3D NAND 闪存市场规模 - 按类型、应用、最终用途、分析、份额、增长预​​测（2025 - 2034 年）

3D ND 闪存市场大小

全球3D NAND闪存市场在2024年估值为218亿美元,预计CAGR增长21.8%,到2034年达到1494亿美元. 推动市场增长的主要因素包括数据中心数量的增加,以及对消费电子产品的需求激增。

全球越来越多的数据中心正在快速增加对3D NAND闪存的需求。 随着云计算、人工智能、大数据和数字服务的出现,数据即将爆炸,需要提高数据中心的数据读取速度,并提高效率和能力。 根据Statista,数据中心部门预计在2025年将达到4525.3亿美元,预计到2029年还将达到6,240.7亿美元的估值,预计2025年至2029年的增长率为8.37%。

3D 号码 Flash Memory优于HDDs,因为它更快,具有较低的耐久性,读/写率更高,更耐用. 3D 号码 将闪存纳入商业数据中心的工作正在升级,因为需要超规模的SSD来处理大型数据集的变化,这些大型云组织和企业寻求提高生产力和减少浪费的时间。

消费电子产品不断提高的渗透率正在成为一种催化因素,导致3D NAND闪存市场在全球迅速发展。 制造商越来越多地使用3D NAND,因为其高密度和有效的存储能力,以满足智能手机,平板电脑,以及高分辨率照片的笔记本电脑,4K/8K胶片,游戏应用程序日益增长的存储需求.

据Statista统计,截至2024年,消费电子产品计有近81.72亿件,预计到2029年将增长到90.07亿件. 随着智能手表,智能电视,家庭自动化系统等智能设备的普及,拥有可靠和紧凑的内存解决方案也变得至关重要. 3D NAND SSDs在确保用户体验平稳,数据处理更快方面发挥着至关重要的作用,特别是由于发布了高性能的游戏控制台和云彩游戏服务,游戏业蓬勃发展.

3D ND 闪存市场 趋势

• Hybrid and Survey-Class Memory(SCM)的出现正通过改变数据存储等级来改变全球对3D NAND闪存的需求,是推动全球市场增长的关键趋势. 像英特尔的Optane和Micron的3D XPoint一样的SCMs提供比传统的NAND闪存和动态随机访问内存(DRAM)技术更好的性能.
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• 与NAND相比,SCM夸大了更好的速度和耐久性,但存储密度往往较低,成本较高. 因此,将热数据上的SCM与冷数据上的3D NAND Flash Memory相结合的混合存储系统在数据中心和企业中是常见的. 这种形式的整合导致3D NAND继续满足大宗数据存储的成本和能力要求,而这反过来又刺激了对该技术的需求.
• 全球对3D NAND闪存的需求正在指数增长,因为汽车工业越来越适用,而汽车工业是市场扩张的新趋势。 连接车辆、先进驾驶辅助系统(ADS)、车辆内信息娱乐(VI)系统的创新推动了对可靠储存解决方案的需求,这些解决方案既能提供更高的能力,又能提供更快的速度。 3D NAND Flash Memory的耐久性、高速处理和高密度存储使其适合汽车应用程序,该应用程序重复生成和处理大量数据。
• 边缘计算的增长也在扩展3D NAND闪存市场中发挥关键作用. 边际计算使数据存储和处理更接近网络边缘,而不是依赖于中央数据中心. 这种做法可以减少延误,并能更快地就地作出决定。 这种过渡需要高密度,节能和紧凑的存储介质,以便于本地数据处理和分析,这使得3D NAND Flash Memory成为首选. 其高存储密度,快速读写速度,可靠性使得工业传感器,自主车辆,智能照相机,保健设备等边缘设备的数据管理无缝,从而产生了有效的数据管理.

3D ND 闪存市场分析

• 三层细胞段预计将占2024年全球3D NAND闪存市场43.5%. TLC比SLC和MLC更便宜,因为它每个单元格存储3位数据,使其成本降低,存储密度提高。 因此,需要高容量数据存储的平板电脑、智能手机和固态驱动器(SSD)可以有效利用TLC。 此外,基于TLC的3D NAND由于包括智能电视机、游戏控制台、笔记本电脑和智能手机在内的消费电子设备的增加而越来越具有吸引力,这些设备需要高容量的经济价格储存。
• 2034年,多层次的细胞段占512亿美元. MLC保留了两个比特信息,能够支持性能高,寿命长的应用程序,作为存储耐力,性能和密度之间的妥协. MLC的可靠性和更强的书写耐力使其有利于企业级SSD和数据中心存储解决方案. 高性能计算,虚拟化,云存储平台利用了MLC的耐力.

基于应用,3D NAND闪存市场被分割成相机,笔记本电脑和PC,智能手机和平板电脑等.

• 智能手机和平板电脑部分在2024年占12亿美元. 我们今天使用的尖端便携式设备与高质量的照相机、4K记录能力、先进的应用软件以及广泛的其他功能相结合,从而增加数据的生成。 3D NAND技术提供高容量存储解决方案以跟上这些需求. 无论是多任务,游戏,还是流线内容,用户都预想着平稳的表现. 因此,3D NAND Flash内存,数据访问更快,应用程序响应效率更高.
• 膝上型计算机和PC是2034年可能达到431亿美元的显著增长的部分。 在游戏、视频编辑和内容制作方面对计算机和膝上型计算机的需求增加,对可靠和快速储存的需求产生了影响。 由于3D NAND flash memory的进步,PC和笔记本电脑的受欢迎度很高. 这些改进使得完整的3D NAND SSD能够取代商业和个人设备中的传统HDD.

基于最终用途,3D NAND闪存市场被分割为汽车,消费电子,企业,保健等.

• 2024年消费电子产品段占份额的41.4%. 智能家用设备、可穿戴设备、电器等Tthings(IoT)设备的互联网激增,刺激了3D NAND提供动力的小型、节能和可依赖的存储解决方案的需求。 智能表,健身跟踪器等可携带技术,以及其他健康监测设备生成并捕获大量数据. 由于这种装置的容量和功率效率,其存储需要最好地由3D NAND技术满足.
• 汽车是2025-2034年期间CAGR增长20.9%的显著增长部分的原因。 越来越多的使用ADAS的功能,如车道出发警告,适应性巡航控制,以及自主的应急制动要求大数据存储实时处理传感器数据并作出决定. 3D 号码 Flash Memory提供这些应用程序所要求的性能和能力. 另外,以云计算为基础的服务,如导航,视频流,以及社交网络,也要求连接的车辆提供高存储能力和高速. 3D NAND提供必要的能力和性能.

2024年,美国3D NAND闪存市场占50亿美元. 由于云计算、人工智能技术以及其他大数据应用,超尺度和企业数据中心的扩大和计算机化,对3D NAND等更快和更大的存储设备的需求越来越大。 此外,在保健、金融和汽车工业中越来越多地使用人工智能驱动的应用,这促使人们更加需要可靠和高速的存储装置来储存和处理不可或缺的数据,而这些都是在估计期间扩大市场增长的主要因素。

德国3D NAND闪存市场预计将在预测期间以21.8%的CAGR增长. 对工业4.0和智能制造的日益重视,使得本区域通过连接的IOT传感器、工业机械和其他应用的3D NAND Flash Memory对数据存储的需求增加。 此外,作为一个全球汽车中心,德国在自主驾驶、EV和连接汽车方面的进展加速了对可靠高容量存储量的不断增长的需求,这正在以相当的速度推动3D NAND闪存市场。

中国3D NAND闪存市场预计在预测期间CAGR增长23.6%. 数据中心的迅速扩展、对智能城市基础设施的投资的增加以及半导体生产的本地化是主要促进市场增长的关键因素。

3D NAND Flash Memory的当地制造和实施正受到中国政府旨在加强当地半导体工业的政策的驱动,这些政策包括补贴和资助研发。 此外,智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他电子设备越来越受欢迎,这增加了对可靠和有效的内存解决方案的需求,例如3D NAND, 反过来又加速了整个区域的市场增长。

2024年,日本预计将占亚太3D NAND闪存市场13%的份额. 5G网络和IoT设备的广泛采用,正在推动边缘对本地化数据处理的需求,这需要3D NAND内存允许的低纬度存储解决方案. 另外,日本从位于3D NAND技术创新前沿的Kioxia和Western Digital等公司获得的稳健的半导体生产地位,也进一步推动了市场的发展.

韩国3D NAND闪存市场2024年占4.13亿美元. 由于5G网络的迅速扩展,对边缘计算基础设施的需求以及3D NAND技术提供的相应快速可靠的存储能力正在增长.

此外,对使用3D NAND Flash Memory的嵌入式存储能力的需求日益增加,这是因为对Tthings(IOT)设备和智能家用系统的互联网投资趋势有所转变。 此外,由于三星电子公司和SK Hynix公司的存在,韩国是全世界半导体部门的主要参与者,它们正在推动创新和大量生产3D NAND Flash Memory,这在预期的时期正在推动市场增长。

3D ND 闪存市场份额

3D NAND Flash Memory产业似乎被整合,少数玩家持有大部分市场份额. 三星电子,Micron Technology,以及SK Hynix是知名的领跑者,其份额为29.9%. 这是由于它们建立了新的生产设施,并投入了大量的研发开支。 这些玩家通过创新提供竞争优势,包括更高层次的堆叠和增加存储密度增强. 较小的公司面临各种障碍,如制造三维ND所需的高资本投资,以及生产过程所涉及的复杂步骤。

此外,通过长期战略联盟、控制供应链和知识产权所有权来积累市场份额,加强了市场的统一状态。 然而,对消费电子产品、数据中心、汽车和企业应用的内存存储需求以及持续的研究支出,改变了竞争动态。 此外,尽管市场高度巩固,但区域行为者和新进入者正在缓慢地试图以较低的价格和专业化的报价打入一些特殊市场。

此外,市场参与者正注重3D闪存技术的技术进步,目的是满足不断变化的客户需求。 例如,在2023年3月,Kioxia公司和Western Digital Corp. 揭开了他们最新的3D闪存技术,其中以先进的缩放和Wafer结合创新为特色. 这种218层的3D闪存提供了更高的比特密度,更快的NAND I/O速度超过3.2Gb/s,并改进了书写性能和读秒性. 它利用CBA(直接捆绑到阵列的CMOS)技术,提高能力和成本效益,满足智能手机、IOT设备和数据中心日益增长的数据需求。

3D NAND 闪存市场公司

3D NAND闪存行业的主要公司包括:

• 三星电子
• 微信科技股份有限公司.
• SK Hynix Inc. (英语).
• 基奥西亚公司(原东芝记忆公司)
• 西方数字公司

三星是3D NAND Flash Memory市场前卫之一. 该公司关注其技术发展和大规模生产能力. 它开发了小说V-NAND(Vertical NAND)技术,改变了整个闪存世界. 它通过垂直堆放内存细胞来提高存储密度,速度和可靠性. 三星的V-NAND是几代人,

Micron Technology, Inc. 是记忆和存储创新的行业领先者. 它们在阵列(CuA)特性下带有CMOS的3D NAND浮动门技术提供了更大的存储密度,提高了性能,降低了成本. 为了满足许多行业对大数据日益增长的需求,Micron推出了176层和232层的NAND等多层3D NAND产品.

3D NAND 闪存行业新闻

• 2025年2月,Kioxia Corporation和Sandisk Corporation开发了新的3D闪存技术,提供了更高的功率效率,密度也提高了. 与该公司在ISSC 2025上揭幕的开创性CBA(CMOS直接捆绑到阵列)技术1一起,新的3D闪存创新采用了最新的接口标准之一,Toggle DDR6.0用于NAND闪存,SCA(分离指令地址)协议2是其接口的一个新指令地址输入方法,PI-LTT(Power Isolated Low-Tapped Production)技术3,这对进一步降低功耗至关重要.
• 2023年7月,近地物体 半导体宣布将出席2023年闪电记忆峰会. 同年,Neo半导体宣布发布革命技术3D X-DRAMTM. 这种创新是世界上第一个3D NAND类似DRAM的细胞阵列,旨在取代整个2D DRAM产业,并解决DRAM中容量瓶颈. 只要稍作修改,就可以使用目前的3D NAND闪存技术生产3D X-DRAMTM,大大缩短了创建新3D进程所需的时间和费用. Hsu先生将在主旨发言中披露3D X-DRAMTM的技术细节和流程。
• 2024年11月,三星电子宣布建立新的半导体研发校园. 现代设备的安装旨在推进下一代1d DRAM和3D NAND闪存技术的发展. 该项目战略上将三星置于半导体创新的前列.

这份3D NAND闪存市场调查报告包含了对该行业的深入报道. 估计和预测2021年至2034年收入(10亿美元), 用于下列部分:

按类型分列的市场

• 单级单元格
• 多级单元
• 三层单元格

市场,按应用

• 摄影机
• 手提电脑和电脑
• 智能手机和平板电脑
• 其他人员

市场,按最终用途分列

• 汽车
• 消费者电子产品
• 企业
• 保健
• 其他人员

现就下列区域和国家提供上述资料:

• 北美
  • 美国.
  • 加拿大
• 欧洲
  • 联合王国
  • 德国
  • 法国
  • 意大利
  • 页:1
  • 俄罗斯
• 亚太
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 韩国
  • 澳大利亚
• 拉丁美洲
  • 联合国
  • 墨西哥
• 米兰
  • 阿联酋
  • 沙特阿拉伯
  • 南非