• Der Leistungselektronikmarkt wurde 2024 auf 570.2 Mio. USD geschätzt. Die Verwendung von Silizium-EPI-Wafern in der Leistungselektronik entsteht aufgrund ihrer Anwendung in Elektrofahrzeugen, der industriellen Automatisierung, Kraftwerken und erneuerbaren Energien durch hocheffiziente Spannung und thermisch stabile Halbleiter. EPI-Wafer ermöglichen präzise Dotierungsprofile mit niedrigeren Defektkonzentrationen und höherer Stromkapazität, die in der Hochleistungselektronikindustrie für IGBTs, Leistungs-MOSFETs und Dioden entscheidend sind. Da die Energieanforderungen auf der ganzen Welt steigen und die Systeme auf Elektrifizierung und vertikale Integration passive Systeme umgestellt werden, besteht eine erhöhte Nachfrage nach zuverlässigen und robusten Leistungskomponenten auf Basis von epitaktischen Substraten, die ständig wachsenden Marktanforderungen gerecht werden.
• Der Markt für HF-Elektronik wird voraussichtlich während des Prognosezeitraums ein Höchstwachstum verzeichnen, das bei einem CAGR von 13,9 % für 2025 bis 2034 wächst. Die steigende Nachfrage nach Silizium-EPI-Wafern für HF-Elektronik ist vor allem auf die Fortschritte in der 5G-Infrastruktur, IoT und anderen modernen drahtlosen Kommunikationstechnologien zurückzuführen. Sowohl die Trägerkonzentration als auch die Trägerbeweglichkeit, die für epitaktische Schichten relevanten Materialeigenschaften müssen gezielt auf Niveaumodule, geringe Rauschverstärker und Hochfrequenz-Transceiver abgestimmt werden, um ihre Leistung zu optimieren.

Basierend auf dem Endverbraucher wird der Silizium-EPI-Wafermarkt in Unterhaltungselektronik, Automotive, Healthcare, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und andere segmentiert.

• Der Markt für Unterhaltungselektronik belief sich 2024 auf 461,5 Mio. USD. Die zunehmende Verwendung EPI von Siliziumwafern bei der Herstellung von energieeffizienten und leistungsfähigen Smartphones, Smart Home Devices, Wearables und tragbaren Elektroniken ist direkt mit ihrem Einsatz in der Unterhaltungselektronik verbunden. Die Verwendung von epitaktischen Silizium-Wafern Silizium EPI bietet überlegene Eigenschaften wie die gesteigerte Elektrizitätsaktivität wie gesteuerte Dotierungsprofile, geringere Defektdichte und verbesserte elektrische Eigenschaften, die in der anspruchsvollen Logik-Chip, Power Management IC und anderen Sensor-Geräten-Industrie wesentlich sind. Mit steigender Nachfrage und Erwartung für die Verarbeitung von Geschwindigkeit, Akkulaufzeit und schlanken tragbaren Designs können Systembauer die Herausforderungen der EPI-Technologie übersteigen und Integrations- und Miniaturisierungsziele erreichen, wodurch die Nachfrage nach Silizium-EPI-Wafermärkten in diesem Segment erweitert wird.
• Der Automobilmarkt soll im Jahr 2034 1,7 Milliarden USD erreichen. Das Wachstum der Silizium-EPI-Wafer in Automotive-Anwendungen wird durch den zunehmenden elektronischen Inhalt in Fahrzeugen, insbesondere in Elektrofahrzeugen (EVs), ADAS, Infotainment-Systemen und Antriebsaggregaten, geführt. Alle diese Systeme benötigen hohe Zuverlässigkeit, Hochspannungs- und thermisch stabile Halbleiterbauelemente, die durch geringe Defektdichten, genaue Dotierungspegel und überlegene Leistungsmerkmale mit EPI-Wafern einfacher gemacht werden. Darüber hinaus erhöhen die autonomen Fahr- und vernetzten Fahrzeugtechnologien die Nachfrage nach epitaktisch aufgebauten Bauteilen, die in der modernen Automobilelektronik wesentlich sind.

Der US-amerikanische Silizium-EPI-Wafermarkt belief sich 2024 auf 396,3 Mio. USD. Das Wachstum des Silizium-Epitaxie-Wafermarkts in den USA wird hauptsächlich auf die steigenden Staatsausgaben für die Halbleiterindustrie, die von CHIPS und Science Act unterstützt werden, zurückgeführt. Auch die zunehmende Nachfrage nach epitaktischen Wafern in fortschrittlichen Logik-Integrated Circuits (ICs), Automotive-Power-Elektronik und 5G-Infrastruktur steigt. Darüber hinaus wird das Marktwachstum durch den Ausbau der Elektrofahrzeugfertigung, das Entstehen von KI- und Hochleistungs-Computing (HPC) sowie Maßnahmen zur Regionalisierung von Lieferketten und zur Verringerung der Überseeabhängigkeit für Waferquellen weiter beschleunigt.

Der deutsche Silizium-EPI-Wafermarkt wird im Prognosezeitraum mit einem CAGR von 12,7% wachsen. Der Silizium-Epitaxie-Wafermarkt in Deutschland steigt aufgrund steigender Investitionen in die Halbleiterfertigung, sowie eine günstige staatliche Unterstützung führt zur Entwicklung des Halbleiter-Ökosystems in Europa. Auch die Automobilindustrie in Deutschland ist eine der stärksten der Welt, die neue Halbleitertechnologien wie Silizium-Epitaxiewafer zur Unterstützung bei der Herstellung von Elektrofahrzeugen und selbstfahrenden Autos einführt. Der Silicon Epitaxial Wafer-Markt wird durch den Bau von erneuerbaren Energieanlagen und das Wachstum des 5G-Netzes gefördert, da das Eindringen von Halbleiterbauelementen hohe Standards erfordert.

Der Markt für Silizium-EPI-Wafer in China wird voraussichtlich im Prognosezeitraum bei einem CAGR von 14,1% wachsen. Der chinesische Markt für Silicium-Epitaxscheiben tritt aufgrund nationaler Prioritäten und eines starken Inlandsverbrauchs rasch auf. Die Strategie „Made in China 2025“ und die kürzlich angekündigte Phase III des National Integrated Circuit Industry Investment Fund, die einen wachsenden Fokus zeigt, der eine Selbsteinhaltung in Halbleitern erreicht. Eine solche politische Unterstützung hat erhebliche Investitionen von inländischen Gießereien wie SMIC und Hua Hong, vor allem in reifen-node-Prozesse für Leistungselektronik und Automotive-Anwendungen benötigt. Auch die explosive Entwicklung von EVs und die 5G-Infrastruktur in China hat den Bedarf an fortgeschrittenem Silicon Epitaxial Wafer erhöht. Neben den Herausforderungen durch US-Exportkontrollen hat der Fokus auf die Entwicklung von Verbundhalbleitern wie Silicon Carbide (SiC) und Gallium Nitride (GaN) den Markt in China beschleunigt.

Im Jahr 2024 soll Japan einen Anteil von 16,7% des Silizium-EPI-Wafermarkts in Asien-Pazifik ausmachen. Japans Silicon Epitaxial Wafer Market wird von der fortschrittlichsten Automobilbranche des Landes angetrieben und die Annahme intelligenter Technologien, die die Notwendigkeit von qualitativ hochwertigen Halbleiterbauelementen antreiben, erhöht. Japans Unterstützung für erneuerbare Energien, insbesondere Solarenergie, die Photovoltaikzellen aus Siliziumwafern verwendet, unterstützt das Land bei der Erreichung seiner Nachhaltigkeits- und CO2-Emissionen. Die Nachfrage nach leichtem und modernem Silizium, stark langlebigen Wafern wird mit den Pulsen aus kompakter und leistungsfähiger Elektronik verstärkt.

Neue und innovative Entwicklungen in Produktionsprozessen wie fortschrittliche Doping-Techniken haben Japan an die Spitze der qualitativ hochwertigen Silizium-Wafer-Produktion gelegt. Die Entwicklung von IoT- und 5G-Technologien bietet auch neue Standards in Bezug auf Halbleiterleistung, Größe und Kompaktheit, die das Wachstum des Marktes verbessert. Japans Industrie widmet eine beträchtliche Menge an Mitteln für Forschung und Entwicklung, die zu innovativen Innovationen führt, die auf die Nachfrage des Landes abzielen und für ausländische Märkte ein großes Potenzial haben.

Der südkoreanische Silizium-EPI-Wafermarkt belief sich 2024 auf 273,4 Mio. USD. Der Markt für Silizium-Epitaxiewafer in Südkorea wächst aufgrund erheblicher Investitionen von dominierenden Akteuren in der Halbleiterindustrie schnell. Regierungspolitiken wie das K-CHIP-Gesetz bieten reichliche Steuerunterbrechungen und andere regulatorische Ermutigungen, die die Unternehmenserweiterung und Innovation stimulieren. Zusätzlich zu diesen Faktoren erhöhen die Nachfrage nach modernen KI-Anwendungen, 5G-Netzwerke und EVs auch die Nachfrage nach Hochleistungshalbleitern und treiben noch mehr Wachstum in den Markt. Außerdem stärkt die südkoreanische Politik zur Steigerung der heimischen Produktion bei gleichzeitiger Einschränkung der Einfuhren den internationalen Wettbewerb innerhalb der Halbleiterindustrie.

Silicon EPI Marktanteil

Der Silizium-Epitaxie-Wafermarkt ist aufgrund ihrer Kontrolle über Produktion, Schneidtechnologien und engagierte Investitionen für Forschung und Entwicklung mit nur wenigen Schlüsselakteuren mäßig konsolidiert. Unternehmen wie Shin-Etsu Handotai (SEH), SUMCO Corporation, GlobalWafers Co., Ltd., Siltronic AG und SK Siltron Co., Ltd. haben eine beträchtliche Präsenz im Silizium-EPI-Wafermarkt und halten höchste Marktanteile von fast 53,2%.

Diese Unternehmen nutzen fortschrittliche Fertigungsprozesse, speziell für die hochwertige epitaktische Waferherstellung für Leistungsgeräte, HF-Kommunikation und Automobilelektronik. Der Wettbewerb wird auch von Faktoren beeinflusst, wie die Kontrolle über Lieferketten, die Kosten von der Erzielung günstiger Maßstäbe und die Besitz von erheblichen Ansprüchen über die Schaffung von IP. Diese Spieler passen sich an Skalenwirtschaften an, die die Fähigkeit des Unternehmens stärken, auf die Nachfrage der Industrie zu geringeren Kosten zu reagieren. Kleinere Unternehmen stehen vor Problemen wie einem hohen Investitionsaufwand für die Herstellung von epitaktischem Wafer und komplizierten Prozessen der Schaffung eines perfekten epitaktischen Wachstums.

Der Silizium EPI-Wafermarkt entwickelt sich kontinuierlich mit neuen Produktinnovationen mit wachsender Anwendung. Zum Beispiel hat DENSO CORPORATION im März 2023 beschlossen, einen von Resonac Corporation produzierten Siliziumkarbid-Epitaxiewafer für Leistungshalbleiter (SiC-Epiwafer) zu verwenden, um ihn als Material für das Treiberelement des neuen Wechselrichters von DENSO zu verwenden. Das neue "LEXUS RZ"-Modell von Toyota Motor Corporation, dem ersten Batterie-Elektrofahrzeug (BEV) unter der Marke LEXUS, wird diesen Wechselrichter montiert. Zusätzlich ist dies das erste Mal, dass Lexus SiC-Epiwafer als Material für das Treiberelement eines Wechselrichters verwendet hat. SiC-Leistungshalbleiter sind Geräte der nächsten Generation, die zur Energieeinsparung und CO2-Emissionsreduktion beitragen, indem sie Verlustleistung reduzieren und weniger Wärme emittieren als herkömmliche Silizium-Wafer-basierte Leistungshalbleiter.

Silicon EPI Wafer Market Companies

Führende Unternehmen der Silizium-EPI-Waferindustrie umfassen:

• Shin-Etsu Handotai (SEH)
• SUMCO Unternehmen
• GlobalWafers Co., Ltd.
• Siltronic AG
• SK Siltron Co., Ltd.

Shin-Etsu Handotai (SEH) ist einer der weltweit führenden Hersteller bei der Herstellung von Siliziumwafern, einschließlich epitaktischer Wafer, die einkristalline Siliziumwafer mit einer Schicht aus Silizium mit einer bestimmten Dicke sind, die auf ihnen angewachsen ist. SEH ist bekannt, hochwertige Silizium-Wafer herzustellen, die für eine Vielzahl von Halbleiter-Geräten benötigt werden, und er ist der Weltmarktführer bei der Herstellung von 300mm-Wafern und SOI-Silizium-Wafern.

SUMCO Corporation ist ein bekannter Hersteller, Lieferant und Prozessor von hochwertigen Silizium-Wafern, die der Halbleiterindustrie mit Silizium-Epitaxie-Wafern dienen. Ihre Silizium-Wafer werden in ausgeklügelter Weise als Epitaxie hergestellt, die eine monokristalline Siliziumfolie auf der Oberfläche eines polierten Wafers anbaut.

GlobalWafers Co., Ltd oder GWC ist ein taiwanesisches Unternehmen, das sich auf die Herstellung von Silizium/Silizium-Epitaxiewafern für verschiedene Anwendungen in der Halbleiterindustrie spezialisiert hat. GWC verfügt über ein gesamtes Fertigungssystem, das Ingot-Wachstum und Epitaxie sowie den Verkauf von Produkten wie polierte, geätzte und ultradünne Wafer umfasst. Ihre Einrichtungen in den USA, Europa und Asien beweisen, dass sie weltweit führend in der Halbleitertechnologie sind, da sie Kunden weltweit bedienen.

Silicon EPI Wafer Industry News

• Im September 2024 kündigte Coherent Corp. die Einführung seiner 200 mm Siliziumkarbid-Epitaxscheiben (SiC-Epiwafer) an. Sendungen von Substraten und Epiwafer mit einer Dicke von 350 und 500 μm sind nun im Gange. Coherent, ein spezialisierter Hersteller von SiC-Substraten und epitaktischen Wafern, kombiniert diese Komponenten, um hervorragende Qualität, Zuverlässigkeit und Leistung zu bieten. Innovative Dicken- und Dotierungsgleichmäßigkeiten in den neuen 200 mm SiC-Epi-Wafern setzen neue Industriestandards und unterstützten die Herstellung hochwertiger SiC-Leistungshalbleiter.
• Im September 2024 kündigte ASM International N.V. die Einführung von PE2O8 eine neuartige Dual-Kammer-Plattform für Siliciumcarbid (SiC) Epitaxie (Epitaxie). Das PE2O8-Epitaxiesystem ist der Maßstab für geringe Defektivität, hohe Prozessuniformalität, erhöhten Durchsatz und geringe Eigentumskosten, um den breiteren Einsatz von SiC-Geräten zu erleichtern. Es wurde geschaffen, um den Anforderungen des fortgeschrittenen SiC-Power-Gerätesegments gerecht zu werden. Das neue System fügt eine Doppelkammer, Einzelwafer, Siliziumkarbid-Epitaxiesystem hinzu, die mit 6" und 8" kompatibel ist und einen größeren Durchsatz und einen geringeren Betriebsaufwand als die Industriestandard 6" PE1O6 und 8" PE1O8 Systeme aufweist.
• Im März 2023 hat Resonac Corporation eine dritte Generation von hochgradigen Siliziumcarbid (SiC) epitaktischen Wafern (HGE-3G) für Leistungshalbleiter massenproduziert. Die Qualität der HGE-3G ist der der hochgradigen SiC-Epiwafer der zweiten Generation (HGE-2G) überlegen. Die epitaktische SiC-Schicht wird abgeschieden und wächst auf der Oberfläche eines einkristallinen SiC-Substrats zu SiC-Epi-Wafer, der primäre Bestandteil von SiC-Leistungshalbleitern ist.

Dieser Marktforschungsbericht für Silizium-EPI-Wafer enthält eine eingehende Erfassung der Industrie mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD Million) und Volumen (Units) von 2021 bis 2034, für die folgenden Segmente:

Markt, nach Epitaxie-Typ

• Heteroepitaxie
• Homoepitaxie

Markt, von Wafer Größe

• 6 Zoll
• 8 Zoll
• 12 Zoll
• Sonstige

Markt, nach Anwendung

• Leistungselektronik
• MENSCHEN
• HF-Elektronik
• Photonik
• Sonstige

Markt, Durch Endverwendung

• Verbraucherelektronik
• Automobilindustrie
• Gesundheit
• Luft- und Raumfahrt
• Sonstige

Die vorstehenden Angaben sind für die folgenden Regionen und Länder angegeben:

• Nordamerika
  • US.
  • Kanada
• Europa
  • Vereinigtes Königreich
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Russland
• Asia Pacific
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Südkorea
  • ANZ
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
• MENSCHEN
  • VAE
  • Saudi Arabien
  • Südafrika