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铁电 RAM 市场规模、按类型(独立 FRAM、嵌入式 FRAM)、按内存密度(高达 16kb、32kb 至 128kb、256kb 至 1mb、2mb 至 8mb、8mb 以上)、按应用、按最终用途行业预测2024 - 2032

报告 ID: GMI10671   |  发布日期: August 2024 |  报告格式: PDF
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电动内存 市场规模

电动内存 2023年市场价值为4.522亿美元,预计在2024至2032年期间,CAGR将增长5%以上。 对非挥发性记忆解决方案的需求不断增长,是市场的关键增长驱动力.

Ferroelectric Ram Market

在许多现代应用中,在失去动力后保留数据至关重要,这是FERAM等非挥发性内存技术的一大优势. 传统的RAM在设备被停电时会失去所储存的信息,但FERAM保存数据而不需要恒定的供电. 这一特点对医疗器械等部门的应用特别重要,因为保持数据一致可以拯救生命。 例如,在医疗监测设备中,即使在断电期间保持病人数据对于准确诊断和治疗至关重要。

同样,工业自动化系统依赖非挥发性内存,以确保在停电期间不会丢失操作数据,促进无缝回放和连续性. 家庭、城市和工业中更加连接和智能设备的趋势使可靠、非挥发性记忆解决方案的需求进一步升级。 随着更多设备被集成到"物联网"(IOT)中,确保数据的完整性和可用性变得至高无上,推进了对FERAM的需求及其在非挥发性内存市场上的独特优势.

例如,2023年7月,Infineon向汽车铁电RAM机队推出了一款新装置. Ferroelect 随机存取内存(FRAM)是一类非挥发性内存,结合了RAM和ROM的优点. 与传统的RAM在去除功率后会失去数据不同的是,FRAM保留了它的数据,比如只读内存(ROM). 这一独特的特性使家庭记录和档案管理成为各种应用中一个高度追求的解决办法,其中数据持久性至关重要。

汽车工业随着先进电子产品和互联互通解决方案的整合而发生了重大转变,推动FERAM的被更多采用. 现代车辆配备了大量电子系统,需要可靠、快和节能的内存解决方案。 FERAM由于非挥发性,快速的数据访问速度和低功耗,完全符合这些要求. 例如,在高级驾驶员援助系统中,实时数据处理和快速反应时间对于系统的运作和安全至关重要。 FERAM能够快速地写出和取回数据而不失去电能,使得这些应用成为理想. 此外,随着车辆的连接和自主性增强,越来越需要强有力的内存解决方案,能够处理增加的数据负荷并确保系统可靠性。 FERAM还被用于发动机控制单元(ECU),信息娱乐系统和导航系统,其中数据保留和快速访问对于最佳性能至关重要. 日益增长的电动和混合动力车辆的趋势进一步加大了对节能内存解决方案的需求,将FERAM定位为汽车电子未来的关键组成部分. 汽车工业向更智能,更连接,更高效的车辆的推进,是FERAM市场增长的强大驱动力.

高昂的生产成本仍然是Ferroelect RAM(FERAM)市场的一大陷阱,对其更广泛的采用和商业可行性构成挑战. FERAM的制造工艺涉及复杂而昂贵的制造技术,这主要是因为FERAM的制造中使用了专门的铁电材料. 这些材料,如钛酸铅(PZT)需要精确的加工和处理,这大大增加了生产开支. 此外,将铁电材料纳入半导体装置需要精密而昂贵的设备,从而进一步提高了总体制造成本。 此外,在FERAM生产中实现高产量具有挑战性,因为所涉及的复杂工艺可能导致缺陷并降低生产效率。 这些因素共同导致单位成本高于Flash和EEPROM等非挥发性存储技术. 因此,FERAM往往更昂贵,对成本敏感的应用和行业的吸引力更小.

电动内存 市场 趋势

FERAM市场的主要趋势之一是它日益融入汽车电子. 现代车辆正在变得更加先进,包括先进的驾驶辅助系统(ADS)、信息娱乐系统以及各种需要可靠和快速内存解决方案的传感器。 FERAM在没有动力的情况下保留数据的能力,再加上它的高速读写能力,使它成为这些应用的理想选择. 向电动和自主车辆的推进进一步驱动了对强健内存解决方案的需求,将FERAM定位为汽车行业技术演变的关键组成部分.

物联网(IoT)设备的激增和边缘计算的兴起对FERAM市场产生了重大影响. IoT设备经常在供电可能不一致的环境中运行,使FERAM这样的非挥发性内存变得非常有价值. 此外,这些设备需要高效而低功率的内存来进行实时数据处理和存储. FERAM的低功耗属性,快速接入时间和耐久性使其成为IoT传感器,智能家用设备以及可穿戴技术的理想内存解决方案. 边缘计算的增长涉及处理更接近源的数据,而不是依赖集中数据中心,这也得益于FERAM的使用,因为FERAM在分散的计算环境中快速获取数据和可靠性能.

铁电材料和制造技术的不断进步正在塑造着FERAM市场的未来. 研究人员正在不断探索新的铁电化合物并改进现有化合物,以提高内存密度、耐受性和可伸缩性。 制造技术的创新旨在降低生产成本并改进出产率,使FERAM在经济上更适合更广泛的应用. 这些进步不仅提高了FERAM的性能,而且还扩大了它在不同行业的潜在使用案例. 随着这些技术的不断改进,FERAM预计将与其他非挥发性内存技术更具竞争力,推动它在更广泛的应用中被采用.

电动内存 市场分析

Ferroelectric RAM Market Size, By Type, 2022-2032 (USD Million)

基于类型,市场分为独立的FRAM,嵌入式FRAM. 嵌入式FRAM段预计将在预测期间登记5%的CAGR.

  • 嵌入式Ferroelect RAM(FRAM)指被集成到其他半导体设备中的FRAM内存,如微控制器,处理器,或系统-芯片(SoC)解决方案. 这种集成可以直接将非挥发性内存能力收录在一个单一芯片内,提高整体性能并减少设备的物理足迹.
  • 嵌入式FRAM特别有利于要求高速数据访问和低功耗的应用,例如智能卡,RFID标签,和可穿戴的电子. 将FRAM整合到其他组件中,简化了电子系统的设计,减少了所需外部组件的数量,提高了产品的可靠性和耐用性.
  • 因此,嵌入式FRAM在消费电子,汽车应用,以及工业自动化中越来越受欢迎.

 

Ferroelectric RAM Market Share, By Memory Density, 2023

根据内存密度,市场分为上行16Kb,上行32Kb至128Kb,下行256Kb至1Mb,上行2Mb至8Mb. 2Mb至8Mb段预计到2032年将达到一亿.

  • Ferroelective RAM(FRAM)的2Mb到8Mb段包括存储容量从2兆位到8兆位不等的内存设备. 这些功率较高的FRAM设备是为需要更大量的数据存储和更复杂的数据管理能力的应用程序而设计的. 它们适合用于先进的工业控制系统、汽车信息娱乐系统和尖端医疗设备,需要迅速有效地处理和储存大型数据集。
  • 2Mb至8Mb FRAM设备以其高速读取/写入操作和低功耗提供增强性能,使得它们对于既需要高容量又需要高可靠性的应用程序来说是理想的. 储存能力的增加还支持更复杂的功能和较长的数据保留期,这对于在动态和数据密集环境中运作的应用程序至关重要。

 

U.S. Ferroelectric RAM Market Size, 2022-2032 (USD Million)

北美在2023年主导了全球铁电RAM市场,占40%以上的份额. 北美仍然是FERAM的一个重要市场,其驱动力来自技术进步以及航空航天、保健和电信等各部门的强劲需求。 美国是一个主要贡献国,对半导体研究与开发进行了大量投资. 该区域对开发智能技术和IOT应用的重视为FERAM的采用创造了有利的环境. 此外,北美重视加强关键应用程序的数据安全和效率,支持了FERAM市场的增长. 北美主要技术公司和研究机构的存在,进一步加速了FERAM技术的创新和商业化.

美国是FERAM公司的关键市场,大力强调技术创新和先进制造业. 该国对半导体研究的大量投资以及主要技术公司的存在推动了FERAM的开发和采用. 美国政府支持新兴的记忆技术和举措,以加强国防、航空航天和医疗保健部门的数据安全和效率,这进一步推动了FERAM市场。 此外,美国IOT和智能设备的快速发展为FERAM在各种消费品和工业产品中的应用创造了大量机会.

日本在FERAM市场起关键作用,以半导体制造和电子方面的专门知识而出名. 日本公司处于FERAM开发的前列,利用先进的材料和制造技术来生产高性能的内存解决方案. 以创新和技术进步而出名的汽车工业越来越多地将FERAM纳入车辆电子产品,以提高性能和可靠性。 日本对智能制造、机器人和IOT应用的关注也推动了对FERAM的需求,并得到了政府强有力的倡议和研究合作的支持。

例如,2023年8月,富士通推出汽车等级I2C-接口512Kbit FERAM与125°C操作. FERAM,"MB85RC512LY",是富士通汽车等级FERAM产品中I2C接口密度最高的.

中国正在成为FERAM的重要市场,其驱动力是其庞大的电子制造业和快速的技术进步. 中国政府专注于成为半导体技术的全球领先者,并在研发方面进行了大量投资,为FERAM的采用创造了有利的环境. 不断增长的消费电子市场,再加上智能城市和IOT应用在中国的崛起,推动了对FERAM等可靠而高效的内存解决方案的需求. 此外,中国扩大汽车工业,日益重视电动和自主车辆,进一步促进了FERAM市场的发展.

韩国是FERAM市场的主要角色,以先进的半导体产业和技术创新而出名. 主要韩国公司正在大力投资FERAM的开发和商业化,利用其在记忆技术方面的专门知识. 国内强大的消费电子和汽车工业推动了对高性能记忆解决方案的需求. 韩国专注于开发智能技术,如IOT和AI,进一步提高了FERAM的市场潜力. 政府的支持和旨在提高半导体能力的战略举措促进了南朝鲜FERAM市场的增长。

电动内存 市场份额

Fujitzu有限公司和德克萨斯州仪器公司 公司在铁电RAM市场占有很大份额。 Fujitsu Limited在Ferroelect RAM(FERAM)市场中占有很大份额,因为它在FERAM技术的开发和商业化方面具有先锋作用和丰富的经验. 作为该领域的早期被采纳者和创新者之一,藤津通过利用其先进的研发能力而建立了牢固的立足点. 该公司已大量投资开发能满足各种应用的高性能的FERAM产品,包括汽车,工业自动化和消费电子产品. Fujitsu的FERAM产品以可靠性,低功耗和快写/读取速度而出名,这使得它们对于寻求高效而持久的内存解决方案的客户具有很高的吸引力. 此外,藤津的强大分销网络和与其他技术公司的战略伙伴关系使其能有效地在全球销售和分销FERAM产品,进一步巩固了它在市场上的领导作用。

德克萨斯仪器公司(TI)是另一个在FERAM市场中占有相当大份额的关键玩家,这主要是因为它在半导体制造方面的广泛专业知识和广泛的内存解决方案组合. TI对创新和质量的强烈关注使FERAM产品的发展达到了工业控制系统,医疗器械,汽车电子等各种关键应用所需的高标准. 公司强大的研发基础设施和对推进内存技术的承诺,使得FERAM产品能够提供出色的性能,高耐力和数据保存能力. 此外,TI在全球半导体市场的存在,再加上其有效的营销策略和强大的客户关系,使得它能够占据相当大的市场份额. TI提供将FERAM与其他半导体产品结合的综合解决方案的能力也为客户增加了价值,使其成为寻求综合内存解决方案的人的首选.

电动内存 市场公司

从事铁电RAM行业的主要角色有:

  • 藤津有限公司
  • 德克萨斯州仪器公司
  • Cypress 半导体 公司
  • 拉姆特龙国际 公司
  • 三星电子股份有限公司.
  • 东芝公司
  • Infineon技术公司

电动内存 工业新闻.

  • 2024年6月,Infineon扩展了辐射加固内存组合,与业界首个空间合格平行接口1和2 Mb F-RAM. Infineon的众多记忆组合中添加了这些内容,其特征是可靠性和耐力无懈可击,数据保存时间可达120年,为85摄氏度,以及随机访问和以总线速度写出完整的内存。
  • 2024年1月,SSD制造者宣布了某天可能会使SSD过时的东西——Micron的FERAM技术更快. Micron是以其计算机内存和数据存储解决方案——被宣布的NVDRAM(非挥发性动态随机访问存储器)而最为出名的,它对于一种叫Ferroelective RAM(FERAM)的内存的取用,在速度和耐用性方面,它比NAND基于SSD的SSD表现得更好.

铁电记录和档案管理市场研究报告包括对该行业的深入报道 根据2021年至2032年收入估计数和预测(百万美元), 下列部分:

市场,按类型

  • 独立 FRAM
  • 嵌入式内存

市场,根据记忆密度

  • 最高16Kb
  • 32克至128克b
  • 256克到1克b
  • 2Mb 到 8Mb 移动
  • 超过 8Mb

市场,按应用

  • 高级驾驶员援助系统
  • 电池管理系统(BMS)
  • CT -扫描
  • 客户精准设备(CPE)
  • 智能工具测量器
  • 可穿戴设备
  • 其他人员

市场,按最终用途分列

  • 汽车
  • 消费者电子产品
  • 能源和公用事业
  • 保健
  • 工业
  • 信息技术和电信
  • 其他人员

现就下列区域和国家提供上述资料:

  • 北美
    • 美国.
    • 加拿大
  • 欧洲
    • 德国
    • 联合王国
    • 法国
    • 意大利
    • 页:1
    • 欧洲其他地区
  • 亚太
    • 中国
    • 印度
    • 日本
    • 韩国
    • 澳大利亚
    • 亚洲及太平洋其他地区
  • 拉丁美洲
    • 联合国
    • 墨西哥
    • 拉丁美洲其他地区
  • 米兰
    • 阿联酋
    • 沙特阿拉伯
    • 南非
    • 其余的MEA地区

 

作者:Suraj Gujar, Deeksha Vishwakarma
常见问题 :
铁电RAM市场的关键角色是谁??
富士通有限公司,德克萨斯仪器公司,Cypress半导体公司,拉姆特龙国际公司,三星电子股份有限公司,东芝公司和Infineon Technologies AG.
北美铁电RAM工业有多大??
为什么对嵌入式FRAM的需求会增加?
铁电RAM市场规模有多大??
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基准年: 2023

涵盖的公司: 25

表格和图表: 218

涵盖的国家: 21

页数: 210

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