スピン移行トルクMRAM（STT-MRAM）市場 サイズとシェア 2026-2035

スピン注入トルクMRAM（STT-MRAM）市場規模

世界のスピン注入トルクMRAM（STT-MRAM）市場は、2025年に23億米ドルに達した。市場規模は、2026年の27億米ドルから2031年には70億米ドル、2035年には155億米ドルへ拡大し、2026〜2035年の年平均成長率（CAGR）は21.4%になると予測される。

STT-MRAMは、電荷を保持するのではなく、磁気トンネル接合における層の相対的な磁化方向を変化させることでデータを保存する。この構造は、不揮発性と高速アクセスを両立し、組み込みフラッシュにおける消去・書き換えの制約を受けることなく、電源喪失後もコード、キャリブレーションデータ、またはシステム状態を保持する必要がある用途において、この技術を有用なものにしている ^{[1]IBM Research, Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory Technology Status and Future Directions, 2022, research.ibm.com}。

商用需要は、ディスクリートメモリデバイスとして販売されるのではなく、システムオンチップ内のマクロとして統合される組み込みMRAM（eMRAM）にますます集中している。eMRAMは、より先端のロジックノードにおいて、フラッシュに必要な高電圧デバイスや工程追加への対応が難しくなり、費用対効果の高い組み込みフラッシュの選択肢が失われることによる恩恵を受けている。GlobalFoundriesは2020年、IoTおよび車載用途向けに22FDXプラットフォーム上で量産対応eMRAMを導入し、研究室での認定からファウンドリーが対応する設計オプションへの移行を示した。

自動車用電子機器、産業用コントローラー、エッジデバイスは、高頻度の書き換えと厳しいデータ保持・温度要件を兼ね備えているため、最も直接的に適合する用途となる。2024年に発表された車載向けSTT-MRAMの研究では、125°Cで10年を超えるデータ保持期間、1 × 10^12サイクルの書き換え耐久性、および試験条件下で1 ppm未満のビット誤り率性能が報告された ^{[2]IOP Publishing / Journal of Semiconductors, Achieving over 95% yield of sub-1 ppm BER with retention over 10 years at 125°C and endurance of 1 × 10^12 cycles towards automotive non-volatile RAM applications, 2024, iopscience.iop.org}。これらの特性により、フィールド更新や永続的なイベントログ記録がシステム動作に不可欠な設計において、個別のバックアップ電源構成や耐久性の低い不揮発性メモリへの依存を減らせる可能性がある。

技術面での価値提案は、耐久性、データ保持性能、低待機電力要件が同時に求められる用途で最も強くなる。車載認定データは、厳しい要件を伴う用途におけるSTT-MRAMの有用性を裏付けているが、eMRAMマクロ、プロセス設計キット、信頼性に関する証拠が車両や産業用コントローラープログラムに組み込まれると、認定によって切り替えコストも高まる。その結果、プロセス統合の実績を持つファウンドリーと、検証プログラムを完了した顧客は、組み込み需要の不相応に大きなシェアを獲得できる立場にある。一方、ディスクリートデバイスのサプライヤーは、スタンドアロン型の不揮発性メモリを必要とする用途において、より専門性の高い役割を維持する。

本市場評価では、2025年を基準年として、2022年から2035年までの世界の STT-MRAM 需要を対象とする。対象範囲には、スタンドアロン型 STT-MRAM および組み込み型 STT-MRAM、ハードウェア製品ならびに IP・設計サービス、低密度・中密度・高密度デバイス、成熟・中位・先進プロセスノード、さらにキャッシュおよびコードストレージ、自動車用電子機器、IoT およびエッジデバイス、産業オートメーションおよびロボティクス、航空宇宙・防衛、民生用電子機器、新興の AI/ML およびエンタープライズストレージ用途が含まれる。

地域別の対象範囲は、北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東・アフリカである。競争評価の対象企業は、Samsung Electronics、TSMC、SK Hynix、Micron Technology、Intel、GlobalFoundries、Everspin Technologies、Qualcomm、Western Digital、IBM、Avalanche Technology、Spin Memory、Renesas Electronics、NXP Semiconductors、Infineon Technologies である。

主要な成長要因

高速かつエネルギー効率に優れたメモリへの需要拡大。STT-MRAM は、磁気状態がリフレッシュ電力なしで保持されるため、揮発性 SRAM と、より低速な電荷ベースの不揮発性メモリの中間に位置付けられる。IBM は、フラッシュメモリの持続性と大幅に高速なアクセス特性の両方が求められるメモリ用途において、STT-MRAM を候補技術として位置付けている。エッジプロセッサでは、断続的な電力供給の発生時にもファームウェア、モデルパラメータ、デバイス状態を保持できるため、これらの保存を簡素化できる可能性がある。こうした需要は、汎用メモリの置き換えに向けたものではなく、代替アーキテクチャに伴う待機電力負担やダイ面積上のトレードオフを生じさせずに状態を保持できる組み込みメモリブロックへの需要である。

エッジおよび AI デバイス向け高耐久メモリの需要増加。現地でのログ記録、センサーフュージョン、OTA（Over-the-Air）更新が繰り返されることで、従来型の組み込み不揮発性メモリの耐久性の限界が顕在化している。自動車グレードの STT-MRAM で実証された耐久性およびデータ保持特性は、広い温度範囲にわたって頻繁に更新される情報を保持する必要があるデバイスに適している。GlobalFoundries は、IoT および自動車システム向けに 22FDX eMRAM 製品を明確に位置付けており、コードストレージと永続データ機能を同一プラットフォーム上で共存させられるコントローラー用途との関連性を示している。この統合により、特に設計上、別個のメモリ、バックアップ回路、または耐久性管理対策が必要となる場合に、基板レベルの複雑性を低減できる可能性がある。

従来型 NVM 技術からの置き換え拡大。ロジックプロセスの高度化に伴い、組み込みフラッシュメモリはスケーリングが難しくなっている。これは、高電圧のプログラミング要件が、先進ロジックプラットフォーム本来のものではないプロセス上および設計上の負担を増大させるためである。

STT-MRAMの製造も複雑である。特に、磁気トンネル接合の成膜とパターニングをバックエンド工程に組み込む必要があるためである。ただし、このプロセスは、Flashオーバーレイを追加するだけの方式ではなく、スケーラブルな組み込みメモリの代替手段として開発されている ^{[3]Semiconductor Engineering, Challenges In Making And Testing STT-MRAM, 2019, semiengineering.com}。したがって、商用化を促す要因はノード固有のものである。組み込みFlashがもはや実用的な選択肢とならないノードでは、eMRAMはプレミアムな選択肢から、オンチップの不揮発性ストレージに必要な認定取得ルートへと移行する可能性がある。

自動車エレクトロニクスおよび安全性が重要なシステムの拡大。自動車用コントローラーは、広い温度範囲、高いサイクル負荷、長期の認定期間にさらされながら、ソフトウェアやキャリブレーション情報を保持する必要がある。22nm、40MbのeMRAMマクロは、-40°C〜125°Cでの産業グレード動作を実証しており、高温・低温動作寿命試験、耐久サイクル試験、はんだリフロー評価も実施された ^{[4]IEEE International Electron Devices Meeting, Manufacturable 22nm FD-SOI Embedded MRAM Technology for Industrial-grade MCU and IOT Applications, 2019, doi.org}。このようなエビデンスの価値は、単なる技術面にとどまらず、運用面にある。これにより、MCUサプライヤーやTier 1インテグレーターは、信頼性上の問題が後期段階で発生すると車両プラットフォームの開発が数年遅れる可能性のある用途において、eMRAMを評価するための文書化された根拠を得られる。

データセンターおよびエンタープライズストレージ用途の成長。ディスクリートSTT-MRAMは、電源遮断からの迅速な復旧を必要とする不揮発性メモリの役割に対応できる。これには、ストレージコントローラーのメタデータや、トランザクションの影響を受けやすいシステムが含まれる。JEDECのJESD251規格は、シリアル・ペリフェラル・デバイスで使用されるxSPIインターフェースを定義しており、互換性のあるMRAM製品向けに相互運用可能な高速接続をサポートしている。密度とコストが依然として決定的な要因であるため、エンタープライズ需要は組み込みMCU需要ほど一様ではない。ただし、データ保護が現在、バックアップエネルギー用ハードウェアを備えた揮発性DRAMに依存している用途では、不揮発性メモリが実質的な運用上のメリットをもたらす可能性がある。

主な抑制要因

STT-MRAM技術の高い製造・統合コスト。磁気トンネル接合には、従来のCMOSプロセスとは大きく異なる、成膜、アニーリング、エッチング、統合の各工程を厳密に制御する必要がある。磁性材料は、パターニング時に標準的な半導体層と同じ挙動を示さない場合があり、わずかなばらつきがスイッチング電流、トンネル磁気抵抗、データ保持特性に影響を及ぼす可能性があるため、プロセス制御が重要となる。こうした要件により、eMRAMのプロセスモジュールにかかるコストと認定取得の負担が増大する。顧客が技術の耐久性や電源喪失時のレジリエンスを必要としない場合、低コストの従来型メモリで商用上十分な対応が可能となるため、コスト面の障壁は特に大きくなる。

ファウンドリー全体での大規模生産能力の不足。生産能力は、磁気プロセスに関する確立された専門知識を持つ限られたファウンドリーおよび半導体一貫生産メーカーに集中している。この集中により、特定のノードで認定済みeMRAMを必要とする顧客にとって、生産能力および調達上のリスクが生じる。また、プロセスの信頼性、設計キット、用途別の認定を同時に成熟させる必要があるため、設計判断から量産出荷までの期間も長期化する。新興の不揮発性メモリに関する研究では、より広範な導入に向けた主要な障壁として、製造統合と微細化が引き続き指摘されている。特に、寸法の縮小に伴って熱安定性要件が厳格化するなか、その傾向は顕著である。

GlobalFoundriesの量産対応 22FDX eMRAMプラットフォームは、ファウンドリでの提供体制によって、材料面の課題が顧客が利用できる設計サービスへと転換されることを示している。短期的な主なリスクは、特に車載プログラムにおける供給元の集中と、長期にわたる認定プロセスにある。ただし、こうした認定要件は、プロセスの検証後には参入障壁にもなる。安定したプロセスモジュールに加え、再利用可能なIPと信頼性に関する文書を組み合わせて提供できるサプライヤーは、顧客がSoCの世代更新ごとに高コストのメモリ再認定を繰り返すことを避けようとするなかで、恩恵を受けると見込まれる。

スピン移行トルクMRAM（STT-MRAM）市場のセグメント分析

密度・容量別

16 Mb〜512 Mbの中密度製品は、2025年に 12.2億米ドルで最大のカテゴリーとなり、約 21.1%の年平均成長率（CAGR）で成長し、2035年には 82.2億米ドルに達すると予測される。この範囲は、多くの車載および産業用MCUにおけるファームウェアと永続データの要件に合致する。22nmの32 Mb組み込みSTT-MRAMマクロでは、5.9 nsのランダム読み出しアクセスと最高150°Cでの動作が実証されており、中密度eMRAMが厳しいコントローラー性能要件を満たせることを示している ^{[5]IEEE Journal of Solid-State Circuits, A 22-nm 32-Mb Embedded STT-MRAM Macro Achieving 5.9-ns Random Read Access and 7.4-MB/s Write Throughput at up to 150°C, 2024, doi.org}.

512 Mbを超える高密度デバイスは、2025年に 4億9,040万米ドルの市場規模となり、密度セグメント別では最も高い約 23.5%のCAGRで拡大し、2035年には 40.3億米ドルに達すると見込まれる。その成長は、企業ストレージおよびコンピューティングインフラにおいて、永続性と高速アクセスを備えたメモリを収益化できる用途に左右される。これらの密度領域における技術進展は慎重に評価する必要がある。研究実証や製品ロードマップは、認定済みの量産を意味するものではなく、密度の向上に際してはデータ保持、歩留まり、コスト管理を維持しなければならない。

16 Mb未満の低密度製品は、2025年に 5億3,520万米ドルの市場規模となり、約 19.9%のCAGRで成長し、2035年には 32.5億米ドルに達すると予測される。このセグメントは、較正データの保存、構成データ、計量、産業用制御、ミッションクリティカルな不揮発性ストレージにおいて、引き続き重要である。成長率が低いのは、必要とされるメモリ容量が小さいためである。ただし、多くの用途では密度よりも耐久性と即時復旧が重視されることから、既存設備を基盤とした機会は依然として幅広い。

製品タイプ別

組み込み型STT-MRAMは中核的な売上セグメントであり、2025年の市場規模は19.4億米ドル、 市場売上高の約86.6%を占めた。CAGRは約21.8%と予測され、スタンドアロン型STT-MRAMを上回る見込みである。これは、eMRAMが自動車用コントローラー、産業用MCU、コネクテッドデバイスで使用されるはるかに大量のSoCに組み込まれるためである。同セグメントの商業的な強みは、ファウンドリーへの統合に左右される。eMRAMは、チッププログラムごとに個別開発するのではなく、認定済みのプロセス設計キットを通じて供給されることで、幅広い顧客層が利用できるようになる。

スタンドアロン型STT-MRAMの売上高は2025年に3億60万米ドルとなり、2035年には15.5億米ドルに達すると予測される。CAGRは約17.9%であり、航空宇宙、防衛、産業、エンタープライズストレージの各用途からの継続的な需要を反映している。これらの用途では、ディスクリート型の不揮発性デバイスが、高い耐久性と予測可能な復旧動作によってプレミアム価格を正当化できる。Everspinの2024年の総売上高は5,040万米ドルで、2023年の6,380万米ドルから減少した。これは産業分野の需要が正常化したためである。また、同社はライセンス収入およびロイヤルティ収入も計上しており、製品出荷と並んで知的財産の収益化が重要であることを示している。

提供形態別

ハードウェア製品の売上高は2025年に15.2億米ドルとなり、2035年には100.8億米ドルに達すると予測され、約20.9%の成長が見込まれる。ハードウェア需要には、スタンドアロン型デバイスと、ファウンドリープロセスを通じて提供される組み込みメモリ用半導体の双方が含まれる。その成長軌道は最終市場における生産拡大と連動しており、特に自動車および産業用エレクトロニクスでは、メモリ機能がより大規模な半導体部品表に組み込まれている。

IP・設計サービスの売上高は2025年に7億2,380万米ドルとなり、2035年には54.3億米ドルに達すると予測される。CAGRは約22.4%である。これは、認定済みのeMRAMマクロ、設計フロー、プロセス設計キットを複数の顧客SoCで再利用できる場合に得られるレバレッジを反映した、より速い成長である。この提供形態は、メモリマクロをプロセススタックと共同最適化し、歩留まり、データ保持、スイッチング特性を検証する必要があるため、依然として技術的な要求が高い。その結果、IP収益はソフトウェアライセンス単独ではなく、サプライヤーのプロセス統合能力の深さと密接に結び付いている。

テクノロジーノード別

28nm以上の成熟ノードが、現在の生産量の大部分を占めている。これらのノードは、MCUおよび産業用コントローラーに対する幅広い需要に適合しており、eMRAMの統合と認定に向けた確立度の高い環境を提供する。14nm〜22nmの中位ノードは、より先進的なロジックと組み込み不揮発性メモリへの置き換え需要を両立させるため、現在の開発フロンティアとなっている。デバイスの微細化がさらに進むと、スイッチング電流を低減しながら磁性フリー層の熱安定性を維持することが一段と難しくなる。そのため、材料工学とプロセス制御が商業化の実現可能性を左右する中心的要素となる。

10nm以下の先進ノードは、STT-MRAMにおいて依然として開発段階にある。これらの寸法では市場機会が大きい一方、技術的課題も同様に重大である。メモリセルの微細化により、データを確実に保持するために必要なエネルギー障壁が損なわれる可能性があるためである。したがって、先進ノードの売上高は、現在の22nmおよび28nmでの展開が自動的に拡張されるものではなく、プロセス認定の成功を前提とするものとして解釈すべきである。

用途別

キャッシュおよびコード保存は基盤的な用途である。組み込みフラッシュの実用性が低下しつつあるノードにおいて、ファームウェアとセキュアデータを保持する必要性に直接対応するためである。

自動車エレクトロニクスは、ADAS、パワートレイン、ボディ制御、ソフトウェア定義車両アーキテクチャにおける高耐久メモリの需要に支えられた主要な成長分野である。認定上の優位性は単なる耐久性ではなく、自動車用途に関連する条件下で耐久性とデータ保持性能を実証できる点にある。

IoTおよびエッジデバイスでは、低い待機時消費電力要件と、電源を切っても保持される設定情報の保存が求められる。産業オートメーションとロボット分野では、レジスタ、設定値、稼働履歴を確実に保持する必要があり、消去サイクルを経ずに繰り返し更新できるメモリが有利となる。航空宇宙・防衛分野は専門性が高いものの、磁気状態による記憶が過酷な環境で耐性上の利点を提供できるため、重要な用途であり続けている。民生用電子機器および AI/ML アクセラレーターは長期的な機会をもたらすが、普及はビット当たりコスト、密度、量産認定済みの供給体制に左右されやすい。

密度別のセグメント化は、異なる競争上の試金石を生み出している。自動車および産業用コントローラーでは、ファームウェアや永続データの保存に実用的な容量が必要となるため、現在の売上高では中密度製品がリードしている。一方、企業およびコンピューティング用途で永続メモリ層を求める動きから、高密度製品は約 23.5% の CAGR でより速い成長が見込まれる。前者の機会では信頼性、認定、コスト管理が重要となり、後者ではデータ保持性能を損なうことなく密度を高めることが重要となる。汎用的なスタンドアロン型サプライヤーは、用途ニッチを確保するか、自社デバイスに防御可能なインターフェース、認定、システムレベルの価値を組み合わせない限り、圧力にさらされる。

スピン注入トルク MRAM（STT-MRAM）市場の地域別分析

アジア太平洋

アジア太平洋地域は、2025年に 9億850万米ドルで市場をリードし、約 23.2% の CAGR で拡大して2035年には 72.9億米ドルに達すると予測される。同地域には、主要なファウンドリー能力、メモリ製造、自動車エレクトロニクスの生産、大規模なデバイス組立が集積している。中国の市場規模は2025年に 3億6,350万米ドルで、約 24.4% の成長が予測される。日本と韓国は、それぞれ 2億2,660万米ドルと 1億2,590万米ドルを占めた。地域の優位性は構造的なものであり、eMRAM の生産、半導体設計、多くの川下電子機器顧客が地理的に近接しているため、プロセス認定から用途への導入までの距離が短縮される。

北米

北米の市場規模は2025年に 7億680万米ドルとなり、約 20.8% の CAGR で拡大して2035年には 46.5億米ドルに達すると予測される。同地域では、メモリ研究、IP、ファブレス半導体設計、専門性の高いスタンドアロン型 MRAM 需要が中核的な役割を担っている。Everspin のディスクリート MRAM における商業的地位と、IBM による STT-MRAM アーキテクチャの継続的な開発は、技術開発および高信頼性用途における北米の重要性を裏付けている。同地域の生産拠点は設計・IP 基盤ほど集中していないため、現地で設計された eMRAM 対応チップにとって、認定済みファウンドリー能力へのアクセスが戦略的な検討事項となる。

欧州

欧州の市場規模は 2025 年に 3億9,500万米ドルとなり、2035年には 23億2,000万米ドルに達すると予測され、年平均成長率（CAGR）は約 19.5% となる見込みです。需要は自動車および産業用電子機器と密接に関連しており、NXP Semiconductors や Infineon Technologies などの企業が、長期の認定サイクルと組み込みメモリの高い信頼性を必要とする市場で事業を展開しています。GlobalFoundries のドレスデン生産拠点は、特に 22FDX-based 自動車および IoT 用途において、欧州に eMRAM 関連の重要な製造基盤を提供しています^{[6]GlobalFoundries, GLOBALFOUNDRIES Delivers Industry's First Production-ready eMRAM on 22FDX Platform for IoT and Automotive Applications, February 2020, investors.gf.com}。それでも、地域市場の成長は、世界的に相互接続された先端製造および設計エコシステムへの安定したアクセスに左右されます。

中南米

中南米の市場規模は 2025 年に 1億1,670万米ドルとなり、2035年には 5億5,870万米ドルに達すると予測され、年平均成長率（CAGR）は約 17.0% となる見込みです。需要は、自国内での eMRAM プロセス開発よりも、川下の自動車製造、産業オートメーション、電子機器の消費に集中しています。メキシコが担う自動車サプライチェーン上の役割は、認定済み半導体の採用を支えていますが、同地域の予測成長率が低いのは、域内の先端ノード製造能力が限られ、他地域で確立された設計およびサプライチェーンに依存しているためです。

中東・アフリカ

中東・アフリカの市場規模は 2025 年に 1億2,290万米ドルに達し、2035年には 6億8,290万米ドルに拡大すると予測され、年平均成長率（CAGR）は約 18.5% となる見込みです。需要は、産業インフラ、防衛用電子機器、スマートシティ導入、データセンター投資から生じています。同地域は主に輸入品によって供給されているため、市場の発展は、アジア、北米、欧州で生産されるデバイスの入手可能性、コスト、認定状況と密接に結び付いています。

北米と欧州は、知的財産（IP）、高信頼性用途、自動車設計、特殊メモリ供給において、引き続き戦略的に重要な役割を担っています。ただし、設計面での主導権と製造の集中が分離しているため、特定のノードで認定済み eMRAM を必要とする顧客にとっては、サプライチェーンへの依存が生じます。地域政策による取り組みにより、時間の経過とともに域内の半導体生産能力が向上する可能性はありますが、短期から中期にかけての商業的優位性は、プロセス統合、顧客認定、高数量の電子機器生産を同一の供給ネットワーク内で連携できる地域にあります。

スピン・トランスファー・トルクMRAM（STT-MRAM）市場シェアと競争環境

Samsung Electronics は 2025 年に世界市場の推定 38% のシェアを占めました。これは、メモリ技術の開発からファウンドリーサービスまでを垂直統合する同社の事業基盤に支えられています。同社は、その規模を生かし、eMRAM をプロセス開発段階から顧客向けの製造プラットフォームへ移行するうえで、大きな優位性を有しています。

TSMC、SK Hynix、Micron Technology、Intelは、ファウンドリへのアクセス、メモリプロセスに関する専門知識、永続メモリアーキテクチャの研究を通じて、引き続き重要な存在である。ただし、商業上の役割は製品カテゴリーやプロセスノードによって大きく異なる。

GlobalFoundriesは、22FDX eMRAMプラットフォームによってIoTおよび自動車分野の顧客に量産への道筋を提供し、ドレスデンで製造していることから、主要サプライヤーとなっている。同社の競争上の重要性は、個別メモリの数量そのものよりも、プロセスの利用可能性と顧客の製品化支援にある。Everspin Technologiesは、産業、航空宇宙、防衛、自動車、エンタープライズの各用途にまたがる製品およびライセンス活動を展開し、これを補完するスタンドアロンメモリのポジションを占めている ^{[7]U.S. Securities and Exchange Commission, Everspin Technologies, Inc. Annual Report on Form 10-K for Year Ended December 31, 2024, February 2025, sec.gov}。したがって、同社の業績は、売上高がより広範なSoC生産に連動する組み込みメモリプロバイダーよりも、個別デバイスの需要サイクルの影響を受けやすい。

Qualcomm、Western Digital、IBM、Avalanche Technology、Spin Memoryは、プロセッサ設計、ストレージアーキテクチャ、研究、材料イノベーション、専門的なMRAM開発を通じて参入している。Renesas Electronics、NXP Semiconductors、Infineon Technologiesは、自動車および産業用MCUの製品ポートフォリオが認定済み組み込み不揮発性メモリの直接的な用途基盤を形成することから、需要側および統合志向の重要な参加企業となっている。競争優位は、MTJプロセス統合、ファウンドリ能力、再利用可能なIP、システムレベルでの設計組み込み、安全性が重視される用途での認定など、eMRAMバリューチェーンにおける実現に不可欠な要素を企業が掌握しているかどうかによって、決まる傾向が強まっている。

最近の業界動向

• 2026年3月：Everspin Technologiesは、高信頼性xSPI MRAM製品ポートフォリオの追加を発表した。これには、256 Mbデバイス、ならびに64 Mbおよび128 Mbバリアントの量産認定に向けたマイルストーンが含まれる。これらの開発は、航空宇宙、防衛、自動車、産業、宇宙用途を対象としている。
• 2022年：Samsungは、IEEE International Electron Devices Meetingにおいて14nm FinFET eMRAM技術の実証結果を報告し、eMRAMの開発を成熟プロセスノードのプラットフォーム以外にも拡大した。
• 2022年：Everspinは、JESD251 xSPIインターフェースを採用したPERSYST xSPI MRAMファミリーを発表し、産業用および組み込みシステム設計におけるシリアルMRAMの利用を可能にした。
• 2020年：GlobalFoundriesは、IoTおよび自動車用途向けに、22FDXプラットフォーム上で量産準備を完了したeMRAMを発表した。これには、顧客によるテープアウトと、ドレスデン施設での量産計画が含まれていた。
• 2019年：IEEE IEDMの刊行物で、産業グレードMCUおよびIoT用途向けに製造可能な22nm FD-SOI eMRAM技術が報告された。同報告では、動作寿命、耐久性、はんだリフロー条件にわたる信頼性試験の結果が記録された。