InGaAs 雪崩光电二极管 (InGaAs APD) 市场规模 - 按类型、波长范围、应用、增长预测(2025 - 2034 年)

报告 ID: GMI14740   |  发布日期: September 2025 |  报告格式: PDF
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InGaAs Avalanche 光二极管 市场规模

全球InGaAs雪崩光电二极管市场规模在2024年价值为31217万美元。 市场预计将从2025年的3.3087亿美元增长到2034年的7.029亿美元,在预测期内CAGR增长8.7%。

InGaAs Avalanche Photodiode Market

  • 对高速互联网、云计算和数据密集型应用的日益依赖正在有力地驱动对光纤通信的需求,而光纤通信正在直接推动采用InGaAs雪崩光电二极管。 这些产品的高灵敏度,高响应时间,低噪声操作使得它们对于长呼,地铁,数据中心网络是不可或缺的. 随着5G基础设施高速增长,且对更大带宽的需求仍在增加,InGaAs APDs正在使高效的光学信号检测成为持续和更大的数据传输能力.
  • 此外,视频流、IoT连接和企业数字化的扩散继续推动电信运营商加强其网络,进而继续推动InGaAs APDs市场,将其作为下一代光学通信系统的关键组成部分。
  • 跨越自主车辆、工业自动化和地理空间绘图等应用,越来越多地采用LiDAR技术,正在为InGaAs APD创造强劲的增长机会。 它们在近红外光谱中提供高灵敏度的能力在探测弱光信号和提供精确的距离测量方面非常有效,即使在不利的环境条件下也是如此. 例如,在自主驾驶中,InGaAs APD提高了物体探测和导航精度,提高了性能和安全性.
  • 在机器人和基于无人驾驶飞机的LiDAR系统中使用,也有利于更好的感知和了解情况。 随着政府和行业玩家继续大量投资智能移动,基础设施和自动化,LiDAR系统的日益使用正在推动一些高增长应用对InGaAs APD的强劲需求.

InGaAs Avalanche 光电效应市场趋势

  • InGaAs APD越来越多地在高速光学通信系统中被采用以支持数据中心和5G网络. 它们的超强敏感性和带宽性使它们对更快和更可靠的数据传输至关重要。 这一趋势突出表明,越来越需要先进的光电子组件来维持迅速扩大的全球通信基础设施。
  • InGaAs APD在LIDAR用于自主车辆,机器人和工业自动化的应用中获得了显著地位. 它们探测高精度低光信号的能力改善了距离测量和物体探测. 由于各行业优先考虑安全和精确,这种技术一体化正在加速,加强了APDs在跨越多个部门的先进遥感系统中的作用。
  • InGaAs APD已越来越多地用于先进的成像技术,包括医学诊断、光谱学和国防监视。 它们在近红外范围内的高灵敏度支持改进成像分辨率和可靠性. 这一趋势的驱动力在于对保健和安全应用的投资不断增加,将APD作为下一代成像解决方案中的关键组成部分。

InGaAs Avalanche 光电效应市场分析

InGaAs Avalanche Photodiode Market Size, By Wavelength Range, 2021-2034 (USD Million)

根据波长范围,InGaAs雪崩光二极管市场被分割成短波长(最高1.0微米),中波长(1.0至1.55微米)和长波长(1.55微米及以上).

  • 中波长(1.0至1.55微米)市场继续指数增长,估计2024年为1.481亿美元,CAGR为10%。 光纤网络、环境感知和光谱学系统的部署不断增加,继续推动产品在这一范围内的发展。
  • 制造商优先提高波长特异性敏感性,稳定温度范围内的操作,并尽量减少电子噪音,以满足电信和工业感知的需求。 通过与OEMs、系统集成器和研究实验室密切合作,制造商正在针对长波和高精确度工作量,特别是涉及空中测量和先进光子网络的工作量,开发定制的雪崩-光子化解决方案。
  • 长波段(1.55微米及以上)在2024年可产生1.002亿美元。 这一需求主要通过自由空间光学通信、先进的LIDAR和红外光谱学的使用增加而得到支持,在这些光谱学中,较长的波长可以提高渗透度和降低大气的衰减。 此外,制造商正在集中力量提高长波的敏感性,减少暗流,并最大限度地扩大增益带宽产品,以满足电信主干线和高空感应应用日益增长的需求。

 

InGaAs Avalanche Photodiode Market Share, By Type, 2024

根据类型,InGaAs的雪崩光二极管市场被分割成单光子雪崩二极管(SPAD),多光子雪崩二极管(MPAD)和线性电极雪崩光二极管.

  • 2024年,线性电极电极光二极管部分的价值为1.3659亿美元,预计CAGR增长9.2%,其动力是用于电信、LiDAR和光谱学的光学接收器的部署量不断增加。 它们与模拟信号处理的内在兼容性以及减少多余的噪音,使得它们在中度光学流线下对精确探测特别有效。
  • 单磷雪崩二极管(SPAD)部分在2024年占11.449亿美元,在量子密码学、低光成像和时间解光谱学方面得到了扩大使用的支持。 它们能够以高定时精度探测单光子,使得它们成为高灵敏度和超快应用的理想. 此外,制造商优先开发紧凑、低热速的SPAD阵列,利用互补的金属氧化半导体(CMOS)技术,促进微型光子电路的无缝集成。 针对三维成像、自主导航和量子科学方面的应用,将使市场多样化,并促进工业和研究环境中的加速吸收。

根据应用情况,InGaAs雪崩光电二极管市场分为商业、IT和电信、航空航天和国防、工业、保健等部门。

  • 商业部分在2024年的价值为1.3616亿美元,预计增长为9.9%。 数据中心对光纤部件的需求增加、消费电子产品三维绘图、自主车辆安全LiDAR等部门对低噪音、高收益的APD越来越重要,都推动了这一增长。 然而,制造商已扩大其商业级雪崩光电二极管的组合,这些光电二极管旨在建立成本敏感、量大市场。 建立紧凑、热稳定的模块,加上将装置纳入垂直密度地表辐射激光阵列和消费级LiDAR系统,将加强竞争性定位,促进设计。
  • 2024年,信息技术和电信部分的价值为5,719万美元,CAGR增长8.9%。 由于对快速数据传输的需求不断增加,波长-分割式多轴结构紧凑,以及不断演变的5G和6G光纤框架要求高灵敏度探测器达到峰值效率,使得这种增长得以推动。
U.S. InGaAs Avalanche Photodiode Market Size, 2021-2034 (USD Million)

2024年北美InGaAs雪崩光电二极管市场规模为116.13百万美元。 由于光纤基础设施的扩大,强大的防御力LiDAR的采用,以及量子和环境感知应用的增长,市场正在增长.

  • 美国占有最大份额,从而主导了北美InGaAs APD市场,2024年价值7,460万美元. 本区域的增长得到在电信、航空航天和科学界日益扩大的光子技术部署的支持,而光学通信和感知在高速方面主要是需要的。 光纤技术以及LiDAR在民用和国防举措中的应用和技术的注入,极大地促进了对增强性能光探测器的需求。
  • 为了区分,美国制造商扩大了与联邦实验室和电信巨头的伙伴关系,为可扩展的5G和低地球轨道卫星系统开发了模块式光二极体解决方案,并利用AI驱动的信号处理提高产品竞争力.
  • 加拿大市场预计将稳步增长,CAGR为8.1%。 这一增长的动力是光纤网络的开支、空间和大气科学方案的扩大以及大学和联邦实验室(包括国家研究理事会)之间的协同研究。 在寒冷和偏远地理上对低光探测的需求日益增加,这进一步加快了电信、国防和环境监测的吸收。

欧洲雪崩光电二极管市场2024年交易7,750万美元。 这一市场的增长得益于对量子通信的大力投资、对汽车和国防的LiDAR部署的扩大以及光纤电信基础设施的升级。

  • 德国完全主宰了欧洲InGaAs APD市场,到2024年,市场规模达到2,398万美元,德国强有力的研发生态系统和欧盟量子技术倡议的广泛支持使市场得到加强. 此外,德国的电信部门和工业自动化/信息技术的需要是增长的强大动力。 诸如Fraunhofer等区域机构以及较大的电信供应商使产品迅速开发和商业化成为可能。
  • 预计联合王国的CAGR为9.3%。 这一势头得到了强有力的光子研究、量子和电信部门越来越多地采用APD以及联合王国政府通过创新联合王国和英国RI量子技术方案提供的战略资金的支持。 此外,建议设在联合王国的制造商加深与大学研究联合体的伙伴关系,扩大适合电信、LiDAR和量子钥匙分配的生产能力。

亚太 InGaAs 雪崩光电二极管市场在2024年将价值6,479万美元。 市场增长受到以下因素的影响:光纤基础设施扩大、自主车辆越来越多地采用LiDAR以及中国、日本和韩国等国政府支持的光子研发。

  • 2024年中国(InGaAs APD)市场价值为2,620万美元. 由于对光学通信基础设施、军事级LiDAR和空基光子的强大投资,中国正经历大幅度增长。 政府支持的"2025中国制造"等举措,以及主要电信企业特别是华威公司与国内APD厂商之间的协作,正在推动本地先进生产,技术快速发展. 在主要工业集群内建立研发中心和促进学术伙伴关系将进一步改善本地化和长期市场准入。
  • 预计日本市场将稳步增长,CAGR为9.6%。 在高速光纤通信、先进的驱动辅助系统以及新兴量子成像技术中越来越多地部署APD,推动了增长。 全国光子研究和半导体工程的强健生态系统,加上哈马松光子公司和NTT公司等关键企业的持续投资,正在激发对APD装置和建筑的快速本土完善。
  • 韩国的市场在2024年是601万美元,由韩国强大的半导体和光电子工业推动。 光纤通信、自主车辆的LiDAR系统以及尖端成像解决方案的需求不断增长,促进了增长。 领先的韩国技术公司与知名研究机构一道,正在推动InGaAs APD的发展努力,并辅之以支持性国家创新政策。

中东和非洲(MEA)InGaAs雪崩光电二极管市场在2024年价值为2,360万美元。 增长的动力是阿联酋和沙特阿拉伯等国对光学通信、国防监视和智能城市举措的需求不断增加。

  • 2024年,沙特阿拉伯主导了MEA市场,其规模为648万美元. 增长的动力是2030年愿景等国家转型方案、对航空航天和国防的投资增加以及边境监视、卫星通信和环境监测系统对高敏感性光学组件的需求。
  • 预计阿联酋市场将稳步增长,CAGR率为5.8%,得到光纤通信网络、工业自动化和国防级光学传感器强劲需求的支持。 对5G基础设施的高水平投资和智能城市方案将继续支持这一增长。
  • 由于部署光纤宽带、采矿自动化和国防级光学探测,南非的InGaAs 雪崩光二极管(InGaAs APD)市场份额在2024年为18.4%。 电信基础设施方面的公私伙伴关系和工业现代化的推动也有助于市场进一步增长。

拉丁美洲的InGaAs雪崩光电二极管市场正在需求增长,其动力是巴西、墨西哥和阿根廷各地的LiDAR、光纤通信和红外线成像应用的使用增加。 电信和国防技术升级进一步支撑市场势头. APD制造商应开发符合热带环境的成本效益高、温度稳定的解决方案,并与当地电信和国防承包商合作。

InGaAs Avalanche 光二极管 市场份额

排名前4位的公司哈马松光子公司、Excelitas Technologies、激光组件DG、Inc和First Sensor AG将市场份额的27.7%结合起来,突出显示一个由强大的研发、综合供应链以及航空航天和国防伙伴关系驱动的适度集中的市场。

  • 哈马松光子公司占其市场份额的约9%,原因是该公司的光电子组件领先,如高性能的InGaAs APD并入光谱、LiDAR和光纤通信产品。 公司的经验围绕制造业的垂直性以及令人信服的和新的光检测器开发.
  • Excelitas Technologies的市场份额为7.2%,因为其光子探测解决方案范围广泛,其中包括为工业自动化、生物医学仪器和航空航天系统服务的InGaAs APDs。 该公司在研发和产品定制方面投入大量资金,为高敏感性和高速应用服务。
  • 激光组件DG公司在光子和特殊光子组件专业方面的专门知识驱动下,其市场份额为6.3%。 该公司的InGaAs APD用于工业安全,环境感测,激光测距. 激光组件DG, Inc强调可靠性/完整性和定制波长,不论应用如何。
  • 第一传感器AG在市场上的定位很强,占总份额的5.1%。 它提供各种光探测器,包括用于医学诊断、工业成像和国防工业的InGaAs APD。 First Sensor AG拥有强大的欧洲制造伙伴基地和工程能力的跟踪记录,这些基地和工程能力为定制的OEM应用提供了响应性和高性能的设计.

InGaAs Avalanche Photodiode 市场公司

在InGaAs雪崩光电二极管行业运营的著名玩家列表包括:

  • Albis Optoelectronics AG (Enable) (英语).
  • Excelitas 技术
  • 第一传感器
  • 哈马松光子
  • 激光组件公司
  • 索拉布斯股份有限公司
  • OSI 光电子学
  • 航空公司
  • 哈马松光子公司因其高度的垂直集成和先进材料的精密而有所区别。 哈马松通过获得大量InGaAs APD,成功雕刻并占据了优势. 这些APD包括冷却模块,线性阵列和盖革模式探测器,可用于LiDAR,光谱学,以及量子密码学.
  • Excelitas Technologies之所以突出,是因为它强调用于防御、航空航天和空间系统的至关重要、崎岖的光子溶液,专门研究InGaAs APD和相关的模块,这些模块是辐射加固的,旨在经受极端的机械压力、温度和宇宙辐射。
  • 激光组件探测器集团公司促进美国InGaAs雪崩光电二极管(APD)市场的发展,采用技术驱动的纵向集成制造;从而确保对瓦佛加工、包装和定制的控制。 其产品组合除其他外,还提供了IAG和IAL系列的可变性,显示出高收益、广光谱敏感度(1 000-1 600纳米)以及LiDAR、光谱学和光学一致性成像学方面的应用效率。

InGaAs Avalanche Photodiode工业新闻:

  • 2025年6月,Phlux Technology宣布了一个30μm光学窗口版本的Aura家族1550nm无噪声的InGaAs APD. 这个新的30μm版本在0.15到0.4pF时具有较低的电容特性,将断流频率提高到3.5GHz,而80μm版本在1.8GHz,200μm在0.7GHz.
  • 2024年11月,Excelitas Technologies Corp.宣布了其C30645 / C30662 InGaAs Avalanche Photodiodes(APD)的增强版. 这些重新设计的二极管带动了Excelitas III/V wafer生长和加工结构的改进,使尖端噪音规格成为可能。 新的设计为客户提供了更好的信号到噪声-Ratios(SNR),因此,从同一激光输出功率增加范围.
  • 2023年6月,激光组件公司以其新的IAL系列扩展了其InGaAs APD的范围. 这个新的IAL系列提供了大约4V的Vbr-Vop. 在这个工作电压范围内,可以在最低噪音值下实现大于20的增益.

InGaAs 雪崩光电二极管(InGaAs APD)市场调查报告包括对该行业的深入报道 估计和预测的2021-2034年收入(百万美元) 用于下列部分:

市场,按波长范围

  • 短波长(至多1.0微米)
  • 中波长(1.0至1.55微米)
  • 长波长(1.55微米及以上)

按类型分列的市场

  • 单磷 雪崩二极管(SPAD)
  • 多光标 雪崩二极管(MPADs)
  • 线性模型

市场,按应用

  • 商业
    • 三维成像
    • 手腕识别
    • 深度感应
    • 汽车 LiDAR
    • 其他人员
  • 信息技术和电信
    • 高速光学互联
    • 光学收发机
    • 长波光纤通信
    • 地铁和接入网络
    • 被动光学网络
    • 其他人员
  • 航空航天和国防
    • 通讯联系
    • 光学通信
    • 军事LiDAR和牧场调查
    • 遥感
    • 其他人员
  • 工业
    • 机器视觉
    • 工业自动化
    • 监测
    • 计量和检查
    • 其他人员
  • 保健
    • 光学一致性摄影(OCT)
    • Positron 排放图谱学(PET)
    • 生物医学遥感
    • 近红外光谱
    • 其他人员
  • 其他人员

现就下列区域和国家提供上述资料:

  • 北美
    • 美国.
    • 加拿大
  • 欧洲
    • 德国
    • 联合王国
    • 法国
    • 页:1
    • 意大利
    • 荷兰
  • 亚太
    • 中国
    • 印度
    • 日本
    • 澳大利亚
    • 韩国
  • 拉丁美洲
    • 联合国
    • 墨西哥
    • 美国
  • 中东和非洲
    • 沙特阿拉伯
    • 南非
    • 阿联酋

 

作者:Suraj Gujar , Alina Srivastava
常见问题 :
2024年InGaAs雪崩光电二极管的市场规模是多少??
2024年的市场规模价值为31217万美元,预计到2034年,CAGR为8.7%。 日益依赖高速互联网、云计算和数据密集型应用正在推动市场增长.
到2034年InGaAs雪崩光电二极管市场预测值是多少??
2025年InGaAs雪崩光电二极管市场的预期规模是什么??
2024年中波长段产生多少收入??
2024年线性模态雪崩光电二极管片段的估值是什么??
2025年至2034年商业部门的增长前景如何?
哪个地区领导InGaAs雪崩光电二极管区??
InGaAs雪崩光电二极管市场即将出现的趋势是什么?
谁是InGaAs雪崩光电二极管行业的关键角色??
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高级报告详情

基准年: 2024

涵盖的公司: 15

表格和图表: 380

涵盖的国家: 19

页数: 170

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