氮化镓衬底市场 尺寸和份额 2026-2035

GaN 衬底市场规模

2025 年，全球 GaN 衬底市场规模为 2.923 亿美元，预计 2026 年将达到 3.226 亿美元，到 2035 年将达到 8.612 亿美元，2026 年至 2035 年期间的年均复合增长率（CAGR）约为 11.5%。

GaN 衬底位于高频、高功率和光电器件生产的上游。其 3.4 eV 宽禁带、高临界电场以及优异的高频开关特性，使器件设计人员能够在硅材料接近其热性能或电压性能极限的场景下，降低转换损耗并缩小无源元件尺寸 ^{[1]U.S. Department of Energy, Advanced Materials and Manufacturing Technologies Office, Wide Bandgap Power Electronics Strategic Framework (Draft), January 2025, energy.gov}。因此，衬底的经济价值主要体现在晶圆质量能够决定良率、可靠性或散热性能的应用领域，而不是仅由低成本 LED 的大批量需求驱动的领域。

需求正转向认证要求更高的应用。2024 年电动汽车销量超过 1,700 万辆，其中中国销量超过 1,100 万辆，从而扩大了车载充电器、DC-DC 转换器及其他采用 GaN 的功率级的潜在市场基础 ^{[2]International Energy Agency, Global EV Outlook 2025: Trends in Electric Car Markets, 2025, iea.org}。与此同时，2024 年 5G 覆盖率已达到全球人口的 51%，持续支撑对具备良好热性能的 GaN-on-SiC 平台的射频基础设施需求。这些终端市场对衬底规格的要求差异显著，因此，市场增长不仅取决于器件需求，也取决于缺陷控制、晶圆直径扩展和客户认证。

2025 年，亚太地区创造了 1.2465 亿美元的市场规模，其中中国为 8,289 万美元。该地区的市场集中度反映了 LED 制造、化合物半导体加工、消费电子供应链以及不断扩大的汽车和电信设备产能在地理上的协同布局。然而，这种集中也使全球买方面临上游镓供应和区域产能分配风险。中国自 2023 年 8 月起实施的镓出口管制措施，进一步强化了 GaN 供应链中的材料安全考量。

市场面临的核心制约因素在于，供应商将大面积、低缺陷材料的实验室研究成果转化为通过认证的量产产品的速度。8 英寸自支撑 GaN 的演示证明，更大直径在技术上可以实现，但研究规模的材料质量本身并不能确立可重复的商业化供应。需要经历较长认证周期的买方将更倾向于选择能够提供晶体质量连续性和产能可视性的供应商；而无法扩展至特种晶圆之外的供应商，则可能被限制在较低产量的应用领域。

该市场涵盖 GaN 衬底生产，包括从块状晶体生长和衬底制备，到其在功率、射频和光电器件中的外延晶圆应用。历史数据覆盖 2022～2025 年，预测期为 2026～2035 年。

块体 GaN 预计将成为增长最快的衬底类型，市场规模将从 2025 年的 8,624 万美元增至 2035 年的 3.1507 亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为 13.89%。汽车行业是增长最快的最终用途行业，市场规模将从 3,611 万美元增至 2.1529 亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为 19.67%。6 英寸以上晶圆类别预计将从 1.0668 亿美元增至 3.5738 亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为 12.96%，反映出获得大尺寸制造基础设施对商业化发展的重要性。

关键驱动因素

电动汽车电气化正在扩大对紧凑型、高效功率转换设备的市场需求。GaN 器件能够以较高的开关频率运行，从而减小车载充电器和 DC-DC 转换器中磁性元件及滤波器的尺寸，实现更小、更轻的电力电子组件。在汽车认证、热性能和封装级功率密度比衬底初始成本更具经济重要性的领域，该市场机遇最为显著。

由于大规模 MIMO 和其他高输出架构中的射频功率放大器需要具备热耗散能力和功率密度，而传统硅平台难以满足这些要求，因此通信业仍是 GaN-on-SiC 的主要需求渠道。截至 2024 年 10 月，184 个国家和地区的 619 家运营商正在投资 5G，其中包括已确认商用推出 5G 非独立组网的 331 家运营商，以及推出独立组网的 63 家运营商 ^{[3]Global mobile Suppliers Association, 5G Market Snapshot, November 2024, gsacom.com}。现有部署基础的扩大支撑了射频晶圆需求持续增长，但 SiC 与硅基平台的具体组合将取决于频段、功率要求和运营商的成本目标。

LED 继续提供稳定的销量，但衬底市场机遇正在发生变化。2003 年至 2020 年期间，白光 LED 的封装效率大幅提升，而封装制造成本下降了 95.5%，推动通用照明进入成熟的替换市场。包括微型 LED、汽车照明、UV-C 发射器和激光二极管在内的技术要求更高的应用，对未来衬底价值更为重要，因为这些应用提高了对缺陷密度和外延一致性的要求及其溢价。

数据中心和可再生能源系统带来了另一条功率电子需求渠道。美国能源部将包括 GaN 在内的宽禁带电子器件视为电动汽车充电、光伏逆变器、电网应用和高密度功率转换等领域的相关技术。在这些系统中，更高的开关频率能够提高效率并减小无源元件的物理尺寸，但其应用仍取决于额定电压、可靠性验证，以及 GaN、硅和 SiC 的相对经济性。

大直径晶圆的开发可能重塑成本曲线。对 100 mm 近热平衡氨热法块体 GaN 的研究发现，籽晶与生长表面之间的位错密度有所改善，展示了获得适用于高性能器件材料的一条路径 ^{[4]S. R. Pryce et al., Assessment of Dislocation Reduction on 100 mm Diameter Bulk GaN Grown by the Near-Equilibrium Ammonothermal Method, 2022, iopscience.iop.org}。其商业意义不在于单项实验室成果，而在于生长方法能否以足以支持合格生产的直径和良率，持续生产可重复、低缺陷的材料。

主要制约因素

块体 GaN 制造仍然具有资本密集和工艺密集的特点。HVPE 和氨热法生长需要专用设备、严格控制的前驱体化学体系，以及要求较高的生长后切片、研磨和抛光工艺。氨热法工艺在高压、高温条件下运行，这会增加设备复杂性，并限制产能复制的速度。与硅不同，整个 GaN 衬底产品体系尚未形成同等广泛且成熟的后加工生态体系。

镓供应的集中进一步加剧了成本问题。镓通常作为副产品回收，而不是作为主要金属开采，因此其供应取决于上游精炼的经济性和区域加工决策。对衬底制造商而言，这意味着原材料采购、晶体生长良率和晶圆利用率彼此关联；其中一项制约因素得到缓解，并不一定会自动带来具有竞争力的成本地位。

大直径衬底的供应能力是第二项结构性限制。GaN-on-Si 可能利用大型硅晶圆基础设施，但热膨胀失配需要采用缓冲层并进行应力管理，这可能影响良率和器件性能。原生 GaN 路线可为某些应用提供低缺陷材料，但要以稳定一致的质量扩大无裂纹块体晶体的生产规模仍然困难。8 英寸独立式 GaN 的成果所报告的位错密度为 1.6 x 10^6 cm^-2，既体现了技术进展，也显示出直径突破与广泛商业认证之间仍存在差距。

突破这一制约因素的可行路径是针对具体应用扩大规模，而不是不加区分地扩张产能。射频基础设施能够承受价格较高的 GaN-on-SiC，因为热性能会直接影响放大器输出；相比之下，消费电源应用需要更大尺寸、兼容硅工艺的产品形态所带来的成本优势。与那些依赖笼统晶圆产能公告的供应商相比，将扩张计划与已承诺的器件项目及明确的认证里程碑相结合的供应商更具优势。

GaN 衬底市场细分分析

按衬底类型

GaN-on-SiC（碳化硅）衬底

GaN-on-SiC 衬底在 2025 年的市场规模为 8,386 万美元，预计到 2035 年将达到 2.5477 亿美元，年均复合增长率约为 11.86%。SiC 可在 GaN 有源层下方实现有效的热扩散，从而支持基站、雷达、电子战和卫星通信领域的高功率射频运行。因此，在持续输出功率和散热能力比底层 SiC 衬底的成本溢价更为重要的应用场景中，该平台更受青睐。

GaN-on-Si（硅）衬底

GaN-on-Si 衬底在 2025 年的市场规模为 4,172 万美元，预计到 2035 年将达到 1.0380 亿美元，年均复合增长率约为 9.66%。其优势在于能够兼容成熟的大直径硅制造设备。Infineon 的第二代射频 GaN-on-Si 技术采用 8 英寸硅晶圆制造，据报道在 400 MHz 带宽上实现了超过 55% 的漏极效率，展示了基于硅的平台在满足成本敏感型射频及功率应用需求方面的潜力 ^{[5]Microwave Journal, RF GaN-on-Si Technology Powers the Future of Wireless, November 2024, microwavejournal.com}。不过，热失配和缓冲层的复杂性仍限制了该平台可覆盖的电压范围和可靠性边界。

GaN-on-Sapphire（蓝宝石）衬底

GaN-on-Sapphire 衬底在 2025 年的市场规模为 5,701 万美元，预计到 2035 年将达到 1.5145 亿美元，年均复合增长率约为 10.39%。由于供应链成熟、具备良好的光学性能且成本相对有利，蓝宝石在 LED 外延领域仍得到广泛应用。其优势主要集中在照明和显示应用领域，但在更高功率激光和深紫外应用中，市场正日益倾向于采用缺陷更少的原生 GaN 替代方案。

块体 GaN 衬底

块体 GaN 衬底在 2025 年的市场规模为 8,624 万美元，预计到 2035 年将达到 3.1507 亿美元，年均复合增长率约为 13.89%，为各类衬底中最高。与异质外延替代方案相比，原生衬底能够支持更低的穿透位错密度，从而提升激光二极管、垂直功率器件及其他对缺陷敏感的应用中的器件良率和可靠性。其商业化挑战在于，如何在 100 mm、150 mm 及更大直径的衬底上持续保持这一材料质量优势。

其他

其他类别包括 GaN-on-diamond、GaN-on-AlN 以及工程化键合衬底，2025 年的市场规模为 2,344 万美元，预计到 2035 年将达到 3,607 万美元，年均复合增长率约为 4.39%。2025 年 5 月，Sumitomo Electric 和 Osaka Metropolitan University 报告称，双方采用改进的金刚石表面抛光和 GaN 层转移技术，在 2 英寸多晶金刚石衬底上制造了 GaN-HEMT ^{[6]Sumitomo Electric Industries, Ltd., Sumitomo Electric and Osaka Metropolitan University Successfully Fabricate GaN-HEMT on 2-Inch Polycrystalline Diamond Substrate, May 2025, sumitomoelectric.com}。尽管这些架构在热管理构成主要限制的应用场景中可能具有重要意义，但与主流衬底平台相比，其应用成熟度仍明显较低。

按晶圆尺寸

<2 英寸晶圆

<2 英寸类别在 2025 年的市场规模为 5,699 万美元，预计到 2035 年将达到 1.4947 亿美元，年均复合增长率约为 10.23%。需求主要集中在科研、特种激光器、原型开发和国防导向型器件项目，这些领域的认证连续性和专业性能能够支撑小批量生产的经济性。

4 英寸晶圆

4 英寸类别在 2025 年的市场规模为 8,476 万美元，预计到 2035 年将达到 2.6204 亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为 12.06%。该类别仍是 RF GaN-on-SiC 和成熟 LED 制造的重要生产规格。其未来作用取决于供应商能否在不影响已通过认证的 4 英寸产品系列的情况下，将大批量应用转向 6 英寸规格。

6 英寸晶圆

6 英寸类别在 2025 年创造了 4,384 万美元的收入，预计到 2035 年将达到 9,227 万美元，年均复合增长率（CAGR）约为 7.78%。相对较慢的增长反映了一个过渡阶段：器件制造商必须完成更大尺寸晶圆的认证、调整工艺流程并证明良率，之后晶圆直径优势才能充分体现在衬底收入中。

＞6 英寸及以上晶圆

＞6 英寸细分市场在 2025 年创造了 1.0668 亿美元的收入，预计到 2035 年将达到 3.5738 亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为 12.96%。该类别受益于采用 150 mm 和 200 mm 硅平台的 GaN-on-Si 生产。其战略价值在于有望将工艺成本分摊到成熟晶圆厂基础设施上，这是消费电子和汽车电力电子更广泛应用的重要前提。

按应用领域

LED

LED 仍是历史规模最大的应用领域，这主要得益于大批量 GaN-on-Sapphire 和 GaN-on-Si 生产。增长结构正从成熟的通用照明转向微型 LED 显示屏、汽车照明、UV-C 发射器和替换需求。2024 年全球照明用电量约为 2,200 TWh，而 LED 效率提升仍与该行业的能源使用状况密切相关。

电力电子

电力电子是增长最快的应用细分市场。电动汽车充电器、DC-DC 转换器、工业驱动器、服务器电源和可再生能源逆变器可通过 GaN 的高速开关性能，采用更小型的磁性元件并有望提高功率密度。该细分市场的发展将取决于认证结果和成本下降，而不仅仅是器件性能。

射频（RF）器件

RF 器件广泛采用 GaN-on-SiC，用于 5G 基站功率放大器、雷达、电子战和卫星通信。GaN-on-Si 在部分中频段应用中的竞争力日益增强，使衬底选择需要在热裕量与制造成本之间进行权衡。

激光二极管

激光二极管需求与衬底晶体质量密切相关。用于投影、激光雷达、数据存储和专业工业系统的蓝色及绿色 InGaN 激光器受益于原生 GaN 材料，因为较低的缺陷密度能够改善良率、阈值电流和运行寿命。

光电探测器

GaN 光电探测器用于日盲紫外探测应用，包括火焰传感、航空航天传感和国防系统。虽然该应用的规模仍较小，但严格的可靠性要求能够支撑对高质量材料的需求。

MEMS 器件

GaN MEMS 是高温、高频和耐辐射传感及谐振器应用的新兴用例。其衬底要求具有专业性，因此近期机遇主要集中在科研、航空航天和国防项目。

太阳能电池

兼容 GaN 的太阳能电池结构主要适用于专业化和科研主导型应用，包括空间电源。与功率转换和光电子领域相比，陆地商业应用对衬底的消耗仍然有限。

传感器

GaN 传感器利用 AlGaN/GaN 界面对化学和生物分析物的敏感性。工业监测和即时诊断开发可能会对特定应用的 GaN-on-Si 和 GaN-on-Sapphire 晶圆产生增量需求。

其他

其他应用包括学术研究、器件鉴定、卫星射频电路以及新兴能量采集架构。

按最终用途行业

消费电子

2025 年，消费电子是最大的最终用途细分市场，市场规模为 9,190 万美元；预计到 2035 年将达到 1.8945 亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为 7.61%。成熟的 LED 和充电器应用限制了增长，而 Micro-LED 显示屏和高端快速充电产品则带动了对更高等级衬底的需求。

电信

2025 年，电信行业创造了 7,094 万美元的收入；预计到 2035 年将达到 1.8945 亿美元，年均复合增长率约为 10.44%。5G 网络加密部署以及大规模 MIMO 架构的持续应用支撑了射频需求，但运营商资本支出以及 GaN-on-SiC 与 GaN-on-Si 之间的选择，将决定不同衬底类型之间的收入分布。

汽车

预计汽车行业市场规模将从 2025 年的 3,611 万美元扩大至 2035 年的 2.1529 亿美元，年均复合增长率约为 19.67%，为最终用途行业中最高。相关需求与电动汽车中的电能转换有关，同时也应用于照明和传感。该细分市场具有较大的增长潜力，但供应商必须满足汽车级可靠性和供应连续性要求，才能实现预测价值。

航空航天与国防

2025 年，航空航天与国防行业创造了 1,494 万美元的收入；预计到 2035 年将达到 4,736 万美元，年均复合增长率约为 12.35%。应用包括有源电子扫描阵列（AESA）雷达、电子战、卫星通信和高功率激光系统。这些项目倾向于采用经过验证且可靠的衬底，与商业市场应用相比，对价格的敏感度可能较低。

医疗保健

2025 年，医疗保健行业的市场规模为 1,231 万美元；预计到 2035 年将达到 4,306 万美元，年均复合增长率约为 13.46%。用于灭菌的 UV-C LED 和新兴生物传感应用是主要需求来源，性能要求主要集中在波长控制、可靠性和材料质量方面。

能源与电力

2025 年，能源与电力行业的市场规模为 3,634 万美元；预计到 2035 年将达到 1.2056 亿美元，年均复合增长率约为 12.86%。可再生能源逆变器、储能变流器以及面向电网的电力系统能够受益于更高频率的运行，但前提是 GaN 系统满足所需的电压、可靠性和系统成本门槛。

其他

预计其他最终用途类别的市场规模将从 2025 年的 2,973 万美元增加至 2035 年的 5,597 万美元，年均复合增长率约为 5.91%；研究机构、工业传感和新兴智能基础设施应用将为其增长提供支持。

>6英寸类别提供了独立但互补的成本路径。与硅兼容的大尺寸晶圆可加快 GaN 在中低电压应用中的普及，而原生块体材料对于性能关键型激光器件和垂直功率器件仍更为重要。这种分化意味着供应商无需采用单一的晶圆直径或衬底策略；竞争优势将取决于能否根据终端用途的认证要求和成本结构匹配材料架构。

GaN 衬底市场区域分析

北美

2025年，北美市场收入为 8,359 万美元，预计到2035年将达到 2.4715 亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为 11.57%。2025年，美国市场规模为 7,534 万美元。国防射频需求、电力电子政策以及专业材料供应商共同支撑着该地区的市场地位。美国能源部的宽禁带战略框架强调发展电力电子及相关能源应用的本土能力，而国防采购则支持经过认证的 GaN-on-SiC 供应链。

欧洲

2025年，欧洲市场规模为 6,138 万美元，预计到2035年将达到 1.6854 亿美元，年均复合增长率约为 10.74%。德国贡献了 2,854 万美元，这得益于汽车原始设备制造商（OEM）、一级供应商和功率半导体产业的发展。欧洲需求受到汽车电气化、能效要求以及区域器件制造商将 GaN 集成至成熟生产平台的能力影响。

亚太地区

2025年，亚太地区以 1.2465 亿美元的市场规模领先，预计到2035年将达到 3.9613 亿美元，年均复合增长率约为 12.37%。中国占该区域市场的 8,289 万美元。该地区将大规模 LED 和消费电子产品制造、主要电信网络部署以及快速扩张的电动汽车产量融为一体。日本拥有深厚的化合物半导体材料专业能力，其中包括 Sumitomo Electric 在 GaN 衬底和先进热管理架构方面的工作。

拉丁美洲

2025年，拉丁美洲市场收入为 1,199 万美元，预计到2035年将达到 2,682 万美元，年均复合增长率约为 8.46%。巴西是主要市场，受到 LED 普及、消费电子产品和不断发展的电动汽车基础的支持。2024年，巴西电动汽车销量接近 125,000 辆，超过上一年度水平的两倍。该地区仍高度依赖进口衬底和器件，因此市场增长容易受到汇率、贸易和本地制造条件的影响。

中东和非洲

2025年，中东和非洲市场规模为 1,066 万美元，预计到2035年将达到 2,251 万美元，年均复合增长率约为 7.82%。电信投资、城市照明项目和国防采购构成主要需求渠道。由于本地晶体生长和镓加工能力有限，该地区依赖全球供应链，因此更容易受到材料供应和物流中断的影响。

尽管生产生态系统规模较小，北美和欧洲仍将保持战略重要性。其价值主张建立在满足国防应用要求的供应、汽车设计导入活动、能源转型政策，以及供应来源进一步实现地域多元化的需求之上。中国于 2023 年实施的镓管控措施表明，衬底采购方日益重视材料采购与电气性能的协同评估 ^{[7]U.S. Geological Survey, Mineral Commodity Summaries 2024: Gallium, January 2024, usgs.gov}。因此，区域多元化可能首先由具有供应保障要求的高可靠性客户推动，而不是由商品化 GaN 生产的大范围迁移推动。

GaN 衬底市场份额与竞争格局

该市场由垂直一体化化合物半导体企业和专业衬底供应商共同构成。2025 年，Sumitomo Electric Industries 的市场份额为 18.4%，其次是 Wolfspeed（14.5%）、Soitec（12.5%）、Mitsubishi Chemical Group Corporation（9.2%）和 Kyma Technologies（7.0%）。其余 38.4%的份额由区域生产商和专业供应商共同占据。

Sumitomo Electric Industries, Ltd. 将化合物半导体材料专业知识与长期积累的 GaN 衬底开发经验相结合。其于 2025 年与大阪公立大学开展的 GaN-on-diamond 高电子迁移率晶体管（HEMT）演示，表明该公司持续关注传统 GaN-on-SiC 平台以外的热管理架构。

Mitsubishi Chemical Group Corporation 参与面向光电和功率器件应用的化合物半导体材料业务。其市场地位与日本更为广泛的材料生态系统，以及对经过认证的专业衬底的需求密切相关。

Nichia Corporation 是一家主要的氮化物 LED 制造商，其外延能力使衬底质量、波长一致性和良率成为下游供应要求的核心。

Qorvo 从事用于国防、通信和卫星通信的 GaN 射频器件业务。其在射频领域的垂直布局使热性能和衬底供应连续性具有重要战略意义。

Wolfspeed 仍是宽禁带材料和功率器件领域的重要参与者。其 2024 财年 Form 10-K 报告显示，营收约为 8.07 亿美元，并说明公司持续投资于 Mohawk Valley 工厂和 John Palmour Manufacturing Center，体现了宽禁带产业规模化扩张的资本密集型特征 ^{[8]Wolfspeed, Inc., Form 10-K Annual Report for Fiscal Year Ended June 30, 2024, August 2024, sec.gov}。

Soitec 正在开发 SmartGaN 技术，采用晶圆工程方法，旨在将高质量 GaN 层与适用于功率和射频应用的支撑晶圆相结合。其开发战略说明，工程化衬底可能成为传统 GaN-on-Si 方法与体 GaN 方法之间的替代路径 ^{[9]Soitec, FY2024 Annual Results Presentation, May 2024, soitec.com}。

Infineon Technologies 基于 8 英寸硅晶圆开发 GaN-on-Si 功率和射频技术。其已报告的射频工艺性能证明，将 GaN 集成到成熟硅制造基础设施中具有重要战略价值。

STMicroelectronics 面向汽车和工业应用开发 GaN 功率技术，并参与与宽禁带制造相关的先进衬底开发计划。

NXP Semiconductors 为蜂窝基础设施和汽车雷达提供射频功率技术，推动了对高性能 GaN 器件平台的需求。

DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 服务于亚太地区的专业化合物半导体材料市场。

Okmetic 致力于满足欧洲的专业半导体衬底需求。

Kyma Technologies Inc. 是一家专业供应商，提供采用 HVPE 生长的 GaN 衬底，预计其 2025 年市场份额为 7.0%。该公司的市场地位与其面向政府研究和商用器件项目提供高质量块状材料的能力密切相关。

Rohm Semiconductor 参与 SiC 和 GaN 功率器件的开发，从而带动对合格宽禁带衬底供应的需求。

TDK Corporation 涉足电子材料、传感器和专用射频应用，这些业务可支撑利基 GaN 材料需求。

Coherent 参与化合物半导体和 GaN-on-SiC 外延片相关业务，面向国防射频和商用无线基础设施。随着射频系统寻求更高频率能力和更严格的热管理，其相关性将进一步提升。

竞争将日益取决于三项能力：低缺陷材料质量、稳定获取更大晶圆直径的能力，以及支持客户认证项目的能力。一体化器件制造商可以保障内部使用所需的供应，而独立衬底专业厂商则可凭借材料性能或生长工艺优势参与竞争，尤其是在客户难以自行复制这些优势的情况下。

近期行业发展

Sumitomo Electric 与 Osaka Metropolitan University——多晶金刚石上的 GaN-HEMT，2025 年 5 月

Sumitomo Electric 与 Osaka Metropolitan University 报告称，已在 2 英寸多晶金刚石衬底上制备 GaN-HEMT。该项工作将 GaN 层转移工艺与金刚石抛光相结合，使表面粗糙度降至传统水平的一半，目标是开发容量更高、功耗更低的通信器件。

U.S. Department of Energy——《宽禁带功率电子战略框架》，2025 年 1 月

U.S. Department of Energy 发布了一份战略框架草案，指出宽禁带功率电子技术与本土制造、电动汽车车载充电器、光伏逆变器及电力转换应用密切相关。

Infineon Technologies——第二代射频 GaN-on-Si 工艺，2024 年 11 月

Infineon 在 8 英寸硅晶圆上推出第二代射频 GaN-on-Si 工艺。该公司报告称，与其第一代技术相比，新工艺的增益提高了 3～4 dB，并且在 400 MHz 带宽范围内实现了超过 55% 的漏极效率。

Global mobile Suppliers Association——5G 市场概况，2024 年 10 月

GSA 报告称，截至 2024 年 10 月，184 个国家和地区的 619 家运营商正在投资 5G，其中已确认有 331 个商用 5G 非独立组网启动项目和 63 个独立组网启动项目。

Soitec——SmartGaN 平台开发，2024 财年

Soitec 继续开发其 SmartGaN 平台，采用 SmartCut 晶圆工程技术，并依托位于比利时的 GaN 外延中心。该项目面向高压功率电子和超高频射频应用。