GaN 衬底市场 - 按产品类型（SiC 上 GaN 衬底、Si 上 GaN 衬底、蓝宝石上 GaN 衬底、块状 GaN 衬底等）、按晶圆尺寸、按最终用途行业、按应用和预测, 2024 - 2032

GaN 底盘市场大小

2023年,加恩地下市场价值为2.414亿美元,预计在2024年至2032年期间,CAGR将增长10%以上。 Gallium Nitride (GaN) 底物因其优异的电能特性而对于动力电子至关重要,包括分解电压较高,切换速度更快,与传统的硅底物相比活性较低.

汽车、工业和消费电子等行业对节能电力装置的需求日益增加,这推动了GaN底物的采用,因为这些底物能够使电力解决方案更加紧凑、高效和有力。

中国政府继续通过各种激励,补贴,以及严格的排放条例等手段,推动采用EV. 这些政策正在推动汽车制造商和供应商投资于诸如GAN等尖端技术,以达到性能标准,提高能效并降低车辆总成本. 例如,在2023年8月,GaN Systems与ACEpower合作,加速在中国的EV市场采用GaN Power技术. 这一协作的重点是优化电力转换和开发先进的综合电力模块。

全球推出的5G网络极大地推动了对GaN底物的需求. GAN在更高的频率和电能水平上运行的能力,使得包括基站和RF组件在内的5G基础设施达到理想. 随着电信运营商和设备制造商对5G技术的投资,GAN底盘市场预计将出现大幅增长,因为高频应用需要高性能材料。

GAN基底工业面临的最重大挑战之一是生产成本高. GAN底物的制造涉及复杂而昂贵的过程,如氢化蒸汽相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相相 此外,与传统的硅底物相比,加恩生产所需的原材料,包括 gall和氮源,成本更高. 这一成本挑战因加恩公司底板制造业的低产率而更形严重,这进一步加剧了总体生产成本。 因此,GaN底物的高价会限制其被广泛采用,特别是在成本敏感的市场,并可能使市场的增长轨迹放慢.

GAN 地铁市场 趋势

在各种高性能应用中越来越多地采用GAN技术的推动下,GAN基底产业正在经历显著增长. 随着电信,汽车,消费电子等行业转向更高效更紧凑的电力解决方案,对GaN底物的需求正在上升. GAN的特殊电能特性,包括更高的分解电压和更快的切换速度,使得它成为比传统硅底物更受青睐的选择,特别是在需要高效和可靠性的应用中. 随着更多的部门认识到基于GAN的装置的优点,这一趋势预计将会继续下去,从而推动市场的扩大。

在电信部门,目前全球推出的5G网络是推动市场的主要趋势。 GAN在高频率和电能水平上运行的能力使它对包括基站和RF组件在内的5G基础设施来说是理想的. 由于电信运营商和设备制造商对5G技术进行大量投资,预计对GaN底物的需求会激增。 这一趋势还由于需要能够满足5G应用的严格性能要求的先进材料而得到进一步支持,将GAN定位为下一代通信技术的关键推进器.

汽车工业,特别是电动车辆(EV)部分,也在为GAN地铁工业的发展出力. GaN底物越来越多地被用在电能电子设备中,与硅基替代品相比,它们提供了更高的效率,减少了热能的生成并减少了组件尺寸. 随着政府和消费者都推动采用EV以减少碳排放,对基于GAN的电力解决方案的需求预计将会增加。 这一趋势突出了GAN基底在发展高效而可持续的运输技术方面的战略重要性,进一步推动了它们的市场渗透.

GAN 底盘市场分析

根据产品类型,市场分为GaN-on-SiC(硅碳化物)底物,GaN-on-Si(硅)底物,GaN-on-Sapphire底物等. 预计到2032年GaN-on-SiC段将达到1.5亿美元以上。

• GaN-on-SiC(硅碳化物)底质段因其优越的热导能和高功率处理能力而得到GaN底质工业的高度评价,使其在RF装置和高功率电子领域的应用达到理想. 在电信和国防等部门,这一部门正变得引人入胜,对强力高性能材料的需求至关重要。 GaN-on-SiC在高频率和温度下有效运行的能力使它们处于5G基础设施和雷达系统的首选位置,推动它们的采用和市场增长.
• GaN-on-Si (硅)底物段由于成本效益和与现有硅基半导体制造工艺相兼容,正在经历显著增长. 这一部分特别吸引了消费电子和汽车工业的大量应用,其可扩展性和成本是关键考虑因素。 虽然与GaN-on-Si-C相比,GaN-on-Si底物的热导率可能较低,但其较低的生产成本和与已建立的硅制造设施结合的方便,使它们在市场上成为了强大的竞争者,特别是中能应用.

基于应用,GAN底板市场分为LED,动力电子,无线电频率(RF)装置,激光二极管,光检测器,元件,太阳能电池,和传感器等. 动力电子机段是增长最快的机段,在2024至2032年间CAGR超过14%.

• LEDs段是GaN底物的主导应用领域,由全球对节能照明解决方案和先进显示技术的需求所驱动. GAN的上等电能和热能特性使它成为出产高亮LED的理想材料,被广泛用于消费电子,汽车照明和一般发光. 向可持续和节能技术的推动,加上智能照明系统的发展,正在推动在LED制造中采用GaN底物。 随着GAN技术的革新导致LED产品的效率和成本效益得到提高,这一部分继续扩大。
• 在动力电子片段中,与传统的硅基材料相比,GaN底物在电压高,温度高,频率高等条件下运行的能力越来越受青睐. 这使得它们在电力车辆、可再生能源系统和工业电力供应方面的应用是理想的,在这些方面,效率和热能管理至关重要。 由于对能源效率的日益强调以及对紧凑的高性能电力装置的需求,GAN基质正被这个部分所采用. 随着工业力求减少能耗并增强系统性能,动力电子部分预计将有显著增长.
• 无线电频率(RF)装置部分由于其高电子能动性和热传导性而大大受益于GaN底座,这对高频高功率的RF应用是必不可少的. GAN底物被广泛用于RF放大器,雷达系统,和5G基站,相比传统材料,它们能提供上等性能.
• 全球推出的5G网络正在加速对先进的RF功率晶体管的需求,这些晶体管能够处理更高的频率和更广泛的带宽. GaN-on-SiC (英语). (碳化硅上的氮化镁)技术特别适合这些应用,因为它具有较高的热导能,高效率和在更高的电密度下运行的能力,使得它最理想地满足了5G基站和其他电信基础设施的要求. 例如,在2023年1月,NXP推出MMRF5018HS,一种125W CW GaN-on-SiC RF Power Transistor在一个低等的Rth NI-400HS陶瓷包中. 优化了1-2700MHz宽带RF应用,提供了工业领先的热能性能,高收益和崎岖. GAN底盘确保了国防和通信部门的优越可靠性,增强了NXP的宽幅GAN组合.

北美在2023年主导了全球GAN基底市场,占了超过29%的份额. 在北美,市场正在出现强劲增长,这主要是由该区域对电信、汽车和国防部门先进技术的大力关注所推动的。 由于对5G基础设施进行了大量投资并越来越多地采用电动车辆,美国是一个关键市场。 领先技术公司和成熟的半导体工业的存在,进一步增强了本区域对GaN底物的需求。 此外,旨在提高能源效率和促进可持续技术的政府举措可望支持北美市场扩张。

由于印度日益重视电信和可再生能源部门,印度的基底产业正获得势头。 随着5G基础设施的不断扩张和政府推动半导体制造业自力更生,印度准备成为市场上的重要角色。 此外,印度越来越多地采用电动车辆和太阳能发电系统,预计会刺激对基于GaN的电力电子产品的需求,支持今后几年的市场增长。

中国GAN底板市场正在快速增长,其基础是该国在5G技术部署方面的领导作用及其强大的半导体制造能力。 中国大力推进技术进步,特别是电信和电动车辆的技术进步,带动了对GaN底物的大量需求. 此外,政府采取举措,提高国内先进材料产量并减少对进口的依赖,进一步加快了市场扩张,使中国成为全球领先的加恩基底生产和应用国家。

韩国 GAN底板市场受国家先进电子工业驱动,并大力强调电信和汽车行业创新. 作为全球半导体市场的关键角色,韩国正在大力投资开发以GAN为基础的技术来保持其竞争优势. 国家迅速采用5G网络,电力车辆供电系统日益整合GAN基底,预计将能推动市场增长,同时得到旨在推动技术进步的政府奖励和研究举措的支持。

日本GAN基底工业的特点是以高品质的制造业和技术创新为重点. 日本拥有成熟的半导体产业和丰富的材料科学专业知识,是GaN底物的关键市场,特别是在高性能应用领域,如5G基础设施,汽车动力电子,和高级防御系统等. 日本对能源效率和可持续性的承诺,加上政府对下一代技术研发的有力支持,预计将推动市场的持续增长。

GaN 底盘市场份额

GAN基底产业的主要市场主体正以战略协作,研发为重点,并扩大其生产能力,以加强其市场地位. 公司越来越多地投资于先进的制造技术,以提高GAN基底的质量和产量,满足5G基础设施、电动车辆和可再生能源系统等高性能应用不断增长的需求。 此外,主要参与者正在与半导体制造商和技术公司建立伙伴关系,以加速采用基于GAN的解决方案。 通过使其产品组合多样化并针对新兴市场,这些公司正在利用全球对GAN基底不断增长的需求,同时确保长期可持续性和市场领导力。

GaN 基础市场公司

在GAN地底产业中主要运营的玩家有:

• 精密技术
• 沃尔夫斯比
• NXP 半导体
• 尼西亚公司
• STMicro电子学
• 科尔沃

GaN 底片工业新闻

• 2024年4月,Silvaco与Gan Valley合作推进了半导体研究,重点是Gan技术. 合作的目的是加强GAN电力设备的设计,强调成本效益、可靠性和性能。 这种伙伴关系突出了GAN基底在推动基于GAN的半导体产业创新方面的关键作用.
• 2024年4月,佛蒙特州的V-GaN 技术 Hub将开始生产氮化 gall(GaN)半导体,旨在将佛蒙特州定位为GaN技术的领先者. V-GaN作为技术枢纽于2023年建立,侧重于GaN制造业的创新,利用伙伴关系和大量投资,包括用于GlobalFoundies' Fab 9工厂现代化的15亿美元,提升了GaN底板生产.
• 2023年11月,申埃措化学公司宣布了扩大生产克洛米斯地铁技术(QST)的计划,旨在推进加能装置. 通过将热膨胀系数与GaN相匹配来使QST底物能使高品质,厚的GaN地层得以实现,能减少曲折和裂解. 这一进步支持了横向和纵向GAN设备的增长,提高了功率和RF应用的性能.

GAN基础市场调查报告包括对该行业的深入报道 以2021至2032年收入(百万美元)估算和预测, 下列部分:

按产品类型分列的市场

• GaN-on-SiC (碳化硅) 底物
• GaN-on-Si (硅) 底物
• 蓝宝石底盘
• Bulk GaN 分类
• 其他人员

市场,按Wafer大小

• 2英寸瓦费尔
• 4英寸瓦费尔
• 6英寸瓦费尔
• 8英寸瓦费尔及以上

市场,按最终用途

• 消费者电子产品
• 电信
• 汽车
• 航空航天和国防
• 保健
• 工业
• 能量和电源
• 数据中心
• 其他人员

市场,按应用

• 发光灯
• 电力电子
• 无线电频率(RF)设备
• 激光二极管
• 相片检测器
• 内容
• 太阳电池
• 传感器

现就下列区域和国家提供上述资料:

• 北美
  • 美国.
  • 加拿大
• 欧洲
  • 德国
  • 联合王国
  • 法国
  • 意大利
  • 页:1
  • 欧洲其他地区
• 亚太
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 韩国
  • 澳大利亚
  • 亚洲及太平洋其他地区
• 拉丁美洲
  • 联合国
  • 墨西哥
  • 拉丁美洲其他地区
• 米兰
  • 阿联酋
  • 沙特阿拉伯
  • 南非
  • 其余的MEA地区