极紫外（EUV）光刻设备市场 尺寸和份额 2026 - 2034

极紫外光刻设备市场规模

2025 年，全球极紫外光刻设备市场规模为 97.1 亿美元。根据 Global Market Insights Inc. 发布的最新报告，预测期内，市场规模预计将从 2026 年的 109.4 亿美元增长至 2034 年的 339.1 亿美元，年均复合增长率（CAGR）为 15.2%。

Lithography Equipment Market" src="https://cdn.gminsights.com/image/rd/electronics-and-media/extreme-ultraviolet-euv-lithography-equipment-market-2025-2034.webp" title="Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography Equipment Market Research Report" />

• 极紫外光刻设备市场的竞争格局仍高度集中，ASML 是全球唯一的 EUV 光刻系统商业供应商。该公司的技术领先地位由复杂的供应链提供支持，涉及先进光学元件、激光产生等离子体光源、精密机电一体化设备和计量技术。随着半导体制造商持续扩大先进制程芯片的产能，ASML 的 EUV 平台需求仍与全球半导体资本支出和先进晶圆厂建设密切相关。
   
• 随着领先的半导体代工厂扩大先进制造产能，以支持人工智能、高性能计算、汽车电子和下一代存储器件，预计市场增长势头将持续加快至 2030 年。行业路线图显示，到本十年末，EUV 系统累计安装量将超过 500 台，从而进一步巩固该技术在半导体微缩以及长期晶圆制造投资中的核心地位。
   
• 对于生产工艺节点低于 7 nm 的半导体器件而言，EUV 光刻已成为最关键的制造技术之一。与传统深紫外（DUV）光刻相比，EUV 能够以更少的掩模层实现更精细的电路图形化，在提升制造效率的同时，支持人工智能处理器、智能手机、数据中心和汽车半导体实现更高的晶体管密度、更低的功耗和更强的芯片性能。
   
• 政府支持的半导体制造计划和产能扩张持续影响区域需求。由于台湾和韩国的主要代工厂持续投资，亚太地区仍是最大的市场；与此同时，美国和欧洲正通过激励计划与战略投资提高本土半导体产量。中国和印度也在不断强化半导体生态系统，以提升供应链韧性并减少对进口芯片制造技术的依赖。
   
• 除初始资本投入外，多种因素也会影响 EUV 光刻设备的采购决策。芯片制造商在规划新建晶圆制造厂时，会评估设备吞吐量、套刻精度、运行时间、服务支持、功耗和长期升级能力。随着先进半导体制造的资本密集程度不断提高，设备可靠性和全生命周期支持对于最大化投资回报发挥着关键作用。

增长驱动因素

对先进制程节点的需求不断增长

对先进制程节点日益增长的需求，是极紫外光刻设备市场的主要驱动因素。

随着半导体制造商向 3 nm、2 nm 及未来的 sub-2 nm 工艺技术过渡，传统深紫外（DUV）光刻因依赖复杂的多重图形化工艺而变得日益低效。EUV 光刻能够以更少的曝光步骤实现更精细的电路图形化，从而提高晶体管密度、良率和制造效率。这一转变正在加速推动美国、韩国、德国、中国、印度和英国先进制造设施的投资，各国政府和芯片制造商正扩大本土半导体产能，以支持人工智能、高性能计算、汽车电子和先进存储器应用。

领先晶圆代工厂在高产量制造中的 EUV 采用率不断提升

领先半导体晶圆代工厂在高产量制造（HVM）中不断部署 EUV 光刻，正显著推动市场增长。台积电（TSMC）、三星电子（Samsung Electronics）和英特尔（Intel）等主要制造商正在扩大 EUV 产能，以生产性能更高、功耗更低且制造良率更高的先进逻辑芯片和存储芯片。从早期采用 EUV 向大规模生产过渡，也正在增加对光掩模、量测系统、检测设备和高功率激光源等配套技术的需求。随着领先半导体设备制造商持续推出高数值孔径（High-NA）EUV 平台，预计 EUV 的采用将进一步加快，从而强化全球 EUV 光刻设备市场的长期发展前景。

制约因素与挑战

极高的资本支出和运营成本

采购和运行极紫外光刻设备的成本极高，仍是该行业采用 EUV 的最大障碍之一。单台 EUV 扫描机的成本可能超过 2 亿美元，而下一代高数值孔径（High-NA）EUV 系统的价格约为 3.7 亿～4 亿美元，因此采购能力仅限于少数领先的半导体制造商。除设备采购外，芯片制造商还必须投资于洁净室基础设施、先进量测、掩模检测、维护以及熟练人才培养。这些巨额资本需求使得部署 EUV 在经济上主要适用于台积电（TSMC）、三星电子（Samsung Electronics）和英特尔（Intel）等大型晶圆代工厂，同时限制了规模较小的半导体制造商采用该技术。

EUV 光源功率有限及产能受吞吐量制约

尽管技术持续进步，但 EUV 光源功率有限和晶圆吞吐量不足仍是影响半导体制造生产率的关键技术挑战。EUV 光刻依赖工作在 13.5 nm 波长下的高功率激光产生等离子体（LPP）光源，而持续稳定地产生足够的光子输出在技术上仍十分复杂。较低的光源功率会降低晶圆处理速度、延长生产周期，并限制晶圆厂的整体生产率，尤其是在高产量制造过程中。随着半导体制造商向 2 nm 和 sub-2 nm 节点过渡，提高 EUV 光源效率、系统正常运行时间、掩模耐久性和吞吐量，已成为 ASML 及其技术合作伙伴等设备供应商支持大规模芯片生产实现经济可行性的重点。

机遇：

高数值孔径 EUV 系统的集成

高数值孔径（High Numerical Aperture，High-NA）EUV 系统的商业化，为极紫外光刻设备市场带来了最重要的增长机遇之一。高数值孔径 EUV 技术的数值孔径为 0.55，而传统 EUV 系统的数值孔径为 0.33 NA，能够实现 2 nm 和 sub-2 nm 半导体制造所需的更精细特征分辨率。随着领先晶圆代工厂和集成器件制造商（IDM）着手建设下一代制造设施，需求将从 EUV 扫描器扩展至先进光学元件、光掩模、计量设备、检测系统、光刻胶材料和高功率光源。预计这一技术转型将在更广泛的半导体设备生态系统中创造新的收入机会，同时支持晶体管持续缩放和人工智能驱动的芯片创新。

先进存储器和异构封装的渗透率不断提升

EUV 光刻在先进存储器制造和异构封装中的应用不断扩大，正在为先进逻辑器件以外的领域创造新的机遇。随着存储器架构持续缩小，存储器制造商正日益将 EUV 集成到 DRAM 生产中，以提高图形化精度、降低工艺复杂性并提升良率。与此同时，基于小芯片的设计、2.5D 和 3D 封装，以及面向人工智能和高性能计算的高带宽存储器（HBM）快速普及，正在增加对先进半导体制造技术的需求。随着人工智能加速器、数据中心处理器和汽车半导体变得日益复杂，预计采用 EUV 的制造工艺将在支持下一代存储器和先进封装解决方案方面发挥越来越重要的作用。

极紫外光刻设备市场趋势

• 塑造极紫外（EUV）光刻设备市场的最重要趋势，是半导体行业从传统的 193 nm 浸没式深紫外（DUV）光刻技术转向 EUV 技术，以制造先进逻辑芯片和存储器芯片。随着芯片制造商向 3 nm、2 nm 及小于 2 nm 的工艺节点迈进，EUV 通过单次曝光光刻实现更精细的电路图形化，减少了对复杂多重图形化技术的依赖。这将提高制造效率、降低工艺变异性并支持更高的晶体管密度，使 EUV 成为人工智能处理器、高性能计算（HPC）、汽车半导体和下一代移动设备不可或缺的技术。
   
• 另一个显著趋势是高数值孔径（High-NA）EUV 光刻技术实现商业化，该技术旨在支持 2 nm 及更小工艺节点的半导体生产。High-NA 系统采用数值孔径为 0.55 的光学元件，而当前一代 EUV 平台的数值孔径为 0.33 NA，可实现约 8 nm 的最小特征尺寸，而后者约为 13 nm。更高的光学分辨率降低了图形化复杂性，同时提高了日益高密度集成电路的套刻精度和制造良率。
• High-NA EUV 的推出也意味着半导体制造商需要进行大规模资本投资。ASML 的 TWINSCAN EXE:5000 售价介于 3.7 亿美元和 4 亿美元之间，几乎是传统 EUV 系统成本的两倍；传统 EUV 系统的市场规模约为 2 亿美元。尽管投资额更高，领先晶圆代工厂仍认为 High-NA EUV 对于延续摩尔定律、提高晶圆生产效率，以及支持下一代人工智能加速器、先进存储器和数据中心处理器的生产至关重要。英特尔于 2023 年 12 月接收了首台商用 High-NA EUV 系统，台积电则于 2024 年末接收首台系统；行业路线图显示，该技术将于 2024～2025 年开始更广泛部署，并预计在 2026～2027 年实现批量生产。
   
• 随着芯片架构日益复杂，每个半导体器件所使用的 EUV 层数持续增加。先进的 7 nm 工艺技术通常需要 5～10 层 EUV，而 3 nm 制造已将使用量提升至 15～20 层。预计未来的 2 nm 生产每个芯片将需要超过 25 层 EUV。这种持续增长说明，尽管各座晶圆厂都在优化生产能力，对 EUV 光刻设备的需求仍在不断扩大。更高的层数意味着 EUV 扫描器、光掩模、计量系统、光刻胶材料和检测设备的利用率将进一步提高，从而为半导体设备价值链各环节创造持续的市场机遇。
   
• 随着各国政府和半导体制造商扩大本土晶圆制造能力，竞争格局也在不断演变。美国、韩国、中国、德国、英国和印度的相关投资正在强化区域半导体生态系统，并增加对先进光刻技术的需求。尽管 ASML 仍是唯一一家商业化供应 EUV 光刻系统的企业，但随着领先芯片制造商投资建设下一代晶圆制造设施，其光学器件、光源、计量和半导体设备合作伙伴组成的生态系统也在持续扩大。技术创新、政府支持的半导体计划以及人工智能驱动的芯片需求不断增长，这些因素共同作用，预计将继续成为 EUV 光刻设备长期应用的主要驱动因素。 

极紫外光刻设备市场分析

按技术类型划分，市场分为标准 EUV 系统和高数值孔径（High-NA）EUV 系统。
 

• 标准 EUV 系统仍采用 193 nm 浸没式光刻技术和数值孔径为 0.33 的光学系统，可用于制造 7 nm、5 nm 甚至早期 3 nm 工艺节点。这表明该行业正逐步从较旧的方法转向新型 EUV（极紫外）技术。
   
• 这些标准 EUV 系统可实现约 13 nm 的最小特征尺寸，并且速度足以满足实际生产需求，每小时可处理约 170～200 片晶圆。标准 EUV 系统预计将实现 14.8% 的年均复合增长率（CAGR），这反映出其在成熟先进工艺节点中的持续部署，以及在存储器应用领域的拓展。
   
• 高数值孔径（High-NA）EUV 系统属于正在开发中的光刻系统，具有更高的数值孔径（0.55 NA），能够印制更小的特征，最小特征尺寸可达到 8 nm，从而满足 2 nm 及 2 nm 以下工艺节点的需求。高数值孔径系统 17.9% 的年均复合增长率（CAGR）反映出该技术正从研究与开发（R&D）阶段迈向早期生产阶段，Intel 和 TSMC 已于 2023～2024 年实现相关应用。
   
• 尽管高数值孔径系统的成本高达 3.7亿～4亿美元，超过传统 EUV 系统，但由于其能够减少传统系统为制造极小特征而需要的额外步骤（即双重图案化），因此从长期来看可以降低成本和复杂性。

 

按设备类型划分，极紫外光刻设备市场细分为 EUV 扫描器、EUV 光学系统、EUV 光源、EUV 掩模与掩模基板、EUV 计量与检测设备、EUV 支持系统以及 EUV 软件与计算系统。
 

• 设备类型细分凸显了开展极紫外光刻所需的完整生态系统，其中极紫外扫描仪占据最大的市场份额，为 50.7%，预计到 2034 年将以 16.1% 的年均复合增长率（CAGR）增长。扫描仪的性能构成光刻工艺的核心，而且价格极其昂贵，具体成本取决于其功能，每台约为 2 亿至 4 亿美元。
   
• 极紫外光学系统占据 14.9% 的市场份额，年均复合增长率为 14.6%，包括用于提供极紫外系统性能的精密反射镜、集光器和光学组件。ZEISS 与 ASML 就极紫外光学系统签订了独家供应协议，每套系统需要 10～11 面精密反射镜，这对制造商的精度提出了极高要求，精度需达到皮米级。
   
• 极紫外光源占据 14.2% 的市场份额，年均复合增长率为 15.3%，是极紫外生态系统中技术挑战最大的组件之一。目前的系统采用高功率二氧化碳激光器轰击微小锡滴，以 250～300 瓦的功率产生极紫外光。为满足高数值孔径扫描仪的需求，光源功率需要提升至 500 瓦以上，使其成为重点发展领域。
   

按技术节点应用划分，极紫外光刻设备市场细分为 7nm 逻辑节点、5nm 逻辑节点、3nm 逻辑节点、2nm 逻辑节点、2nm 以下逻辑节点、先进动态随机存取存储器（DRAM，10nm 级及以下）以及先进 NAND 闪存。
 

• 7nm 逻辑节点应用处于领先地位，占据 28.9% 的市场份额，年均复合增长率为 14%。该细分市场是极紫外技术首次实现大规模商业部署的领域，在高产量制造中，极紫外技术与多重图形化技术之间的经济性达到了盈亏平衡点。
   
• 2025 年，5nm 逻辑节点应用占据 25.3% 的市场份额，预计将以 15% 的年均复合增长率增长，代表领先晶圆代工厂当前重点发展的高产量制造领域。在 5nm 节点中，极紫外技术应用于 10～15 个关键层，与 193nm 浸没式光刻技术相比，可降低工艺复杂度，同时满足先进处理器和移动系统级芯片（SoC）对晶体管密度和性能的要求。
   
• 3nm 逻辑节点应用占据 20.9% 的市场份额，年均复合增长率为 15.8%，是生产部署的技术前沿。3nm 节点在 15～20 个关键层中采用极紫外技术，并要求具备当前一代极紫外系统的全部特性，例如更高的套刻精度和更少的随机效应。顶尖晶圆代工厂正借助极紫外技术提高 3nm 产量，使该技术得以应用。

2025 年，北美占据 25.2% 的市场份额，预计将以 15.2% 的年均复合增长率增长。这主要受 Intel 为先进节点制造积极部署极紫外技术，以及众多需要极紫外技术支持的制造服务的主要无晶圆厂企业集中于该地区的影响。通过投资高数值孔径极紫外技术，Intel 不仅成为技术领导者，也成为首家具备下一代光刻能力的企业。
 

• 2025 年，美国极紫外光刻设备市场规模为 22 亿美元，预计在 2026 年至 2034 年的预测期内将以 15.3% 的年均复合增长率增长。根据美国政府《芯片法案》，将为支持本土半导体制造能力并减少对海外极紫外（EUV）产品生产依赖的极紫外加速器计划拨款 8.25 亿美元。该项政府援助促使私营部门积极投资于 EUV 技术和本土制造能力。
   
• 制造商可以利用《芯片法案》提供的拨款，与美国晶圆厂合作，实现供应链本地化。这不仅能够确保技术快速部署，还将提升高性能半导体生产行业的竞争力。
   
• 预计到 2034 年，加拿大极紫外光刻设备市场的年均复合增长率（CAGR）将达到 14.1%。加拿大极紫外（EUV）光刻设备市场正在增长，主要得益于政府对半导体研究与开发（R&D）的支持不断增加、先进制造领域的投资持续增长，以及人工智能、航空航天和电信行业对精密芯片的需求不断扩大。研究机构与全球芯片制造商之间的合作不仅将推动技术应用，还将加快技术普及。
   
• 制造商如果先着重与加拿大研究中心建立关系，再利用政府激励措施设立本地组装或测试业务，就能更有效地利用时间和资源。这样既有助于增强供应链韧性，也有助于提升区域技术竞争力。
   

2025 年，欧洲占据市场份额的 15.4%，年均复合增长率为 13.5%。市场增长主要得益于 IMEC 和 CEA-Leti 等机构开展的大量研究与开发活动，以及需要借助 EUV 能力满足利基应用需求的特色半导体制造商。欧盟的多项举措，包括芯片联合事业（Chips Joint Undertaking），正在为 EUV 技术的开发与部署提供必要资金。
 

• 预计到 2034 年，德国极紫外光刻设备市场的年均复合增长率将达到 14.8%。德国极紫外（EUV）光刻设备市场的增长主要由半导体研究与开发投资、汽车行业电子产品需求增长，以及受工业 4.0 影响的芯片创新所推动。政府支持的众多资助计划，以及由此促成的研究机构与芯片制造商之间的合作，正在加快光刻技术部署，并巩固德国作为高端半导体制造中心的地位。
   
• 德国制造商应重点加强与工业企业和汽车行业企业的合作，并与联邦资助计划保持一致。这些活动将帮助制造商加快 EUV 技术商业化，同时建立稳固的合作伙伴关系。
   
• 预计到 2034 年，英国极紫外光刻设备市场收入将超过 12.7 亿美元。推动英国 EUV 光刻设备市场取得成功的因素之一，是半导体设计、量子计算和纳米技术研究领域的投资不断增加。包括《国家半导体战略》在内的多项政府举措，以及学术界开展的合作，是推动创新的主要因素。因此，EUV 凭借其在芯片制造精度和高价值技术应用方面的优势，正日益受到重视。
   
• 制造商应与英国研究机构密切合作，充分利用创新资助，并参与开发支持 EUV 的半导体工艺，以提升本地技术能力，并在该国新兴芯片生态系统中取得优势。
   

亚太地区以 56.5% 的市场份额和 15.7% 的年均复合增长率（CAGR）确立了其市场主导地位，这主要归因于全球顶尖半导体制造商集中于该地区，以及该地区对先进节点技术的大力投资。因此，亚太地区拥有台积电（TSMC）、三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）等企业。这些企业代表了主要晶圆代工厂和存储器制造商，因而也是极紫外（EUV）技术最大的客户。
 

• 2025 年，中国极紫外（EUV）光刻设备市场规模为 21 亿美元，占亚太地区市场总份额的 38.2%。由于一系列出口管制措施限制了中国获取 EUV 技术，中国在亚太市场的份额受到限制，这为其他市场提供了发展机遇。因此，日本、新加坡和东南亚新兴市场成为这些限制措施的部分受益者。例如，索尼（Sony）和瑞萨电子（Renesas）是正在扩大 EUV 技术在特色半导体应用中采用率的日本企业。
   
• 制造商必须探索建立战略合资企业的可行性，充分利用政府激励措施，并专注于技术本地化适配，以克服监管挑战，更高效地利用中国庞大的半导体制造生态系统。
   
• 预计在预测期内，韩国极紫外（EUV）光刻设备市场将以 15% 的年均复合增长率增长。韩国是亚太地区第二大重要市场，三星在该国开展晶圆代工业务和存储器制造业务，并已针对逻辑芯片和动态随机存取存储器（DRAM）应用进行大规模 EUV 投资。三星与 ASML 合作开展 EUV 技术研究及其在多个产品线中的实施，投资金额为 7.6 亿美元。
   
• 预计到 2034 年，印度极紫外（EUV）光刻设备市场规模将超过 52.3 亿美元。印度支持极紫外（EUV）光刻工具的市场主要由政府支持的半导体计划推动，例如旨在发展国内芯片制造能力的“印度半导体使命”。电子制造、数字化以及为外国半导体企业提供的激励措施日益增加，也共同推动了 EUV 技术的采用。该技术对于满足快速增长的先进节点芯片生产需求至关重要。
   
• 制造商应与印度晶圆厂合作，与政府激励措施保持一致，并尽早建立 EUV 基础，这将有利于当地芯片生产，并符合印度实现半导体长期自主发展的目标。
   

预计到 2034 年，拉丁美洲极紫外光刻设备市场规模将超过 2.577 亿美元。对先进计算和汽车电子产品的需求已成为该地区投资下一代光刻系统的主要驱动因素，以提高芯片微型化水平和生产效率。
 

预计到 2034 年，中东和非洲地区的 EUV 光刻机市场规模将超过 5.528 亿。MEA EUV 光刻设备市场的增长主要归因于阿联酋和以色列不断兴起的半导体封装组装中心，以及电子、航空航天和国防领域投资的支持。
 

• 2025 年，南非极紫外光刻设备市场规模为 4,000 万美元。随着人们对微电子制造以及基于研究与开发的创新中心的兴趣不断增加，南非 EUV 光刻设备市场持续增长。政府对数字工业化和半导体技能发展的重视，正在推动其与全球芯片设备制造商建立合作伙伴关系，目标是加强本地晶圆制造机会，减少对进口半导体技术的依赖。
   
• 制造商应重点开展协作培训计划和技术转让倡议，以便在南非新兴的半导体生态系统及以本地研究与开发（R&D）为基础的芯片生产工作中建立先发优势。
   
• 沙特阿拉伯极紫外光刻设备市场预计将在预测期内以 13.6% 的年均复合增长率（CAGR）增长。沙特阿拉伯的“2030年愿景”倡议正按照数字化转型目标，加快对半导体制造的投资。政府对智能基础设施、国防电子和可再生技术的重视，正在推动对包括极紫外光刻系统在内的先进芯片生产工具的需求，以支持本地化制造和技术自主发展。
   
• 制造商应与政府支持的创新计划和产业集群建立合作，使极紫外光刻系统的部署符合沙特阿拉伯在半导体自给自足和高科技产业多元化方面的战略目标。
   
• 阿联酋极紫外光刻设备市场预计到 2034 年将超过 1.67 亿美元。阿联酋正凭借对人工智能、智慧城市和国防技术的大规模投资，迅速发展成为半导体创新中心。阿联酋与国际半导体企业建立的战略合作伙伴关系以及有利的监管环境，正推动极紫外光刻技术的应用，以支持本土芯片设计、测试和先进封装。
   

极紫外光刻设备市场份额

• 排名前五的企业合计占据 87.61% 的市场份额，其中包括 ASML 的扫描仪系统以及构成关键极紫外光刻生态系统的核心零部件供应商。ZEISS 与 ASML 在极紫外光刻光学系统方面保持独家合作关系，为其提供决定系统性能的精密反射镜和光学组件。根据 ZEISS 的研究，每套极紫外光刻系统需要 10～11 面精密反射镜，其制造公差以皮米计量；因此，每台扫描仪所配备的光学系统价值达数百万美元。
   
• 就竞争格局而言，欧盟极紫外光刻设备市场高度集中。ASML Holding N.V. 是主要参与者，占更广义光刻设备细分市场 72.5% 的市场份额，并几乎占据商业极紫外光刻扫描仪系统市场 100% 的份额。ASML 在市场中保持领先地位的原因，在于其专注于极紫外光刻技术开发的投资已持续 20 多年，其中包括与顶尖半导体制造商、政府资助的研究机构以及零部件供应商开展合作。
   
• Coherent Corporation 收购相干激光系统和组件业务后，成为极紫外光源技术领域的领导者。该公司的高功率 CO₂ 激光器是激光产生等离子体（LPP）极紫外光源的主要组件，每套系统都需要多个以千瓦级功率运行的激光模块。据 Coherent Corporation 称，公司持续开发下一代激光技术，而高数值孔径（High-NA）极紫外光刻系统正需要这类技术，这进一步巩固了公司在市场中的地位。
   
• Trumpf SE + Co. KG 凭借工业激光专业能力以及与极紫外光源开发商的合作，在进一步开发极紫外光源所需的激光技术方面拥有良好优势。该公司激光系统的最大功率使其成为极紫外光源架构中的关键决定性组件。根据 Trumpf 开展的研究结果，公司目前正持续进行相关开发，旨在提升功率和可靠性，而这对于大批量制造至关重要。
   
• KLA Corporation 是极紫外（EUV）计量与检测设备领域的领先企业，能够提供 EUV 工艺控制和良率优化所需的专用测量系统。KLA Corporation 的光化学检测系统在 EUV 波长下运行，可检测缺陷并以亚纳米级精度测量关键尺寸。因此，凭借其超高精度能力，这些系统能够实现非常高的定价，KLA Corporation 对此进行了说明。
   

极紫外光刻设备市场企业

在极紫外（EUV）光刻设备市场运营的主要企业包括：
 

• ASML Holding N.V.
• Coherent Corporation
• Trumpf SE + Co. KG
• Jenoptik AG
• KLA Corporation
• Applied Materials, Inc.
• Lam Research Corporation
• Nikon Corporation
• Canon Inc.
• Gigaphoton Inc.
• NuFlare Technology, Inc.
• Lasertec Corporation
• Veeco Instruments Inc.
• SUSS MicroTec SE
• EV Group E. Thallner GmbH
• SET Corporation
• Oxford Instruments plc
• Plasma-Therm LLC
• Oxford Instruments plc
• Plasma-Therm LLC
  
   

极紫外光刻设备市场的主要参与者构成了一个完整的生态系统，其范围超越系统集成，涵盖关键组件、材料和支持服务。该市场结构体现了 EUV 技术高度专业化的特点，以及交付可正常运行的光刻系统所需的长供应链。
 

ASML Holding N.V. 是 EUV 扫描器系统领域无可争议的领先企业，其 TWINSCAN NXE 系列代表当前一代量产 EUV 系统，而 TWINSCAN EXE:5000 High-NA 系统则定义了下一代技术前沿。Coherent Corporation 凭借其高功率激光系统和组件，在 EUV 光源技术领域占据关键地位。该公司的工业激光专业能力使其能够提供激光产生等离子体（LPP）EUV 光源所需的千瓦级 CO2 激光器。
 

Jenoptik AG 提供对 EUV 生态系统至关重要的精密光学组件和系统，其中包括专用光学器件和计量设备。该公司的精密制造和光学系统技术不仅有助于 EUV 扫描器的开发，还能满足晶圆厂层面的计量需求。
 

作为 EUV 光刻系统的配套企业，Applied Materials, Inc. 提供可无缝集成的工艺设备和材料解决方案。该公司的战略举措包括创建兼容 EUV 的沉积和刻蚀工艺、采用适用于 EUV 的先进材料，以及开发能够最大限度提升 EUV 性能的集成工艺解决方案。
 

Veeco Instruments Inc.、SUSS MicroTec SE、EV Group E. Thallner GmbH、SET Corporation、Oxford Instruments plc 和 Plasma-Therm LLC 是推动 EUV 晶圆厂实施与运行的六家企业，提供专用工艺设备、材料处理系统和其他配套技术。

极紫外光刻设备行业新闻

• 2026 年 6 月，ASML 重申，在有关潜在出口管制问题的报道之后，该公司从未向中国发运极紫外（EUV）光刻系统或 EUV 专用组件。该公司表示，所有 EUV 设备出口均符合荷兰及国际法规，凸显地缘政治贸易政策持续影响全球半导体设备市场。
   
• 2026 年 6 月，研究人员展示了一种双光束激光照射技术，使极紫外（EUV）光源的转换效率提升了约 40%，为提高未来高数值孔径（High-NA）EUV 光刻所需的高功率 EUV 光源提供了潜在路径。这项进展有望支持多千瓦级 EUV 光源，从而提高晶圆吞吐量，并提升下一代半导体制造的生产效率。
   

极紫外光刻设备市场研究报告深入覆盖该行业，并以 2021 年至 2034 年的收入（十亿美元）和数量（单位）为依据，提供估算与预测，具体细分市场如下：

按技术类型划分的市场

• 标准 EUV 系统（NA 0.33）
  • NXE:3400C 系统
  • NXE:3600D 系统
  • NXE:3800E 系统 
• 高数值孔径 EUV 系统（NA 0.55）  
  • EXE:5000 系统
  • EXE:5200B 系统
  • 下一代高数值孔径系统

按设备类型划分的市场

• EUV 光刻机       
• EUV 光学系统        
  • 照明系统
  • 投影光学系统
  • 反射镜系统与多层涂层 
• EUV 光源
  • CO2 激光系统
  • 等离子体生成设备
  • 功率调节系统
• EUV 掩模版与空白掩模        
  • 掩模基板空白片
  • 光罩薄膜系统
  • 掩模制造设备
• EUV 计量与检测设备 
  • 缺陷检测系统
  • 套刻计量系统
  • 关键尺寸测量系统
• EUV 支持系统       
  • 真空系统
  • 废气处理设备
  • 环境控制系统
• EUV 软件与计算系统
  • 计算光刻软件
  • 工艺控制软件
  • 掩模设计软件

按技术节点应用划分的市场  

• 7 纳米逻辑节点   
• 5 纳米逻辑节点   
• 3 纳米逻辑节点   
• 2 纳米逻辑节点   
• 2 纳米以下逻辑节点      
• 先进 DRAM（10 纳米级及以下）  
• 先进 NAND 闪存     

按最终用途类型划分的市场     

• 纯晶圆代工厂         
• 集成器件制造商（IDMs）
• 存储器制造商  

按最终用途行业划分的市场

• 移动与消费电子  
• 汽车半导体       
• 人工智能与机器学习           
• 数据中心与高性能计算     
• 5G 与电信基础设施           
• 工业与物联网应用       
• 航空航天与国防                  

以上信息涵盖以下地区和国家：

• 北美
  • 美国
  • 加拿大
• 欧洲
  • 英国
  • 德国
  • 法国
  • 意大利
  • 西班牙
  • 俄罗斯
• 亚太地区
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 韩国
  • 澳大利亚和新西兰（ANZ） 
• 拉丁美洲
  • 巴西
  • 墨西哥 
• 中东和非洲（MEA）
  • 阿联酋
  • 沙特阿拉伯
  • 南非