SiC и GaN Power Semiconductor Market Size Report - 2032

Размер рынка полупроводников SiC и GaN Power

SiC и GaN Power Semiconductor Market были оценены в 2,24 миллиарда долларов США в 2023 году и, как ожидается, вырастут более чем на 25% в период с 2024 по 2032 год. На рынке энергоэффективность и снижение потерь электроэнергии являются ключевыми преимуществами, способствующими внедрению.

Полупроводники из карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) обеспечивают значительно более низкое сопротивление и потери переключения по сравнению с традиционными аналогами на основе кремния. Эта эффективность приводит к снижению выработки тепла и повышению производительности в различных приложениях, от промышленных источников питания до систем возобновляемых источников энергии. Минимизируя потери мощности при преобразовании и передаче, полупроводники SiC и GaN способствуют повышению эффективности и снижению эксплуатационных расходов в долгосрочной перспективе. Их превосходная теплопроводность и надежность обеспечивают более высокие рабочие температуры и плотность мощности, поддерживая компактные конструкции и надежность в сложных условиях, таких как автомобильный и аэрокосмический секторы.

На рынке наблюдается растущее внедрение электромобилей (EV) из-за их способности повышать эффективность и производительность. Устройства SiC и GaN обеспечивают более высокие частоты переключения и меньшие потери в силовой электронике, повышая дальность и эффективность электромобилей. Эти полупроводники облегчают более быстрое время зарядки, уменьшают потери энергии при преобразовании мощности и поддерживают разработку более компактных и легких систем трансмиссии EV. Поскольку производители автомобилей стремятся соответствовать строгим нормам выбросов и потребительскому спросу на электромобили дальнего действия, внедрение полупроводников SiC и GaN имеет решающее значение для достижения этих целей, одновременно улучшая общую производительность транспортных средств и опыт вождения.

Широкое внедрение на рынках полупроводниковых электростанций SiC и GaN серьезно затруднено высокими производственными затратами. Полупроводники из карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) производятся с использованием сложных материалов и методов изготовления, что приводит к более высоким производственным затратам, чем при использовании обычной технологии на основе кремния. Основными факторами, влияющими на эти расходы, являются требования к специализированному оборудованию, строгие протоколы обеспечения качества и сравнительно небольшая экономия масштаба в производственных количествах. Следовательно, производители полупроводников должны нести большие затраты на запуск и текущие эксплуатационные расходы, которые могут повлиять на стоимость продукции и конкурентоспособность рынка. Расширение использования силовых полупроводников SiC и GaN в различных областях применения, от автомобильной и возобновляемой энергетики до промышленности и бытовой электроники, потребует решения этих проблем.

Динамика рынка полупроводников SiC и GaN Power

Растет тенденция к внедрению силовых полупроводников SiC и GaN в автомобильной промышленности. Эти полупроводники предлагают такие преимущества, как более высокая эффективность, уменьшенный размер и вес, а также улучшенное управление температурой по сравнению с традиционными компонентами на основе кремния. Эта тенденция обусловлена переходом автомобильной промышленности к электрическим и гибридным автомобилям, где эффективное управление мощностью и увеличенный диапазон являются критическими факторами. Производители инвестируют в разработку автомобильных устройств SiC и GaN для удовлетворения жестких требований к надежности и производительности автомобильных приложений. Например, в январе 2023 года Tesla, Volkswagen и BMW значительно увеличили использование полупроводников SiC и GaN в электромобилях. Он интегрировал эти передовые полупроводники в свои трансмиссии EV для повышения эффективности и производительности.

Другой важной тенденцией является расширение полупроводников SiC и GaN в области возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы и ветряные турбины. Эти полупроводники обеспечивают более высокую эффективность и надежность в системах преобразования энергии, уменьшая потери энергии и улучшая общую производительность системы. С глобальным толчком к устойчивым энергетическим решениям растет спрос на передовую силовую электронику, которая может эффективно обрабатывать более высокие частоты и напряжения. Эта тенденция подчеркивает роль технологий SiC и GaN в поддержке перехода к более экологичным источникам энергии и повышении эффективности инфраструктуры возобновляемых источников энергии во всем мире. Например, в апреле 2023 года такие компании, как Siemens Energy и Vestas, объявили о развертывании силовых полупроводников SiC и GaN в своих солнечных батареях. энергия ветрасистемы. Эти достижения направлены на повышение эффективности преобразования энергии и повышение надежности инфраструктуры возобновляемых источников энергии.

SiC и GaN Power анализ рынка полупроводников

На базе процессора рынок разделен на силовой модуль SiC, силовой модуль GaN, дискретный SiC, дискретный GaN. Дискретный сегмент силовых модулей SiC доминирует на рынке и, как ожидается, достигнет более 7 миллиардов к 2032 году.

• дискретный Полупроводники SiC относятся к отдельным компонентам, таким как диоды, транзисторы и модули, изготовленные из материала карбида кремния. Эти дискретные устройства предлагают более высокие рейтинги напряжения и тока по сравнению с аналогами на основе кремния, а также превосходную производительность с точки зрения скорости переключения и эффективности.
• дискретный Компоненты SiC находят применение в различных отраслях промышленности, включая автомобильную, аэрокосмическую, телекоммуникационную и силовую электронику. Они используются в системах преобразования мощности, управления двигателем, высоковольтной ректификации и других приложениях, требующих надежных полупроводниковых решений. дискретный Полупроводники SiC позволяют инженерам оптимизировать схемы для улучшения управления мощностью и энергоэффективности при достижении компактных и надежных электронных систем.

Исходя из диапазона мощности, рынок силовых полупроводников SiC и GaN разделен на малой мощности, средней мощности и высокой мощности. Сегмент средней мощности является самым быстрорастущим с CAGR более 28% в период с 2024 по 2032 год.

• биде) полупроводники обычно работают в диапазоне от нескольких сотен ватт до нескольких киловатт. Эти устройства предназначены для приложений, которые требуют более высокой эффективности, улучшенного управления температурой и уменьшенного размера по сравнению с традиционными полупроводниками на основе кремния.
• Средняя мощность Устройства SiC обычно используются в источниках питания, моторных приводах, промышленном оборудовании и системах возобновляемой энергии, таких как солнечные инверторы и зарядные устройства электромобилей. Они предлагают такие преимущества, как более низкие потери переключения, более высокие рабочие температуры и повышенная надежность, что делает их идеальными для требовательных сред, где эффективность и компактность являются решающими факторами в дизайне и производительности.

Азиатско-Тихоокеанский регион доминировал на мировом рынке силовых полупроводников SiC и GaN в 2023 году, на долю которого приходится более 45%. Китай играет важную роль на рынке как крупный производитель и потребитель. Страна активно инвестирует в полупроводниковые технологии для укрепления своих промышленных возможностей и поддержки таких секторов, как электромобили, возобновляемые источники энергии и телекоммуникации. Китайские компании разрабатывают и производят силовые полупроводники SiC и GaN для удовлетворения внутреннего спроса и повышения технологической самодостаточности. Кроме того, инициативы Китая в области возобновляемых источников энергии и электрической мобильности способствуют внедрению этих передовых полупроводников для эффективного управления мощностью и повышения производительности в критически важных инфраструктурных проектах. Участие Китая подчеркивает его стратегическое значение в формировании глобального полупроводникового рынка.

США лидируют в области инноваций и внедрения силовых полупроводников SiC и GaN, особенно в аэрокосмической, оборонной и автомобильной промышленности. Такие компании, как Cree и Infineon Technologies, являются выдающимися игроками, способствующими повышению эффективности и производительности.

Япония фокусируется на высокотехнологичном производстве и автомобильной промышленности, интегрируя технологии SiC и GaN для энергоэффективных решений в электромобилях и промышленных приложениях. Такие компании, как Mitsubishi Electric и ROHM Semiconductor, лидируют в разработке и развертывании.

Южная Корея уделяет особое внимание полупроводниковым технологиям в электронике и автомобильном секторе, а Samsung Electronics и LG Electronics лидируют в принятии SiC и GaN для бытовой электроники и автомобильных приложений.

Доля рынка полупроводников SiC и GaN Power

Alpha и Omega Semiconductor и Infineon Technologies занимают значительную долю в отрасли SiC и GaN Power Semiconductor. Alpha и Omega Semiconductor (AOS) являются ведущими поставщиками широкого спектра силовых полупроводников, включая устройства SiC и GaN. Это специализируется на разработке передовых решений управления мощностью для приложений в области потребительской электроники, автомобильной, промышленной и возобновляемой энергетики. Компания фокусируется на инновациях в энергоэффективности, надежности и производительности, удовлетворяя меняющиеся потребности глобальных рынков. Продуктовый портфель AOS включает в себя дискретные полупроводники, интегральные схемы и силовые модули, поддерживающие различные приложения, где энергоэффективность и компактная конструкция имеют решающее значение.

Infineon Technologies, базирующаяся в Германии, является мировым лидером в области полупроводниковых решений, включая силовые полупроводники SiC и GaN. Компания использует свой опыт в силовой электронике для предоставления передовых полупроводниковых технологий, которые повышают энергоэффективность и надежность в автомобильных, промышленных и возобновляемых источниках энергии. Продукты Infineon SiC и GaN обеспечивают более высокую плотность мощности, уменьшенный размер системы и улучшенное управление температурой, удовлетворяя строгим требованиям современных электронных систем. Уделяя особое внимание инновациям и устойчивому развитию, Infineon играет ключевую роль в формировании будущего силовых полупроводниковых технологий во всем мире.

Компании SiC и GaN Power Semiconductor Market

Основными игроками, работающими в полупроводниковой промышленности SiC и GaN, являются:

• Компания Infineon Technologies AG
• Компания Semiconductor Corporation
• STMicroelectronics Н.В.
• ROHM CO., LTD.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Скорость Wolf Speed
• Корпорация Renesas Electronics
• Альфа и Омега полупроводник
• Fuji Electric Co., Ltd.
  

SiC и GaN Power полупроводниковая промышленность Новости

• В апреле 2023 года ON Semiconductor запустила мультисенсорную платформу RSL10-Solar-Cell и продемонстрировала свою приверженность устойчивым решениям IoT. Эта инновационная платформа интегрирует датчики окружающей среды с технологией солнечных батарей. сбор энергии для IoT-приложений. Используя солнечную энергию, платформа повышает автономность устройства и снижает зависимость от внешних источников энергии, способствуя экологической устойчивости. Инициатива ON Semiconductor подчеркивает ее приверженность продвижению зеленых технологий и удовлетворению растущего спроса на энергоэффективные решения IoT в различных отраслях.
• В марте 2023 года Infineon Technologies AG объявила о приобретении немецкой компании MERACON GmbH, специализирующейся на лидарных и сенсорных технологиях. Этот стратегический шаг укрепляет присутствие Infineon в автомобильном и промышленном секторах, расширяя портфель передовых технологий зондирования. Технология Lidar, известная своей точностью измерения расстояния и обнаружения объектов с использованием лазерных импульсов, соответствует приверженности Infineon повышению безопасности и эффективности автономного вождения и промышленной автоматизации. Приобретение позволяет Infineon интегрировать опыт MERACON, усиливая его способность поставлять инновационные решения, которые отвечают меняющимся требованиям автономных транспортных средств и интеллектуальных производственных сред.

Отчет SiC и GaN Power по исследованию рынка полупроводников включает в себя углубленный охват отрасли. с оценками и прогнозами в отношении выручки (Миллион долларов США) с 2021 по 2032 год, для следующих сегментов:

Рынок, процессор

• Силовой модуль SiC
• Силовой модуль GaN
• Дискретный SiC
• Дискретный GaN

Рынок по диапазону мощности

• маломощный
• Средняя мощность
• Высокая мощность

Рынок, по вертикали

• Поставки электроэнергии
• Промышленные двигатели
• H/EV
• PV инверторы
• тяга
• Другие

Указанная выше информация предоставляется для следующих регионов и стран:

• Северная Америка
  • США.
  • Канада
• Европа
  • Германия
  • Великобритания
  • Франция
  • Италия
  • Испания
  • Остальная Европа
• Азиатско-Тихоокеанский регион
  • Китай
  • Индия
  • Япония
  • Южная Корея
  • АНЗ
  • Остальная часть Азиатско-Тихоокеанского региона
• Латинская Америка
  • Бразилия
  • Мексика
  • Остальная часть Латинской Америки
• МЭА
  • ОАЭ
  • Саудовская Аравия
  • Южная Африка
  • Остальная часть MEA