Next Generation Non Volatile Memory Market Size Report – 2034

Next Generation Non Volatile Memory Markt Größe

Die weltweite, nichtflüchtige Speichermarktgröße der nächsten Generation wurde 2024 mit 1.357 Millionen Einheiten auf 8,2 Milliarden USD geschätzt und wird von 2025 bis 2034 bei CAGR von 14,4% wachsen. Der nichtflüchtige Speicher (NVM) der nächsten Generation ist der steigende Bedarf an High-Speed- und Low-Power-Einsatz-Speicherlösungen in künstlichen Intelligenz (AI) und maschinellen Lernen (ML) Anwendungen.

Da die Workloads für AI in der Komplexität weiter wachsen, fallen herkömmliche Speicherstrukturen kurz und schaffen einen sofortigen Bedarf an anspruchsvollen NVMs wie MRAM und ReRAM, die einen schnelleren Zugriff auf Daten und einen geringeren Energieverbrauch bieten. Laut Statista wird der globale Markt für künstliche Intelligenz (KI) von 2025 bis 2031 bei CAGR von 26,6% wachsen.

Die Automobilindustrie treibt die Nachfrage nach dem Non-Volatile Memory (NVM) der nächsten Generation, da Autos zunehmend von anspruchsvollen Elektroniksystemen abhängen. ADAS (Advanced Driver-Assistance Systems) und EV (Electric Vehicle) Steuergeräte benötigen eine geringe Latenz, um Echtzeitdaten effektiv zu handhaben. Die NVM der nächsten Generation bieten einen geringen Stromverbrauch sowie einen schnelleren Datenzugriff und eine hohe Ausdauer, die für den Automobileinsatz geeignet sind.

Die Nachfrage nach eingebettetem nichtflüchtigen Speicher (NVM) steigt aufgrund der hohen Nutzung von Edge Computing und Internet der Dinge (IoT) in der angeschlossenen Umgebung. NVM verfügt über Funktionen wie geringen Stromverbrauch und niedrige Latenz, wodurch sie für Wearables und industrielle IoT-Lösungen geeignet sind. Da die Echtzeitverarbeitung von Daten am Rand wesentlich wird, sorgen NVMs für eine sichere und energieeffiziente Speicherung in fernen und energiesparenden Anwendungsfällen. Das Wachstum von Smart Homes, medizinischen Monitoring-Geräten und industrielle Automatisierung weitere Kraftstoffe Annahme. Mit wachsenden 5G- und AI-fähigen IoT-Ökosystemen steigt die Nachfrage nach leistungseffizienten eingebetteten NVMs.

Der Anstieg der Zahl der Rechenzentren und Cloud Computing ist die Nachfrage nach nichtflüchtigen Speichermärkten der nächsten Generation. Die Cloud-Infrastruktur in aktuellen Zeiten benötigt Speicher, der hohe Geschwindigkeit, niedrige Latenz und leistungseffizient ist, um große Datenspeicherung und Echtzeit-Verarbeitung zu unterstützen. NVM-Produkte wie STT-MRAM und ReRAM sind aufgrund ihrer hohen Leistung bei geringem Stromverbrauch gefragt. Da Hyperscale Cloud-Dienstleister mehr und mehr Rechenzentren für ihre Verarbeitungszwecke installieren, steigt die Nachfrage nach anspruchsvollen NVMs, um schnellere Zugriffsgeschwindigkeit und bessere Speichereffizienz zu bieten.

Die Spieler im nichtflüchtigen Speichermarkt der nächsten Generation sollten in KI- und ML-Lösungen investieren, da NVMs in ihnen zur Bereitstellung von hoher Geschwindigkeit mit geringem Stromverbrauch eingesetzt werden. Die Erweiterung der NVMs zur Unterstützung von Automobilprodukten für ADAS- und EV-ECUs kann neue Einnahmen einführen, vor allem mit selbstfahrenden Autos, die eine verstärkte Übernahme verzeichnen. Die Spieler sollten sich darauf konzentrieren, ihre Beziehung zu Cloud- und Rechenzentren-Playern zu vertiefen. Dies führt zu einer breiteren Übernahme von STT-MRAM und ReRAM für Anwendungen im Bereich der Unternehmensklasse Computing. Sie sollten in Low-Power eingebettete NVMs für Edge Computing und IoT-Geräte investieren, um auf zunehmende intelligente Sensoren und Wearables Adoption zu Kapitalisieren. Die Aufmerksamkeit auf nachhaltige und energieeffiziente Speicherlösungen wird den globalen Umweltambitionen zugute kommen.

Nächste Generation nicht freier Speichermarkt Trends

• Der Markt für nichtflüchtige Speicher (NVM) der nächsten Generation erweitert sich aufgrund der wachsenden Übernahme von MRAM in Hochleistungs-Computing-Systemen (HPC). MRAM bietet schnelle Lese- und Schreibfähigkeiten, geringe Leistung und Beharrlichkeit von Daten, die es für anspruchsvolle Anwendungen geeignet macht. Marktführer wie Samsung integrieren MRAM aktiv in ihre neuen Chip-Designs, um die Recheneffizienz zu verbessern. Integration erhöht Verarbeitungsgeschwindigkeiten, ohne auf die Speicherstabilität zu verzichten.
• Die Entwicklung neuromorpher Rechenstrukturen steigt. Mit der Integration von ReRAM mimiert es die Synapse in AI-Modellen für eine verbesserte neuronale Netzwerkausbildung und -inferenz. Es gibt auch zunehmende Speicher-Anbieter und Cloud-Anbieter-Kollaborationen, wie Hyperscaler wie AWS und Google zielen auf eine leistungsfähige Speicherung, um den Rechenzentrumsbetrieb besser zu verbessern.
• Es gibt zunehmend Investitionen in resistive RAM (ReRAM) von chinesischen Halbleiterunternehmen, um die Abhängigkeit von westlichen Technologien zu verringern. Unternehmen wie Weebit Nano erweitern ihre globale Vertriebsinfrastruktur, um die wachsende Nachfrage nach ihrem widersprüchlichen Zutrittsspeicher zu unterstützen (ReRAModerRRAM) Technologie von Gießereien, integrierten Geräteherstellern (IDMs) und Produktfirmen.
• Spieler auf dem Markt schaffen Hybrid-Speicher-Architektur, wo traditionelle DRAM und nicht-flüchtige Speicher (wie MRAM, ReRAM) gemischt werden, um Leistung zu maximieren, Energieeinsparungen und Erschwinglichkeit. Dies kombiniert die Vorteile beider Ansätze, DRAM für aktive Verarbeitung, um Geschwindigkeit und NVM-Persistenz zu halten, um Daten zu speichern.

Next Generation Non Volatile Memory Market Analysis

Basierend auf der Produktart wird der Markt in MRAM, ReRAM, PCM, FeRAM/F-RAM und andere unterteilt.

• Der Markt für MRAM wurde 2024 auf 3,8 Mrd. USD geschätzt. Der MRAM-Markt wächst aufgrund seiner Nah-DRAM-Geschwindigkeit und hohen Ausdauer und dient perfekt für häufige Schreib-/Leseanwendungen wie Cache-Speicher in AI-Chips und Automotive MCUs. Branchenführer wie Everspin und Samsung skalieren die MRAM-Produktion, um die steigende Nachfrage von Rechenzentren und autonomen Fahrzeugen zu decken.
• Der ReRAM-Markt wird bis 2034 bei einem CAGR von über 14,7% wachsen. ReRAM entsteht als starker Kontender für Speicherklasse-Speicher, mit hoher Dichte und geringem Stromverbrauch. Sein Potenzial, als künstliche Synapse für neuromorphes Computing zu dienen, ist ein großes Interesse von Forschern, die an AI arbeiten, mit Panasonic die Führung in der Entwicklung.

Basierend auf der Wafergröße wird der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation in 200 mm und 300 mm unterteilt.

• Der Markt für 200 mm Wafer wurde 2024 auf 3,5 Mrd. USD geschätzt. 200mm Wafer bleiben die bevorzugte Wahl für die Herstellung von eingebetteten NVMs in Automobil- und Industriesegmenten, wo die Wirtschaftlichkeit wichtiger ist als modernste Leistung. GlobalFoundries und STMicroelectronics sind prominente Anwender von 200mm Fabs zur Herstellung von MRAM und FeRAM.
• Der 300-mm-Wafermarkt wird im Prognosezeitraum mit einem CAGR von über 15% wachsen. Für Hochleistungs-NVMs wie in Rechenzentren werden immer mehr 300mm Wafer bevorzugt, die aufgrund ihrer höheren Ertrags- und Skalenausbeute bevorzugt sind. Samsung ist Frontläufer in 300mm NVM Produktion, insbesondere für fortschrittliche MRAM- und ReRAM-Lösungen.

Der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation ist auf der Basis der Industrie vertikal unterteilt in BFSI, IT & Cloud Computing, Automotive, Aerospace & Defense, Healthcare & medizinische Geräte, Konsumgüter und andere.

• Der Markt für IT & Cloud Computing wurde 2024 auf 3 Milliarden USD geschätzt. IT & Cloud Computing ist der größte Benutzer von NVMs der nächsten Generation, mit MRAM und ReRAM, um persistente Speicherlösungen bereitzustellen, die die Serverleistung steigern und die Latenz zu minimieren. Hyperscaler wie Microsoft und Amazon investieren stark in diese Technologien.
• Der Automobilmarkt wird im Prognosezeitraum mit einem CAGR von über 15,1% wachsen. Automobile stellen ein hohes Wachstum dar, da MRAM in ADAS- und Infotainment-Systeme für seine Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen integriert wird. Unternehmen wie Bosch übernehmen durch Kooperationen mit Speicheranbietern.

• Der US-Markt für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation wird bis 2034 auf 8 Milliarden USD projiziert. Die USA führen den Markt durch hohe Forschungs- und Entwicklungsinvestitionen und Rechenzentrumsanlagen. Die Unternehmen in den USA wie Intel, Micron Technology und Everspin führen die Entwicklung von MRAM und ReRam mit Hilfe von Subventionen für lokale Halbleiterhersteller aus dem CHIPS Act. Die Region erlebt eine schnelle Aufnahme von Speicher-Klasse-Speicher in Hyperscale-Datenzentren (AWS, Google, Microsoft), um AI-Workloads zu optimieren. Automotive-Anwendungen steigen, da Tesla und herkömmliche Autohersteller MRAM in Infotainment- und ADAS-Systeme übernehmen. Verteidigungs- und Luftfahrtanwendungen nutzen strahlungsgehärtete NVMs.
• Der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation in Deutschland dürfte im Prognosezeitraum mit einem CAGR von 11,9% wachsen. Deutschland ist ein wichtiger Markt in Europa, der von seiner robusten Automobil- und Fertigungsindustrie betrieben wird. Unternehmen wie Infineon setzen MRAM und FeRAM in anspruchsvolle Treiber-Assistenzsysteme (ADAS) und IoT-Geräte ein. Sein Schwerpunkt auf Industrie 4.0 und intelligente Fertigung ist die Nachfrage nach leistungsarmen und zuverlässigen Speicherlösungen. Forschungszentren wie Fraunhofer leiten den Weg in ReRAM-Technologien für neuromorphe Computing- und KI-Anwendungen. Das starke Halbleiter-Ökosystem in Deutschland macht es zu einem Schwerpunkt für die Gedächtnisinnovation der nächsten Generation in Europa.
• Der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation wurde 2024 auf 448 Mio. USD geschätzt. Der zukünftige NVM-Markt in Großbritannien gewinnt durch robuste akademische Forschung und Nischen-Halbleiter-Anwendungen Traktion. Britische neue Unternehmen wie Graphcore untersuchen MRAM und ReRAM für KI-Beschleuniger und Edge Computing-Geräte. Der Schwerpunkt der Nation auf Quantenrechner und Photonik brennt experimentelle Speichertechnologien wie resistive RAM für neue Architekturen. Regierungsgestützte Initiativen, wie die britische Halbleiterstrategie, sollen die indigenen Speicherchip-Design-Funktionen unterstützen. Automobil- und Raumfahrtindustrien nutzen FeRAM und strahlungsgehärtetes MRAM für missionskritische Systeme.
• Der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation in China wird bis 2034 auf 6,2 Milliarden USD projiziert. Chinas Markt wird von riesigen staatlichen Investitionen in die Halbleiter-Eigenschaft angetrieben. Inländische Firma namens SMIC arbeiten aggressiv, um ausländische Abhängigkeit zu beseitigen. Der Anstieg der Datenzentren Infrastruktur für die KI-Industrie treibt die Speicherlösungen der nächsten Generation an. Die Speicherhersteller arbeiten mit großen Technologieanbietern zusammen, um maßgeschneiderte NVM-Chips zu entwickeln. Das chinesische Nationalprogramm „Big Fund“ hatte sich auf Chips im Bereich der strategischen Technologie konzentriert.
• Der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation in Indien wird voraussichtlich im Prognosezeitraum mit einem CAGR von 16 % wachsen. Die indische Wirtschaft wird zu einem wichtigen Design- und R&D-Zentrum, das von staatlichen Programmen wie der Semiconductor Mission unterstützt wird. Indische und internationale Unternehmen suchen MRAM- und ReRAM-Lösungen für IoT, Automotive und Consumer Electronics. Das zunehmende Wachstum von KI/ML-Ökosystem und Rechenzentrum im Land treiben Interesse an Next-Gen-Speichertechnologien. Kooperationen zwischen Wissenschaft (IIT) und ausländischen Halbleiterfirmen treiben indigene NVM-Innovationen.
• Der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation in Südkorea wird voraussichtlich im Prognosezeitraum mit einem CAGR von 14,5% wachsen. Südkorea dominiert den Markt mit Technologieführern wie Samsung und SK Hynix, die in MRAM und ReRAM Innovation führen. Das fortschrittliche Halbleiter-Ökosystem von Südkorea ist in erster Linie auf KI-Speicherlösungen und Hochleistungsanwendungen ausgerichtet. Regierungsfördernde FuE-Programme und etablierte Gießerei-Fähigkeiten machen Südkorea zu einem globalen Hotspot für nicht flüchtige Speicherproduktion.

Next Generation Non Volatile Memory Market Share

Der Markt ist sehr wettbewerbsfähig, mit führenden Spielern wie SAMSUNG, Micron Technology, Inc., Intel Corporation, GlobalFoundries und SK HYNIX INC. zusammen mit 62,3 % des Marktanteils. Branchenführer investieren stark in FuE, um MRAM-, ReRAM- und FeRAM-Technologien für High-Speed-, Low-Power-Lösungen in KI-, Rechenzentren und Automotive zu entwickeln. Um ihre Marktposition zu stärken, schaffen Unternehmen strategische Allianzen wie Samsungs Partnerschaften mit Autoherstellern, um an Computerarchitekturen der nächsten Generation zu arbeiten.

Nachhaltigkeit und Energieeffizienz werden immer wichtiger, da Hersteller ultra-low-power NVMs entwickeln, um globale CO2-neutralitätsziele und strengere Regelungen zu erreichen. Unternehmen nutzen intelligente Speicherlösungen mit eingebetteten KI-Funktionen und ermöglichen selbstoptimierende Speichersysteme für IoT- und Edge-Geräte. Die Individualisierung steigt, da Hyperscaler und Automotive-Clients maßgeschneiderte NVM-Designs für spezifische Workloads wie neuromorphes Computing oder autonomes Fahren verlangen.

Um ihre Reichweite zu erweitern, verfolgen Erinnerungsriesen Fusionen (z.B. SK Hynixs Erwerb von Intels NAND-Geschäft) und regierungsgestützte Initiativen wie das US CHIPS Act und die Halbleitersubventionen Südkoreas. Automatisierung und EUV-Lithographie werden eingesetzt, um die Produktion von hochmodernen Knoten (Sub-10nm) zu erhöhen und Kosten zu senken. Startups wie Crossbar und Weebit Nano stören den Raum mit Nischeninnovationen und drängen etablierte Spieler, um ihre Roadmaps zu beschleunigen.

Samsung führt nichtflüchtige Speicherinnovation der nächsten Generation, mit seiner MRAM-Technologie, die in KI-Beschleunigern und Automotive-Anwendungen weit verbreitet ist. Das Unternehmen investiert stark in die 300mm Waferherstellung, um die steigende Nachfrage nach leistungsstarken Speicherlösungen anzusprechen. Samsungs Partnerschaft mit führenden Cloud-Anbietern und Autoherstellern spiegelt seine Dominanz im nichtflüchtigen Speichermarkt der nächsten Generation wider.

Intel verlagert seinen Fokus auf MRAM für Rechenzentrumsanwendungen. Das Unternehmen nutzt seine Expertise in persistentem Speicher, um Lösungen zu schaffen, die die Leistungslücke zwischen DRAM und traditionellem Speicher überbrücken. Diese Bemühungen zielen darauf ab, die steigenden Anforderungen von Hyperscalern und Unternehmenskunden zu erfüllen, indem sie die Speichereffizienz und Zuverlässigkeit in großen Rechenumgebungen verbessern.

Next Generation Non Volatile Memory Market Companies

Einige der prominenten Marktteilnehmer, die in der nächsten Generation nicht flüchtige Speicherindustrie tätig sind, umfassen:

• SAMSUNG
• Micron Technology, Inc.
• Intel Corporation
• GlobalFounds
• SK HYNIX INC.

Next Generation Non Volatile Memory Industry News

• Im November 2024 erhielt GlobalFoundries 1,5 Milliarden US-Dollar an CHIPS Act-Finanzierungen des US-Handelsministeriums, um inländische Halbleiterfertigungen mit einem Schwerpunkt auf kritischen Chips für Automotive, IoT und Verteidigung zu wachsen. Die Finanzierung wird verwendet, um neue Einrichtungen in Vermont und New York zu bauen, um 1.500+ Arbeitsplätze zu erhöhen und die US-Versorgungskette Widerstandsfähigkeit zu verbessern. Die Partnerschaft umfasst ein 10-jähriges Lieferengagement für kritische Branchen wie Luft- und Raumfahrt und intelligente Geräte.
• Im Jahr 2022 startete Fujitsu 12Mbit ReRAM, das in der Familie ReRAM eine hohe Speicherdichte aufweist. Dieses Produkt ist ein nichtflüchtiger Speicher mit einer großen Speicherdichte von 12Mbit in einer sehr kleinen Packungsgröße von ca. 2mm x 3mm. Es hat einen niedrigen Lesestrom von 0,15mA im Durchschnitt während der Lesevorgänge. Daher kann der Batterieverbrauch in batteriebetriebenen Geräten mit häufigen Datenlesebetrieben minimiert werden.

Der nichtflüchtige Marktforschungsbericht der nächsten Generation umfasst eine eingehende Erfassung der Industrie mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD Million) und Volumen (Million Units) von 2021 bis 2034, für folgende Segmente:

Markt, nach Produkttyp

• MRAM
• ReRAM
• PCM
• FeRAM/F-RAM
• Sonstige

Markt, von Wafer Größe

• 200 mm
• 300 mm

Markt, Von Industrie Vertical

• BFSI
• IT & Cloud Computing
• Automobilindustrie
• Luft- und Raumfahrt
• Gesundheits- und Medizinprodukte
• Konsumgüter
• Sonstige

Die vorstehenden Angaben sind für die folgenden Regionen und Länder angegeben:

• Nordamerika
  • US.
  • Kanada
• Europa
  • Deutschland
  • Vereinigtes Königreich
  • Frankreich
  • Spanien
  • Italien
  • Niederlande
• Asia Pacific
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Südkorea
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Argentinien
• Naher Osten und Afrika
  • Saudi Arabien
  • Südafrika
  • VAE