下一代非易失性存储器市场规模 - 按产品类型、晶圆尺寸、垂直行业 - 全球预测,2025 - 2034
报告 ID: GMI9734 | 发布日期: April 2025 | 报告格式: PDF
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高级报告详情
基准年: 2024
涵盖的公司: 14
表格和图表: 228
涵盖的国家: 19
页数: 190
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获取此报告的样本 下一代非易失性存储器市场
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下一代非波动内存市场大小
全球下一代非波动记忆市场规模在2024年价值为82亿美元,有13.57亿个单位,估计在2025年至2034年CAGR增长14.4%。 下一代非挥发性内存(NVM)市场是由人工智能(AI)和机器学习(ML)应用中对高速,低功耗内存解决方案的不断增长的需求.
由于AI的工作量继续增加,传统的内存结构不足,并造成对MRAM和ReRAM等精密的NVMs的即时需求,能够更快地获取数据,降低能量使用. 根据Statista,全球人工智能(AI)市场预计将在2025年至2031年的CAGR增长26.6%.
由于汽车越来越依赖精密的电子系统,汽车工业正在刺激下一代非伏特记忆(NVM)的需求. ADAS(高级驾驶-协助系统)和EV(电子车辆)控制装置需要低延迟才能有效处理实时数据。 下一代的NVM提供低功耗,同时提供更快的数据访问,以及高耐力,适合汽车使用.
对嵌入式非挥发性内存(NVM)的需求正在增加,原因是在连接环境中大量使用边缘计算和物联网(IOT). NVM具有低功耗,低耐用等特征,使其适合穿戴和工业IOT溶液. 由于实时处理数据在边缘变得至关重要,因此,在远程和低功率使用的情况下,国家车辆管理系统确保安全和节能储存。 智能家庭、医疗监测装置和工业自动化的发展进一步推动了收养。 随着5G和AI驱动的IOT生态系统的不断增长,对高效电源嵌入式NVM的需求不断增长.
数据中心和云计算数量的增加正在驱动下一代非波动性记忆市场的需求。 当前时代的云基础设施需要高速度,低延迟,功率高效的内存,以支持大数据存储和实时处理. NVM产品如STT-MRAM,和RERAM由于性能高,耗电量低,因此需求很大. 由于超规模云服务供应商为其处理目的安装了越来越多的数据中心,对尖端NVM的需求上升,以提供更快的存取速度和更好的存储效率.
下一代非挥发性内存市场的玩家应投资AI和ML解决方案,因为NVM在其中用于提供低功耗的高速. 扩大支持ADAS和EV ECU的汽车级产品的NVM可以带来新的收入,特别是随着自驾汽车的采用增加。 玩家应注重加深与云和数据中心玩家的关系. 这将导致企业级计算应用程序更广泛地采用STT-MRAM和ReRAM. 它们应投资于用于边缘计算和IOT设备的低功率嵌入式NVMs,以便利用不断增强的智能传感器和可穿戴设备的采用。 关注可持续和节能的记忆解决办法将有利于全球环境目标。
下一代非波动记忆市场 趋势
下一代非波动记忆市场分析
根据产品类型,市场分为MRAM,RERAM,PCM,FERAM/F-RAM等.
根据饼的大小,下一代非挥发性记忆市场分为200毫米,300毫米两种.
基于行业垂直,下一代非挥发性记忆市场分为BFSI,IT & 云计算,汽车,航空航天与国防,医疗保健与医疗器械,消费品等.
下一代非波动记忆市场份额
市场竞争激烈,主要角色有SAMSUNG,Micron Technology,Intel Corporation,GlobalFoundies,SK HYNIX INC等. 占市场份额的62.3%。 业界领导人正在大力投资于研发,开发用于AI、数据中心和汽车的高速、低功率解决方案的MRAM、RRAM和FERAM技术。 为加强市场地位,公司正在建立战略联盟,如三星与汽车制造商的伙伴关系,致力于下一代计算架构.
可持续性和能源效率正成为关键差异因素,制造商正在开发超低功率的NVM,以实现全球碳中性目标和更严格的监管. 公司正在利用嵌入式AI能力的智能内存解决方案,使得IOT和边缘设备的存储系统能够自我优化. 自定义性在不断提高,因为超尺度和汽车客户端需要针对特定工作量,如神经形态计算或自主驾驶,定制的NVM设计.
为了扩大他们的影响力,记忆巨头正在追求兼并(例如SK Hynix收购英特尔的NAND业务)和政府支持的举措,如美国CHIPS法案和韩国的半导体补贴. 正在部署自动化和EUV印刷技术,以增加尖端节点(sub-10nm)的生产,同时降低成本。 Crossbar和Weebit Nano等创业企业正以优势创新扰乱空间,推动既有玩家加快路线图.
三星引领下一代非挥发性内存创新,其MRAM技术广泛用于AI加速器和汽车应用. 该公司大力投资300毫米瓦佛制造,以解决对高性能内存解决方案日益增长的需求. 三星与主要云供应商和汽车制造商的伙伴关系反映了其在下一代非波动记忆市场中的支配地位.
英特尔将焦点转移到MRAM上,用于数据中心应用. 该公司正在利用其在持续记忆方面的专门知识,创造解决方案,弥合DRAM和传统存储之间的性能差距. 这些努力旨在通过提高大型计算环境中的内存效率和可靠性,满足超标器和企业客户日益增长的需求.
下一代非波动记忆市场公司
一些在下一代非波动记忆产业中经营的知名市场参与者包括:
下一代非波动记忆产业新闻
下一代非波动记忆市场研究报告包括对该行业的深入报道 估计和预测2021年至2034年收入(百万美元)和数量(百万单位),用于下列部分:
按产品类型分列的市场
市场,按Wafer大小
按行业分类的市场
现就下列区域和国家提供上述资料: