Productos químicos fotorresistentes para el mercado de la litografía avanzada: por tipo, por tecnología de litografía, por uso final - Pronóstico global, 2025 - 2034

Tamano del mercado de quimicos de fotorresina para litografia avanzada

El mercado global de quimicos de fotorresina para litografia avanzada se valoro en USD 5.5 mil millones en 2024. Se espera que el mercado crezca de USD 6.1 mil millones en 2025 a USD 15.6 mil millones en 2034, con una CAGR del 11%, segun el ultimo informe publicado por Global Market Insights Inc. Los principales impulsores del crecimiento incluyen los aumentos de inversiones en Asia-Pacifico, la comercializacion de High-NA EUV y el progreso en tecnologias de empaquetado 3D son los principales impulsores del crecimiento del mercado.
 

El mercado global de quimicos de fotorresina para litografia avanzada esta entrando en una fase transformacional debido a la adopcion mas rapida de los nodos de proceso sub-7nm y sub-5nm, el uso adoptado de EUV y el aumento de la demanda en mercados avanzados (es decir, procesadores de IA, chipset 5G y semiconductores automotrices).
 

Un impulsor clave del crecimiento ha sido el lanzamiento comercial de la litografia EUV (Ultravioleta Extremo), a longitudes de onda de 13.5 nm, para permitir el patronado de anchuras de linea <5 nm. El mercado de resinas quimicamente amplificadas (CARs) y fotorresinas EUV basadas en oxidos metalicos ha crecido significativamente. Solo en 2024, los envios de EUV representaron mas del 25% de la participacion en los ingresos totales de todas las fotorresinas avanzadas, lo que se espera que aumente significativamente a mas del 45% de participacion en el mercado para 2034 debido a la implementacion de High-NA EUV, por fundiciones de primer nivel como TSMC, Intel y Samsung.
 

Los sectores de IC de memoria y logica son los verticales de uso final mas grandes, representando aproximadamente el 60% de la participacion total del mercado de quimicos de fotorresina para litografia avanzada en 2024. La creciente necesidad de DRAM de mayor capacidad y 3D NAND con tamanos de caracteristicas ultra-finas ha desplazado el uso de nuevos materiales de resina, especialmente para plataformas de inmersion ArFi de 193 nm y EUV de proxima generacion. Los proveedores continuan invirtiendo significativamente en I+D para mejorar el control del rugosidad de borde de linea (LER) y el compromiso entre sensibilidad y resolucion en fotorresinas EUV.
 

Al mismo tiempo, el segmento de Empaquetado Avanzado, que incluye empaquetado a nivel de oblea (WLP), empaquetado 3D y sistema en paquete (SiP), se esta convirtiendo en un fuerte contribuyente al crecimiento. Se espera que el segmento crezca a una CAGR del 13.5% hasta 2034, impulsado en gran parte por fotorresinas de tono negativo gruesas como la SU-8 basada en epoxido, que son esenciales para capas de redistribucion (RDL) y TSV. El mercado de quimicos de fotorresina para litografia avanzada en Norteamerica tuvo una participacion del 18% en 2024 y ahora esta aumentando nuevamente su participacion en el segmento a traves de nuevas adiciones de capacidad, que estan impulsadas principalmente por la Ley CHIPS y la inversion de Intel en instalaciones EUV.
 

Especificamente, el cambio a High-NA EUV, litografia hibrida (DUV + EUV) y metodologias de autoensamblaje dirigido (DSA) estan cambiando el panorama de la quimica de resinas. Los principales actores en este campo, como JSR, TOK, Dongjin Semichem y Fujifilm, han ajustado sus hojas de ruta de productos para coincidir con la preparacion comercial de 2nm y 1.4nm, representando un cambio definitivo de las resinas tradicionales KrF/i-line a nuevas plataformas especificas de EUV.
 

El panorama de I+D sigue siendo un entorno bullicioso, con muchas asociaciones entre consorcios de semiconductores, universidades y proveedores de resinas trabajando sinergicamente para co-desarrollar resinas de alta sensibilidad de metal-organico o inorganico. Otras organizaciones como el Centro Interuniversitario de Microelectronica (IMEC) y el MIT han lanzado consorcios para la proxima generacion de resinas que abordan los problemas actuales de estocasticidad y LWR vistos en las plataformas EUV, mientras que otros haran de la quimica un aspecto de las proximas generaciones de resinas.
 

Tendencias del mercado de quimicos de fotorresina para litografia avanzada

• La litografia EUV de alto NA (0.55 NA), que representa una mejora fundamental sobre las capacidades actuales de EUV de 13.5 nm, es quizas la tendencia mas significativa en el mercado de fotoresistencias avanzadas. Los fabricantes destacados, incluidos ASML, Intel e imec, estan avanzando en la EUV de alto NA para lograr nodos de 2 nm y por debajo de 2 nm. Esta evolucion requiere quimicas de resistencias que proporcionen ultra-alta resolucion (proceso EUV), minimicen los estocasticos (exposicion y procesamiento) y reduzcan la rugosidad de borde/linea (LER/LWR).
   
• En consecuencia, sera necesaria una clase completamente nueva de fotoresistencias EUV, especificamente resinas inorganicas de oxido metalico e hibridas organicas-inorganicas. Se espera que las herramientas de EUV de alto NA esten listas para la produccion piloto a partir de 2025, lo que lleva a los proveedores como JSR, Fujifilm y Shin-Etsu a validar el rendimiento de las resistencias en condiciones de procesamiento con relaciones de aspecto mas altas y nuevas condiciones de "soak".
   
• Existe una necesidad no cubierta de fotoresistencias especificas para aplicaciones desarrolladas para categorias emergentes de dispositivos como 3D NAND, sistema en chip (SoC), MEMS, sensores de imagen CMOS y dispositivos de potencia. Las resistencias convencionales optimizadas para la fabricacion de logica/memoria en masa pueden no ofrecer un rendimiento aceptable en dimensiones no estandar o topografias de alto aspecto.
   
• Un area clave incluye el empaquetado 3D y el empaquetado a nivel de oblea de abanico (FOWLP), que requiere fotoresistencias de tono negativo gruesas o basadas en epoxido, capaces de construcciones multifaceticas y caracteristicas profundas. Esto motivara la investigacion y el desarrollo de pilas de resistencias multicapa, formulaciones sin disolventes o optimizaciones de flujo de resistencias y nuevas formas de explorar oportunidades de valor anadido para las resistencias mas alla de la logica de vanguardia. 
   
• Se esta construyendo un impulso detras de una tendencia de colaboracion cada vez mas profunda entre los proveedores de fotoresistencias y las fundiciones de semiconductores. Por ejemplo, los principales fabricantes de semiconductores como Intel, Samsung o TSMC estan trabajando con proveedores de resistencias para el co-desarrollo de quimicas de resistencias EUV y de alto NA.
   
• Estas asociaciones pueden adoptar multiples formas, como aprovechar fabricas piloto compartidas, entornos de prueba en linea y comprometerse con el suministro basado en metricas de rendimiento y valor. Para las fabricas mas pequenas, la integracion vertical combinada con solidas empresas conjuntas puede acceder a resistencias de proxima generacion y evitar obstaculos de I+D interna multiples veces. Esto ayuda, en ultima instancia, a cerrar el ciclo con respecto al hardware de litografia, la ciencia de los materiales y la implementacion de la fabrica.
   

Analisis del mercado de quimicos para fotoresistencias en litografia avanzada

Segun el producto, el mercado se divide en fotoresistencias positivas y fotoresistencias negativas. El segmento de fotoresistencias positivas genero ingresos de USD 3.400 millones en 2024, y se espera que alcance los USD 9.500 millones en 2034 con una CAGR del 10,7% en el periodo de prevision.
 

• El mercado global de quimicos para fotoresistencias sigue estando representado principalmente por fotoresistencias positivas, lo que se atribuye a mas del 62,5% de la cuota de mercado durante 2024. La principal ventaja que contribuye a la popularidad continua de las fotoresistencias positivas es el rendimiento de resolucion superior, la latitud de proceso y la compatibilidad con procesos de litografia avanzada como los sistemas de inmersion ArF de 193 nm y de ultravioleta extremo (EUV).
   
• El subsector de tono positivo del mercado de fotoresistencias esta dominado por resistencias quimicamente amplificadas (CARs).CARs proporcionan alta sensibilidad y residencia para geometrias inferiores a 10 nm, ya que se consideran criticas para lograr una alta precision en el proceso. Grandes actores como JSR, TOK y Fujifilm estan expandiendo agresivamente sus ofertas, con materiales CAR de bajo rugosidad de borde de linea (LER) para cumplir con el alto control de superposicion y la fidelidad de patron en areas de aplicacion como la logica y la memoria.
   
• El enfoque de la innovacion en fotoresistencias positivas actualmente incluye mejorar la resistencia al grabado, desarrollar opciones modulares de la plataforma de fotoresistencias y reducir el desenfoque de electrones secundarios en los procesos de litografia EUV, lo cual es uno de los factores principales que contribuyen al rendimiento en pequenas dimensiones.
   
• Los nuevos contendientes para el mercado de fabricacion sub-5 nm incluyen CAMS o fotoresistencias positivas infundidas con oxido metalico, que probablemente serviran como alternativas en los procesos futuros, debido a la mayor absorcion de EUV y mejor estabilidad termica.
   
• Economicamente, las fotoresistencias positivas ofrecen una mejor relacion costo-rendimiento en comparacion con las fotoresistencias negativas en su aplicacion en la produccion a gran escala. El uso de fotoresistencias positivas en aplicaciones de fabricacion de alto volumen y altamente rutinarias en el mercado de microchips y semiconductores (que abarcan areas de aplicacion desde los nodos de 65 nm hasta los de 3 nm) es mas robusto que el de las fotoresistencias negativas.
   

Segun el uso final, el mercado de quimicos de fotoresistencias para litografia avanzada se divide en fabricacion de dispositivos semiconductores, dispositivos MEMS, aplicaciones de electronica de visualizacion, aplicaciones de empaquetado avanzado y fabricacion de fotomascaras. En 2024, el segmento de fabricacion de dispositivos semiconductores mantuvo la mayor participacion de mercado del 69.5%.
 

• La demanda de materiales de fotoresistencias de alta pureza y alto rendimiento utilizados en procesos litograficos avanzados para chips de logica, memoria, analogicos y enfocados en IA es la razon de la participacion dominante de este segmento. Debido a la creciente complejidad de los pasos de multipatronaje y la adopcion de EUV de Alta-NA, los dispositivos logicos, especificamente CPUs, GPUs y SoCs producidos en nodos de 5 nm, 3 nm y pronto 2 nm, consumen la mayor cantidad de fotoresistencias.
   
• Ademas, los dispositivos de memoria, particularmente DRAM y 3D NAND, estan impulsando un crecimiento significativo como sector de dispositivos semiconductores. El apilamiento vertical 3D en flash NAND requiere fotoresistencias gruesas de alto aspecto, lo que requiere la aplicacion de procesos avanzados con materiales de fotoresistencias personalizados. Los dispositivos DRAM emplean fotoresistencias delgadas y controlables con precision para agujeros de contacto y caracteristicas de linea-espacio.
   
• Por ultimo, segmentos de semiconductores como procesadores de IA, chips neuromorficos y RFIC para 5G estan aumentando aun mas la demanda de fotoresistencias personalizadas, ya que impulsan agresivamente la resolucion y la compatibilidad de materiales mas alla de los procesos litograficos tradicionales.
   

• El mercado de quimicos de fotoresistencias para litografia avanzada en EE. UU. genero ingresos por USD 817.4 millones en 2024. Se proyecta que el mercado de EE. UU. crecera a una CAGR del 10.8%, alcanzando USD 2.3 mil millones para 2034.El mercado de fotoresist en Norteamerica esta cambiando debido a las politicas de revitalizacion de semiconductores respaldadas por legislacion en los Estados Unidos, en particular la Ley CHIPS y Ciencia, que esta estimulando la fabricacion nacional de chips. Esta legislacion impacta la demanda de fotoresist de origen nacional y materiales de litografia avanzada, en parte debido a nuevas fabricas que se estan expandiendo o construyendo en los EE. UU. por clientes como Intel, GlobalFoundries y Micron.
   
• Varias startups ubicadas en los Estados Unidos y empresas de ciencia de materiales estan utilizando subvenciones gubernamentales de I+D para desarrollar resists compatibles con la proxima generacion de EUV (ultravioleta extremo) y High-NA (apertura numerica) en un esfuerzo por cumplir con el objetivo nacional de resiliencia en la cadena de suministro. Ademas, el aumento de financiamiento en electronica habilitada para defensa o para chips disenados para tecnologia de IA, asi como en fotonica de silicio, esta requiriendo soluciones de patronado muy especializadas, lo que aumenta el consumo de fotoresist tanto en nodos "de vanguardia" como "legados".
   
• Aunque la region de Norteamerica aun importa un alto porcentaje de sus quimicos de resist desde Japon y Corea, hay un creciente enfasis en el desarrollo de IP a nivel nacional y en asociaciones para la produccion regional.
   
• El mercado de quimicos de fotoresist para litografia avanzada en Europa genero ingresos por USD 550 millones en 2024. Se proyecta que el mercado europeo crezca a una TAC del 11%, alcanzando USD 1.6 mil millones para 2034. El mercado de fotoresist en Europa se ve fuertemente afectado por el impulso regional hacia la soberania tecnologica, especialmente con la Ley de Chips de Europa, que dirige mas de USD 43 mil millones al apoyo y desarrollo del ecosistema de fabricacion de semiconductores europeo. La region no parece tener gigantes nacionales en terminos de resist, pero empresas como el Grupo Merck y Allresist GmbH en Europa estan ganando importancia a traves de compromisos estrategicos con fabricantes de equipos y centros de investigacion.
   
• Una tendencia importante es la integracion de la innovacion en fotoresist con el desarrollo de fotomascaras y equipos de litografia, como lo ejemplifican las asociaciones estrategicas con ASML en los Paises Bajos e IMEC en Belgica. La region tambien esta enfatizando formulaciones de resist eco-compatibles, en parte debido a las estrictas regulaciones ambientales de la UE (REACH), y, en consecuencia, esta desarrollando una reputacion como un centro de resists verdes y tecnologias de bajo VOC. El impulso por los autos, IoT y la electronica industrial continua impulsando la demanda regional, en particular por parte de Alemania, Francia y los paises nordicos.
   
• El mercado de quimicos de fotoresist para litografia avanzada en Asia Pacifico genero ingresos por USD 3.7 mil millones en 2024. Asia Pacifico lidera el mercado global de quimicos de fotoresist con mas del 67% de la participacion del mercado global para 2024, impulsado por la fabricacion de alto volumen en Taiwan, Corea del Sur, Japon y, cada vez mas, China.
   
• China ha realizado inversiones significativas en autosuficiencia para fotoresist en el contexto de "Hecho en China 2025", con mas de 50 empresas nativas incorporadas a la cadena de suministro local de resist desde 2020. Corea del Sur esta pivotando hacia la litografia de empaquetado avanzado impulsada por el mapeo de rutas de 3D NAND y SiP de Samsung y SK Hynix. Finalmente, los consorcios de I+D en toda APAC estan avanzando en nuevas quimicas de resist para soluciones High-NA y NIL.
   
• El mercado de quimicos de fotoresist para litografia avanzada en America Latina aun es un mercado temprano para quimicos de fotoresist, pero hay una adopcion lenta que ocurre a traves de la integracion regional en la cadena de valor global de semiconductores. Brasil y Mexico se estan estableciendo como centros de empaquetado y prueba avanzados, debido a los menores costos laborales y la proximidad a Norteamerica.
   
• La estrategia nacional de IoT de Brasil y la entrada de Mexico en las iniciativas de reubicacion de semiconductores en EE. UU. han comenzado a apoyar la inversion en materiales de litografia, que incluyen quimicos fotorresistentes. Con el interes del gobierno en construir centros de educacion y R&D de semiconductores, podria haber una oportunidad a largo plazo para habilidades valiosas en la aplicacion y prueba de resistencias. Sin embargo, la falta de instalaciones de fabricacion nacionales para la investigacion y desarrollo adicional de resistencias son barreras para el crecimiento a corto plazo.
   
• La region de Oriente Medio y Africa es un mercado emergente para la innovacion relacionada con semiconductores, aunque aun se centra en el diseno, la aceleracion de chips de IA y las colaboraciones comerciales de investigacion, en lugar de producir material.
   
• En Israel, el ecosistema esta creciendo a traves de modelos de asociacion centrados en la I+D entre startups locales, licenciados de ARM y actores globales de circuitos integrados, lo que resulta en una demanda especializada de materiales de litografia avanzada para ser fabricados para el ecosistema. Los Emiratos Arabes Unidos y Arabia Saudita tienen estrategias nacionales de semiconductores vinculadas a la Vision 2030 como parte de sus objetivos de diversificacion economica, lo que ha llevado a anuncios de centros especializados en fotonica y empaquetado de chips.
   

Participacion en el mercado de quimicos fotorresistentes para litografia avanzada

El mercado mundial de quimicos fotorresistentes para litografia avanzada esta concentrado, con los cinco principales competidores, JSR Corporation, Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Fujifilm Electronics Materials, Shin-Etsu Chemical y Dongjin Semichem, que se espera que representen mas del 50% de la participacion global del mercado en 2024. Los lideres de la industria son empresas bien establecidas con relaciones lucrativas y de larga data con las principales fundiciones de semiconductores y un fuerte portafolio de propiedad intelectual (IP) en quimios de resistencia a EUV y ArFlip.
 

Las empresas estan realizando inversiones sustanciales en plataformas de resistencia EUV y High-NA EUV de proxima generacion; JSR y TOK estan a la vanguardia del despliegue comercial de la quimica EUV a traves de colaboraciones con Intel, Samsung y TSMC. Fujifilm y Shin-Etsu tambien estan emergiendo en resinas quimicamente amplificadas (CARs) y resinas que contienen metales dirigidas a nodos por debajo de 2 nm.
 

Los diferenciadores en el mercado de quimicos fotorresistentes para litografia avanzada seguiran siendo factores de rendimiento del producto como la personalizacion, la resistencia al grabado, el control de la rugosidad del borde de la linea (LER) y las metricas de sensibilidad, mientras que la diferenciacion de precios sera una categoria secundaria, ya que los atributos de rendimiento del material, que son significativos en las dimensiones criticas, tienen mas peso en la competitividad estrategica general para una fabrica.
 

El mercado tambien ve un aumento en la comunidad de empresas conjuntas (JVs) y/o colaboraciones de I+D. Ejemplos de estas colaboraciones incluyen IMEC-JSR, Fujifilm-Samsung y TOK-ASML. Muchos fabricantes tambien se asocian para co-disenar quimios de resistencia para casos de uso especificos relacionados con el hardware y el proceso de litografia.
 

Empresas de quimicos fotorresistentes para litografia avanzada

Los principales actores que operan en la industria de quimicos fotorresistentes para litografia avanzada son:

• Brewer Science, Inc.
• Dongjin Semichem Co., Ltd.
• Dow
• Eternal Materials Co., Ltd.
• Fujifilm Holdings Corporation
• Inpria Corporation
• Irresistible Materials Ltd.
• Jiangsu Nata Opto-electronic Material Co., Ltd.
• JSR Corporation
• Kayaku Advanced Materials
• Merck KGaA
• Micro Resist Technology GmbH
• Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
• Sumitomo Chemical Company
• Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
   

JSR Corporation:JSR es reconocido en todo el mundo como pionero en el desarrollo de tecnologia avanzada de fotoresistencias y fue una de las primeras empresas en comercializar resistencias EUV quimicamente amplificadas. JSR mantiene fuertes asociaciones con imec y TSMC. JSR desarrolla resistencias EUV y High-NA en funcion de las necesidades de sus clientes, centrandose en el rendimiento de sus resistencias que contienen metales y en la colaboracion con los clientes en nodos sub-2nm y en el co-desarrollo.
 

Tokyo Ohka Kogyo (TOK): TOK puede influir en el mercado con una amplia gama de resistencias, incluidas 193i, KrF y EUV. TOK emplea una estrategia de integracion vertical desde los monomeros hasta las resistencias terminadas y adapta la quimica del proceso de cada fabrica para un mayor compromiso del cliente. Se avanzaron mas implementaciones personalizadas para las quimicas de proceso mas alla de las expectativas del cliente. Se enfatiza la innovacion con resistencias de tono negativo y resistencias gruesas para empaquetado avanzado.
 

Fujifilm Electronic Materials: Fujifilm ha estado mejorando sus fotoresistencias de alta resolucion y bajo LER, asi como sus sistemas de resistencias multicapa multifuncionales para litografia EUV. Fujifilm emplea su amplia experiencia en quimica organica y recubrimiento para resolver las complejidades del patronado de capas 3D NAND y logicas. Para apoyar sus fabricas globales, Fujifilm esta expandiendo su infraestructura de fabricacion en EE. UU. y Japon.
 

Shin-Etsu Chemical: Shin-Etsu Chemical es el principal fabricante con sede en Japon que ofrece resistencias de inmersion y ArF para el mercado, con un enfoque en caracteristicas de alto aspecto. Shin-Etsu desempena un papel clave en la cadena de suministro para los sectores de fabricacion de DRAM y chips logicos y ha desarrollado una fuerte capacidad para sintetizar polimeros base, lo que permite a la empresa optimizar las resistencias para estabilidad y consistencia durante largos intervalos de procesamiento.
 

Dongjin Semichem: Dongjin esta ganando terreno, especialmente en los mercados de resistencias EUV y DUV avanzadas, y esta comenzando a ganar participacion en el mercado con suministro en volumen para la fabrica de Samsung de 3nm. Bajo una fuerte orientacion gubernamental, Dongjin esta construyendo su posicion como alternativa domestica a los proveedores japoneses y esta persiguiendo una investigacion y desarrollo agresiva en las resistencias de proxima generacion, asi como en pruebas piloto en fabricas con sus resistencias.
 

Noticias de la industria de quimicos para fotoresistencias para litografia avanzada

• En septiembre de 2023, JSR Corporation anuncio que, a traves de la linea piloto de IMEC, ha calificado su proxima generacion de resistencia de oxido metalico EUV para litografia EUV High-NA.
   
• En julio de 2023, Tokyo Ohka Kogyo (TOK) anuncio un acuerdo de desarrollo colaborativo con Intel para desarrollar resistencias para procesos de proxima generacion sub-2nm.
   
• En junio de 2025, Fujifilm Electronics Materials anuncio que ha completado una expansion de su instalacion de fabricacion de resistencias en Kumamoto, Japon, con un aumento del 30% en la capacidad para resistencias EUV debido al creciente uso de TSMC.
   
• En abril de 2025, Shin-Etsu Chemical anuncio el lanzamiento de sus nuevas resistencias quimicamente amplificadas (CARs) de bajo LER que estan optimizadas para litografia de inmersion de 193nm para aplicaciones de empaquetado avanzado.
   
• En febrero de 2025, Dongjin Semichem comenzo oficialmente a suministrar resistencias EUV a Samsung Foundry para sus lineas de produccion de 3nm como su primer negocio comercial para ayudar a los fabricantes de semiconductores con los requisitos EUV en este nodo.
   
• En diciembre de 2024, Merck KGaA anuncio que habra una inversion de USD 35 millones en la instalacion de R&A de fotoquimica en Darmstadt, Alemania, con enfoque en materiales sostenibles y de litografia High-NA.
   

El informe de investigacion del mercado de quimicos de fotoresist para litografia avanzada incluye una cobertura exhaustiva de la industria, con estimaciones y pronosticos en terminos de ingresos (USD Millones) y volumen (Toneladas) desde 2021 hasta 2034, para los siguientes segmentos:

Mercado, por Tipo

• Fotoresist positivos
  • Fotoresist basados en acrilato
  • Sistemas basados en novolac
  • Polimetilmetacrilato (PMMA)
• Fotoresist negativos
  • Basados en epoxido
  • Resistencias que contienen silicio
  • Resistencias basadas en metal

Mercado, por Tecnologia de Litografia

• Litografia DUV
  • Litografia KrF de 248 nm
  • Litografia seca de 193 nm
  • Litografia por inmersion de 193 nm (ARFI)
• Litografia de ultravioleta extremo (EUV)
  • EUV @ 13.5 nm
  • EUV de alta NA
• Litografia I-line (365 nm)
• Litografia por nanoimpresion (NIL)
• Litografia por haz de electrones

Mercado, por Uso Final

• Fabricacion de dispositivos semiconductores
  • Dispositivos logicos
  • Dispositivos de memoria
  • Dispositivos de borde
  • Sensores de imagen
• Dispositivos MEMS
  • MEMS automotrices
  • MEMS de electronica de consumo
  • MEMS industriales y de salud
• Aplicaciones en electronica de visualizacion
  • Fabricacion de LCD
  • Produccion de pantallas OLED
  • Pantallas de proxima generacion
• Aplicaciones de empaquetado avanzado
  • Empaquetado 3D
  • Sistema en paquete (SIP)
  • Empaquetado a nivel de oblea (WLP)
• Fabricacion de fotomascaras
  • Mascara EUV
  • Mascara DUV

La informacion anterior se proporciona para las siguientes regiones y paises:

• America del Norte
  • EE. UU.
  • Canada
• Europa
  • Alemania
  • Reino Unido
  • Francia
  • Espana
  • Italia
  • Resto de Europa
• Asia Pacifico
  • China
  • India
  • Japon
  • Australia
  • Corea del Sur
  • Resto de Asia Pacifico
• America Latina
  • Brasil
  • Mexico
  • Argentina
  • Resto de America Latina
• Medio Oriente y Africa
  • Arabia Saudita
  • Sudafrica
  • EAU
  • Resto de Medio Oriente y Africa