Скачать бесплатный PDF-файл

Объем рынка памяти с фазовым переходом (PCM) — по устройствам, приложениям и среде конечного использования — глобальный прогноз на 2025–2034 годы

Идентификатор отчета: GMI15189
|
Дата публикации: November 2025
|
Формат отчета: PDF

Скачать бесплатный PDF-файл

Размер рынка фазово-переходной памяти

Глобальный рынок фазово-переходной памяти оценивался в 564,7 млн долларов США в 2024 году. Ожидается, что рынок вырастет с 709 млн долларов США в 2025 году до 6,18 млрд долларов США в 2034 году, с темпом роста 27,2% в год в прогнозируемый период, согласно последнему отчету, опубликованному компанией Global Market Insights Inc.
 

Фазово-переходная память

Рынок PCM набирает обороты, так как растет спрос на высокоскоростные, нелетучие решения для памяти, сочетающие производительность класса DRAM с долговременностью класса flash. Такие памяти все чаще требуются в системах ИИ, больших данных и на краю сети, где критически важны пропускная способность, энергоэффективность и сохранение данных.
 

Переход к архитектурным решениям, встраивающим более крупные и быстрые блоки нелетучей памяти на чип или рядом с процессором, ускоряет роль PCM в будущих иерархиях памяти. Например, STMicroelectronics описывает свою встроенную технологию PCM (ePCM) как предлагающую “>50% лучшее соотношение производительности к мощности, 2,5× меньшую нелетучую память, 3× большую цифровую плотность” по сравнению с традиционной флеш-памятью eNVM при эквивалентном размере узла. Этот фактор стимулирует внедрение PCM, позволяя более богатое прошивка, код ИИ/МО и постоянное кэширование или вычисления в памяти, увеличивая спрос на высокопроизводительные решения памяти на чипе.
 

Отрасли, такие как автомобильная электроника, электромобили (EVs) и автономные системы, быстро внедряют передовые технологии памяти для поддержки обновлений по воздуху (OTA), сложных контроллеров доменов, сенсорного слияния и ведения журнала данных в реальном времени. PCM особенно хорошо подходит благодаря своей устойчивости, термостойкости и встроенному нелетучему характеру. Например, автомобильный портфель микроконтроллеров STMicroelectronics с встроенной PCM (семейство “Stellar”) описывается как обеспечивающий масштабируемые обновления памяти и будущее развитие электронных архитектур автомобилей.
 

Этот фактор ускоряет интеграцию PCM в премиальные автомобильные микроконтроллеры и контроллеры доменов, увеличивая объем памяти на единицу и создавая более высокоценные развертывания.
 

Роль PCM также расширяется за счет интеграции в гибридные архитектуры памяти и решения класса памяти хранения, заполняя пробел между DRAM и NAND, предлагая постоянную память ближе к процессору и позволяя создавать новые системные архитектуры для ИИ, краевых и облачных систем. Например, Rambus, Inc. в сотрудничестве с IBM Corporation объявила о гибридных архитектурах памяти, сочетающих DRAM и новые виды памяти, включая PCM, для будущих высоконагруженных ИИ и центров обработки данных.
 

Эта тенденция расширяет применение PCM в многоуровневых иерархиях памяти, стимулируя спрос на гибридные модули, память класса хранения и рынки постоянной памяти. Недавние достижения в области материаловедения, архитектуры ячеек, технологий 3D/упакованных ячеек PCM и масштабирования узлов процесса ускоряют производительность, плотность и энергоэффективность PCM. Эти инновации делают PCM более жизнеспособным для массовых приложений.
 

Например, STMicroelectronics заявляет, что их ePCM на узлах 18 нм и 28 нм обеспечивает сохранение при высоких температурах, защиту от радиации, сертификацию автомобильного класса и работу до +165-°C. Такие технологические достижения расширяют охват PCM на ранее недоступные рынки, такие как автомобильная промышленность, промышленные решения и вычисления на краю сети, стимулируя внедрение и масштабирование объемов развертывания.

Тенденции рынка фазово-переходной памяти

  • Значительная тенденция заключается в переходе к гибридным архитектурам памяти и решениям SCM, которые используют PCM в сочетании с архитектурами DRAM/NAND для сокращения разрыва в производительности и сохранении данных. Компании разрабатывают модули SCM на основе PCM, ориентированные на корпоративные системы хранения, где нелетучесть и высокая скорость одинаково критичны. Эта тенденция способствует оптимизации центров обработки данных и систем на краю сети за счет обеспечения более быстрого восстановления, постоянных кэшей и повышенной устойчивости системы.
     
  • Благодаря этой возможности PCM позиционируется не только как замена встроенной NVM, но и как уровень в иерархии памяти и хранения, позволяющий создавать новые архитектуры систем, которые снижают задержки, энергопотребление и затраты в интенсивных по данным приложениях. Увеличивается использование PCM в автомобильной электронике, электромобилях и автономных системах, для которых надежность в условиях стресса и нелетучая быстрая память являются обязательными требованиями. Например, разрабатываются автомобильные сертифицированные ячейки PCM, способные выдерживать высокие температуры и вибрации, что позволяет осуществлять ведение журнала в реальном времени, память контроллеров доменов и обновление прошивки по воздуху в автомобилях. Эта тенденция повышает содержание памяти на автомобиль и поддерживает новые функции безопасности, ADAS и автономного управления.
     
  • Соответствуя требованиям автомобильного класса, PCM все чаще заменяет устаревшие решения на основе флеш-памяти/NAND в автомобилях, ускоряя внедрение в этом быстрорастущем вертикальном сегменте и повышая ценность содержания памяти в каждой системе. Дальнейшая тенденция заключается в постоянном развитии материаловедения и технологий 3D/стекания ячеек для инноваций в PCM, таких как халькогенидные сплавы, наноструктурирование, вертикальное стекирование и передовые упаковки, что способствует повышению плотности, снижению энергопотребления на бит и улучшению масштабируемости. Например, исследования показывают, что управление тепловым сопротивлением на границе в ультратонких фазовых слоях может снизить энергию сброса на ~40-50%. Эти улучшения делают PCM более коммерчески жизнеспособным для массовых приложений за пределами нишевых сегментов.
     
  • По мере созревания этих технологий снижается стоимость на бит, что позволяет PCM конкурировать с основными типами памяти на массовых рынках и открывает новые области применения в потребительской электронике и устройствах на краю сети. Рынок PCM также переживает тенденцию к увеличению внедрения в системах ИИ, больших данных и на краю сети, которые требуют высокоскоростной, нелетучей памяти с низкой задержкой и высокой износостойкостью. Например, PCM рассматривается как кандидат на «постоянную память» в высокопроизводительных вычислениях, гибридных модулях вычислений и хранения и вычислениях в памяти.
     
  • Обеспечивая скорость, близкую к DRAM, с нелетучестью, PCM поддерживает аналитику в реальном времени, локальные вычисления ИИ и обработку на краю сети, значительно расширяя свой рыночный потенциал. Соответствуя инфраструктуре на краю сети и интенсивным по данным рабочим нагрузкам, эта тенденция расширяет адресуемый рынок PCM и позиционирует его как ключевой фактор в будущих архитектурах вычислений.
     
  • Существует тенденция к низкопотребляющей, постоянно включенной памяти в сфере IoT и потребительской электронике, с преимуществами нелетучести PCM, высокой износостойкости и низкого энергопотребления в режиме ожидания по сравнению с обычными вариантами памяти. Например, некоторые технологические дорожные карты PCM подчеркивают экстремально низкое энергопотребление на бит и лучшее сохранение, что делает его хорошо подходящим для носимых устройств, узлов датчиков и платформ умных устройств.
     
  • Эта тенденция способствует более широкому внедрению PCM в обширной экосистеме IoT/потребительской электронике. По мере того как производители устройств стремятся интегрировать более умные, подключенные и энергоэффективные электронные устройства, доступность передовых типов памяти, таких как PCM, становится важным фактором, обеспечивающим меньшие размеры, меньшее энергопотребление и более длительный срок службы устройств.
     

Анализ рынка фазово-переходной памяти

Глобальный рынок фазово-переходной памяти (PCM) по типу, 2021-2034, (млн долларов США)

На основе устройства рынок глобальной фазовой памяти делится на устройства 1T1R (один транзистор, один резистор), устройства массива перекрестных точек и 3D-стековые устройства.  Сегмент устройств 1T1R (один транзистор, один резистор) в 2024 году составил 43,2% рынка.
 

  • Сегмент устройств 1T1R (один транзистор, один резистор) занимает наибольшую долю на рынке ФПП в 2024 году благодаря своей зрелой, хорошо изученной архитектуре, высокой надежности и эффективной интеграции со стандартными CMOS-процессами. Эта архитектура обеспечивает предсказуемое переключающее поведение, низкие утечки и эффективный контроль операций записи/чтения, что делает ее идеальной для встраиваемых приложений, потребительской электроники и автомобильных модулей памяти. Ее простота, экономическая эффективность и совместимость с существующими производственными линиями способствуют широкому распространению в различных секторах, требующих нелетучей, высокоскоростной памяти.
     
  • Производители сосредоточены на оптимизации устройств 1T1R для повышения долговечности, энергоэффективности и плотности. Улучшения, такие как уменьшение размера ячейки, улучшенное тепловое управление и оптимизированные схемы программирования, критически важны для удовлетворения растущего спроса на память с низкой задержкой в устройствах периферийного вычисления, ускорителях ИИ и промышленных приложениях. Стратегические партнерства с полупроводниковыми фабриками и интеграторами систем памяти могут еще больше ускорить внедрение в сегменты массового потребления и корпоративного использования.
     
  • Сегмент 3D-стековых устройств ФПП, как ожидается, будет самым быстрорастущим с 2025 по 2034 год, что обусловлено растущим спросом на высокоплотные, энергоэффективные и высокоскоростные решения памяти. За счет вертикального наложения нескольких слоев ФПП 3D-архитектуры достигают значительно большей емкости хранения на единицу площади при сохранении низкого энергопотребления и быстрой скорости чтения/записи. Это делает их идеальными для ИИ, больших данных, вычислений на периферии и автомобильных приложений, где важны производительность на ватт и плотность.
     
  • Производители инвестируют в передовые технологии 3D-стекования, такие как через-кремниевые соединения (TSV) и управление теплом между слоями, чтобы повысить масштабируемость, надежность и экономическую эффективность. Коллаборации с полупроводниковыми фабриками и разработчиками систем позволяют ускорить выход на рынок решений 3D-ФПП, поддерживая их внедрение в системы памяти следующего поколения, высокопроизводительные вычисления и приложения постоянного хранения.
     

На основе конечного использования рынок фазовой памяти сегментирован на потребительскую электронику, автомобильную, корпоративные центры обработки данных, промышленную и аэрокосмическую и другие. В 2024 году сегмент потребительской электроники доминировал на рынке с выручкой в размере 159,4 миллиона долларов США.
 

  • Сегмент потребительской электроники занимает наибольшую долю на рынке ФПП в 2024 году благодаря увеличению интеграции нелетучей, высокоскоростной памяти в смартфоны, носимые устройства, планшеты и умные устройства для дома. ФПП обеспечивает мгновенное включение, высокую долговечность для частых циклов записи/чтения и низкое энергопотребление, улучшая пользовательский опыт и отзывчивость устройств. Ее способность хранить критически важные данные локально, не полагаясь на облачное хранилище, особенно ценна в мобильных и портативных устройствах, что делает ФПП предпочтительным решением для памяти в потребительских приложениях.
     
  • Производители сосредоточены на оптимизации ФПП для компактных форм-факторов, низкого энергопотребления и высокой надежности, чтобы удовлетворить требования потребительской электроники. Коллаборации с OEM и интеграторами систем обеспечивают бесперебойную интеграцию с SoC и устройствами с ИИ, ускоряя внедрение в массовые товары.
     
  • Сегмент корпоративных центров обработки данных, как ожидается, будет самым быстрорастущим с 2025 по 2034 год, что обусловлено растущими требованиями к высокоскоростной, постоянной памяти для поддержки нагрузок ИИ, больших данных и облачных вычислений.
     
PCM предлагает уникальное сочетание задержек, характерных для DRAM, и стойкости, характерной для NAND, что делает его идеальным для кэширования, памяти класса хранения и гибридных решений для памяти в серверах и гипермасштабных центрах обработки данных. Его внедрение улучшает производительность системы, снижает узкие места ввода-вывода и повышает энергоэффективность, что критически важно для корпоративных ИТ-инфраструктур, сталкивающихся с растущими требованиями к данным и вычислениям.
 
  • Производители инвестируют в масштабирование PCM для модулей высокой емкости и низкой задержки, подходящих для серверов и решений для хранения корпоративного уровня. Стратегические партнерства с поставщиками облачных услуг, производителями серверов и интеграторами корпоративных ИТ-решений способствуют более быстрому внедрению и развертыванию решений на основе памяти PCM в центрах обработки данных следующего поколения, поддерживающих аналитику на основе ИИ, обработку в реальном времени и приложения для постоянного хранения.
     
  • Доля рынка фазовой памяти (PCM) по применению, 2024

    На основе применения рынок фазовой памяти сегментирован на замену основной памяти, ускорение хранения, встроенное хранение кода, элементы нейроморфных вычислений и другие. В 2024 году сегмент ускорения хранения доминировал на рынке с выручкой в размере 198,9 млн долларов США.
     

    • Сегмент ускорения хранения занимает наибольшую долю на рынке PCM в 2024 году благодаря своей способности заполнять пробел между DRAM и NAND-накопителями. Неволatile-характер, высокая износостойкость и низкая задержка PCM делают его идеальным для кэширования, многоуровневого хранения и приложений постоянной памяти в центрах обработки данных, корпоративных серверах и облачных инфраструктурах. Его способность значительно снижать узкие места ввода-вывода повышает производительность системы для анализа больших данных, рабочих нагрузок ИИ и высокочастотных транзакционных операций, устанавливая PCM в качестве предпочтительного решения для ускорения хранения.
       
    • Производители сосредоточены на интеграции PCM с высокоскоростными интерфейсами и контроллерами памяти для максимального использования его эффективности в ускорении хранения. Стратегии оптимизации включают улучшение износостойкости записи, снижение энергопотребления на бит и обеспечение плавных гибридных конфигураций памяти. Коллаборации с поставщиками облачных услуг, производителями серверов и интеграторами решений для хранения дополнительно поддерживают внедрение в корпоративных и гипермасштабных средах.
       
    • Сегмент элементов нейроморфных вычислений, как ожидается, будет самым быстрорастущим с 2025 по 2034 год, что обусловлено растущим интересом к архитектурам вычислений, вдохновленным мозгом. Встроенная аналоговая способность хранения PCM, высокая скорость переключения и энергоэффективность делают его идеальным для эмуляции синапсов в нейроморфных чипах, что позволяет эффективно реализовывать нейронные сети с импульсным возбуждением и ускорители ИИ на краю сети. Это новое применение привлекает внимание разработчиков аппаратного обеспечения ИИ, компаний-роботостроителей и исследовательских учреждений, стремящихся к достижению низкоэнергопотребляющих, высокоплотных и реальных когнитивных вычислений.
       
    • Производители инвестируют в передовые разработки в области материаловедения и инновации на уровне ячеек для повышения производительности PCM для нейроморфных приложений, включая многоуровневые состояния сопротивления и точное модулирование проводимости. Партнерства с разработчиками чипсетов ИИ и лабораториями нейроморфных исследований ускоряют внедрение PCM в когнитивные вычислительные платформы следующего поколения, обеспечивая более энергоэффективную и масштабируемую обработку ИИ на краю сети и в центрах обработки данных.
       
    Размер рынка фазовой памяти (PCM) в США, 2021-2034, (млн долларов США)

    Регион Северной Америки доминировал на мировом рынке фазовой памяти с долей 40,2% в 2024 году.
     

    • Рост рынка в Северной Америке обусловлен увеличением спроса на высокоскоростную, нелетучую память в сфере ИИ, вычислительных систем на краю сети, центров обработки данных и потребительской электроники. Наличие передовых центров НИОКР в области полупроводников, развитой инфраструктуры производства памяти и стратегических инвестиций ведущих технологических компаний дополнительно способствует расширению рынка. Государственные инициативы, направленные на продвижение передовых технологий памяти и приложений на основе ИИ, также способствуют внедрению фазово-переходной памяти.
       
    • Расширяющаяся экосистема ИИ, Интернета вещей и автомобильной электроники в Северной Америке дополнительно стимулирует спрос на фазово-переходную память. Распространение подключенных устройств и автономных систем увеличивает потребность в высокоскоростной, нелетучей памяти, способной обрабатывать большие массивы данных локально. Внедрение фазово-переходной памяти ускоряется в таких приложениях, как автомобильные инфотейнмент-системы, ускорители ИИ на краю сети и корпоративные решения класса памяти хранения, обеспечивая улучшенную производительность, надежность и энергоэффективность.
       
    • Государственные программы и исследовательские инициативы, такие как финансирование передовых полупроводниковых материалов и технологий памяти, ускоряют инновации в области фазово-переходной памяти. Коллаборации между государственными исследовательскими учреждениями, университетами и частными технологическими компаниями способствуют разработке высокоплотных, энергоэффективных решений на основе фазово-переходной памяти, позволяя Северной Америке сохранять лидирующие позиции на мировом рынке.
       

    Рынок фазово-переходной памяти в США оценивался в 76,5 млн долларов США в 2021 году и 101,2 млн долларов США в 2022 году. Размер рынка достиг 179,6 млн долларов США в 2024 году, увеличившись с 134,6 млн долларов США в 2023 году.
     

    • США продолжают лидировать в отрасли фазово-переходной памяти, что обусловлено их передовыми возможностями в производстве полупроводников, сильной экосистемой НИОКР и растущим внедрением ИИ, вычислительных систем на краю сети и высокопроизводительных приложений центров обработки данных. При участии таких крупных технологических компаний, как Intel, Micron, IBM и Samsung, инвестирующих в перспективные технологии памяти, США поддерживают массовое внедрение фазово-переходной памяти в корпоративные системы хранения, постоянную память и платформы нейроморфного вычисления. Государственные инициативы, направленные на продвижение передовых исследований в области памяти и инноваций в сфере ИИ, дополнительно ускоряют внедрение, укрепляя позиции страны как мирового лидера в области высокоскоростных, нелетучих решений для памяти.
       
    • Экосистема фазово-переходной памяти в США укрепляется за счет растущего внедрения в ускорение корпоративных систем хранения, гибридные архитектуры памяти и автомобильную электронику, особенно в электромобилях и автономных системах. Увеличивающаяся интеграция фазово-переходной памяти в центры обработки данных следующего поколения, ускорители ИИ и устройства на краю сети повышает производительность, надежность и энергоэффективность, удовлетворяя требования к низкой задержке. Коллаборации между государственными исследовательскими учреждениями, полупроводниковыми фабриками и технологическими компаниями стимулируют инновации в области высокоплотной, энергоэффективной фазово-переходной памяти, что позволяет ускорить внедрение и укрепить позиции США как центрального хаба для разработки передовых технологий памяти.
       

    Рынок Европы оценивался в 100,3 млн долларов США в 2024 году и, как ожидается, покажет привлекательный рост в прогнозируемый период.
     

    • Европа занимает значительную долю на рынке фазово-переходной памяти, что обусловлено увеличением инвестиций в НИОКР в области полупроводников, передовых центров обработки данных и промышленных приложений на основе ИИ. Страны, такие как Германия, Франция и Нидерланды, сосредоточены на высокопроизводительных решениях для памяти в корпоративных системах хранения, вычислительных системах на краю сети и автомобильной электронике. Регион получает выгоду от сильной государственной поддержки ИИ, инициативы "Промышленность 4.0" и инициатив в области перспективных полупроводниковых технологий, что ускоряет внедрение технологий фазово-переходной памяти в ключевых секторах.
       
    • Европейские предприятия и исследовательские учреждения активно внедряют PCM в гибридные архитектуры памяти, память класса хранения и приложения нейроморфного вычисления. Характеристики PCM с низкой задержкой, высокой износостойкостью и нелетучестью делают его идеальным для AI-нагрузок, устройств на краю сети и систем промышленной автоматизации. Коллаборации между университетами, производителями полупроводников и автопроизводителями способствуют инновациям в 3D/упакованных ячейках PCM и энергоэффективных решениях памяти. Эти инициативы помогают Европе укрепить свои возможности в приложениях, чувствительных к задержкам, и усилить позиции на мировом рынке PCM.
       

    Германия доминирует на европейском рынке фазово-переходной памяти, демонстрируя сильный потенциал роста.
     

    • Германия становится ключевым рынком для фазово-переходной памяти (PCM) благодаря сильной экосистеме R&D в области полупроводников, продвинутой промышленной автоматизации и фокусу на приложениях, основанных на AI. Страна активно инвестирует в технологии памяти следующего поколения для поддержки корпоративного хранения, вычислений на краю сети и автомобильной электроники, особенно для электромобилей и автономных транспортных средств. Государственные инициативы, включая программы финансирования для Industry 4.0 и продвинутого производства полупроводников, ускоряют внедрение PCM в ключевых секторах.
       
    • Немецкие предприятия и исследовательские учреждения все чаще интегрируют PCM в гибридные архитектуры памяти, память класса хранения и платформы нейроморфного вычисления. Характеристики PCM с нелетучестью, высокой скоростью и энергоэффективностью делают его идеальным для приложений, чувствительных к задержкам, в умных фабриках, промышленном IoT и автомобильных AI-системах. Коллаборации между ведущими производителями полупроводников, университетами и автопроизводителями стимулируют инновации в 3D/упакованных ячейках PCM, обеспечивая более высокую плотность, надежность и производительность для решений следующего поколения.
       

    Рынок фазово-переходной памяти в Азиатско-Тихоокеанском регионе, как ожидается, будет расти с наибольшим темпом роста CAGR 31,1% в течение периода анализа.
     

    • Азиатско-Тихоокеанский регион представляет собой быстрорастущий рынок для фазово-переходной памяти (PCM), что обусловлено обширными возможностями производства полупроводников, растущим внедрением AI и развитием потребительской электроники. Страны, такие как Китай, Япония, Южная Корея и Тайвань, активно инвестируют в решения памяти следующего поколения для вычислений на краю сети, центров обработки данных и автомобильной электроники. Региональные государственные инициативы, направленные на продвижение исследований в области полупроводников и инноваций, основанных на AI, ускоряют внедрение PCM как в корпоративном, так и в промышленном секторах.
       
    • Распространение умных устройств, IoT-терминалов и электромобилей в регионе АТР стимулирует спрос на память с низкой задержкой, высокой скоростью и нелетучестью. Способность PCM обеспечивать энергоэффективную и высокоизносостойкую производительность делает его подходящим для AI-инференса, памяти класса хранения и платформ нейроморфного вычисления. Коллаборации между производителями полупроводников, исследовательскими учреждениями и автопроизводителями позволяют продвигать разработки в области 3D-упакованных ячеек PCM и гибридных архитектур памяти, поддерживая высокую плотность интеграции памяти и более быстрое внедрение в приложениях на краю сети и промышленности.
       

    Рынок фазово-переходной памяти в Китае, как ожидается, будет расти с значительным темпом роста CAGR 29,1% с 2025 по 2034 год.
     

    • Китай является ключевым рынком для фазово-переходной памяти (PCM), что обусловлено ведущей экосистемой производства полупроводников, сильной государственной поддержкой AI и технологий памяти следующего поколения, а также быстрым расширением потребительской электроники и инфраструктуры центров обработки данных. Национальные инициативы, такие как “Made in China 2025”, и крупномасштабные инвестиции в AI, электромобили и умное производство ускоряют внедрение PCM в корпоративном, автомобильном и промышленном секторах.
       
    • Китайские технологические компании все чаще внедряют PCM в хранилища класса памяти, гибридные архитектуры памяти и решения для вычислительных систем на краю сети. Высокоскоростные, нелетучие и энергоэффективные характеристики PCM делают его идеальным для задач, чувствительных к задержкам, включая инференс ИИ, промышленную автоматизацию и приложения автономных транспортных средств. Коллаборации между производителями полупроводников, исследовательскими учреждениями и автопроизводителями стимулируют инновации в 3D-стековых ячейках PCM и высокоплотных решениях памяти, обеспечивая улучшенную производительность, надежность и масштабируемость в быстро расширяющейся технологической экосистеме Китая.
       

    Рынок фазово-переходной памяти в Латинской Америке, оцененный примерно в 24,5 млн долларов США в 2024 году, стимулируется растущим внедрением высокоскоростной, нелетучей памяти в центрах обработки данных, вычислительных системах на краю сети и промышленных приложениях с использованием ИИ. Рост инвестиций в умную инфраструктуру, автомобильную электронику и потребительские устройства дополнительно стимулирует спрос. Поддерживающие инициативы правительства, направленные на цифровизацию, инновации в области полупроводников и внедрение ИИ в таких секторах, как здравоохранение, финансы и производство, ускоряют внедрение PCM в регионе. Расширяющиеся коллаборации с глобальными полупроводниковыми и технологическими компаниями улучшают доступ к передовым решениям PCM и способствуют более широкому росту рынка.
     

    Рынок фазово-переходной памяти на Ближнем Востоке и в Африке, по прогнозам, достигнет примерно 266 млн долларов США к 2034 году, что обусловлено растущим внедрением высокоскоростной, нелетучей памяти в умных городах, промышленной автоматизации и вычислительных системах на краю сети. Инициативы цифровой трансформации, поддержанные правительством, растущие инвестиции в центры обработки данных и развитие инфраструктуры на основе ИИ ускоряют региональный спрос на PCM.
     

    ОАЭ готовы к значительному росту на рынке фазово-переходной памяти в регионе Ближнего Востока и Африки, что обусловлено их амбициозными программами умных городов, сильной государственной поддержкой инноваций в области ИИ и полупроводников, а также инвестициями в передовые цифровые инфраструктуры. Внедрение PCM приоритизируется в центрах обработки данных, автономных системах и развертываниях IoT, поддерживая аналитику в реальном времени, энергоэффективность и потребности в памяти с низкой задержкой.
     

    • ОАЭ становятся ключевым рынком роста для фазово-переходной памяти, что обусловлено стратегическими инвестициями в инициативы умных городов, передовые цифровые инфраструктуры и технологии, основанные на ИИ. Государственные программы, направленные на автоматизацию, автономные системы и внедрение IoT, ускоряют внедрение PCM в корпоративных, промышленных и умных инфраструктурных приложениях.
       
    • Технологические компании и системные интеграторы в ОАЭ все чаще внедряют PCM в центры обработки данных, вычислительные системы на краю сети и гибридные решения памяти. Высокоскоростная, энергоэффективная и нелетучая природа PCM делает его подходящим для приложений, чувствительных к задержкам, таких как инференс ИИ, промышленная автоматизация и автономные транспортные системы. Коллаборации между поставщиками полупроводников, местными технологическими компаниями и исследовательскими учреждениями способствуют инновациям в 3D-стековых ячейках PCM и высокоплотной интеграции памяти, обеспечивая улучшенную производительность, надежность и масштабируемость в растущей технологической экосистеме ОАЭ.
       

    Доля рынка фазово-переходной памяти

    Глобальная индустрия фазово-переходной памяти переживает быстрый рост, что обусловлено растущим внедрением высокоскоростной, нелетучей памяти в ИИ, вычислительных системах на краю сети, автомобильной электронике и промышленных приложениях. Лидирующие компании, такие как Intel Corporation, Micron Technology, Inc., Samsung Electronics Co., Ltd., IBM Corporation и SK hynix Inc., коллективно контролируют более 86% глобального рынка PCM.Вот переведенный HTML-контент: Эти ключевые игроки используют стратегические сотрудничества с производителями полупроводников, системными интеграторами и поставщиками корпоративных решений для ускорения внедрения фазовой изменяющейся памяти (PCM) в дата-центры, гибридные архитектуры памяти и устройства периферийного вычисления. В то же время новые разработчики PCM создают компактные энергоэффективные решения для памяти, оптимизированные для вывода интеллектуальных выводов, памяти класса хранения и нейроморфного вычисления, что повышает скорость вычислений и надежность данных.
     

    Кроме того, специализированные компании, работающие с технологией PCM, стимулируют инновации на рынке, предлагая 3D-стековые, высокоплотные и энергоэффективные архитектуры PCM, адаптированные для корпоративных, автомобильных и потребительских электронных приложений. Эти компании сосредоточены на улучшении долговечности памяти, энергоэффективности и производительности задержки, что позволяет ускорять выполнение задач в реальном времени и обработку больших объемов данных. Стратегические партнерства с поставщиками облачных услуг, разработчиками ИИ и автомобильными производителями ускоряют внедрение в различных секторах. Эти инициативы повышают надежность систем, снижают эксплуатационные затраты и поддерживают более широкое внедрение PCM в экосистемы интеллектуальных вычислений и хранения следующего поколения.
     

    Компании на рынке фазовой изменяющейся памяти

    Основные игроки на рынке фазовой изменяющейся памяти перечислены ниже:

    • Adesto Technologies Corporation
    • Avalanche Technology Inc.
    • Crossbar, Inc.
    • Cypress Semiconductor Corporation
    • Fujitsu Ltd.
    • Hewlett Packard Enterprise
    • IBM Corporation
    • Infineon Technologies AG
    • Intel Corporation
    • Micron Technology, Inc.
    • Microchip Technology Inc.
    • NXP Semiconductors N.V.
    • Renesas Electronics Corporation
    • Samsung Electronics Co., Ltd.
    • SK hynix Inc.
    • Sony Corporation
    • STMicroelectronics N.V.
    • Texas Instruments Incorporated
    • Toshiba Corporation
    • Western Digital Corporation
       
    • Intel Corporation (США)

    Intel Corporation занимает лидирующую позицию на рынке фазовой изменяющейся памяти с долей рынка около 28%. Компания известна своими высокоскоростными энергоэффективными нелетучими решениями для памяти, используемыми в ИИ, периферийных вычислениях и приложениях для дата-центров. Intel использует инновации в гибридных архитектурах памяти и передовых 3D-технологиях стэкинга PCM для повышения плотности памяти, надежности и производительности с низкой задержкой. Стратегические сотрудничества с системными интеграторами и корпоративными клиентами еще больше ускоряют внедрение в автомобильные, промышленные и потребительские электронные секторы.
     

    Micron Technology занимает примерно 22% мирового рынка PCM. Компания специализируется на высокопроизводительных нелетучих решениях для памяти, сосредоточившись на приложениях для ускорения хранения, нейроморфного вычисления и периферийных устройств. Исследования в области материаловедения и технологии многоуровневой ячейки (MLC) PCM позволяют создавать высокоплотную, энергоэффективную память с быстрыми циклами записи/чтения. Партнерства Micron с поставщиками облачных услуг, автомобильными производителями и интеграторами полупроводников ускоряют внедрение решений PCM в корпоративные и промышленные среды, укрепляя лидерство на рынке.
     

    Samsung Electronics занимает 17% доли на рынке PCM, используя свои передовые возможности по производству полупроводников и экспертизу в области высокоскоростных нелетучих технологий памяти.Компания специализируется на интеграции PCM в гибридные системы памяти и решения следующего поколения для памяти класса хранения, повышая производительность для ИИ, вычислительных решений на краю сети и потребительской электроники. Постоянные инновации Samsung в 3D-стековых ячейках PCM, высокоплотной упаковке и энергоэффективных конструкциях поддерживают приложения с низкой задержкой и высокой пропускной способностью. Стратегические сотрудничества с партнерами в облачных технологиях, автомобильной и промышленной отраслях способствуют глобальному распространению PCM.
     

    Новости отрасли фазово-переходной памяти

    • В мае 2024 года компания STMicroelectronics N.V. объявила о семействе микроконтроллеров для автомобильной промышленности следующего поколения, созданном на основе 18-нм процесса FDSOI с встроенной фазово-переходной памятью (PCM), разработанной совместно с Samsung Electronics Co., Ltd. Эти новые устройства, предназначенные для производства во второй половине 2025 года, оптимизированы для работы в высокотемпературных автомобильных условиях (до 165°C) и сочетают в себе ядра ARMCortexM, способные к машинному обучению, с высокоплотной памятью PCM для поддержки продвинутых возможностей реального времени и обновлений OTA.
       

    Отчет по исследованию рынка фазово-переходной памяти включает всесторонний анализ отрасли с оценками и прогнозами в денежном выражении (в миллионах долларов США) с 2021 по 2034 год для следующих сегментов:

    Рынок по устройствам

    • Устройства 1T1R (один транзистор, один резистор)
    • Устройства массива перекрестных точек
    • 3D-стековые устройства

    Рынок по применению

    • Замена основной памяти
    • Ускорение хранения
    • Встроенное хранение кода
    • Нейроморфные вычислительные элементы
    • Другие

    Рынок по конечному использованию

    • Потребительская электроника
    • Автомобильная промышленность
    • Корпоративные центры обработки данных
    • Промышленность и аэрокосмическая отрасль
    • Другие

    Приведенная выше информация предоставляется для следующих регионов и стран:

    • Северная Америка
      • США
      • Канада
    • Европа
      • Германия
      • Великобритания
      • Франция
      • Испания
      • Италия
      • Нидерланды
    • Азиатско-Тихоокеанский регион
      • Китай
      • Инд
    Авторы: Suraj Gujar, Sandeep Ugale
    Часто задаваемые вопросы(FAQ):
    Какой размер рынка фазово-переходной памяти в 2024 году?
    Размер рынка в 2024 году составил 564,7 млн долларов США, при этом ожидается, что к 2034 году он будет расти на 27,2% в год за счет растущего спроса на быструю, нелетучую память, сочетающую скорость DRAM с долговечностью флеш-памяти.
    Какая прогнозируемая стоимость рынка фазово-переходной памяти к 2034 году?
    Рынок памяти с фазовым переходом, как ожидается, достигнет 6,18 млрд долларов к 2034 году, что будет обусловлено внедрением ИИ, расширением вычислительных возможностей на периферии и интеграцией в гибридные архитектуры памяти.
    Какой текущий размер рынка фазовой энергозапасной памяти в 2025 году?
    Размер рынка, как ожидается, достигнет 709 миллионов долларов США к 2025 году.
    Сколько выручки принес сегмент устройств 1T1R в 2024 году?
    1T1R (одна транзистор, один резистор) устройства доминировали на рынке с долей 43,2% в 2024 году, благодаря зрелой архитектуре и эффективной интеграции CMOS.
    Какая была оценка сегмента потребительской электроники в 2024 году?
    Сегмент потребительской электроники занимает наибольшую долю и принес USD 159,4 млн в 2024 году, что обусловлено интеграцией в смартфоны, носимые устройства и умные домашние устройства.
    Какой регион лидирует на рынке фазовой памяти?
    Северная Америка в 2024 году занимала 40,2% доли рынка, что было обусловлено развитием передовых исследований и разработок в области полупроводников, внедрением искусственного интеллекта и значительными инвестициями в технологии памяти следующего поколения.
    Какие тенденции ожидаются на рынке фазово-переходной памяти?
    Ключевые тенденции включают интеграцию в гибридные архитектуры памяти, развитие 3D/стэкированных технологий ячеек, внедрение в нейроморфные вычисления и расширение применения в автомобильной электронике и автономных системах.
    Кто ключевые игроки на рынке фазово-переходной памяти?
    Ключевые игроки включают Adesto Technologies Corporation, Avalanche Technology Inc., Crossbar Inc., Cypress Semiconductor Corporation, Fujitsu Ltd., Hewlett Packard Enterprise, IBM Corporation, Infineon Technologies AG, Intel Corporation, Micron Technology Inc., Microchip Technology Inc., NXP Semiconductors N.V., Renesas Electronics Corporation, Samsung Electronics Co. Ltd., SK hynix Inc., Sony Corporation, STMicroelectronics N.V., Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation и Western Digital Corporation.
    Авторы: Suraj Gujar, Sandeep Ugale
    Trust Factor 1
    Trust Factor 2
    Trust Factor 1
    Детали премиум-отчета

    Базовый год: 2024

    Охваченные компании: 20

    Таблицы и рисунки: 224

    Охваченные страны: 21

    Страницы: 163

    Скачать бесплатный PDF-файл

    Top
    We use cookies to enhance user experience. (Privacy Policy)