极紫外（EUV）光刻市场规模 - 按组件、设备类型、技术节点及终端用途划分 - 全球预测（2025-2034年）

极紫外光刻市场规模

全球极紫外光刻市场在2024年达到114亿美元。市场将从2025年的126亿美元增长至2030年的218亿美元，2034年将达到346亿美元，预计在2025-2034年的预测期内复合年增长率（CAGR）为11.8%，据Global Market Insights Inc.称
 

• 全球极紫外光刻市场正在快速增长，原因在于其在下一代半导体制造发展中的关键地位。半导体制造生态系统需要极高的光学精度和纳米级分辨率，尤其是芯片制造商向5纳米和3纳米工艺节点转移，以应对人工智能、自主系统和高性能计算需求。极紫外光刻支持更高的组件密度、更好的产量和更好的芯片性能，直接促进了这一变化。因此，集成设备制造商和晶圆代工厂对先进复杂集成电路（IC）的生产需求预计将增加
   
• 亚5纳米和亚3纳米节点半导体制造需求增长、人工智能、高性能计算和5G芯片需求增长，以及政府对半导体行业的激励措施，ASML垄断工具供应和技术创新，以及亚太地区和北美地区晶圆代工厂和IDM资本支出增长是推动市场增长的关键因素
   
• 2024年，SEMI宣布全球半导体设备账单增长至1171亿美元，较上年增长10%，主要由人工智能和逻辑/存储器容量支出推动。中国、韩国和台湾贡献了总市场的约74%，其中中国以496亿美元的区域支出领先，较上年增长35%。北美也记录了约137亿美元的增长，同比增长14%，主要由CHIPS法案激励的支出推动。其中，用于先进亚7纳米光刻的EUV专用硬件占高端晶圆厂设备支出的很大一部分，占晶圆加工工具支出的90%以上，突显了亚太地区在EUV工具采用方面的领先地位以及北美通过CHIPS资助的晶圆厂的增加使用
   

极紫外光刻市场趋势

• 由于对更高图案分辨率、更严格的尺寸公差和制造产量的需求增加，极紫外光刻在全球亚5纳米和亚3纳米半导体制造运营中正在获得越来越多的应用。自2020年以来，亚太地区、北美和欧洲的主要晶圆代工厂已采用EUV进行逻辑和存储器制造。这一趋势预计在2030年前将继续加强，因为半导体制造商转向2纳米和亚2纳米节点，传统光刻方法无法提供所需的精度和成本效益
   
• 材料和设备供应商必须专注于开发高NA EUV系统、防尘罩、镜子和光刻胶，以支持下一代节点的高容量生产。需要更高的光学吞吐量、热可靠性和缺陷控制。设备供应商、晶圆代工厂和材料供应商之间的战略合作将加快EUV平台的成熟和商业可扩展性，使利益相关者在半导体价值链中获得长期价值
   
• 先进的计算方法和机器学习技术正在使智能光刻技术越来越受欢迎。这些技术承诺实现实时工艺校正、缺陷预测增强、叠加控制更严格以及晶圆良率提高。逻辑和DRAM制造商正在推动更紧密的集成和更高的密度，而AI驱动的光刻技术将成为AI、5G和HPC相关芯片组高精度制造的核心支持者。
   
• 极紫外光刻技术正在逐步从试点生产过渡到商业部署。供应商正在大量投资设计防尘罩和光学组件，以支持更高的光子通量和功率密度。在这些领域的进步对于实现一致的性能和吞吐量至关重要，而这对于大规模生产是商业化采用的必要条件，也是台湾、韩国、日本和美国顶级晶圆厂的必要要求。
   
• 数字孪生模拟软件和集成光刻管理系统正在革命性地改变EUV工具的校准、优化和维护。这些基于软件的解决方案提供了更高的工艺可预测性、运行时间和故障检测能力，这对于高混合、低缺陷使用场景尤其有利。自2020年以来，顶级晶圆厂和OEM厂商已经采用了这些解决方案，以降低总拥有成本并提高光刻投资回报率，这一趋势预计将持续到2030年。
   

极紫外光刻市场分析

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按组件划分，市场分为光源、EUV掩膜、EUV光学、测量设备和其他。EUV掩膜细分市场占据最高市场份额25%，而测量设备细分市场是增长最快的细分市场，预计在预测期内复合年增长率为13.2%。
 

• 2024年，光源细分市场以估计价值43亿美元主导极紫外光刻市场，这主要是由于对高功率EUV光源的关键需求，以实现5nm及以下先进节点所需的吞吐量和分辨率。制造商正在大量投资以提高光源功率（以瓦特为单位）并增强稳定性，这直接提高了晶圆图案精度和工艺效率。特别是激光产生等离子体（LPP）系统的技术进步，通过提高运行时间和可靠性进一步提高了生产力。由于光源对于EUV技术在高容量制造（HVM）中的扩展至关重要，这些改进是推动该细分市场增长和主导地位的关键因素。
   
• 此外，光源细分市场的繁荣还得益于光刻系统OEM与组件供应商之间的合作伙伴关系，以推动集成解决方案。例如，ASML继续与Cymer（ASML子公司）保持合作伙伴关系，后者不断提高光源功率超过400W。这一改进使晶圆厂每小时能够生产更多晶圆。AI、5G和HPC领域对下一代芯片的需求增加，推动了对可靠且高强度EUV光源的增长。
   
• 测量设备细分市场是市场中增长最快的类别之一，预计在预测期内复合年增长率将达到13.2%。这一增长主要由半导体架构复杂性的增加推动，这需要在关键尺寸测量、叠加控制和缺陷检测方面实现更高的精度。
   

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根据设备类型，极紫外光刻市场被划分为扫描设备、掩膜检测设备、挡板和光罩处理以及轨道系统（涂层/显影）。扫描设备部门占据最大市场份额38.1%。
 

• 扫描设备细分市场在2024年价值43亿美元，成为EUV光刻市场中最大的部分，因为它在制造7nm以下节点的先进半导体时发挥着关键作用。高性能计算的需求增长，特别是对AI芯片的需求，需要极其精确&复杂的晶体管图案，以及5G设备的推动，使集成设备制造商&代工厂广泛采用这些扫描仪。
   
• 此外，扫描仪的吞吐量、光源功率和镜头设计的持续改进使生产更高效且每片晶圆的成本更低。主要供应商还将行星检测和内联测量设备直接集成到扫描仪上，以提高图案精度和缺陷控制能力，这对AI芯片制造和其他先进半导体应用所需的高精度至关重要。
   
• 掩膜检测细分市场增长最快，预计在预测期内以13%的复合年增长率增长。该细分市场的增长受益于EUV光掩模的缺陷敏感性和复杂性增加，需要高分辨率检测系统以确保图案精度并减少产量损失。随着半导体技术向多模式芯片和复杂系统级芯片设计发展，对精确掩膜检测技术的需求增加。这些趋势共同加速了先进检测工具的使用，从而使该细分市场成为整体市场增长的关键驱动力。
   
• 此外，高NA EUV技术正在推动对下一代掩膜检测设备的需求，包括纳米级精度的相位移动缺陷检测&吸收边缘放置误差检测。行业领导者正在投资电子束检测技术和基于机器学习的缺陷分类，以应对EUV光罩日益增加的复杂性和数量。
   

根据技术节点，极紫外光刻市场被划分为7nm、5nm和3nm。7nm细分市场占据最大市场份额40.3%，并预计在预测期内以8.1%的复合年增长率增长。
 

• 2024年，7纳米工艺在极紫外（EUV）光刻市场中占据领先地位，其估值达46亿美元。7纳米节点在高性能计算和旗舰智能手机SOC等领域推动了更强大、更高效的芯片发展。7纳米节点芯片的需求增长源于对提高晶体管密度和性能、同时最小化功耗的需求，这对于先进的CPU、GPU和AI加速器至关重要。全球云计算、5G和边缘AI的扩张持续推动了对7纳米节点芯片的需求。领先的晶圆代工厂如台积电和三星正在增加基于EUV的7纳米工艺，以支持多个行业的高容量生产。
   
• 预计7纳米工艺在预测期内将以8.2%的复合年增长率增长。在7纳米节点引入EUV光刻简化了多模式光刻的复杂性，从而减少了掩膜数量、设计周期时间和生产成本。此外，汽车电子需求，特别是自动驾驶辅助系统（ADAS）和信息娱乐系统，越来越需要7纳米级别的性能，这继续推动了超越消费电子的采用。随着芯片设计师不断优化功耗、性能和面积（PPA），7纳米EUV节点仍然是一个战略拐点，作为成熟FinFET技术和新兴环绕栅极（GAA）晶体管设计之间的桥梁。
   
• 5纳米工艺似乎是EUV光刻市场增长最快的细分市场之一，预计将以8.9%的复合年增长率增长。这一增长主要受到高密度、高效能集成电路需求的推动，这些电路用于先进应用，如5G基带芯片、高性能GPU、AI加速器和数据中心处理器。半导体公司正在加速向5纳米节点的转移，以满足移动计算和云基础设施对低功耗和高晶体管密度的需求。此外，先进驾驶辅助系统（ADAS）、边缘AI设备和量子计算加速器的使用增长，推动了对小型高性能芯片的需求。
   
• EUV光刻提供了关键优势，将支持该市场的持续增长，包括更高的图案重复精度、更好的分辨率、更少的多模式光刻步骤以及更好的产量和吞吐量。设计技术协同优化（DTCO）、光刻胶的发展以及EDA（电子设计自动化）供应商、工具供应商和晶圆代工厂之间的合作，使得从设计到工艺的快速周期成为可能，从而推动了5纳米领域的商业化和增长机会。
   

从终端用途来看，极紫外光刻市场被细分为集成设备制造商和晶圆代工厂。晶圆代工厂细分市场占据最高市场份额，达68.7%。
 

• 2024年，晶圆代工厂细分市场是极紫外（EUV）光刻市场的主要贡献者，估值达78亿美元。晶圆代工厂正在加大对EUV光刻的重视，以确保在技术先进节点开发方面的领先地位。台积电和三星等领先公司正在投资扩大其兼容EUV的晶圆厂，以应对新一代半导体所需的复杂多模式光刻要求和提高的分辨率。EUV光刻在降低掩膜数量和工艺步骤方面发挥着关键作用，以实现更好的成本效率，同时提高产量。此外，由人工智能（AI）驱动的芯片设计和为超大规模数据中心定制的硅片需求，将进一步推动晶圆代工厂在EUV解决方案中的灵活性和可扩展性需求。
   
• 基于芯片组和多层3D堆叠技术的架构日益普及，也使得极紫外光刻（EUV）的重要性不断提升，因为晶圆厂采用了这种先进封装方法。这些方法需要更精细的互连几何结构和高精度层间对准，而EUV具有叠层控制和分辨率，能够满足这些性能规格。晶圆厂可以利用EUV实现高密度互连层和混合键合工艺，这对于优化高性能计算（HPC）和人工智能（AI）处理器的性能功耗比至关重要。这些进步与半导体未来的扩展范式相一致，将转化为对EUV系统的更大资本投资。
   
• 集成设备制造商（IDM）细分市场在极紫外光刻（EUV）行业稳步发展，预计在预测期内将以9.0%的复合年增长率增长。集成设备制造商（IDM）开始采用EUV光刻技术用于其专有制造过程，并运行其自有的内部制造流程，这主要是出于保持设计到制造周期相关控制的需求。IDM在航空航天、国防和工业自动化等市场中特别适用，这些市场需要安全性、定制化和高性能芯片。通过依赖EUV实现的图案保真度和更小的特征尺寸，IDM可以提供更高的晶体管密度芯片，从而提高处理速度和能耗。此外，IDM已与设备供应商展开合作，共同开发兼容EUV的工艺流程，这加快了EUV光刻技术的采用，并使其能够将其纳入其专有的制造线。这使得IDM在高性能计算和边缘AI芯片市场中发挥了重要作用。
   
• 对于IDM而言，在终端应用上硬件和软件的协同优化日益受到重视，这有助于推动EUV光刻技术的应用竞争。由于IDM涵盖了芯片设计和后续制造，它们将能够利用基于EUV的关键设备性能特性，如背面供电和逻辑缩放。

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2024年，北美占据全球极紫外光刻市场26.7%的份额，市场规模达30亿美元，并预计将继续保持稳定增长。该地区由于成熟的半导体制造生态系统、各行业的快速数字化以及对超精细图案技术的需求增长，这些因素将推动下一代芯片的发展。该地区对技术主权的渴望、人工智能和高性能计算（HPC）基础设施的增长，以及EUV光刻技术在先进封装和逻辑节点开发中的应用，都是推动该地区增长的关键因素。
 

• 2024年，美国极紫外光刻（EUV）市场规模达28亿美元，占据了该地区的大部分份额。该国当前的半导体设计优势，以及《芯片与科学法案》的实施，将通过投入大量资源于美国本土芯片制造，改变国内供应链，并建立美国的制造能力。
   
• 自动驾驶汽车、消费电子和航空航天国防等领域的需求增加，推动了对5nm以下节点芯片制造的投资，从而促进了EUV光刻技术的使用。
   
• 此外，边缘计算、AI芯片和物联网设备部署的增长，强调了对高精度、高吞吐量图案解决方案的需求，这为EUV工具供应商创造了持续的增长动力。
   
• 随着国内晶圆厂越来越多地与极紫外（EUV）设备供应商合作，以扩大制造工艺并降低先进节点的缺陷率，美国极紫外光刻市场的竞争正在加剧。领先的晶圆代工厂正在将基于EUV的多重图形化方法应用于5nm以下节点的生产，这推动了对特定遮蔽膜、光刻胶材料和检测设备的需求。
   
• 美国国防部对用于辐射应用的硬化半导体的兴趣也为航空电子领域的EUV应用开辟了新的细分市场。这些针对特定行业的需求促使设备制造商也开始关注本地化支持基础设施和人才培养，以推动EUV技术的采用，以满足美国行业的特定性能要求。
   
• 2024年，加拿大极紫外光刻市场规模达到2.516亿美元，预计在预测期内将保持稳定增长。加拿大的发展动力仍然来自于对量子计算和先进光子学的投资增加，以及国内芯片原型设计活动的扩大。
   
• 清洁能源转型、智能制造以及对健康和通信领域微电子的兴趣增长，也进一步推动了光刻设备的需求。反过来，学术界和产业界的合作以及对纳米技术研发的资金投入将推动创新管道，其中EUV光刻设备将促进半导体和传感器的能效提升和低碳认证开发。
   
• 加拿大在极紫外光刻价值链中的参与度正在逐步提升，其在材料创新和测量解决方案方面提供了价值。政府支持的计划正在鼓励加拿大初创企业与全球光刻领域领先企业建立合作伙伴关系，共同开发兼容EUV的光刻胶和光学组件。
   
• 此外，加拿大发展先进封装能力的国家战略与EUV光刻在3D IC和芯片组架构中的需求相契合。随着该国在光子学和光电子领域的地位不断巩固，其作为EUV设备制造商的关键技术供应商的角色可能会不断扩大，从而使加拿大成为全球生态系统中一个细分但具有战略意义的贡献者。
   
• 加拿大在极紫外光刻价值链中正在缓慢增长，重点关注材料创新和测量解决方案。政府资助的倡议正在促进加拿大初创企业与主要全球光刻供应商之间的合作，共同开发如兼容EUV的光刻胶和光学组件等材料。
   
• 此外，加拿大自身发展先进封装能力的国家倡议正在为EUV光刻划定角色——其中3D IC和芯片组将需要EUV光刻。随着该公司致力于在光子学/光电子领域建立能力，加拿大很可能将继续作为EUV设备制造商的关键技术供应商发挥作用。加拿大的角色可能是细分但具有战略意义的，在整个生态系统中。
   

2024年，欧洲占据全球极紫外光刻市场的21.3%份额，并以10.4%的复合年增长率增长。欧洲在半导体主权方面的战略重点，得益于欧盟芯片法案和地平线欧洲等倡议的支持，预计将推动该地区EUV光刻市场的增长。
 

• 到2024年，德国极紫外（EUV）光刻市场规模达到9.232亿美元，预计在预测期内将以9.9%的复合年增长率增长。德国在极紫外（EUV）光刻供应链中占据关键地位，这得益于其在精密工程与新兴光子学研究领域的交汇点。具体而言，德国能够提供先进光学、光源以及近期用于EUV加工的光刻胶等工具、技术和方法。
   
• 新兴企业正在与全球领先的半导体设备公司积极合作，以提供EUV子组件，并整合用于EUV工具的系统，特别是用于7nm以下生产的系统。德国政府支持的倡议如“IPCEI微电子”正在帮助刺激本土EUV在整体EUV基础设施和本地晶圆厂及IDM的能力方面的渗透。
   
• 因此，尽管组织在量子计算和AI硬件领域的前沿发展方面不断创新，但对超精细光刻节点的需求必然会增长，德国将继续保持其作为高科技EUV采用者的地位。
   
• 2024年，英国极紫外（EUV）光刻市场价值为1.524亿美元，并预计在预测期内稳步增长。英国正通过其新兴的半导体制造生态系统和材料科学研究中心逐步扩大在EUV光刻市场中的参与度。
   
• 近期的公共和私人投资正在用于构建韧性供应链并推动芯片设计创新，使该国成为EUV支持技术（如先进光刻胶、蚀刻化学和热管理系统）的细分市场参与者。
   
• 英国政府支持的半导体战略间接推动了EUV光刻市场的发展，因为它增加了国内芯片设计和研发的先进原型需求。虽然英国无晶圆厂公司在设计方面取得进展，通过EUV用于AI、5G和国防电子的更小工艺节点，但与欧洲和亚洲各地EUV启用的晶圆厂的合作变得至关重要。英国还有针对特定领域的研究集群，这些集群在EUV相关领域具有价值流，例如EUV测量、束线模拟和缺陷识别。如拉瑟福德·阿普尔顿实验室和南安普顿大学正在研究与纳米制造和激光等离子体源相关的光子学，补充了EUV光刻系统的性质。
   
• 这些活动的能力正在得到英国研究与创新委员会（UKRI）和私人利益相关者的资助，为英国作为全球EUV光刻生态系统的专业贡献者做准备，进入下一代工具校准和工艺优化领域。
   

2024年，亚太地区在极紫外光刻市场价值方面占据最高份额，达到50亿美元。该地区的实力还得益于台积电、三星和英特尔（在晶圆厂扩张方面）等领先公司的大量投资。此外，亚洲国家已将EUV光刻视为制造5nm和5nm以下芯片所必需的关键技术，因此可以预见高端光掩模、光刻胶和光学设备的需求将增加。
 

• 中国EUV光刻市场预计2024年将达到13亿美元。经济与军事紧张局势使半导体制造自给自足成为中国的义务。尽管中国企业仍面临西方领先EUV机器供应商的挑战，但中国正通过投资DUV光刻和自主研发EUV机器探索自力更生的机会。
   
• 大型国家资助计划如“大基金”正在将资本和其他资源引入中国的EUV相关研究和开发，特别是在光学、光刻胶和基于测量的组件方面。
   
• 同时，中国正在为支持EUV基础设施不断发展的生态系统创造一个充满活力的环境，具体包括清洁室自动化、振动控制以及高精度晶圆处理等方面。
   
• 国家研究机构与企业之间的联合研发项目正在为掩膜缺陷检测和光束源技术的进步铺平道路，使中国在短期内即使面临进口限制，也能在7nm以下工艺开发方面实现长期可持续发展。
   
• 2024年，日本极紫外光刻市场规模估值为15亿美元。日本在EUV光刻供应链中占据重要地位，涵盖材料和子组件等多个领域。EUV市场的重要供应商包括东京电子、JSR和尼康，它们提供光刻胶、挡板和测量工具等，这些都是EUV成功所必需的。
   
• 随着5nm和3nm节点的EUV光刻需求增加，日本正在扩大国内产能，并加大对专为EUV工艺设计的材料研发的投入，同时得到政府的支持。
   
• 此外，日本正在通过与美国及其他西方国家合作，快速加速对EUV创新潜力的获取，共同开发下一代半导体技术。
   
• 与ASML和台积电等公司的合作，包括台积电在熊本的新工厂，正在促进关键技术转移，并建立国内知识和能力，以实施EUV，从而增强长期市场韧性。
   
• 2024年，印度极紫外光刻市场规模估值为1.9亿美元，作为印度半导体发展路线图的一部分，该国通过政府激励措施和政策变化，通过“印度半导体计划”呼吁建立EUV光刻工厂。
   
• 印度正在努力在芯片封装领域占据高价值地位，并已与全球芯片制造商展开初步讨论，以建立10nm以下逻辑制造短板。因此，印度的EUV光刻市场与未来建立先进工厂基础设施密切相关。
   
• 此外，印度正在致力于打造强大的辅助生态系统，并补贴了EUV相关支持产业的发展，例如超纯化学品、光掩模空白制造和真空光学等。
   
• 这些能力得到了公私合作伙伴关系和与印度理工学院（IISc）和印度理工学院（IITs）等机构的研究活动的支持，以有机地发展全球EUV供应链的一部分。
   
• 印度正在追求国际技术转让协议，以及在EUV技术领域（如工具维护、校准和束线诊断）的劳动力发展项目。
   
• 这种多方面的方法支持了印度不仅仅成为EUV工厂的东道主，而是在全球先进光刻创新社区中发挥更大作用的野心。
   

2024年，拉丁美洲占据全球极紫外光刻市场的3.5%份额，复合年增长率为9.8%。增长因素包括对国内半导体封装机会的强烈兴趣、对更先进进口芯片需求的快速增长，以及围绕数字化转型的强劲政策动力。巴西和墨西哥正在快速发展半导体测试和验证中心，同时建立电子研发中心，这些可能为未来EUV基础设施奠定基础。与北美半导体公司的合作以及针对纳米制造和工艺工程学科的劳动力发展，正在逐步提高该地区在未来十年内采用先进光刻技术的准备度。
 

中东及非洲极紫外光刻市场在2024年价值达4.684亿美元。受半导体主权、数字制造和太空相关技术战略兴趣的推动。该地区多个国家正在探索在新兴的制造和原型实验室中整合兼容EUV的系统，特别是作为主权技术和电子本地化计划的一部分。此外，海湾国家石油资金支持的创新基金以及在国际半导体联盟中的参与度提高，为MEA国家成为卫星中心奠定了基础，用于在航空航天、汽车电子和国防等专业领域进行测试和小规模光刻处理。

• 2024年，南非极紫外光刻（EUV）市场价值达8590万美元，受工业自动化、本地化电子原型设计和电力电子创新的战略重点支持。该国数字化关键基础设施（如智能电网、电信基站和铁路系统）的国家推动依赖于使用高精度光刻制造的芯片。
• 南非在高等院校和国有研发中心投资先进微电子实验室，为兼容EUV的支持设备（如检测系统、测量仪器单元和光刻胶测试系统）创造了需求。
• 这些实验室在重新培训高技能劳动力和研究纳米印刷光刻及改进掩膜制备方面发挥着更大的作用，这些过程将间接推动长期采用EUV光刻的准备状态。该国正在建立南半球精密制造和微米级芯片设计支持的创新中心，成为EUV相关试点部署的新兴兴趣点。
• 2024年，阿联酋极紫外光刻市场价值达1.494亿美元，正在成为采用高端半导体技术的区域创新节点。阿联酋还与美国、日本和韩国建立了双边研究协议，以促进EUV材料科学、掩膜处理和真空光学知识转移。
• 迪拜和阿布扎比的科技自由贸易区现已设有多个研发中心，从事3D IC封装、光子学和先进晶圆键合等工作，这些都是EUV制造芯片的下游用户。凭借有利的监管环境、先进的物流和节能数据中心，阿联酋正在逐步成为MENA更广泛地区EUV相关研发和设计验证平台的集结地。
• 2024年，MEA其他地区的极紫外光刻市场价值达6860万美元，区域对先进电子生产和跨境半导体合作的兴趣不断增长。
• 埃及、摩洛哥和尼日利亚等国家通过国际培训项目、科技园区和促进微加工能力的公私合作，优先发展半导体能力建设。北非新成立的数字中心正在研究EUV相关试点线，用于纳米级成像、光刻研究和光掩模测试，在学术-工业合作中。
• 作为经济转型计划（如埃及2030愿景和摩洛哥工业加速计划）的一部分，区域电子制造的去中心化正在为未来追求兼容EUV的设施奠定基础。随着政府投资组件设计实验室和清洁室认证项目，极紫外（EUV）光刻市场参与者有望推出模块化研究级系统，特别是用于亚10nm工艺学习、学术原型设计和先进材料评估。提供经济实惠、可扩展EUV生态系统解决方案的供应商，可通过与本地能力建设和技能发展使命对齐，获得先发优势。
   

极紫外光刻市场份额

• 极紫外光刻市场是一个高度竞争的市场，拥有许多大型和小型公司。ASML、TRUMPF、AGC Inc.、Carl Zeiss AG和TOPPAN Holdings Inc.是通用航空市场的主要参与者。这些公司在2024年共占据了总市场份额的60.7%。
   
• ASML是极紫外（EUV）光刻市场的主要供应商，占据了约49.8%的总市场份额。ASML还提供高性能、手持式和台式极紫外（EUV）光刻设备，已在汽车电子和功率电子测试中广泛应用。Hioki持续的进步使其在耐潮湿和耐高温设计、用户友好的界面和本地校准服务方面处于竞争地位。可持续性、工艺精度、区域化和强大的本地供应链是竞争的焦点。
   
• TRUMPF在极紫外（EUV）光刻市场占据3.3%的份额，其成本结构低廉，特点紧凑，环境性能优良。它们通过耐用性、组件保持精度和便携式测试解决方案展现出显著价值，促进了教育、电信测试和现场测试的应用。该公司专注于用户界面、产品设计质量以及致力于创造可持续产品，提高了在全球范围内竞争的可能性。
   
• AGC Inc.占据3%的市场份额，拥有成熟的自动化测试平台和高精度测量解决方案。Chroma继续支持半导体、电动汽车电池和航空航天应用的先进测试。
   
• Carl Zeiss AG占据约3.75%的市场份额，凭借其在高精度光学和光子学方面的专业知识。该公司通过先进的EUV镜面、透镜系统和成像技术提供显著价值，确保超高分辨率和吞吐量。其在光学测量和精密工程方面的创新增强了EUV系统性能，支持亚2nm节点开发。凭借强大的研发能力、与ASML的合作伙伴关系以及可持续光学解决方案的重点，Carl Zeiss增强了竞争力，并巩固了其在全球半导体制造领域的领导地位。
   
• TOPPAN Holdings Inc.占据约0.74%的市场份额，其先进的光掩模技术驱动了EUV光刻。该公司通过高质量的EUV掩模空白、缺陷管理解决方案和图案精度提供显著价值。其专业知识确保了下一代半导体生产的更高可靠性和效率，以满足不断增长的行业需求。通过投资无缺陷掩模的研究、提高制造可扩展性以及追求环保工艺，TOPPAN加强了其作为全球半导体供应链中EUV采用关键推动者的角色。
   

极紫外光刻市场公司

该行业中一些主要的市场参与者包括：
 

• ASML
• TRUMPF
• TOPPAN Holdings Inc.
• AGC Inc.
• Carl Zeiss AG
• NTT Advanced Technology Corporation
• ADVANTEST CORPORATION
• Ushio Inc.
• SUSS MicroTec SE
• Lasertec Corporation
• Energetiq Technology, Inc.
• NuFlare Technology Inc.
• Photronics, Inc.
• HOYA Corporation
• 尼康公司
   
• 蔡司股份公司（Carl Zeiss AG）是光刻光学和测量领域的技术创新者和市场领导者。该公司的核心能力基于高科技光学系统、精密镜头制造和高分辨率掩膜检测解决方案，这些都是极紫外光刻（EUV）能力的重要组成部分。蔡司的独特卖点在于其无与伦比的超精密光学组件制造能力，能够为7纳米以下工艺节点提供理想的成像质量。与大多数主要半导体制造商的紧密合作关系，以及其持续创新并开发和发布最先进的纳米级测量系统的能力，进一步巩固了其作为支持集成极紫外光刻工作系统领导者的地位。强大的研发能力和对可持续性的承诺使其对下一代半导体制造厂更具吸引力。
   
• 东洋顶邦控股公司（TOPPAN Holdings Inc.）正在成为掩膜制造和光刻胶片处理技术领域的专业玩家，这两者都是光刻价值链的重要组成部分。东洋顶邦的独特卖点在于其专有的超洁净掩膜制造工艺和新型防尘罩开发。这些技术各自代表了显著的意图和用途，以提高极紫外光刻活动中的良率和缺陷控制。东洋顶邦现已成为完整解决方案提供商，其流程从掩膜空白制造开始，最终以光刻胶片检测能力结束，使其成为晶圆厂的可信赖供应商，支持半导体客户在高容量制造环境中运作。
   
• Energetiq Technology, Inc.是超亮宽带光源的专业开发商和制造商，包括极紫外光源，这些光源对半导体测量和检测至关重要。该公司的核心能力在于其无电极Z-Pinch和激光驱动光源技术，为像掩膜检测和光刻胶测量等应用提供高亮度和稳定性。Energetiq的独特卖点在于其能够提供紧凑型、模块化的极紫外光源，如EQ-10R和EQ-10HP，这些光源能够最小化热负荷并减少杂质，使其非常适合集成到先进的半导体设备中。Energetiq专注于研究和开发，并与行业领导者密切合作，推动极紫外技术的发展，使其成为2纳米以下工艺节点过渡的关键推动者。其对创新和质量的承诺增强了其对下一代半导体制造厂的吸引力。
   
• NuFlare Technology Inc.是掩膜写入和检测设备的领先提供商，在极紫外光刻价值链中发挥着关键作用。该公司的核心能力在于开发和制造先进的电子束（e-beam）掩膜写入设备和高分辨率掩膜检测系统。NuFlare的独特卖点在于其多束掩膜写入技术，以MBM-4000为例，该技术为极紫外掩膜提供了高速、高精度的图案化，这对于高数值孔径极紫外光刻至关重要。该公司的掩膜检测系统，如NPI-8000，能够快速、敏感地检测光掩模中的缺陷，确保半导体器件的质量和良率。NuFlare对精度和创新的关注，加上其与主要半导体制造商的战略合作关系，巩固了其作为极紫外光刻市场可信赖供应商的地位。
   
• Photronics, Inc.是光掩模技术的全球领导者，为先进半导体制造提供关键解决方案，包括极紫外光刻。该公司的核心能力在于设计和生产光掩模，以便将电路图案转移到半导体晶圆上。Photronics的核心竞争力在于其在7纳米及以下节点（包括5纳米和2纳米EUV应用）高质量光掩模生产方面的丰富经验和能力。该公司的先进光掩模产品包括二进制掩模、相位移动掩模和多模式解决方案，这些都是制造复杂半导体器件的关键技术。Photronics与IBM研究院等战略合作伙伴的合作关系增强了其研发能力，推动了下一代EUV光掩模技术的开发。其全球制造网络和创新承诺使其成为EUV光刻市场的重要参与者，支持行业向更小、更强大的半导体器件发展。
   

极紫外光刻行业新闻

• 2024年10月，Energetiq的首款极紫外（EUV）光源EQ-10M自问世近20年来，一直支持阿尔巴尼大学的重要研究工作。其专利电极无Z-Pinch技术可稳定产生13.5纳米EUV光子，推动光刻胶开发和半导体微型化进步。尽管需要定期维护，但Energetiq与大学之间的紧密合作确保了持续成功，新型EQ-10R型号已作为备用设备，以支持未来的EUV光刻研究。
   
• 2024年3月，尼康公司将战略重点放在中国蓬勃发展的新能源汽车（NEV）行业上，向中国领先的电动汽车制造商供应光刻设备。与主要竞争对手ASML不同，后者专注于先进光刻机，尼康提供多元化的产品组合，包括光刻检测工具。2024年，尼康计划在NSR-2205iL1等新机型上加大对中国市场的投入，该机型专为刻蚀硅化碳（SiC）晶圆设计，以满足28纳米工艺芯片在功率、存储和逻辑应用中的需求增长。
   

极紫外光刻市场研究报告涵盖行业深度分析，提供2021-2034年按收入（百万美元）的估计和预测，以下是各细分市场：

按组件划分

• 光源
• EUV掩模
• EUV光学
• 测量设备
• 其他

按设备类型划分

• 扫描设备
• 掩模检测设备
• 掩模保护膜和掩模处理
• 轨道系统（涂层/显影设备）

按技术节点划分

• 7nm
• 5nm
• 3nm

按终端用户行业类型划分

• 集成设备制造商
• 代工厂

上述信息适用于以下地区和国家： 

• 北美 
  • 美国
  • 加拿大 
• 欧洲 
  • 德国
  • 英国
  • 法国
  • 西班牙
  • 意大利
  • 荷兰 
• 亚太地区 
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 澳大利亚
  • 韩国 
• 拉丁美洲 
  • 巴西
  • 墨西哥
  • 阿根廷 
• 中东和非洲 
  • 沙特阿拉伯
  • 南非
  • 阿联酋