Marktgrößenbericht für nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation – 2032

Next Generation Non Volatile Memory Markt Größe

Der Non Volatile Memory Market der nächsten Generation wurde im Jahr 2023 auf 980.3 Mio. USD geschätzt und wird voraussichtlich bei einem CAGR von 8 % zwischen 2024 und 2032 wachsen. Die Nachfrage nach höheren Speicherlösungen ist mit der wachsenden Übernahme von IoT-Geräten und Smartphones deutlich gestiegen. Nichtflüchtige Speichertechnologien sind nahtlos integriert, um schnellen Zugriff auf Apps, Fotos und Videos zu bieten, während der Stromverbrauch geringer bleibt.

Darüber hinaus setzt sich das IoT-Ökosystem, bestehend aus verschiedenen angeschlossenen Geräten, wie Smart Home-Appliances, Wearables und Industriesensoren, stark auf nichtflüchtige Speicher für die Datenspeicherung sowie das Abrufen der Daten. Die nichtflüchtige Speicherindustrie erlebt ein nachhaltiges Wachstum, das durch die Notwendigkeit effizienter, kompakter und zuverlässiger Speicherlösungen zur Unterstützung der expandierenden digitalen Landschaft getrieben wird.

So kündigte Macronix International Co., Ltd., ein führender integrierter Gerätehersteller im Non-volatile Memory (NVM)-Markt, im November 2021 den ersten serialen NOR-Flash-Speicherhersteller der Branche an, 1.2V-Geräte in die Massenproduktion zu bringen. Die Ultra-Low-Power (ULP) & Highspeed 120MHz MX25S Serial NOR Flash-Speicher sind bereit, in einer neuen Generation von Produkten zu wachsen, die auf Anwendungen ausgerichtet sind, die Internet of Things (IoT), drahtlose Kommunikationstechnologien – einschließlich 5G, Wi-Fi und schmalbandige IoT-Systeme und Verbraucheranwendungen.

Die Nachfrage nach Cloud-Services wächst, was zu einem Anstieg der Nachfrage nach Speicher- und Speicherlösungen führt. Cloud-basierte Plattformen nutzen nichtflüchtige Speicher, um Echtzeit-Anwendungen und künstliche Intelligenz (KI) zu unterstützen. Für komplexe Daten- und Rechenaufgaben besteht ein Bedarf an nichtflüchtigen Speichertechnologien, die dazu beitragen können, Echtzeitanwendungen mit dem Einsatz von AI zu unterstützen. Rechenzentren profitieren von der Flexibilität des nichtflüchtigen Speichers, wodurch die Anpassung der sich ändernden Workloads und der dynamischen Ressourcenzuweisung ermöglicht wird. Kontinuierliche Innovationen, die von Cloud Computing und Rechenzentren betrieben werden, treiben FuE in nichtflüchtigen Speichertechnologien an, um sicherzustellen, dass diese Lösungen den wachsenden Anforderungen der digitalen Landschaft gerecht werden.

Die Steigerung der Produktion und die Erzielung hoher Ausbeuten an NVM-Geräten der nächsten Generation stellen komplexe Fertigungsherausforderungen dar, einschließlich Prozessvariabilität, Fehlerdichte und Ertragsoptimierung. Halbleiterhersteller müssen sich mit den aktuellen Herausforderungen auseinandersetzen, um eine gleichbleibende und zuverlässige Produktqualität zu gewährleisten, die Kundennachfrage zu erfüllen und effektiv auf dem Markt zu konkurrieren. Darüber hinaus erfordert die Umstellung auf neue Fertigungsknoten und Geräte Investitionen und Know-how, die den Herstellungsprozess weiter kompliziert.

Nächste Generation nicht freier Speichermarkt Trends

Die steigenden Trends in der Phase-change-Speicher (PCM)-Technologie umfassen die Verbesserung der Skalierbarkeit, die Verbesserung der Ausdauer und Zuverlässigkeit, die Implementierung von Multi-Level- und Multi-Bit-Zelltechnologie, die Integration mit CMOS-Technologie, die Erkundung von Anwendungen im In-Memory- und Neuromorph-Computing, die heterogene Integration mit anderen Speichertechnologien und die Entwicklung von Cross-Point-Architekturen. Diese Trends tragen gemeinsam zur kontinuierlichen technologischen Weiterentwicklung und Kommerzialisierung von PCM als nichtflüchtige Speicherlösung der nächsten Generation bei. Zum Beispiel kündigten Intel und Micron im März 2023 den ersten produktionsbereiten Phasenwechselspeicher (PCM) Chip an, der das Potenzial hat, NAND Dominanz herauszufordern.

Die Verbreitung von vernetzten Autos und ihre Beziehung zu Technologien, wie Infotainment-Systemen, Telematik, Navigationssysteme und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS), fördern robuste Speicherlösungen, um Daten effizient zu speichern und zu verarbeiten. NVM spielt eine entscheidende Rolle bei der Speicherung verschiedener Daten wie Karten, Multimedia-Inhalte, Software-Updates und Sensordaten für diese Anwendungen. Die Entwicklung autonomer Fahrsysteme beruht stark auf anspruchsvollen Sensorarrays, Kameras, Radar, LiDAR und anderen Komponenten, die enorme Datenmengen generieren. NVM ist unerlässlich, um diese Daten in Echtzeit zu speichern und zu verarbeiten, damit autonome Fahrzeuge fundierte Entscheidungen treffen und unter unterschiedlichen Fahrbedingungen sicher navigieren können.

Next Generation Non Volatile Memory Market Analysis

Basierend auf dem Produkt wird der Markt in FeRAM, PCM, MRAM und ReRAM segmentiert. Das Segment MRAM ist das am schnellsten wachsende Segment und wird mit einem CAGR von über 8,5 % zwischen 2024 und 2032 expandieren.

• Mit der steigenden Nachfrage nach vielseitigen und zuverlässigen Speicherlösungen gibt es im nichtflüchtigen Speichermarkt der nächsten Generation eine steigende Traktion. MRAM wurde deutlich zur Speicherung dynamischer Daten eingesetzt. Sie hinterlässt den Gedanken, zur Realisierung magnetischer Speicherelemente Stromladungen oder elektrische Ströme zu verwenden. Sie bestehen aus einem Paar ferromagnetischer Scheiben, die von einer Isolierschicht beabstandet sind. Die Daten werden als eine der Scheiben in fester Position auf einen Magneten gelegt, während die zweite Scheibe sich zum Magnetfeld der ersten Scheibe hin bewegt und sich von positiv auf negativ verändert. Die Interpretation erfolgt mit der Logik der Binärzahlen. Zum Beispiel, im Januar 2022, Samsung Electronics, ein Weltmarktführer in fortschrittlicher Halbleitertechnologie, kündigte seine Demonstration des weltweit ersten In-Memory-Computing basierend auf Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM). Samsungs Forschungsteam hat anschließend die Leistung dieses MRAM-In-Memory-Computing-Chips getestet, indem er es zur Durchführung von AI-Computing durchführt. Der Chip erreichte eine Genauigkeit von 98% in der Klassifizierung von handschriftlichen Ziffern und eine 93% Genauigkeit bei der Erkennung von Gesichtern aus Szenen.

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Unterhaltungselektronik, Gesundheitswesen, Automotive & Transport, Industrie und Unternehmen unterteilt. Das Segment Consumer Electronics dominierte den Markt mit einem Anteil von über 35 % im Jahr 2023.

• Der nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation ist bereit, den Bereich der Unterhaltungselektronik zu revolutionieren, indem er hohe Leistung, höhere Speicherkapazitäten liefert, eine verbesserte Effizienz bietet und die Benutzererfahrungen in einer Vielzahl von Geräten und Anwendungen verbessert. Da sich diese Technologien weiter entwickeln und reifen, werden sie eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der Zukunft der Unterhaltungselektronik und der treibenden Innovation in der Industrie spielen. Diese NVM-Technologien sollen die Speicherindustrie revolutionieren, indem sie verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz bieten.

Der nichtflüchtige Speichermarkt der nächsten Generation wird durch ein schnelles Wachstum und eine Transformation geprägt, die sich durch mehrere Faktoren auszeichnet, die seine zunehmende Bedeutung in verschiedenen Branchen und Anwendungen unterstreichen. Diese Expansion unterstreicht die wachsende Nachfrage nach fortschrittlichen Speicherlösungen in der Region Asien-Pazifik, die eine höhere Leistung, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz mit einem projizierten CAGR von 2024 bis 2032 über 9 % bieten.

Mit der Verbreitung von intelligenten Städten, IoT-Geräten, autonomen Fahrzeugen und Randrechnungg-Anwendungen schaffen neue Möglichkeiten für NVM-Technologien der nächsten Generation. Diese Lösungen sind unerlässlich, um die Anforderungen an die Datenspeicherung und Verarbeitung von miteinander verbundenen Geräten zu erfüllen, Echtzeitanalysen zu ermöglichen und neue Technologien und Dienste zu unterstützen.

Next Generation Non Volatile Memory Market Share

Intel Corporation und Samsung Electronics Co., Ltd. hielten 2023 über 12% des Marktanteils von Smart Signage-Markt. Intel Corporation ist weltweit führend in der Halbleiterfertigung und Technologieinnovation, die für ihre Beiträge zur Entwicklung nichtflüchtiger Speicherlösungen der nächsten Generation bekannt ist. Gegründet 1968 und mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, hat sich Intel als Schlüsselakteur in der Elektronikindustrie etabliert, mit einem vielfältigen Portfolio an Produkten und Dienstleistungen, die sich auf Computer, Rechenzentrum, Internet of Things (IoT) und Speichertechnologien erstrecken.

Samsung Electronics Co., Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter in der Technologiebranche, der für seine innovativen Produkte und Lösungen in verschiedenen Branchen bekannt ist. Samsung ist ein wichtiger Player im nichtflüchtigen Speichermarkt der nächsten Generation, treiben Fortschritte und schieben die Grenzen der Speichertechnologie. Mit einer robusten R&D-Infrastruktur und einem starken Fokus auf Innovation war Samsung an der Spitze der Entwicklung von NVM-Technologien der nächsten Generation wie Magneto-Resistive Random Access Memory (MRAM), Phase-Change Memory (PCM) und 3D XPoint Memory.

Next Generation Non Volatile Memory Market Companies

Die wichtigsten Akteure der Branche sind:

• Intel Corporation
• Samsung Electronics Co., Ltd.
• Micron Technology, Inc.
• Fujitsu GmbH
• IBM Corporation
• Toshiba Corporation
• Everspin Technologies, Inc.

Next Generation Non Volatile Memory Industry News

• Im Oktober 2022 unterzeichnete Everspin Technologies, Inc., der weltweit führende Entwickler und Hersteller von Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) persistente Speicherlösungen, einen Vertrag zur Bereitstellung von MRAM-Technologie, Design und Back-End-Services mit QuickLogic Corporation
• Im Juni 2022 kündigte CrossBar Inc. neue Anwendungen seiner Resistive RAM (ReRAM)-Technologie für den Einsatz in der sicheren Speicherung und Verarbeitung an, wo Reverse Engineering und physikalische Angriffe wesentliche Anforderungen des Systems sind. Im Vergleich zu oxidbasierten ReRAM nutzt CrossBars ReRAM stochastische elektrochemische Ionenbewegung, die schwieriger zu analysieren oder nützlich ist, um den Inhalt des ReRAM zu verschlechtern.

Der Forschungsbericht der nächsten Generation über den nichtflüchtigen Speichermarkt umfasst eine eingehende Erfassung der Industrie mit Schätzungen und Prognosen in Bezug auf Umsatz (USD Million) von 2024 bis 2032, für die folgenden Segmente:

Markt, nach Produkt

• FeRAM
• PCM
• MRAM
• ReRAM

Markt, nach Anwendung

• Verbraucherelektronik
• Gesundheit
• Automotive & Transport
• Industrie
• Unternehmen

Die vorstehenden Angaben sind für die folgenden Regionen und Länder angegeben:

• Nordamerika
  • US.
  • Kanada
• Europa
  • Deutschland
  • Vereinigtes Königreich
  • Frankreich
  • Italien
  • Spanien
  • Rest Europas
• Asia Pacific
  • China
  • Japan
  • Indien
  • Südkorea
  • ANZ
  • Rest von Asia Pacific
• Lateinamerika
  • Brasilien
  • Mexiko
  • Rest Lateinamerikas
• MENSCHEN
  • VAE
  • Saudi Arabien
  • Südafrika
  • Rest von MEA